「"Work function"」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

By covering the plasma electrode surface of the negative ion source with carbon nanotubes, electrons are emitted from the carbon nanotubes at a sheath voltage of source plasma for ion generation and the electrode surface is brought into a state that the work function is equivalently lowered to intensify a negative ion generation reaction.例文帳に追加

負イオン源のプラズマ電極表面をカーボンナノチューブで覆うことにより、イオン生成用のソースプラズマのシース電圧でカーボンナノチューブから電子が放出されて等価的に仕事関数が低下した電極表面状態となり負イオン生成反応が増強された負イオン源。 - 特許庁

The electrode 10 for an element comprises a substrate 1, and a conductive portion 5 disposed on one surface 1a of the substrate 1, wherein the conductive portion 5 comprises a binder resin 2 and two or more conductive fillers 3, 4 which are dispersed like particles in the binder resin 2 and each having a different work function.例文帳に追加

基板１と、基板１の一面１ａに配された導電部５とからなる素子用電極１０であって、導電部５は、バインダー樹脂２と、バインダー樹脂２中に粒子状に分散され、異なる仕事関数を有した２以上の導電性フィラー３，４とからなること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same wherein an effective work function of a gate electrode can be stably set at a value near mid-gap of an Si band gap, in the semiconductor device having an NMOS and a PMOS such as an NMOSFET and a PMOSFET.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴ等のＮＭＯS及びＰＭＯSを有する半導体装置において、ゲート電極の実効仕事関数を、Ｓｉバンドギャップのmid-gap付近の値に安定的に設定することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a diffraction grating for selecting the wavelength of the illumination light or a polarizing filter for selecting the direction of circular polarization in the illumination light is used between the condenser lens 2 and the transmission window 6, thus realizing the high-resolution measurement of a work function distribution and magnetic domain distribution on the surface of the sample.例文帳に追加

そして、さらに、コンデンサレンズ２と透過窓６との間に、照射光の波長を選択する回折格子や照射光の円偏光の向きを選択する偏光フィルタを用いることにより、試料表面での仕事関数分布や磁気ドメイン分布の高分解能測定が可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improved in adhesion among metallic particles and a film at the periphery of the metallic particles in addition to the adjustment (a control for a threshold voltage) of the work function of a gate electrode and the inhibition of depletion in the semiconductor device with metallic particles between a gate insulating film and the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とゲート電極との間に金属粒子を備えた半導体装置において、ゲート電極の仕事関数の調整（閾値電圧の制御）と空乏化の抑制に加え、さらに金属粒子とこの周囲の膜との密着性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element in which injection efficiency of holes is improved by increasing work function of an anode, low voltage of element drive voltage is enabled, and life characteristics and stability of chromaticity at the time of continuous drive can be improved and resistivity increase is suppressed as much as possible.例文帳に追加

陽極の仕事関数を大きくしてホールの注入効率を高め、素子駆動電圧の低電圧化を可能とし、さらに連続駆動時の寿命特性や色度の安定性を改善できると共に抵抗増大を極力抑えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the electron source 10, electron affinity and a work function of an electron emission section 48 can be sufficiently reduced since a projection section 56 made of a n-type diamond semiconductor as a conductive type is arranged on the electron emission section 48, and a sufficient amount of emitted electrons can be obtained.例文帳に追加

電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element having an organic layer including a light-emitting layer between a positive electrode and a negative electrode and an information transmission function, an energy level difference between a work function of the negative electrode and a minimal non-occupying molecular orbit of the organic layer is ≤0.1 eV.例文帳に追加

陽極と陰極との間に発光層を含む有機層を有し、情報伝達機能を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、陰極の仕事関数と陰極に隣り合う有機層の最低非占有分子軌道のエネルギーレベル差が０．１ｅＶ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The RPC server work program allowing a computer to execute a stage of recognizing the calling client and storing the client identifier in a variable region referred by the RPC server work program can describe the server work function processing according to the client in the RPC server work program.例文帳に追加

呼出し元のクライアントを認識し、当該クライアント識別子をＲＰＣサーバ業務プログラムが参照可能な変数領域に格納する段階をコンピュータに実行させるＲＰＣサーバ・スタブプログラムによって、ＲＰＣサーバ業務プログラム内に、クライアントに応じた処理を行うサーバ業務関数を記述することが可能となる。 - 特許庁

When in the formation, after each layer of the work function control layer 5, the intermediate layer 6, and the low resistance layer 7 are laminated on the gate insulating film 4, gate processing is performed, an LDD region 9, a sidewall 8, and a source drain region 10 are formed sequentially, active annealing of impurities introduced in the semiconductor substrate 2 is performed.例文帳に追加

その形成時には、ゲート絶縁膜４上に仕事関数制御層５、中間層６および低抵抗層７の各層の積層後、ゲート加工を行い、ＬＤＤ領域９、サイドウォール８およびソース・ドレイン領域１０を順に形成して、半導体基板２に導入した不純物の活性化アニールを行う。 - 特許庁

To provide a sintered body target suitable for producing a transparent conductive film which is noncrystalline, has a high work function and a low flexibility in visible range, hardly causes peeling, cracks, etc., by sliding or bending, has a very flat film surface, and is formed into a film at about room temperature.例文帳に追加

非晶質であって、かつ高仕事関数であって、可視域での屈折率が低く、摺動や曲げによる剥離、割れなどが起こりにくく、膜面が極めて平坦であり、さらには室温近傍で成膜可能な透明導電膜を製造するのに好適な透明導電膜製造用焼結体ターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an electron source which can reduce a work function of an electron emission surface rather than a currently-used Zr/O/W electron source and can attain emitted electrons with narrow energy width and high current density and has longer lifetime, an electron microscope which can attain high resolution image for a short period, and an electron beam lithography device having high throughput.例文帳に追加

現用のＺｒ／Ｏ／Ｗ電子源よりも電子放出面の仕事関数を減少させ、狭エネルギー幅かつ高電流密度の放出電子が得られ、長寿命な電子源を提供し、高分解能像が短時間に得られる電子顕微鏡や高スループットな電子線描画装置を実現する。 - 特許庁

The liquid crystal device includes a pixel electrode 35, a switching element 34, a counter electrode 82 made of material having a larger work function than that of the pixel electrode 35, the liquid crystal layer 28, a first alignment film 71, and a second alignment film 83 provided between the liquid crystal layer 28 and the counter electrode 82.例文帳に追加

本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、画素電極３５よりも仕事関数が大きい材質からなる対向電極８２と、液晶層２８と、第１配向膜７１と、液晶層２８と対向電極８２との間に設けられた第２配向膜８３と、を備える。 - 特許庁

To provide a charge injection material for an organic device, allowing metal ions having a work function according to the purpose to be selected, capable of improving the charge injection efficiency, and of forming superior charge injection layer for lowering a charge injection barrier between an electrode and an organic layer, to provide an organic device having high charge injection efficiency, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

目的に応じた仕事関数を持つ金属イオンを選択でき、電荷注入効率が向上し、電極と有機層との電荷注入障壁の低下に優れた電荷注入層を形成可能な有機デバイス用電荷注入材料、高電荷注入効率の有機デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By forming a structure wherein a cesium adsorption region 103 is formed on a flat part 102 on a silicon substrate with an atom step 101 formed at predetermined density, this stable electron emission material having a remarkably lowered work function can be provided by a synergistic effect of the atom step 101 and the adsorption structure.例文帳に追加

所定の密度で原子ステップ１０１が形成されたシリコン基板上の平坦部１０２上にセシウム吸着領域１０３が形成されている構成とすることで、原子ステップ１０１と吸着構造の相乗効果によって、仕事関数が著しく低下した安定な電子放出材料が得られる。 - 特許庁

In this organic electroluminescent display 1 with the top emission structure, a cathode 5 having light transmissibility is composed of an inside electrode 10 laminated on an organic layer 4 while containing a material having a small work function, and an outside electrode 11 laminated on the inside electrode 10 and made of a material having high light transmittance.例文帳に追加

トップエミッション構造の有機ＥＬ表示装置１において、光透過性を有する陰極５を、有機層４上に積層され仕事関数の小さな材料を含む内側電極１０と、内側電極１０上に積層され光透過率の高い材料からなる外側電極１１とで構成する。 - 特許庁

A field-effect transistor concerning one embodiment is the field-effect transistor where it is assumed that it operates at a temperature condition of 300K or below, and comprises an n-channel field-effect transistor provided, with a gate electrode that is formed of a gate electrode material having a work function WFn smaller than 4.05.例文帳に追加

本発明の実施の一形態に係る電界効果トランジスタは、３００Ｋ以下の温度条件で動作することが想定された電界効果トランジスタであって、４．０５未満の仕事関数ＷＦｎを有するゲート電極材により形成されたゲート電極を備えているｎチャネル電界効果トランジスタを含むものである。 - 特許庁

A transparent light-emitting side electrode 3 and a backside electrode 5a, which consists of an optical permeability conducting film 6, which is made from metal material, having small work function of electron injection to the above luminescence layer 2, and an optical absorption layer 7 laminated on the conductive film 6, are prepared by sandwiching the luminescence layer 2.例文帳に追加

有機材料からなる発光層２を挟んで、透明な出射側電極３と、前記発光層２への電子注入の仕事関数が小さい金属材料からなる光透過性導電膜６とその後面に積層された光吸収層７とからなる後側電極５ａとを設けた。 - 特許庁

To increase a work function difference between a metal compound used in the gate electrode pattern of a n-channel MOS transistor and a metal compound used in the gate electrode pattern of a p-channel MOS transistor, in the n-channel MOS transistor which is formed in a gate first process and which uses the metal compound as the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲートファーストプロセスで形成できる、金属化合物をゲート電極パターンとして使うｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいて、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物に対し、前記ｎチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンに使われる金属化合物の仕事関数差を増大させる。 - 特許庁

The transistor includes a channel layer, a source and a drain respectively contacting ends of the channel layer, a gate electrode separated from the channel layer, a gate insulating layer interposed between the channel layer and the gate electrode, and the insertion layer that is formed between the channel layer and the gate insulating layer and has a work function different from that of the channel layer.例文帳に追加

チャンネル層、チャンネル層の両端にそれぞれ接触されたソース及びドレイン、チャンネル層と離隔されたゲート電極、チャンネル層とゲート電極との間に備わったゲート絶縁層、及びチャンネル層とゲート絶縁層との間に備わり、チャンネル層と仕事関数が異なる挿入層を備えるトランジスタである。 - 特許庁

In the vertical organic thin-film transistor 1, active layers 30 and 50 are made of a p-type active organic semiconductor compound having a permittivity of 3.5 or more, and a source electrode 20 is made of a metal having a different work function from a metal for forming a drain electrode 60.例文帳に追加

垂直型有機薄膜トランジスタ１では、活性層３０，５０は、誘電率が３．５以上であるｐ型活性有機半導体化合物からなり、ソース電極２０は、ドレイン電極６０を形成する金属の仕事関数値と異なる仕事関数値を有する金属から形成されることを特徴とする。 - 特許庁

Besides, a work function ΦMp of a gate electrode 7 of pMOS is made into value between the added result of the electron affinity χs of silicon and a band gap energy Eg of silicon and the energy difference Φi of the intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of Φi<ΦMp<χs+Eg.例文帳に追加

また、ｐＭＯＳのゲート電極７の仕事関数ΦＭｐを、シリコンの電子親和力χsとシリコンのバンドギャップエネルギーＥgとを加えたものと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値、すなわち、Φｉ＜ΦＭｐ＜χｓ＋Ｅｇの関係が成り立つように設定する。 - 特許庁

Also, by forming a low resistance layer on a layer having a different N concentration composed of the same metal, the resistance of the n-type gate electrode and the p-type gate electrode is decreased while controlling a work function of them, and the CMOS field effect semiconductor device of further high performance is provided.例文帳に追加

また、そのように同一のメタルで構成されたＮ濃度の異なる層上に低抵抗層を形成することにより、ｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極の仕事関数を制御しつつそれらの低抵抗化を図ることが可能になり、より高性能のＣＭＯＳ電界効果半導体装置が実現可能になる。 - 特許庁

To provide a surface modified transparent conductive film and its surface treatment increasing the work function of transparent conductive film without causing an increase in the surface resistance by modifying physical and electrical properties in the surface area of a transparent conductive film (particularly an ITO film) provided by a sputtering method or the like.例文帳に追加

スパッタリング法などにより得られた透明導電性膜（特にＩＴＯ膜）の表面領域における物理的及び電気的性質を改質し、面抵抗の増加を引き起こすことなく透明導電性膜の仕事関数を増加せしめた表面改質透明導電性膜、さらにこの表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The electron beam generator has a light guide (41), a light source (42) connected to one end of the light guide, a film (43) connected to the other end of the light guide for generating electrons and a field generator for lowering the electron work function of the film to make the light discharge current generated.例文帳に追加

電子線発生装置は、光導波路(41)と、光導波路の一端に接続された光源(42)と、光導波路の他端に装着され電子を発生するための皮膜(43)と、光放出電流が発生することができるように皮膜の電子仕事関数を低下するための場発生装置と、を有する。 - 特許庁

In the transparent electrode for organic electroluminescent elements, comprising a transparent high refractive index thin film 5; a metal thin film 6; and a conductive polymer thin film 7, a film adjacent to an emission layer 3 in the organic electroluminescent element is the conductive polymer thin film 7, where the work function is adjusted.例文帳に追加

透明高屈折率薄膜５と金属薄膜６と導電性ポリマー薄膜７とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極であって、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層３に隣接する膜が、仕事関数が調整された導電性ポリマー薄膜７である有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極とする。 - 特許庁

An electron transporting layer 61 formed from an electron transporting material, and an electron injection layer 62 formed from a material prepared by mixing a metal material having a low work function into an electron transmitting compound or electron transporting material are sequentially laminated between the organic layer 4 and the negative electrode 5 from the side of adjacency to the organic layer 4.例文帳に追加

有機層４と陰極５との間に有機層４に近い側から電子輸送材料から成る電子輸送層６１及び電子伝達化合物又は電子輸送材料に仕事関数の低い金属材料をドープした材料から成る電子注入層６２を順次積層形成する。 - 特許庁

The adjustment of the work function of the gate electrode is accomplished by not only introducing some additional materials in the gate electrode but utilizing the effects of the stepwise mode deposition and the change in thickness of the lower gate part in the gate electrode, in combination with the effect provided by incorporating the pulse of the additional material.例文帳に追加

ゲート電極の仕事関数の調整は、ゲート電極内にいくらかの追加材料を導入することだけでなく、段階的モードの堆積およびゲート電極の下側ゲート部分の厚さ変化の効果を追加材料のパルスの組み入れが提供する効果と組み合わせて利用することで為され得る。 - 特許庁

A progress monitor layer 5, which is sensitive for plasma light emission monitoring and contains nitrogen, is provided in the low-resistance film 6 and nearby an interface formed with the work function metal film 4 to detect change of plasma light emission during etching, and progress of the etching is monitored to prevent the etching step change from being delayed.例文帳に追加

低抵抗膜６中であって、仕事関数金属膜４との界面の近傍に、プラズマ発光モニタに感度のある、窒素を含む進捗モニタ層５を設けることで、エッチング中のプラズマ発光の変化を検知し、エッチングの進捗をモニタすることでエッチングステップ切り替えの遅延を防止することができる。 - 特許庁

The electroluminescent element is composed of a positive electrode containing a positive electrode substance, a negative electrode containing a negative electrode substance and at least one layer between the positive electrode and the negative electrode, and the positive electrode substance has a work function of practically the same or less than the negative electrode substance has.例文帳に追加

本発明は陽極物質を含む陽極;陰極物質を含む陰極;及び前記陽極と前記陰極の間の少なくとも一つの層を含み、前記陽極物質が前記陰極物質の仕事関数と実質的に同一であるか、それ未満の仕事関数を有することを特徴とする電界発光素子である。 - 特許庁

The first electrode can be exactly formed almost into the tapered-shape by heightening accuracy of patterning by accurately controlling an etching line width by applying a lithography process at every layer with a different etching method and an etching speed from each other, after forming the adhesion layer 12A, the metal layer 12B, and the work function adjusting layer 12C on the substrate 11, successively.例文帳に追加

基板１１に、密着層１２Ａ，金属層１２Ｂおよび仕事関数調整層１２Ｃを順に形成したのち、エッチング方法およびエッチング速度が異なる層ごとにリソグラフィ工程を設けることにより、エッチング線幅を精確に制御してパターニング精度を高め、第１電極１２を確実に略順テーパ状に形成することができる。 - 特許庁

The semiconductor device is also provided with at least a MOS transistor of one type which is normally off by setting the thickness of the SOI layer to have the thickness of a depletion layer due to the work function difference between the gate electrode and the SOI layer larger than the thickness of the SOI layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に設けた半導体層（ＳＯＩ層）と、前記ＳＯＩ層上に設けられたゲート電極とを備え、前記ゲート電極と前記ＳＯＩ層の仕事関数差による空乏層の厚さが前記ＳＯＩ層の膜厚より大きくなるように、前記ＳＯＩ層の膜厚を設定してノーマリオフとしたＭＯＳトランジスタを少なくとも一種類、備える。 - 特許庁

To prevent degradation of an electron emission characteristic caused by increase of a work function due to deposit on an upper electrode, in an image display device having an array of thin-film electron sources each having a lower electrode, an upper electrode, and an electron acceleration layer comprising an insulating material and a semiconductor between them, and emitting electrons from the upper electrode, and a phosphor screen.例文帳に追加

下部電極と上部電極、その間に絶縁体や半導体からなる電子加速層を有し、上部電極から電子を放出する薄膜電子源アレイと蛍光面を有する画像表示装置において、上記上部電極への付着物による仕事関数の増大に金する電子放出特性の低下を抑制する。 - 特許庁

In such a configuration, a potential gradient due to a difference in work function between the p- and n-type polysilicons can be generated on an n-well 12 immediately below the electrodes 30, 40 without implanting ions onto the surface of a semiconductor substrate and the potential gradient matches the charge transfer direction, the charge transfer efficiency can be improved.例文帳に追加

このような構成であれば、半導体基板表面へイオン注入を行う事無く、電極３０、４０直下のＮウェル１２に、Ｐ型ポリシリコンとＮ型ポリシリコンとの仕事関数差に起因したポテンシャル勾配が生じさせることが出来、このポテンシャル勾配が電荷転送方向と一致するため、電荷転送効率を向上させることが出来る。 - 特許庁

The display device has the electrode of the laminated structure in which transparent conductive films are laminated, and as for the electrode, a first transparent conductive film which does not form the residue in the etching using the weak acidic solution serves as the lowermost layer, and a second transparent conductive film with a work function of 5.0 eV or more serves as the uppermost layer.例文帳に追加

本発明の表示装置は、透明導電膜が積層した積層構造の電極を有する表示装置であり、前記電極は、弱酸性溶液を用いたエッチングにおいて残渣を生じない第１の透明導電膜を最下層とし、仕事関数が５．０ｅＶ以上の第２の透明導電膜を最上層としていることを特徴としている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the gate insulating film 101 on the semiconductor substrate 100, forming a thin silicon layer 102 on the gate insulating film, and forming the metal film 103, having the value of the work function at an interface of the gate insulating film that becomes within a predetermined range on the thin silicon layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板１００上にゲート絶縁膜１０１を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に薄いシリコン層１０２を形成する工程と、この薄いシリコン層上にゲート絶縁膜界面での仕事関数が所定範囲内の値となる金属膜１０３を形成する工程と、を備えたものである。 - 特許庁

To provide a charge moving force detection apparatus and method capable of accurately measuring the charge moving force of the surface of a substance, regardless of conductivity and non-conductivity and to detect the discrimination of the substance and physical and chemical properties such as local ionization energy, electron affinity, work function, interface polarizing state or interface reactivity by the measurement of the charge moving force.例文帳に追加

導電性の有無に係わらず物質表面の電荷移動力を正確に測定しうる電荷移動力検出装置及び方法を提供し、その測定により、物質の識別、局所的なイオン化エネルギー、電子親和力、仕事関数、界面の分極状態、界面の反応性等の物理的および化学的性質の検出を可能にする。 - 特許庁

A semiconductor film having a channel forming region and a floating gate provided on the channel forming region of the semiconductor film through an insulating film are formed, the floating gate is provided by a material whose work function is different from the semiconductor film, and by introducing impurity elements to the channel forming region, a writing voltage and an erasing voltage is made roughly the same.例文帳に追加

チャネル形成領域を具備する半導体膜と、半導体膜のチャネル形成領域上に絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲートとを形成し、浮遊ゲートを半導体膜と仕事関数が異なる材料で設け、チャネル形成領域に不純物元素を導入することによって、書き込み電圧と消去電圧を概略同一とする。 - 特許庁

AIN layer/GaN layer/AIN layer three-layered structure in the atomic layer order is generated on an n-type GaN layer having C surface of a nitrogen atom surface on its surface, and thereby an enormous internal electric field by spontaneous polarization or piezopolarization generated in the quantum structure is used, and the electric field emitting electron emitting element drastically reducing a work function is obtained.例文帳に追加

表面が窒素原子面のＣ面を有するｎ型ＧａＮ層上へ原子層オーダーのＡｌＮ層／ＧａＮ層／ＡｌＮ層３層構造を成長させることにより、この量子構造に生じる自発分極やピエゾ分極による巨大な内部電界を利用し、電子の仕事関数を大幅に低減した電界放出電子放出素子を実現する。 - 特許庁

By using the toner 8 including the titanium oxide 15 whose work function is larger than or nearly as large as that of the particles 8a as the additive and forming the full color image by the use of the intermediate transfer medium, the reversely transferred toner is restrained and the high-quality full color image is obtained.例文帳に追加

このように、外添剤にトナー母粒子８ａの仕事関数より大きいかまたはこれと略同一である仕事関数の疎水性ルチルアナターゼ型酸化チタン１５を含む一成分非磁性トナー８を用いて中間転写媒体によりフルカラーの画像形成を行うことで、逆転写トナーの発生が抑制され高品質のフルカラーの画像が得られる。 - 特許庁

A constitution, where a function 11 for irradiating a sample surface with a light having energy larger than the band gap of a sample and smaller than the work function of the sample and functions 12 and 13 modulating light intensity and detecting the fluctuation components of Auger electron intensity synchronized with light intensity added in addition to the function of a conventional Auger electron spectral device are added, is arranged.例文帳に追加

本発明では、従来のオージェ電子分光装置の機能に加え、試料表面に試料のバンドギャップより大きくかつ試料の仕事関数より小さいエネルギーを持つ光を照射する機能１１と、その光強度を変調しそれと同期したオージェ電子強度の変動成分を検出する機能１２，１３を付加した構成を有している。 - 特許庁

Since positively electrified toner is decreased by performing non-contact development by using the toner 8 including the titanium oxide 15 whose work function is larger than or nearly as large as that of the particles 8a as the additive, fogging toner is effectively decreased and the fluctuation of image density is effectively restrained.例文帳に追加

外添剤にトナー母粒子８ａの仕事関数より大きいかあるいはこれと略同一である仕事関数の疎水性ルチルアナターゼ型酸化チタン１５を含む一成分非磁性トナー８を用いて非接触現像を行うことで正帯電トナーが減少するので、カブリトナーが効果的に減少し、かつ画像濃度の変動が効果的に抑制される。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition, suitably used for forming an organic insulating film which has satisfactory alkali resistance and contributes toward prolonging the service life of an organic EL (electroluminescent) element by restraining reactivity with a basic material and an electrode, comprising a metal having a low work function, and to provide an insulating film formed from the composition.例文帳に追加

塩基性の材料や、低仕事関数の金属からなる電極との反応性を抑制することにより有機ＥＬ素子の寿命の向上に資し、十分な耐アルカリ性を有する有機絶縁膜を形成するために好適に使用される感放射線性樹脂組成物およびこの組成物から形成された絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

The work function of cesium is low, so that an electron is easily injected from the cathode 2 to the electron transport layer 4, and because the electron mobility of the organic compound comprising the electron transport layer 4 is more than 10^-5 cm^2/Vs, the electron can be efficiently transported, thereby improving the electron injection performance into the organic light emitting layer 3.例文帳に追加

セシウムは仕事関数が低く、陰極から電子を電子輸送層に容易に注入することができると共に、電子輸送層を形成する有機化合物は電子移動度が１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であって、効率良く電子を輸送することができ、有機発光層への電子注入性能を向上させることができる。 - 特許庁

In this method of using an electron emitting cathode, an electron emitting cathode having a metallic base, a coated layer to lower the work function of the metallic base by coating the surface of the metallic base, and a supply source to supply a substance to compose the coated layer, is operated at a lower temperature than the transformation temperature of the substance composing the supply source.例文帳に追加

金属基体と、前記金属基体表面を被覆し、金属基体の仕事関数を低下させる被覆層と、前記被覆層を構成する物質を供給するための供給源とを有する電子放射陰極を、前記供給源を構成する物質の変態点よりも、低い温度で動作させる電子放射陰極の使用方法。 - 特許庁