「"Work function"」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An organic matter layer 10 containing conductive powder and/or conductive compound with large work function is provided between a positive electrode layer 3 and an organic luminescent layer 4.例文帳に追加

陽電極層３と有機発光層４との間に仕事関数が大きい電気伝導性粉末及び／又は電気伝導性化合物を含有する有機物層１０を設ける。 - 特許庁

The cathode 5 has a metal layer 6 containing a first metal and a low work-function metal, and an oxide conductive layer 7 in that order from the side of the organic EL layer 9.例文帳に追加

陰極５は、第１の金属および低仕事関数金属を含む金属層６と、酸化物導電層７とを有機ＥＬ層９の側からこの順に有する。 - 特許庁

To prevent deterioration in the work function of an electron gun chip due to hydrogen ion bombardment and to repair the deformed shape of the chip (field emission cold cathode) efficiently.例文帳に追加

水素イオン衝撃に起因する電子銃チップの仕事関数の悪化を防止するとともに、長時間使用後に変化した電子銃チップの形状を効率よく修復する。 - 特許庁

Then, it is changed into a gate electrode 6B with a small work function by reducing selectively the gate electrode 6A of an n-channel type MIS transistor by means of hydrogen annealing treatment.例文帳に追加

その後、ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタのゲート電極６Ａを水素アニールで選択的に還元することによって、仕事関数の小さいゲート電極６Ｂに変換する。 - 特許庁

Then, the first metal film 8 includes a titanium nitride film to which an additive material that increases the work function compared to titanium nitride alone includes been added.例文帳に追加

そして、本発明の１つの実施形態では、第１金属膜８が、窒化チタン単体よりも仕事関数が高くなる添加物質を添加した窒化チタン膜を有している。 - 特許庁

The erasure voltage is reduced by using as a material of the floating gate electrode, titanium nitride whose work function is not much higher than that of a semiconductor substrate.例文帳に追加

浮遊ゲート電極材料には、半導体基板よりも仕事関数があまり大きくならない窒化チタンとすることにより、消去電圧低減を図ったものである。 - 特許庁

In the first and second voltage source circuits, the voltages having the temperature coefficients and the reference voltage having no temperature coefficient are acquired by applying a principle of the work function difference of a gate.例文帳に追加

第１および第２の電圧源回路では、ゲートの仕事関数差の原理を応用して温度係数を有する電圧および温度係数を持たない基準電圧を得る。 - 特許庁

This modified electrode, together with the method of modifying the electrode, comprises a thin film containing tetrathiafulvalene- tetracyanoquinodimethane complex, formed on a surface of a conductor having a small work function.例文帳に追加

仕事関数の小さい導電体の表面に、テトラチアフルバレン・テトラシアノキノジメタン錯体を含む薄膜を備えた修飾電極及びその電極修飾法である。 - 特許庁

Carbon nanotube (CNT) paste kneaded with metal particles such as silver is doped with an alkali metal compound having a small work function, and printed and baked to form the electron source.例文帳に追加

銀等の金属粒子を混練したカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）ペーストに仕事関数が小さいアルカル金属化合物を添加し、これを印刷焼成して電子源とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where electrode oxidation in a gate electrode interface is suppressed, effectual work function deterioration of a gate electrode is suppressed, and threshold voltage Vt is reduced.例文帳に追加

ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数劣化を抑制し、閾値電圧Ｖｔを低減した半導体装置を提供する。 - 特許庁

That is, the wire 59P containing carbonized tantalum having a small work function can be stably fixed to the base material 58P having resistance to high temperatures and containing tungsten.例文帳に追加

すなわち、高温耐性に優れたタングステンを含む基材５８Ｐに、仕事関数の小さい炭化タンタルを含む線材５９Ｐを安定して固定することができる。 - 特許庁

To provide a CMIS device having a gate electrode in which gate depletion does not take place at low resistance, operation is stabilized at high temperatures and work function is controlled.例文帳に追加

低抵抗でゲート空乏化が起こらず、高温において安定であるとともに、仕事関数が制御されたゲート電極を有するＣＭＩＳデバイスを提供する。 - 特許庁

With this constitution, the electron-emitting material, which has superior characteristics of carbon material and of which the work function is small, is obtained, and a field emission element of high efficiency can be realized.例文帳に追加

この構成により、炭素材料の優れた特性を有し、仕事関数が小さい電子放出材料が得られ、高効率の電界放出素子が実現できる。 - 特許庁

In a thin-film transistor including an oxide semiconductor in which a hydrogen concentration is not higher than 5×10^19/cm^3, a work function ϕms of a source electrode in contact with the oxide semiconductor, a work function ϕmd of a drain electrode in contact with the oxide semiconductor, and the electron affinity χ of the oxide semiconductor satisfy a relationship of ϕms≤χ<ϕmd.例文帳に追加

水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ＜φｍｄの関係になるように構成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the carbon nanotube sensor, the work functions of the semiconductor carbon nanotube material 2 and a metal are respectively measured under a measuring gas atmosphere and compared with the work function of the metal corresponding to a p-type or an n-type to select the semiconductor carbon nanotube material 2 large or small in work function and the semiconductor carbon nanotube material 2 is crosslinked between the metal electrodes.例文帳に追加

また、その製造方法は、半導体カーボンナノチューブ材料２と金属の仕事関数を測定ガス雰囲気下でそれぞれ測定し、ｐ型又はｎ型に応じて金属の仕事関数と比較して仕事関数の大きな又は小さな半導体カーボンナノチューブ材料２を選び、この金属電極間に架橋することを特徴とする。 - 特許庁

The metal having the work function lower than that of Ni is contained in the gate electrode 31a and the metal having the work function higher than that of Ni is contained in the gate electrode 31b whereby a threshold voltage can be lowered in both of the n-channel type MISFET 30a and the p-channel type MISFET 30b.例文帳に追加

ゲート電極３１ａにＮｉの仕事関数よりも低い仕事関数を有する金属を含有させ、ゲート電極３１ｂにＮｉの仕事関数よりも高い仕事関数を有する金属を含有させることで、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ａとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ３０ｂの両方で低しきい値電圧化が可能になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of a dual metal gate, having work function that is adapted to the characteristics of transistors and being improved in the characteristics of transistors, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

トランジスタの特性に適応した仕事関数をもつデュアルメタルゲートを備え、トランジスタ特性や信頼性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the substance object is a covalent bonding substance of which a surface has a work function 5.0 eV or less by eliminating a reaction layer and adsorption layer of an oxide film or the like on the surface.例文帳に追加

一方、該物体は、表面の酸化膜等の反応層や吸着層を除去して、表面が仕事関数が５．０ｅＶ以下の共有結合性物質であるものである。 - 特許庁

To realize a low drive voltage by lowering of an energy barrier in electron injection from a negative electrode into an organic compound layer irrespective of work function of a negative electrode material.例文帳に追加

陰極から有機化合物層への電子注入におけるエネルギー障壁を低下させることにより、陰極材料の仕事関数に拘わらず、低駆動電圧を実現する。 - 特許庁

A layer structure of a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) has a layer of Si:C or SiGe:C sandwiched between a gate insulator and a layer in which impurities are doped to have a preselected work function.例文帳に追加

本構造は、ゲート絶縁物と、予め選ばれた仕事関数を持つために不純物をドープされた層との間にサンドイッチ状に挟まれたＳｉ：ＣまたはＳｉＧｅ：Ｃの層を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which controls a stable and extensive work function of a gate electrode material and includes a gate electrode applicable to MISFETs of both an n-type and a p-type.例文帳に追加

ゲート電極材料の安定かつ広範な仕事関数の制御を可能にし、ｎ型、ｐ型双方のＭＩＳＦＥＴに適用可能なゲート電極を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

The physical property information is at least one selected from the group consisting of height, friction, viscoelasticity, hardness, surface adsorptive force, surface potential, work function, electronic density, resistance value, dielectric constant, and magnetic susceptibility.例文帳に追加

該物性情報は、高さ、摩擦、粘弾性、硬度、表面吸着力、表面電位、仕事関数、電子密度、抵抗値、誘電率、磁化率からなる群より選択される少なくとも一つである。 - 特許庁

Since the p-type polycrystalline SiC layer 109 has a relatively large work function, the channel of the MISHFET is depleted even in a zero bias state, and the normally-off operation is generated.例文帳に追加

ｐ型多結晶ＳｉＣ層１０９は仕事関数が相対的に大きいので、ゼロバイアス状態でもＭＩＳＨＦＥＴのチャネルが空乏化されて、ノーマリオフ動作が生じる。 - 特許庁

The film of the rare earth element having a low work function, for example, a LaB_6 film, can be formed uniformly over a wide area on an electron injection layer by a rotary magnet sputtering apparatus.例文帳に追加

この構成では、電子注入層上に仕事関数の低い希土類元素の膜、例えば、ＬａＢ_６膜を回転マグネットスパッタ装置によって広い面積に亘って均一に形成できる。 - 特許庁

Electron affinity on a surface 3a of an n-type diamond layer 3 is reduced in this electron emission element 1 because a work function of n-type diamond is small as compared with, for instance, silicon.例文帳に追加

電子放出素子１では、例えばシリコンに比べｎ型ダイヤモンドの仕事関数は小さいため、ｎ型ダイヤモンド層３の表面３ａにおける電子親和力は小さくなっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL device with manufacturing cost curtailed, and capable of securing stability in a manufacturing process of metal with a small work function.例文帳に追加

製造コストの低減が可能であり、また仕事関数が小さい金属について製造プロセスにおける安定性を確保することが可能な、有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second metal is a material having a work function for relaxing band discontinuity of the first electrode layers 22 and third electrode layers 62 and 70 with respect to a majority carrier of the silicon layers.例文帳に追加

第２金属は、シリコン層の多数キャリアに対する第１電極層２２と第３電極層６２、７０とのバンド不連続を緩和する仕事関数を有する材料である。 - 特許庁

The electrons injected from the n-type Si-semiconductor substrate 1 are accelerated by the strong electric field, and thus electrons having energy exceeding the work function of the thin-film electrode 4 are emitted into a vacuum.例文帳に追加

ｎ型Si半導体基板１から注入された電子は、この強電界で加速を受け、薄膜電極４の仕事関数を越えるエネルギーを有する電子が真空中へ放射される。 - 特許庁

Each filament segment includes first and second end portions that are thermally connected to the heat sink, and a central portion having its work function modified to preferentially emit electrons.例文帳に追加

各フィラメント・セグメントは、放熱板に熱的に接続された第１および第２の端部と、電子を優先的に放射するようにその動作機能が変更された中心部とを備えている。 - 特許庁

To provide an electrode for an electron gun and an electron gun capable of orientation control which can be manufactured at low cost, by the use of a carbon material with a work function small and stable.例文帳に追加

仕事関数が小さくて安定している炭素材料を用い、配向の制御が可能でかつ低コストで製造することのできる電子銃用電極および電子銃を提供する。 - 特許庁

The cold cathode electron emitter comprises a wide band gap (WBG) semiconductor that is n+ doped in high concentration, p doped WBG region, and a metallic layer having a low work function.例文帳に追加

冷陰極電子エミッタは、高濃度にｎ＋ドーピングされたワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）の半導体、ｐドーピングされたＷＢＧ領域、および低い仕事関数を持つ金属層を含む。 - 特許庁

A conductive supporting layer 103, a low work function material layer 104 and an electron emission layer 105 are successively laminated on the cathode electrode 102 to thereby form an emitter electrode.例文帳に追加

カソード電極１０２上に、導電性支持層１０３，低仕事関数材料層１０４及び電子放出層１０５が順次積層されたエミッタ電極が形成されている。 - 特許庁

In a MOSFET provided with a full-germanium silicide-formed gate electrode having a high work function, the gate electrode is formed by an auto-aligned reaction step between a silicide-formed metal and a semiconductor material containing silicon and germanium, or is preferably formed by a reaction between nickel and SiGe, and the work function of the gate electrode is finely adjustable.例文帳に追加

高い仕事関数を有するフルゲルマニウムシリサイド化ゲート電極を備えるＭＯＳＦＥＴにおいて、上記ゲート電極は、シリサイド化金属とケイ素及びゲルマニウムを含む半導体材料との間の自己整列反応工程によって形成され、好ましくは、ニッケルとＳｉＧｅとの間の反応によって形成され、上記ゲート電極の仕事関数は微調整可能である。 - 特許庁

At this time, it is preferable that a conductive layer 6' including a metal layer having a small work function is formed between the organic layer 3 and transparent protective layer 4, and it is preferable that the conductive layer 6' comprises a first conductive layer 6a as the metal layer having the small work function and a second conductive layer 6b at least containing an element that belongs to a group I or II of an element periodic law.例文帳に追加

このとき、有機層３と透明保護層４との間に、仕事関数の小さい金属層を含む導電層６’を形成することが好ましく、その導電層６’が、仕事関数の小さい金属層である第１導電層６ａと、元素周期律の１族又は２族に属する元素を少なくとも含む第２導電層６ｂとからなるように構成することが好ましい。 - 特許庁

In a MIS transistor in which a gate electrode formed on the high-k film 4 is constituted by a work function metal film 5 and first and second low resistance films 6 and 7 above it, the grain size of the first low resistance film 6 made of tungsten on the work function metal film 5 is made smaller than the grain size of the second low resistance film 7 on the first low resistance film 6.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ膜４上に形成されるゲート電極を、仕事関数金属膜５とその上部の第一の低抵抗膜６、第二の低抵抗膜７で構成したＭＩＳトランジスタにおいて、仕事関数金属膜５上の、タングステンからなる第一の低抵抗膜６のグレインサイズを前記第一の低抵抗膜６上の第二の低抵抗膜７のグレインサイズより小さくする。 - 特許庁

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。 - 特許庁

Furthermore, since the nickel plating layer 12 has a smooth surface, different from that of the metal substrate 11, it is not necessary to smooth it by polishing or SOG technology, so that it has high work function similar to ITO.例文帳に追加

さらに、ニッケルめっき層１２は、金属基板１１と違って表面が平滑であるため、研磨やＳＯＧ技術により平滑化する必要がなく、ＩＴＯと同様、仕事関数が高い。 - 特許庁

To provide an organic EL device capable of reducing manufacturing cost and securing the stability of a metal having a small work function at a manufacturing process, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

製造コストの低減が可能であり、また仕事関数が小さい金属について製造プロセスにおける安定性を確保することが可能な、有機ＥＬ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Efficiency of acquiring of charge from the power generation layer 1 can be improved by providing a layer 4 of an inorganic substance whose work function is larger than that of the positive electrode 2 between the power generation layer 1 and the positive electrode 2.例文帳に追加

発電層１と正極２との間に、正極２より仕事関数が大きい無機物の層４を設けることによって、発電層１からの電荷の取り出しの効率を高めることができる。 - 特許庁

The work function of the surface of the obtained ITO film 2 is set to 4.9 eV to 5.5 eV, the height difference of its surfaces is set to be 1 nm to 10 nm, and the specific resistance is made into 1.6×10-6 Ω.m or less.例文帳に追加

このようにして得られたＩＴＯ膜２の表面の仕事関数は４．９ｅＶ〜５．５ｅＶ、表面高低差は１ｎｍ〜１０ｎｍ、及び比抵抗は１．６×１０^-6Ω・ｍ以下とされる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method, a substrate processing device, and a substrate processing method of a semiconductor device that can heighten the work function value of a film to be formed higher than the case using a related prior art.例文帳に追加

形成する膜の仕事関数の値を、従来の技術を用いた場合よりも高くすることができる半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The intermediate layer 3 is formed of a metal oxide and contains at least a metal, having an electron-donor quality and having a work function of 3.7 eV or smaller near the interface present on the side of the anode 1.例文帳に追加

中間層３は金属酸化物から形成され、且つ中間層３の少なくとも陽極１側の界面の近傍に仕事関数３．７ｅＶ以下の電子供与性の金属が含有されている。 - 特許庁

To utilize a circuit that takes out a work function difference between thermal MOS transistors robust against high-temperature operations and to suppress a high-temperature leak current of the entire semiconductor element.例文帳に追加

この発明は、高温動作に強い温度ＭＯＳトランジスタの仕事関数差を引き出す回路を利用することと、半導体素子全体の高温リーク電流を抑えることを目的とするものである。 - 特許庁

By providing an insulator partition between two substrates where conductive films having different work function values are formed, conduction between the substrates can be prevented so that the solar cell is formed with high reliability.例文帳に追加

異なる仕事関数値を有する導電膜を形成した２枚の基板間に絶縁体隔壁を設けることで基板間の導通を防止でき、信頼性の高い太陽電池とすることができる。 - 特許庁

The intermediate layer 3 is formed by laminating a layer containing a carbonate compound of electron-donating metal with a work function not more than 3.7 eV, and a layer containing a metal oxide semiconductor.例文帳に追加

前記中間層３が仕事関数３．７ｅＶ以下の電子供与性の金属の炭酸化合物を含有する層と、金属酸化物半導体を含有する層とを積層して形成されたものである。 - 特許庁