「"Work function"」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an improved method and a semiconductor element for adjusting a work function of a metal film in a structure including a double metal gate.例文帳に追加

二重金属ゲートを有する構造体において金属膜の仕事関数を調整する為の改善した方法および半導体素子を提供する。 - 特許庁

Because the structure is a dual work function structure, the conductive contact is allowed to extend over the cap-free gate without being electrically connected thereto.例文帳に追加

この構造は、デュアル・ワーク・ファンクション構造であるため、導電コンタクトを、無キャップゲートに電気的に接続することなく、無キャップゲート上に延長させることができる。 - 特許庁

Regarding a contact member for the developing apparatus, the work function of a contact part contacting a supply roller is made lower than that of the developer.例文帳に追加

当接部材の、供給ローラに当接する当接部の仕事関数は、現像剤の仕事関数よりも小さいことを特徴とする現像装置。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a laminated organic EL (electroluminescent) display device improving the work function of a transparent electrode, attaining power saving and obtaining favorable display characteristics.例文帳に追加

透明電極の仕事関数を向上させ、低消費電力化を達成でき、良好な表示特性が得られる積層型の有機ＥＬ表示装置を得る。 - 特許庁

The n-type transistor has a second work function, and a second gate electrode formed of a second material layer 211-2 rich in a second metal material.例文帳に追加

前記Ｎ型のトランジスタは、第２の仕事関数値を有し、第２の金属材料に富んだ第２材料層２１１−２より成る第２ゲート電極を有する。 - 特許庁

According to this constitution, electron impregnating property from the cathode into the light emitting layer can be improved without employing a low work function metal inactive in reaction.例文帳に追加

この構成によれば、反応活性な低仕事関数金属を用いることなく、陰極から発光層への電子注入性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a wiring material which does not lose conductivity even under an oxidation process at 500°C, which has a work function of TiN or higher, and which is less expensive than precious metals.例文帳に追加

５００℃酸化処理でも導電性を失わず、仕事関数がＴｉＮ以上であって、しかも貴金属よりも安価な配線材料を提供する。 - 特許庁

The electrode material of which the surface has a fine concavo-convex shape and is made of fine structures has a work function less than 4.7 eV and an etching rate less than 22 nm/min.例文帳に追加

表面が微細な凹凸形状であると共に微細組織からなる本発明電極材料は、仕事関数が4.7eV未満、エッチングレートが22nm/min未満である。 - 特許庁

By this method, the reflection type electrode substrate having low resistance and a large work function and useful as the electrode substrate for the organic EL element can be manufactured.例文帳に追加

この方法により、低抵抗で仕事関数の大きい、有機ＥＬ素子の電極基板として有用な反射型電極基板を製造することができる。 - 特許庁

With this configuration, work function of the electrodes 1b decreases and temperature of the electrodes drops, and then evaporation of thorium (Th) and thorium oxide (ThO_2) is reduced.例文帳に追加

この構成によって、電極１ｂの仕事関数が減少し、電極温度が低下するので、トリウム（Th）および酸化トリウム（ThO_2）の蒸発を低減することができる。 - 特許庁

The work function can be raised further to 6.0 eV or more by a surface oxidation treatment such as an oxygen plasma treatment to lower an injection voltage.例文帳に追加

さらに、酸素プラズマ処理などの表面酸化処理により、仕事関数を6.0eV以上まで大きくでき、注入電圧を低下させることができる。 - 特許庁

The transparent electrode for the organic electroluminescent element comprises a silver-based alloy thin film 5 having a regulated work function and a metal oxide thin film 6.例文帳に追加

仕事関数が調整された銀系合金薄膜５と金属酸化物薄膜６とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極とする。 - 特許庁

The photoelectriccathode film 3 is made from, for example, gold, platinum, low work function materials, or semiconductor having small or negative electron affinity.例文帳に追加

光電陰極膜３は、例えば、金、白金などの金属、低仕事関数材料や、小さいもしくは負の電子親和力を有する半導体から成る。 - 特許庁

A cathode electrode having an electron emission layer can be obtained by using material having smaller work function than that of an electrode formed by metal material.例文帳に追加

金属材料によって形成された電極より仕事関数の小さな材料によって電子放出層を有する陰極電極が得られる。 - 特許庁

The electron injection material is preferred to be acetylacetonate complex with metal having the small work function such as calcium as the center atom.例文帳に追加

また前記電子注入性材料は、カルシウム等の仕事関数が小さい金属を中心原子とするアセチルアセトナト錯体であることが望ましい。 - 特許庁

The metal gate electrode 4 is formed of a TiCoN film, and the work function is set as 4.0 to 4.8 eV suitable for the gate electrode materials of the N type MISFET.例文帳に追加

メタルゲート電極４はＴｉＣｏＮ膜により形成し、その仕事関数はＮ型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極材料に適した４．０〜４．８ｅＶとする。 - 特許庁

An inorganic conductive layer is formed in an interface between the cathode and an organic compound layer with a material of a smaller work function than a cathode material.例文帳に追加

本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。 - 特許庁

To provide an oxide transparent conductive film and its film forming method capable of retaining a work function to be at a value lower than 4.5 eV stably in the atmosphere.例文帳に追加

大気中で安定して仕事関数が４．５ｅＶより低い値を保持することができる酸化物透明導電膜およびその成膜方法を提供する。 - 特許庁

In a nitride-based semiconductor, the height of a Schottky barrier Φ_B markedly changes with respect to the work function of a metal Φ_M, unlike GaAs and Si.例文帳に追加

ナイトライド系半導体では、ＧａＡｓ及びＳｉとは異なり、金属の仕事関数Φ_Mに対してショットキー障壁高さΦ_Bが顕著に変化する。 - 特許庁

To form a gate electrode having a proper work function value with a low resistance while maintaining the interface state of a gate electrode in a low status.例文帳に追加

ゲート電極の界面準位を低い状態に維持しつつ、低抵抗で適性な仕事関数値を有するゲート電極の形成を可能とする。 - 特許庁

To provide an organic EL device manufacturing apparatus having a plasma treatment device for uniformly adjusting the work function of an electrode by uniformly performing a plasma treatment.例文帳に追加

プラズマ処理を平均的に行って電極の仕事関数を均一に調整できるプラズマ処理装置を備えた有機ＥＬ装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

The gate electrode having the work function variable in the lateral direction can be formed using angle inclined ion implantation or a sequent lamination layer method.例文帳に追加

横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。 - 特許庁

Therefore, the low-work-function layer is excellent in adhesion with the bases material, hardly being peeled off at an initial stage of use of the lamp 1, functioning as an electron emission layer over a long period.例文帳に追加

そのため、低仕事関数層は、基材との密着性に優れ、ランプ1の使用初期に剥離し難く、長期に亘り電子放出層として機能する。 - 特許庁

An inorganic electric conduction layer is formed using a material, which has a smaller work function for the interface between the negative electrode and an organic compound layer rather than the negative electrode material.例文帳に追加

本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。 - 特許庁

The cathode layer 17 is equipped with an inner cathode layer 17a formed by vacuum depositing a cathode material having a work function not more than 3.5 eV in light emitting pattern and an outer cathode layer 17b formed by depositing a cathode material having a work function not less than 4 eV on the inner cathode layer 17a in a wiring pattern.例文帳に追加

陰極層１７が、仕事関数が３．５ｅＶ以下の陰極材料によって発光パターンに蒸着された内側陰極層１７ａと、仕事関数が４ｅＶ以上の陰極材料によって内側陰極層１７ａ上に配線パターンを形成して蒸着された外側陰極層１７ｂとを備えてなる。 - 特許庁

Each static electricity suppressing roller 5 has a base roller made of a steel pipe and a static electricity suppressing layer formed by winding on the base roller a conductive PE film having work function where the difference between it and work function of the insulating box 2 made of the PP material is within ±0.1 eV so as to cover the outer peripheral surface of the base roller.例文帳に追加

そして、各静電気抑制ローラ５は、鋼管製の基部ローラと、ＰＰ材で作製された絶縁箱２の仕事関数との差が±０．１ｅＶ以内の仕事関数を有する導電性ＰＥフィルムを基部ローラの外表面を覆うように基部ローラに巻き付けて形成された静電気抑制層とを備えている。 - 特許庁

This evaluation is executed by using a device including irradiation sources 3, 4 capable of irradiating radiation rays with sufficient energy for emitting photoelectrons 8 from the protection film of the sample 1 of the recording medium and work function measurement means 6, 7 for detecting the photoelectrons 8 from the sample 1 and for outputting them as the work function.例文帳に追加

この評価は、記録媒体試料１の保護膜から光電子８を放出させるのに十分なエネルギーの放射線を照射可能な照射源３、４と、試料１からの光電子８を検出し仕事関数として出力する仕事関数測定手段６、７とを含む装置を用いて実施できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent conductive film, wherein an initial work function can be enlarged and such a large work function can be maintained for a long period of time, a manufacturing method of an organic EL device using the transparent conductive film as an anode, and a plasma treatment device suitable for manufacturing such a transparent conductive film.例文帳に追加

初期的な仕事関数を大きくでき、かつ、かかる大きな仕事関数を長期間にわたって維持することのできる透明導電膜の製造方法、この透明導電膜を陽極として用いた有機ＥＬ装置の製造方法、およびかかる透明導電膜の製造に適したプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem wherein a gate insulating film and a semiconductor are attacked to deteriorate the characteristics and reliability of an insulated gate field effect transistor when a gate electrode whose work function varies in the direction of channels is formed.例文帳に追加

仕事関数がチャネル方向に変化しているゲート電極を形成する際に、ゲート絶縁膜および半導体がアタックされ、特性および信頼性が低下する。 - 特許庁

A conductive layer 30 made of a material having a work function smaller than that of the silicon target material 10 is provided on a surface of the silicon target material 10 on a side of the bonding layer 40.例文帳に追加

珪素ターゲット材１０のボンディング層４０側の面には、珪素ターゲット材１０よりも仕事関数の小さな材料からなる導電性層３０が設けられている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element in which injection efficiency of hole is enhanced by making a work function of positive electrode large and in which a low voltage of element driving voltage is made possible.例文帳に追加

陽極の仕事関数を大きくしてホールの注入効率を高め、素子駆動電圧の低電圧化を可能とした有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

In addition, since the first metallic layer 171 in contact with the electron supplying layer 14 has a large work function, a high Schottky barrier is formed and an excellent Shottky contact is obtained.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ電子供給層１４と接する第１金属層金属は仕事関数が大きいためショットキー障壁が高く良好なショットキー接触が得られる。 - 特許庁

To provide an EL electrode easily controlling interface electric characteristics such as a work function used for an electronic device such as an organic EL device, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

有機ＥＬ素子をはじめとする電子デバイスに用いられる仕事関数等の界面電気特性を簡便に制御できるＥＬ電極とその製造方法の提供。 - 特許庁

A cathode of the organic light-emitting device comprises a first layer 5 of a conductive material and a second layer 4 of a conductive material having a work function of 3.7 ev. at most.例文帳に追加

有機発光デバイスのカソードは、導電性材料の第一層５と、最高で３．７ｅＶの仕事関数を有する導電性材料の第二層４とからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that strikes a balance between control of a work function and thinned EOT, the device using a metal electrode/High-k film structure as a gate structure.例文帳に追加

ゲート構造としてメタル電極／Ｈｉｇｈ−ｋ膜構造を用いた半導体装置において、仕事関数の制御とＥＯＴの薄膜化とを両立させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, including a metal gate electrode having a proper work function and suppressing scattering of the transistor characteristics, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

適切な仕事関数を有する金属ゲート電極を備え、トランジスタ特性のばらつきが抑えられた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Owing to the junction between a semiconductor layer and a conductor having a work function lower than the electron affinity of the semiconductor layer, a region into which carriers are injected from the conductor is formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a metal gate electrode having a suitable work function, which is capable of high-speed operation with depletion suppressed, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

適切な仕事関数を有する金属ゲート電極を備え、空乏化が抑制され、高速に動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a work function of a gate electrode is optimized, and the deterioration in characteristics or a decrease in reliability is prevented.例文帳に追加

ゲート電極の仕事関数を最適化することができ、しかも特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The work function is changed dependent on the impurity in the impurity-doped metal silicide film, and this enables the adjustment of the MISFET threshold voltage to a specified level.例文帳に追加

不純物添加金属シリサイド膜における不純物により、その仕事関数を変え、これにより、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を所定の値に制御することができる。 - 特許庁

To provide a charge trap type nonvolatile semiconductor memory device in which a memory cell transistor and a select transistor having gate electrodes differing in work function from each other can be constituted.例文帳に追加

互いに異なる仕事関数のゲート電極を有するメモリセルトランジスタ及び選択トランジスタを構成可能なチャージトラップ型の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The cathode of the organic light emitting device is composed of a first layer 5 of a conductive material, and a second layer 4 of a conductive material having a work function of 3.7 eV at the maximum.例文帳に追加

有機発光デバイスのカソードは、導電性材料の第一層５と、最高で３．７ｅＶの仕事関数を有する導電性材料の第二層４とからなる。 - 特許庁

The first insulating layer 151 and the second insulating layer 152 are plate-shaped, and the first gate insulating film 131 contains a first element for adjusting a work function.例文帳に追加

第１絶縁層１５１及び第２絶縁層１５２は平板状であり、第１ゲート絶縁膜１３１は、仕事関数調整用の第１元素を含んでいる。 - 特許庁

The p-type field effect transistor has a first work function and a first gate electrode formed of a first material layer 211-1 rich in a first metal material.例文帳に追加

前記Ｐ型のトランジスタは、第１の仕事関数値を有し、第１の金属材料に富んだ第１材料層２１１−１より成る第１ゲート電極を有する。 - 特許庁

In this cold cathode discharge lamp, a surface of an inner lead-in wire 4a is formed of material having a work function value higher than that of material forming an inside surface of a cylindrical electrode 5.例文帳に追加

内部導入線４ａの表面を、筒状電極５の内面を形成する材料の仕事関数値よりも仕事関数値の高い材料にて形成する。 - 特許庁