「"Work function"」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

This gas sensor 1 has a gas-sensitive layer 7 having a surface domain 9, and a work function depends on the concentration of the target gas contactable with the surface domain 9 in the surface domain.例文帳に追加

ガスセンサ１は表面領域９を備えたガスセンシティブな層７を有し、その表面領域内で仕事関数が表面領域９と接触可能な目標ガスの濃度に依存している。 - 特許庁

To provide a nitride light-emitting device in which transparent conductivity oxide, having a work function value larger than that of indium tin oxide is made to be a transparent electrode of the nitride light-emitting device, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

インジウムスズ酸化物より大きい仕事関数値を有する透明伝導性酸化物を窒化物系発光素子の透明電極とする窒化物系発光素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since hafnium carbide has a small work function as compared with a conductive material used for a conventional electron emission source, the emission source 20 can emit electrons with low power.例文帳に追加

従来の電子放出源に用いられる導電性材料に比べ、炭化ハフニウムは仕事関数が小さいので、本発明の電子放出源２０は低電力で電子を放出することが可能である。 - 特許庁

When the structure including the silicon and/or the germanium is a gate electrode, the lanthanide element (for example, the Yb) is doped to the silicon and/or the germanium in order to model a work function of the gate electrode.例文帳に追加

当該シリコン及び／又はゲルマニウム含有構造がゲート電極である場合、ゲート電極の仕事関数をモデリングするため、上記シリコン及び／又はゲルマニウムにランタニド元素（例えばＹｂ）をドープする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can comparatively easily control a work function of a gate electrode formed of metal even if heat treatment is performed after the formation of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の形成後に熱処理が施される場合でも、金属から成るゲート電極の仕事関数を比較的容易に制御することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the work function of the metal compound is larger than or the same as that of a conventional positive electrode material, an injection property of an electron hole can be improved as compared with that in the past.例文帳に追加

なお、金属化合物は、従来の陽極材料と比べて仕事関数が同等か、それ以上に大きいため、陽極からの正孔の注入性をこれまで以上に向上させることができる。 - 特許庁

Further, the metal oxide has a work function equal to or more than a conventional positive electrode material, so that an injection property of holes from the positive electrode can be further improved than ever.例文帳に追加

なお、金属化合物は、従来の陽極材料と比べて仕事関数が同等か、それ以上に大きいため、陽極からの正孔の注入性をこれまで以上に向上させることができる。 - 特許庁

The method further includes providing a capping layer on the first region between the dielectric layer and the gate electrode to change the work function of the gate electrode on the first region, and embedding species so as to introduce the species at an interface between the dielectric layer and the gate electrode in the second region to change the work function of the gate electrode on the second region.例文帳に追加

上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第１領域上にキャッピング層を設けることで第１領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第２領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第２領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。 - 特許庁

This method includes a process 216 wherein conductive material having one work function is so formed as to cover an insulated semiconductor substrate, and a process 218 wherein part of the conductive material is reformed to change the work function of the conductive material, a first gate electrode is formed with the conductive material, and a second gate electrode is formed with the reformed part of the conductive material.例文帳に追加

本方法は、半導体基板を覆って、１つの仕事関数を有する伝導性材料を絶縁して形成する工程（図２の工程２１６）、および伝導性材料の一部を改質して伝導性材料の仕事関数を変化させることによって、伝導性材料が第１ゲート電極を、また改質された伝導性材料が第２ゲート電極を形成するようにする工程（図２の工程２１８）を含む。 - 特許庁

As an electrode material, a mixture of a metal or an alloy selected from a group of Pb, Sn, Ag, Bi, Zn, In, Cd, Sb, and Cu, and an alkaline metal with a work function equal to or lower than 4eV is used.例文帳に追加

陰極材料として、例えば、仕事関数４ｅＶ以下のアルカリ金属に、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｃｕからなる群から選択される金属又は合金を混合したものを使用する。 - 特許庁

To provide an amorphous transparent conductive thin film which is very flat and high in work function, an oxide sintered compact from which the transparent conductive thin film can be stably formed, and a spattering target using the oxide sintered body.例文帳に追加

極めて平滑で、仕事関数が高く、非晶質である透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を安定的に成膜可能な酸化物焼結体およびこれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a reflection type electrode substrate which has low resistance but a large work function and is useful as an electrode substrate for an organic EL element, to provide its manufacturing method and to provide an etching composition used for the manufacturing method.例文帳に追加

低抵抗で仕事関数の大きい、有機ＥＬ素子の電極基板として有用な反射型電極基板及びその製造方法、並びにその製造方法に用いるエッチング組成物を提供する。 - 特許庁

Moreover, a thin metallic film is formed by a method for coating a colloidal solution in which a metallic material having a small work function is dispersed on a layer containing the organic compound to form a part of a cathode or the cathode.例文帳に追加

また、本発明は、有機化合物を含む層上に仕事関数の小さい金属材料を分散させたコロイド溶液を塗布法によって金属薄膜を形成し、陰極の一部または陰極とする。 - 特許庁

To provide an electron-emitting material having a large area for a display device which has superior electrical conductivity, thermal conductivity and the corrosion resistance of carbon material, and of which the work function is small, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

炭素材料の優れた電気伝導度、熱伝導度、耐食性を有し、かつ、仕事関数が小さい大面積の表示装置用電子放出材料およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The first and second parameters of the at least two first gate electrodes and the at least two second gate electrodes define the work function of the PMOS and NMOS transistors, respectively.例文帳に追加

上記少なくとも２つの第１のゲート電極および上記少なくとも２つの第２のゲート電極の上記第１および第２のパラメータは、それぞれ、上記ＰＭＯＳおよびＮＭＯＳトランジスタの仕事関数を規定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an effect of a metal impurity film for changing a work function of which a gate insulating film made of a high dielectric is not being damaged without significantly increasing a number of man-hours.例文帳に追加

工数を大幅に増加せず且つ高誘電体からなるゲート絶縁膜にダメージを与えることがない、仕事関数変更用金属不純物膜の効果を有する半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a superior organic thin film transistor having improved electric characteristics, especially a high charge transfer degree by increasing a work function of a metal oxide than that of an organic semiconductor material.例文帳に追加

金属酸化物の仕事関数を有機半導体物質の仕事関数より増加させることで、向上した電気的特性、特に高電荷移動度を表す優れた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process of organic EL elements have a step of irradiating the electrode layer with ultraviolet rays to shift the work function of the transparent electrode 120, and the ultraviolet-curing resin can be cured simultaneously at this step.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の製造工程においては、透明電極１２０の仕事関数を変化させるために電極層に紫外線を照射する工程があるので、この時に紫外線硬化樹脂を同時に硬化させればよい。 - 特許庁

An electrode at a side for collecting an electron consists of the clear electrode, and a work function thereof must be 4.5 eV or less.例文帳に追加

下部電極、有機層、上部電極を順に積層することで構成されている有機光電変換素子において、電子を捕集する側の電極が透明電極でありその仕事関数が４．５ｅＶ以下であること。 - 特許庁

To provide a stable electron emission material composed by forming an adsorption structure in a semiconductor material and having a small work function because performance enhancement (increase of current density and reduction of power consumption) of an electron source is demanded.例文帳に追加

電子源の高性能化（高電流密度化、低消費電力化）が求められており、半導体材料に吸着構造を設けた仕事関数が小さく、安定な電子放出材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of preventing cut of an element isolation film in a process of forming a dual work function structure such as a dual metal gate structure and a dual High-k structure.例文帳に追加

デュアルメタルゲート構造およびデュアルＨｉｇｈ−ｋ構造などのデュアル仕事関数構造の形成プロセスにおける素子分離膜の削れを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the anode 6 is cleaned so that a contact angle of the surface of the anode to water becomes 10° or less, and then the surface treatment is conducted so that the work function of the surface of the anode 6 is enlarged 0.5 eV or more.例文帳に追加

陽極６の表面の水との接触角が１０°以下になるように陽極６の表面を洗浄処理した後、陽極６の表面の仕事関数を０．５ｅＶ以上大きくする表面処理を行なう。 - 特許庁

The phase-stabilizing element or compound is not a contaminant to the monocrystal needle 1, and is a substance substantially not increasing a work function of any other facet of the monocrystal needle 1.例文帳に追加

前記相安定化元素又は化合物は、(i)前記単結晶ニードル１に対する汚染物ではなく、かつ(ii)他のいかなる単結晶ニードル１の結晶ファセットの仕事関数を実質的に増加しないものである。 - 特許庁

The cathode 2 is formed to be provided with a layer 2a made of metal which is provided in contact with the electron transport layer 4 and has an ion radius ≤1.5 Å and a layer 2b made of metal having a work function ≥3.7 eV.例文帳に追加

陰極２を、電子輸送層４と接して設けられたイオン半径１．５Å以下の金属よりなる層２ａと、仕事関数が３．７ｅＶ以上の金属よりなる層２ｂとを備えて形成する。 - 特許庁

The surface of the positive electrode collector at least on a side toward the positive electrode active substance layer is made from a material, containing 1 mass% of an element (for example platinum) having a work function of 4.5 or more.例文帳に追加

ここで、前記正極集電体のうち少なくとも前記正極活物質層側の表面は、仕事関数４．５以上の元素（例えば白金）を１質量％以上含む材料により構成されている。 - 特許庁

To enhance convergency of a primary ion, and to reduce a work function on a sample surface to enhance a secondary ionization rate further, as to a method and an instrument for measuring a depth-directional element distribution.例文帳に追加

深さ方向元素分布測定方法及び深さ方向元素分布測定装置に関し、一次イオンの収束性を高めるともに、試料表面の仕事関数を低下させて負の二次イオン化率をさらに高める。 - 特許庁

In the electron source 10A used in an electron microscope 20, a field emission electron can be easily obtained in vacuum from a cathode 42 by using diamond of a work function 3.0 ev or lower for the cathode 42.例文帳に追加

電子顕微鏡２０に用いられている電子源１０Ａでは、仕事関数が３．０ｅｖ以下であるダイヤモンドを陰極部４２に用いることで、陰極部４２から真空中に電子が容易に電界放出可能となる。 - 特許庁

To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film.例文帳に追加

メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reliable semiconductor device by suppressing a change in the work function of a dual metal gate electrode provided on a high-permittivity gate insulating film at nMIS and pMIS formation regions.例文帳に追加

ｎＭＩＳおよびｐＭＩＳ形成領域の高誘電率ゲート絶縁膜上に設けられたデュアルメタルゲート電極の仕事関数の変化を抑制して、信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost semiconductor device by suppressing increase of manufacturing processes when a predetermined element is introduced into a gate electrode by ion implantation to form a MOS transistor with a gate electrode having a different work function.例文帳に追加

イオン注入で所定の元素をゲート電極に導入して、異なる仕事関数を有するゲート電極のＭＯＳトランジスタを形成する際に、製造工程の増加を抑制して低コストの半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semi-reflection electrode 16 has a work function of 4 electron volts or less, and the conductive semi-reflection layer 17 is formed with meal materials (such as silver) having the optical reflectance higher than that of the semi-reflection electrode 16.例文帳に追加

半反射電極１６は仕事関数が４エレクトロンボルト以下であり、導電性半反射層１７は光の反射率が半反射電極１６よりも高い金属材料（例えば銀）から形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor device having a first transistor and a second transistor, the first transistor includes: a first gate electrode including a first material having a first work function; and a first gate insulating film.例文帳に追加

第１のトランジスタと第２のトランジスタとを備える半導体装置において、第１のトランジスタは、第１の仕事関数を有する第１の材料からなる第１のゲート電極と、第１のゲート絶縁膜とを含む。 - 特許庁

To provide a multilayered structure for electron emission reducing a work function over a conventional limit by restraining development of deliquescence of alkali metal without requiring a special material such as a carbon nanotube.例文帳に追加

カーボンナノチューブのような特殊な材料を必要とせずに、アルカリ金属の潮解性の発現を抑止することにより、従来の限界を超えて仕事関数を低減した電子放出用の多層構造体を提供する。 - 特許庁

After forming the dielectric stack and the metal layer, at least a part adjoining the metal-dielectric interface of the dielectric capping layer 2" is selectively modified by adding work function tuning elements 6.例文帳に追加

誘電体スタックと金属層を形成した後、誘電体キャップ層２’’の、金属−誘電体界面に隣接する少なくとも一部が、仕事関数変調元素６を加えることにより選択的に変調される。 - 特許庁

The photocathode 11 is provided with a substrate 12, a light absorption layer 14 excited by an incident light to generate photoelectron e2, and an active layer 15 lowering work function of the surface of the light absorption layer 14.例文帳に追加

光電陰極１１は、基板１２と、入射光Ｌ２によって励起されて光電子ｅ２を生成する光吸収層１４と、光吸収層１４表面の仕事関数を低下させる活性層１５とを備える。 - 特許庁

A method of forming this semiconductor device includes forming a dummy metal gate layer including work function metals directly on a base insulating film, diffusing the work function metals into the base insulating film by annealing, removing the dummy metal gate layer by wet etching, respectively forming high-permittivity gate insulating films 213, 213 on base insulating films 211, 212, and forming metal gates 214, 215 on the high-permittivity gate insulating films 213.例文帳に追加

半導体装置の形成方法は、仕事関数メタルを含むダミーメタルゲート層をベース絶縁膜の直上に形成することと、アニーリングによって仕事関数メタルをベース絶縁膜中に拡散させることと、ウェットエッチングによってダミーメタルゲート層を除去することと、ベース絶縁膜２１１、２１２上に高誘電率ゲート絶縁膜２１３、２１３を形成することと、高誘電率ゲート絶縁膜２１３上にメタルゲート２１４、２１５を形成することと、を含む。 - 特許庁

The metal with the low work function is calcium, or metal or an alloy with the work function lower than calcium.例文帳に追加

発光ダイオードの製造方法は、ｉ）高い仕事関数を有し、ホール放出電極として作用する透明な導電性の第１層を用いて基板をプレコートする工程と、ｉｉ）可溶性の半導体性発光性共役系高分子からなる透明層を、第１層の上に溶液から直接キャストする工程と、ｉｉｉ）電子放出コンタクトを、半導体性共役系高分子層上に仕事関数の低い金属から形成する工程とを包含し、仕事関数の低い金属がカルシウムである。 - 特許庁

A metal of which the difference in work function from the semiconductor is a prescribed value is used as a material of the first metal layer, and a metal which doesn't react with the first metal layer at an annealing temperature is used as a material of the second metal layer.例文帳に追加

第１の金属層の材料として、半導体との仕事関数の差が所定の値となるような金属が用いられ、第２の金属層の材料として、アニール温度で第１の金属層と反応しない金属が用いられる。 - 特許庁

In a method for analyzing the surface state of the metal including a work function value using the discharge phenomenon of a photoelectron from the surface of the metal due to the irradiation with ultraviolet rays of low energy, the surface state of the metal is analyzed using a formula (3) obtained from a formula (1) and a formula (2).例文帳に追加

低エネルギー紫外線照射による金属表面からの光電子放出現象を用いた仕事関数値を含む表面状態解析方法において、式（１）と式（２）から得た式（３）を用いて解析する。 - 特許庁

To actualize an n-type, a p-type MIS transistor having a low threshold voltage by increasing the effective work function of the p-type MIS transistor, while suppressing thickening of the converted film thickness of an oxide film of a gate insulating film of the p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜の酸化膜換算膜厚の厚膜化を抑制しつつ、ｐ型ＭＩＳトランジスタの実効仕事関数を増加させて、低閾値電圧を有するｎ型，ｐ型ＭＩＳトランジスタを実現する。 - 特許庁

The control gate 60 has a side-part conductive layer 60b opposed to the side part 40b, and a top-part conductive layer 60a opposed to the top part 40a and having a higher work function than the charge holding layer and side-part conductive layer 60b.例文帳に追加

制御ゲート６０は、側部４０ｂに対向する側部導電層６０ｂと、頂部４０ａに対向し、仕事関数が、電荷保持層よりも高く、側部導電層６０ｂよりも高い頂部導電層６０ａと、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a MOSFET device capable of controlling an effective work function and a threshold voltage a metal gate electrode of various transistor types, with a simple, reproducible and effective method.例文帳に追加

本発明は、様々なトランジスタタイプの金属ゲート電極の実効仕事関数及び閾値電圧を、簡便で、再生可能でまた効率的な方法で制御することができるＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, the difference in the work function between the gate electrode 15 including the semiconductor layer 15a and the semiconductor thin film 13 can be minimized, and the resistance of the gate electrode 15 including the silicide layer 15b can be also reduced at the same time.例文帳に追加

従って、半導体層１５ａを含むゲート電極１５と半導体薄膜１３との間の仕事関数差を小さくすることができ、且つ、シリサイド層１５ｂを含むゲート電極１５の抵抗を小さくすることができる。 - 特許庁

Also, the metal gate electrode 5 is formed by 10^13 to 10^14 (piece/cm^2) ion-implanting oxygen into a TiCoN film on which the metal gate electrode 4 is formed wherein the work function is increased by almost 0.2 to 0.8 eV.例文帳に追加

また、メタルゲート電極５は、メタルゲート電極４を形成するＴｉＣｏＮ膜に酸素を１０^１３乃至１０^１４（個／ｃｍ^２）イオン注入して、その仕事関数を０．２乃至０．８ｅＶ程度高くした部分により形成する。 - 特許庁

Hereupon, in the adjustment back-face electrode layer 12, the work function of the material of its portion contacted at least with the light absorbing layer 13 is so selected as to be made equal to or larger than the Fermi energy of the material of the light absorbing layer.例文帳に追加

ここで、調整背面電極層１２は、少なくとも光吸収層１３と接触する部位の材料が、その仕事関数が光吸収層材料のフェルミエネルギーに等しいかそれより大きいものに選定されている。 - 特許庁