「"Work function"」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method which enables another aquisition of the data related to the state produced on the surface of a metal such as adsorption or the like simultaneously with the automatic determination of the work function of the metal from a measuring result of the discharge of a photoelectron due to the irradiation with ultraviolet rays of low energy.例文帳に追加

低エネルギ−の紫外線照射による光電子放出測定の結果から、金属の仕事関数を自動的に決定すると同時に、吸着などの表面に生じた状態に関連する情報を新たに得ることができる方法を提供する。 - 特許庁

As the problem of an excessive energy loss accompanied by the movement of electrons or the deterioration of the organic compound layer are not generated, the electron injection property is improved and the drive voltage is reduced regardless of the work function of the negative electrode material.例文帳に追加

また、電子の移動に伴うエネルギーの余分な損失や有機化合物層自体の変質等の問題もないことから陰極材料の仕事関数に拘わらず電子の注入性を向上させると共に駆動電圧の低下を実現することができる。 - 特許庁

To provide a resistance film type touch screen capable of improving touch sensitivity even with a low voltage and lower external pressure by further including a surface modification layer covering an electrode pattern and made of a material having a smaller work function than conductive macromolecules.例文帳に追加

電極パターンをカバーし、伝導性高分子より仕事関数が小さい物質で構成された表面改質層をさらに含むことにより、低い電圧と低い外圧によってもタッチ感度を向上させることができる抵抗膜式タッチスクリーンを提案する。 - 特許庁

The cathode 132 in this case is formed by molybdenum (Mo) for preventing an oxidation reaction from occurring, or a double layer of a metal layer having a small work function and a molybdenum layer, and the molybdenum layer is removed in a process for removing a protective film, thus preventing the cathode 132 from being oxidized.例文帳に追加

この時の陰極１３２を酸化反応が起きないモリブデン（Ｍｏ）、あるいは仕事関数の低い金属層とモリブデン層の二重層で形成し、保護膜を除去する過程で、モリブデン層を除去することにより陰極１３２の酸化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a means for changing a threshold voltage V_th in MOS transistors constituting a CMOS integrated circuit by changing the work function of a gate electrode without channel doping so that event system LSIs can be manufactured with various functions.例文帳に追加

ＣＭＯＳ集積回路を構成するＭＯＳトランジスタに於ける閾値電圧Ｖ_thを変化させる手段として、チャネルドーピングを用いることなく、ゲート電極の仕事関数を変えることで実現し、多様な機能をもつシステムＬＳＩであっても容易に実現できるようにする。 - 特許庁

The metal gate electrode having a structure in which a work function control layer 5 containing N etc., an intermediate layer 6 containing Si or Al, and a low resistance layer 7 of MoN layer etc. are laminated through a gate insulating film 4 is formed on a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板２上に、ゲート絶縁膜４を介して、Ｎ等を含有する仕事関数制御層５、ＳｉまたはＡｌを含んだ中間層６、およびＭｏＮ層等の低抵抗層７が積層された構造を有するメタルゲート電極を形成する。 - 特許庁

By executing low bias treatment using a halogen-based gas when etching the polysilicon film, a metal electrode having an independent work function is formed on the N-ch transistor and the P-ch transistor while improving the film quality of the High-k film which is a base.例文帳に追加

該ポリシリコン膜をエッチングする際にハロゲン系ガスを用いた低バイアス処理を施すことにより、下地のＨｉｇｈ−ｋ膜の膜質を改善しながら、Ｎ−ｃｈトランジスタ及びＰ−ｃｈトランジスタに独立した仕事関数を持つ金属電極を形成する。 - 特許庁

To provide an element having a structure which is directly formed on a semiconductor as a schottky electrode made of a metal having hydrogen absorbing property such as Pt, etc. which has high work function to solve the problem that characteristics changes significantly to temperature or surrounding atmosphere.例文帳に追加

温度や周辺の雰囲気に対して、特性が大きく変動する問題を解決する高い仕事関数を持つＰｔ等の水素吸蔵性のある金属からなるショットキー電極として直接、半導体上に作製する構造の素子を提供する。 - 特許庁

By this, since the composition of the metal film 3 for gate electrodes formed in the pFET region Rp can be changed, the work function of the gate electrode of the pFET region Rp formed by the metal film 3 for gate electrodes can be changed.例文帳に追加

これによって、ｐＦＥＴ領域Ｒｐに形成されたゲート電極用金属膜３の組成を変化させることができるので、このゲート電極用金属膜３で形成されるｐＦＥＴ領域Ｒｐのゲート電極の仕事関数を変化させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor layer (21) on a substrate (20), a first gate electrode (25) provided on the layer (21), and a second gate electrode (28) adjacent to one side of the first gate electrode in a channel length direction and having a work function different from that of the first gate electrode.例文帳に追加

基板（２０）上の半導体層（２１）と、この上に設けられた第１のゲート電極（２５）と、該第１のゲート電極のチャネル長方向の片側に隣接し、前記第１のゲート電極とは異なる仕事関数を持つ第２のゲート電極（２８）とを備える。 - 特許庁

At least a top layer of the second insulation film for separating the bottom layer of the control gate from the rest of the second insulation film is constructed in a predetermined high-k material, chosen outside the group for avoiding a reduction in the work-function of the material of the bottom layer of the control gate.例文帳に追加

第２絶縁膜の少なくとも上部層は、制御ゲートの下部層を第２絶縁膜の残りから隔離するものであって、制御ゲートの下部層の材料の仕事関数の低減を回避するために、該グループ外で選ばれた所定の高誘電率材料で構築される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal device with a liquid crystal panel capable of surely preventing display failure such as flickering and sticking in the liquid crystal device caused by the deviation of ions when the work function of a pixel electrode and that of a counter electrode are different from each other after being manufactured.例文帳に追加

製造後、画素電極と対向電極とで仕事関数が異なってしまった場合におけるイオンの偏りにより発生する液晶装置におけるフリッカや焼き付き等の表示不良を、確実に防止することができる液晶パネルを具備する液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The work function of the first part 30 of a gate electrode 14 adjoining to the N-type low-concentration drift region 6 of an IGBT 100 through the intermediary of a gate insulating film 12 is set different from that of the second part 32 of the gate electrode 14 adjoining to a P-type body region 8 through the intermediary of a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００のｎ型低濃度ドリフト領域６にゲート絶縁膜１２を介して隣接するゲート電極１４の第１部位３０と、ｐ型ボディ領域８にゲート絶縁膜１２を介して隣接するゲート電極１４の第２部位３２とは、その仕事関数が異なっている。 - 特許庁

This invention provides the metal compound which is a p-type metal having a work function of about 4.75-5.3 eV, preferably about 5 eV and comprises MO_xN_y stable to heat on the gate stack comprising the high-k dielectric and an interface layer, and a method for manufacturing the MO_xN_y metal compound.例文帳に追加

仕事関数が約４．７５から約５．３、好ましくは約５ｅＶであるｐ型金属であり、高ｋ誘電体とインタフェース層とを含むゲート・スタック上で熱に対して安定なＭＯ_ｘＮ_ｙを含む金属化合物、およびこのＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物を製作する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, including an MISFET that contains a gate insulating film of high dielectric constant, capable of controlling a threshold voltage to a shallow value with ease, based on the relation between the work function of a metal gate material and that of the semiconductor substrate, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an FED display device which is composed of a cathode substrate with an MIM type electron source formed in an array shape and an anode substrate where a phosphor is formed and in which a work function of an upper electrode of an electron emission film of the MIM type electron source is reduced and an electron emission efficiency is improved.例文帳に追加

ＭＩＭ型電子源をアレイ状に形成した陰極基板と蛍光体が形成された陽極基板とで構成されるＦＥＤ表示装置で、ＭＩＭ型電子源の電子放出膜である上部電極の仕事関数を低下させて電子放出効率を上昇させる。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element allowing reduction in element driving voltage, the improvement in life characteristic or stability of chromaticity in continuous drive, and suppression of resistance increase as much as possible by increasing the work function of the anode for enhancing hole injection efficiency.例文帳に追加

陽極の仕事関数を大きくしてホールの注入効率を高め、素子駆動電圧の低電圧化を可能とし、さらに連続駆動時の寿命特性や色度の安定性を改善できると共に抵抗増大を極力抑えた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

A source electrode layer or a drain electrode layer is formed in structure of a lamination layer of two layers or more, and one layer abutting on an oxide semiconductor layer from among the lamination layer is formed of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer, or alloy of such metal.例文帳に追加

ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属又はそのような金属の合金とする。 - 特許庁

To provide a gate insulating film without deterioration caused by depositions contained in spike and metal wiring and a gate electrode having a high work function, and also to provide the manufacturing method of the semiconductor device manufacturable via reduced resist mask formation processes.例文帳に追加

スパイクや金属配線に含有される析出物による劣化のないゲート絶縁膜と、高い仕事関数を有するゲート電極とを含む半導体装置、及び、少ないレジストマスク形成行程を介して製造可能な該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

On a high dielectric constant gate insulation film 5, a first gate electrode layer 6 containing a metal having a work function capable of controlling the threshold voltage of a transistor is deposited, and a second gate electrode layer 7, composed of a material being machined easily in the vertical direction by dry etching, is deposited on the first gate electrode layer 6.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜５上に、トランジスタの閾値電圧を制御できる仕事関数を有する、金属を含む第１ゲート電極層６を堆積し、第１ゲート電極層６上にドライエッチングで垂直に加工し易い材料からなる第２ゲート電極層７を堆積する。 - 特許庁

In the light emission element in which a layer including a luminescence domain is prepared between an anode and a negative pole, a visible light (wavelength of 380-780 nm) transmittance of the above-mentioned anode is specified at 35-75%, and the work function of the above anode is further specified at 3.0-7.0 eV.例文帳に追加

陽極と陰極との間に、発光領域を含む層が設けられた発光素子において、前記陽極の可視光（波長３８０〜７８０ｎｍ）透過率が３５〜７５％に規定され、更に前記陽極の仕事関数が３．０〜７．０ｅＶに規定された発光素子。 - 特許庁

In a means of improving the ion-impact secondary electron emission characteristic, the work function, crystallinity and the surface shape are improved, and the secondary electron emission ratio is enhanced by adding a material having small band gap (NiO, ZnO, Eu_2O_3, SnO_2 or CaO) to MgO.例文帳に追加

イオン衝撃二次電子放出特性を改善する手段としては、ＭｇＯにバンドギャップの小さい材料（ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｅｕ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、又はＣａＯ）を添加することで、仕事関数や結晶性および表面形状を改善させ、二次電子放出比の向上を図る。 - 特許庁

By utilizing the work function difference, the potential of the transfer gate electrode 248 substantially becomes a negative potential, and the accumulating effect of holes under the transfer gate electrode 248 is permitted to enjoy the same, whereby the generation of dark current from the lower interface of the transfer gate can be reduced.例文帳に追加

仕事関数差を利用することで、転送ゲート電極２４８の電位を実質的に負電位にして、転送ゲート電極２４８下にホールを蓄積する効果を享受できるようになり、転送ゲート下界面からの暗電流の発生を低減することができる。 - 特許庁

The image forming apparatus forms a color image by forming a latent image on a latent image carrier and putting colors one upon another using a black toner or toners of a plurality of colors, wherein at least a toner having the largest work function is first transferred onto the intermediate transfer medium.例文帳に追加

潜像担持体上に静電潜像を形成し、黒あるいは複数色のトナーを用いて色重ねによりカラー画像を形成する画像形成装置において、少なくとも仕事関数が最も大きなトナーから中間転写媒体上に転写される画像形成装置。 - 特許庁

The organic electroluminescent device 100 has (a) an anode 103, (b) an electroluminescent medium 109, and (c) an alloy-based cathode 115 containing two or more kinds of metals in order, and all of the alloy metals have a work function higher than 4.0 eV.例文帳に追加

有機電場発光デバイス１００の構成が、順に、ａ）アノード１０３、ｂ）電場発光媒体１０９、及びｃ）２種以上の金属を含む合金系カソード１１５を含んで成り、該合金の金属のすべてが４．０ｅＶより高い仕事関数を有することを特徴とする。 - 特許庁

The electrochromic mirror 10 includes an electrochromic film 16, a conductive reflective film 18 containing silver, and a protection film 36 made of a metal of which the work function is equal to or lower than that of silver, so that diffusion of silver to the electrochromic film 16 is suppressed to suppress yellowing of the electrochromic film 16.例文帳に追加

本エレクトロクロミックミラー１０では、エレクトロクロミック膜１６と、銀を含む導電性反射膜１８と、仕事関数が銀以下である金属からなる保護膜３６とを設けているため、エレクトロクロミック膜１６への銀の拡散が抑制され、エレクトロクロミック膜１６の黄変を抑制することができる。 - 特許庁

The source electrode layer or the drain electrode layer is formed in a layered structure of two layers or more, and one layer abutting on the oxide semiconductor layer from among the layer stack is made of an oxide of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer or an oxide of a metal alloy thereof.例文帳に追加

ソース電極層又はドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属の酸化物又はその金属合金の酸化物とする。 - 特許庁

The frame is biased by a prescribed amount to control a surface work function of the emission plate and to set an incident light frequency by which photoelectrons are emitted from the emission plate, and thus, the shattering and filtering at the sensor are provided.例文帳に追加

導電性フレームが所定の量だけバイアスされ、電子放出プレートの表面仕事関数を制御し、光電子が電子放出プレートから放出される入射光周波数を設定し、かくして、光電イメージセンサの電子シャッタリングおよび周波数フィルタリングを提供する。 - 特許庁

The first electrode is similarly composed of a metal having a small work function, but composed of a material having an oxide generation free energy higher than that of an element composing the control layer in order to suppress thermal diffusion of oxygen from the control layer.例文帳に追加

第１電極は、当該金属と同様に仕事関数が小さい金属で構成されるが、尚且つ、制御層からの酸素の熱拡散を抑制するために、その酸化物生成自由エネルギーが、制御層を構成する元素の酸化物生成自由エネルギーよりも大きな材料で構成される。 - 特許庁

To provide an organic EL element with a structure in which damage to an organic EL layer inflicted by the sputter at the time of formation of the upper electrode is suppressed and the work function of the upper electrode and ionization potential of the hole injecting layer can be made compatible.例文帳に追加

上部電極形成時のスパッタに与えられる有機ＥＬ発光層のダメージを抑制し、かつ上部電極の仕事関数と正孔注入層のイオン化ポテンシャルとを適合させることが可能な構造を有する有機ＥＬ発光素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To obtain a desired work function by especially suppressing a reaction between a high dielectric constant material and a gate electrode material, which causes a fermi level pinning phenomenon, and to increase uniformity and yield in a CMOS transistor structure employing a full silicide gate or a metal gate.例文帳に追加

フルシリサイドゲート又はメタルゲートを用いたＣＭＯＳトランジスタ構造であって、特にフェルミ・レベル・ピニング現象の原因となる高誘電率材料とゲート電極材料との反応を抑制して所望の仕事関数を得られるようにし、且つ均一性及び歩留まりを高くできるようにする。 - 特許庁

An rare earth copper oxide made from oxygen, copper, and one kind of rare earth such as La_2CuO_4 is employed as the material constituting hetero junction with such conductor having a low work function or electrical negativity such as Ti, as an electrode.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、電極としてＴｉ等の浅い仕事関数又は小さな電気陰性度を有する導電体とヘテロ接合を構成する材料として、Ｌａ_２ＣｕＯ_４のような希土類の１種と銅と酸素からなる希土類−銅の酸化物とすることによって解決される。 - 特許庁

In the electroluminescent element having both electrode layers of a positive electrode layer 10 and a negative electrode layer 70 and a luminescent layer 40 formed between the both electrodes, the negative electrode layer 70 is structured of magnesium metal and metal with a work function of not more than 3.0eV such as calcium metal.例文帳に追加

陽極層１０及び陰極層７０の両電極層とこの両電極層間に形成される発光層４０を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、陰極層７０を、例えばカルシウム金属などの３．０ｅＶ以下の仕事関数金属と、マグネシウム金属とから構成する。 - 特許庁

The method for adjusting a work function of a silicide gate electrode includes steps of providing at least one semiconductor material containing lanthanide, Si, and G or SiGe and a layer including metal on a gate dielectric substance and converting the layer into a silicide gate electrode.例文帳に追加

本発明のシリサイド化されたゲート電極の仕事関数の調節方法は、少なくとも１つのランタニドと、Ｓｉ、Ｇ、またはＳｉＧｅを含む半導体材料と、金属を含む層をゲート誘電体上に設けるステップと、前記層をシリサイド化されたゲート電極に変換するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having dual work function gates, which easily and reliably manufactures the device without adding substantial complexity of the manufacturing process and costs in manufacturing a CMOS where dual metal gates with a single or dual dielectrics are formed.例文帳に追加

ＣＭＯＳを製造するにおいて、１つまたは２つの誘電体を有するデュアル金属ゲートを形成する場合の、本質的な製造プロセスの複雑さや費用が増加しない、製造が容易で信頼性のある、デュアル仕事関数を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Between the other electrode and the organic photoelectric conversion layer, an electron blocking layer may be formed whose electron affinity is smaller than the work function of the adjacent electron by 1.3 eV or above, and ionization potential is the same as or smaller than that of the adjacent organic photoelectric conversion layer.例文帳に追加

もう一方の電極と有機光電変換層との間に、電子親和力が、隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、イオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、それより小さい電子ブロッキング層を設けても良い。 - 特許庁

Between one electrode and an organic photoelectric conversion layer, a hole blocking layer is formed which consists of an organic compound and whose ionization potential is larger than the work function of the adjacent electrode by 1.3 eV or above, and electron affinity is the same as or larger than that of the adjacent organic photoelectric conversion layer.例文帳に追加

電極と有機光電変換層との間に、イオン化ポテンシャルが隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、電子親和力が隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等かそれより大きい、有機化合物からなる正孔ブロッキング層を設ける。 - 特許庁

On a substrate 1, the multilayer structure comprises a surface layer 3 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom is laminated via a buried layer 2 wherein at least one atom layer of alkaline metal atom on the substrate is substituted, and its work function ϕ is set at 3 eV or less.例文帳に追加

金属基板１上に、基板表面の金属原子をアルカリ金属原子で一原子層以上置換した埋込み層２を介して、前記アルカリ金属原子が１原子層以上積層された表面層３を備えて、仕事関数φを３ｅＶ以下とした多層構造体。 - 特許庁

To suppress gate leakage and to thin a gate insulated film by forming at least the side of the gate insulated film of a gate electrode of a film containing hafnium and silicon, obtaining a work function value equivalent to Poly-Si and reducing the reaction of the base gate insulated film and hafnium.例文帳に追加

ゲート電極の少なくともゲート絶縁膜側をハフニウムとシリコンとを含む膜で形成することで、Ｐｏｌｙ−Ｓｉと同等の仕事関数値を得るともに、下地のゲート絶縁膜とハフニウムとの反応性を低減してゲートリークを抑制し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。 - 特許庁

The organic matter layer 10 is formed by silk screening method as a coated film heated and dried of an organic matter paint evenly dissolving in an organic solvent the conductive powder and/or conductive compound with large work function and a hole transport material.例文帳に追加

有機物層１０は、スクリーン印刷法により形成され、仕事関数が大きい電気伝導性粉末及び／又は電気伝導性化合物と正孔輸送性材料とを有機溶剤中に均一に溶解した有機物塗料の塗布膜を加熱及び乾燥させたものである。 - 特許庁

A sub-dielectric layer 8B is provided to prevent the main dielectric layer 8A from being exposed to a gap space, and a difference between electron affinity and work function of the sub-dielectric layer 8B and the electrode on the movable plate 3 is made larger than that in a constitution that the main dielectric layer 8A is exposed to the gap space.例文帳に追加

そして、主誘電体層８Ａがギャップ空間に露出することを防ぐ副誘電体層８Ｂを設け、副誘電体層８Ｂと可動板３側の電極との電子親和力と仕事関数との差を、主誘電体層８Ａがギャップ空間に露出する構成よりも大きくする。 - 特許庁

The thermionic generating element has its emitter 11 and collector made of materials whose work functions are less than a predetermined value, and is provided with a bias circuit C2 which applies a forward bias between the emitter 11 and collector 12, where the emitter is made low in work function and migration of thermal electrons from the emitter 11 to the collector is accelerated during power generation.例文帳に追加

エミッタ（11）とコレクタ（12）を仕事関数が所定値以下の材料により構成するとともに、エミッタ（11）とコレクタ（12）との間に順方向バイアスをかけるバイアス回路（C2）を設け、発電時にエミッタ（11）を低仕事関数化するとともに、エミッタ（11）からコレクタ（12）への熱電子の移動を促進させる、 - 特許庁

To provide a method of manufacturing for an organic luminescent element enlarging a work function, enhancing injection efficiency, lowering element driving voltage, improving service life characteristics in continuous driving and the stability of chromaticity, and suppressing increase in resistance to the utmost.例文帳に追加

陽極の仕事関数を大きくしてホールの注入効率を高め、素子駆動電圧の低電圧化を可能とし、さらに連続駆動時の寿命特性や色度の安定性を改善できると共に抵抗増大を極力抑えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron gun, having an emitter consisting of a carbon nanotube having a small tip diameter and a low work function of such a structure that the axial direction of the nanotube can be aligned in the anode direction without resorting to affixation and the tube end in the axial direction can be used as an emitter edge.例文帳に追加

先端径が小さく低仕事関数であるカーボンナノチューブをエミッタとして用い、しかも張り付けによらずにカーボンナノチューブの軸方向をアノードに向けて揃えて配置し、そのチューブの軸方向端部をエミッタエッジとして利用することができる電子銃を提供すること。 - 特許庁

A surface treatment by which the work function of the surface of the anode 6 is increased by 0.5 eV or more is carried out by exposing to a steam of solution of acid, after the surface of the anode 6 is cleaning treated so that the contact angle of the surface of the anode 6 to water may be 10° or less.例文帳に追加

陽極６の表面の水との接触角が１０°以下になるように陽極６の表面を洗浄処理した後、酸の溶液の蒸気にさらすことにより陽極６の表面の仕事関数を０．５ｅＶ以上大きくする表面処理を行なう。 - 特許庁