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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "Work function"に関連した英語例文

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"Work function"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 520



例文

The device stores the working curve and can also include a data processing means 9 for inputting the outputted work function from the work function measurement means, calculating lubricant remaining ratio data from the working curve and executing the coatability evaluation of the lubricant coat.例文帳に追加

この装置は、検量線を格納しており、仕事関数測定手段からの出力仕事関数を入力し検量線から潤滑剤残存比データを求めて、それにより潤滑剤被膜の被覆性評価を行うデータ処理手段9を含むこともできる。 - 特許庁

In the imaging apparatus 1 which is equipped with the dielectric layer 2c having many independent floating electrodes of the image carrier 2 and uses a toner to be charged to a minus polarity, a work function ϕ of the toner is set to be not larger than a work function ϕ of the dielectric layer 2c.例文帳に追加

多数の独立フローティング電極を有する、像担持体2の誘電体層2cを備え、かつマイナスの極性に帯電するトナーを使用する画像形成装置1では、トナーの仕事関数φ ≦ 誘電体層2cの仕事関数φに設定される。 - 特許庁

To provide a metal nitride film that achieves an intended effective work function (for example, a high effective work function) and has an EOT exhibiting a change or reducing a change, a semiconductor device using the metal nitride film; and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

所望の実効仕事関数(例えば、高い実効仕事関数)を実現し、かつ、EOTが変化しない、またはEOTの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electronic device capable of controlling conduction characteristics without using a low work function metal or impurity doping.例文帳に追加

低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

To achieve a semiconductor device having a low threshold voltage with an eWF (effective Work Function) substantially decreased even when a channel width is narrow.例文帳に追加

チャネル幅が狭い場合においても、eWFが十分に低減された閾値電圧が低い半導体装置を実現できようにする。 - 特許庁


例文

To control a work function of a gate electrode without causing the deterioration in characteristics of a gate insulation film, in a damascene type MIS transistor.例文帳に追加

ダマシンゲート型MISトランジスタにおいて、ゲート絶縁膜の特性劣化を招くことなく、ゲート電極の仕事関数を調整すること。 - 特許庁

To use a metal material as the gate electrode of a MIS transistor and to provide simply a work function according to a device to be needed.例文帳に追加

MISトランジスタのゲート電極として金属材料を用い、且つ必要とするデバイスに応じた仕事関数を簡易に実現する。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate lamination layer for a semiconductor device, in which the work function of a gate electrode is correctly adjusted.例文帳に追加

ゲート電極の仕事関数を正確に調節された半導体デバイス用のゲート積層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

A solar cell has a P-N junction structure between a transparent substrate 1 to be formed with an electrode and an electrode 3 of a low work function.例文帳に追加

太陽電池は、電極を形成する透明基板1と低い仕事関数の電極3の間にpn接合構造を有する。 - 特許庁

例文

The top end surface of an electron emission material has an exposed substrate substance, and the side face is coated with a substance having a large work function.例文帳に追加

電子放出材料の先端面は基板物質が露出しており、側面は仕事関数の大きな物質で被覆されている。 - 特許庁

例文

The first gate electrode and the second gate electrode are formed of a same material having a work function close to an intrinsic energy level of germanium.例文帳に追加

第一ゲート電極と第二ゲート電極は、ゲルマニウムの固有エネルギーレベルに近い仕事関数を有する同一材料で形成される。 - 特許庁

The lower electrode 6 has the silicon system substrate 2 and the Schottky junction, and is composed of metal or metal alloy having the large work function.例文帳に追加

下部電極6は、シリコン系基板2とショットキー接合を有し、仕事関数の大きい金属または合金から構成されている。 - 特許庁

At least one of the lens electrodes inside a primary or a secondary optical system is coated with metal with work function of not less than 4.5 eV.例文帳に追加

一次又は二次光学系内のレンズ電極の少なくとも一極を仕事関数が4.5eV以上の金属でコーティングしている。 - 特許庁

The second transistor includes: a second gate electrode including a second material having a second work function; and a second gate insulating film.例文帳に追加

また、第2のトランジスタは、第2の仕事関数を有する第2の材料からなる第2のゲート電極と、第2のゲート絶縁膜とを含む。 - 特許庁

Since a fact that the doping dependency of the work function is small is shown for the first time, the dispersion of threshold voltage in each transistor is rare.例文帳に追加

仕事関数のドーピング量依存性が小さいことが始めて示され、それ故にトランジスタ毎の閾値電圧のバラツキが殆どない。 - 特許庁

It was pointed out that the energy barrier to thermal electron emission (the work function) could be reduced by the application of an external field. 例文帳に追加

熱電子放出(仕事関数)に対するエネルギー障壁は、外部(電)場の印加によって低減されることができると指摘された。 - 科学技術論文動詞集

The conduction electrons in metals have to be overcome the work function if they are to be emitted from the cathode into the vacuum. 例文帳に追加

金属内の伝導電子は、もし、それらが陰極から真空中に放出される際には、仕事関数に打ち勝たなければならない。 - 科学技術論文動詞集

The electric equipment system has specific volume, and is equipped with a case made of a material having a first work function, electric equipment that is provided inside the case and requires an insulating function, and insulating liquid that dips the electric equipment, has a second work function, and at the same time can flow.例文帳に追加

本発明にかかる電気機器システムは所定の容積を有し、第1の仕事関数を有する材料からなる筐体と、筐体の内部に設けられ、絶縁機能を要する電気機器と、電気機器を浸漬し、第2の仕事関数を有するとともに流動可能な絶縁性液体を備えている。 - 特許庁

metal having 100 W/mK or more of thermal conductivity is preferably used as the base material metal 1, and metal having a work function larger than a work function of the base material metal 1, and having 1,000°C or more of melting point, is preferably used as the surface layer metal 2.例文帳に追加

基材金属1としては、熱伝導率が100W/mK以上の金属を用いることが好ましく、表層金属2としては、その仕事関数が基材金属1の仕事関数より大きい金属で、且つ、融点が1000℃以上の金属を用いることが好ましい。 - 特許庁

A first electrode 4 in contact with a hetero semiconductor region 3 is formed of a metal material which is so selected that the difference in work function between the first electrode 4 and a drift region 2 is larger than at least the difference in work function between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2.例文帳に追加

ヘテロ半導体領域3に接する第1の電極4は、第1の電極4とドリフト領域2の仕事関数差が少なくともヘテロ半導体領域3とドリフト領域2の仕事関数差よりも大きくなるように選択された金属材料により形成されている。 - 特許庁

To provide an organic EL element not to be easily oxidized and of high reliability even if metal or an alloy of small work function is used in a negative electrode layer.例文帳に追加

仕事関数の小さな金属または合金を陰極層に用いても、酸化されにくく信頼性の高い有機EL素子とする。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device in which eWF (effective work function) is sufficiently reduced and a threshold value is low even when a channel width is small.例文帳に追加

チャネル幅が狭い場合においても、eWFが十分に低減された閾値電圧が低い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The gate electrode having the work function variable in the lateral direction brings improved electrical performance to a field-effect transistor device with a non-doped channel.例文帳に追加

横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 - 特許庁

Then, on the semiconductor substrate 101, a second cap film 109 comprising an element having effect of lowering an effective work function is formed.例文帳に追加

その後、半導体基板101の上に、実効仕事関数を低下させる効果を有する元素を含む第2のキャップ膜109を形成する。 - 特許庁

To properly and selectively control a work function of a tantalum carbide film in an insulated gate-type semiconductor device, related to a method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、炭化タンタル膜の仕事関数を適正に選択的に制御する。 - 特許庁

Each of the first to fourth word line conductive layers 32a to 32d is configured by N+-type polysilicon smaller in work function than P+-type polysilicon.例文帳に追加

第1〜第4ワード線導電層32a〜32dは、P+型ポリシリコンよりも仕事関数の小さいN+型ポリシリコンにて構成されている。 - 特許庁

To realize stabilization and a long service life of the light output by lowering the work function of an electron emission surface, furthering equalization thereof and performing activation.例文帳に追加

電子放出面の仕事関数の降下、均質化の促進及び活性化処理を行い、光出力の安定化、長寿命化を図る。 - 特許庁

Since the presence ratio of the (111) plane is small, a work function and an etching rate of the electrode are small, and electric discharge property and sputtering resistance are enhanced.例文帳に追加

(111)面の存在割合が少ないことで、この電極は、仕事関数やエッチングレートが小さく、放電性及び耐スパッタリング性を高められる。 - 特許庁

The material of the electrodes has a work function of more than 5.2eV and can reduce the series resistance of the photoelectromotive force element.例文帳に追加

この電極の材料は、5.2eVを超える仕事関数を有しており、光起電力素子の直列抵抗の値を小さくすることが可能である。 - 特許庁

As a result, work function for the nanotube surface can be reduced, and by using the nanotube as a cathode, emission current increase is aimed at.例文帳に追加

その結果、ナノチューブ表面の仕事関数を下げることができ、これを陰極として利用することにより、放出電流の増大を図る。 - 特許庁

The electric charge generating layer 4 includes metal having a work function of 3.0 eV or less, one kind or more of its compound and metal-doped molybdenum oxide.例文帳に追加

電荷発生層4は、仕事関数が3.0eV以下の金属およびその化合物の1種類以上と、金属ドープモリブデン酸化物とを含む。 - 特許庁

A spacer 5 is composed of a material having a work function larger than that of negatively charged toner T composing the toner layer TL.例文帳に追加

スペーサ5は、トナー層TLを構成する負帯電トナーTの仕事関数より大きな仕事関数を有する材料で構成されている。 - 特許庁

At least the channel-side of the transfer gate electrode 248 is formed of a p-type semiconductor or a substance, having work function corresponding to the p-type semiconductor.例文帳に追加

この転送ゲート電極248を、少なくともそのチャネル側がp型半導体またはそれに準じる仕事関数の物質で形成する。 - 特許庁

MOS TRANSISTOR HAVING MULTIPLE WORK FUNCTION METAL NITRIDE GATE ELECTRODE, CMOS INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT EMPLOYING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

多重仕事関数金属窒化物ゲート電極を有するMOSトランジスタ、これを採用するCMOS集積回路素子及びその製造方法 - 特許庁

A noble metal having a large work function is used for the lower electrode 14, and a perovskite oxide thin film is used for the dielectric thin film 16.例文帳に追加

下部電極14には仕事関数の大きい貴金属が利用され、誘電体薄膜16には、ペロブスカイト型酸化物薄膜が利用される。 - 特許庁

Since the work function of the electrode is high, a potential barrier of the dielectric becomes high and even if the dielectric is thin such as 10 nm or less, a sufficient insulation property can be maintained.例文帳に追加

電極の仕事関数が高いため、誘電体のポテンシャル障壁が高くなり、誘電体が10nm以下と薄くても十分な絶縁性を保てる。 - 特許庁

To provide a reflection type electrode substrate which is low in resistance and great in work function and is useful as an electrode substrate for an organic EL (electroluminescent) element and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低抵抗で仕事関数の大きい、有機EL素子の電極基板として有用な反射型電極基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron source which operates at low temperatures, has a small energy width and a low work function and stably operates for a long time with high angle current density.例文帳に追加

低温動作し、小さいエネルギー幅と低仕事関数を有し、さらに高い角電流密度で長時間安定動作する電子源を提供する。 - 特許庁

To prevent the switch of an etching step according to film quality from being delayed when a gate electrode composed of a work function metal film and a low-resistance film is plasma-etched.例文帳に追加

仕事関数金属膜と低抵抗膜とで構成されたゲート電極をプラズマエッチングする際に、膜質に応じたエッチングステップの切り替えの遅延を防ぐ。 - 特許庁

At this time, alignment films which are relatively large in specific dielectric constant are formed on a surface of an electrode which is relatively small in work function of a liquid crystal interface.例文帳に追加

この際、比誘電率が相対的に大きい配向膜を液晶界面の仕事関数が相対的に小さい電極の表面に形成する。 - 特許庁

A work function difference between the end 20a and the P well 12 is smaller than that between the center 20b and the P well, so that the threshold voltage VT of the semiconductor device 10 can be set high.例文帳に追加

端部20aにおいて、Pウェル12との仕事関数差を中央部20bに比べて小さくできるので、しきい値VTを高くできる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of sufficiently regulating a work function and controlling a variation of a threshold voltage, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

仕事関数を十分に制御することができ、閾値電圧の変動を抑制した半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high work function and to reduce deterioration in NBTI reliability with respect to a semiconductor device having a high dielectric insulating film and a metal gate electrode.例文帳に追加

高誘電体絶縁膜及びメタルゲート電極を有する半導体装置において、高仕事関数を得ると共にNBTI信頼性劣化を低減する。 - 特許庁

To provide an organic EL element in which electron injection efficiency from a cathode to an organic layer is improved by reducing work function of an electron injection layer.例文帳に追加

電子注入層の仕事関数を小さくして陰極から有機物層への電子注入効率を高めた有機EL素子を提供する。 - 特許庁

When providing the floating gate by the material whose work function is higher than the semiconductor film, n-type impurity elements are introduced to the channel forming region.例文帳に追加

浮遊ゲートとして半導体膜より仕事関数が高い材料で設ける場合には、チャネル形成領域にn型の不純物元素を導入する。 - 特許庁

To improve emission current density in a metal coated impregnated cathode by making the best of advantage of low work function.例文帳に追加

メタルコートタイプの含浸型陰極構体において、仕事関数が低いという特性を最大限に生かして、同一温度での放出電流密度を向上させる。 - 特許庁

The greater the work function of a metallic electrode material is, the higher the discharge voltage is, and the thicker the film thickness of the conductive thin film, the higher the discharge voltage becomes.例文帳に追加

電極金属材料の仕事関数が、大きいほど放電電圧が高く、また、導電性薄膜の膜厚が厚いほど放電電圧が高くなる。 - 特許庁

The control layer 14 consists of an oxide film of a metal having a small work function (4.5 eV or lower), and an ability to pull out oxygen from the resistance change layer.例文帳に追加

制御層14は、仕事関数が小さく(4.5eV以下)、抵抗変化層から酸素を引き抜く能力を有する金属の酸化膜で構成される。 - 特許庁

In this case, the conductive layer oxide film of the lower electrode is preferable to be a conductive matter having a work function approximated to that of the conductive layer.例文帳に追加

この時、前記下部電極の導電層酸化膜は、前記導電層に近接する仕事関数を有する導電物であることが望ましい。 - 特許庁

例文

Thereby, the work function of the metal layer for realizing the gate, desirably, can be further increased, and the back tunneling of the electrons can be prevented at erasure.例文帳に追加

これにより、ゲートを望ましく実現する金属層の仕事関数をさらに増大させることができ、イレーズ時に電子のバックトンネリングを抑制できる。 - 特許庁




  
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科学技術論文動詞集
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