「"Work function"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目)

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"Work function"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 520件

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例文

In an element forming region 3, an N-HK film 7 and a metal film 9 for work function control are formed.例文帳に追加

素子形成領域３では、Ｎ−ＨＫ膜７と、仕事関数制御用の金属膜９が形成されている。 - 特許庁

In an element forming region 2, a P-HK film 6 and a metal film 8 for work function control are formed.例文帳に追加

素子形成領域２では、Ｐ−ＨＫ膜６と、仕事関数制御用の金属膜８が形成されている。 - 特許庁

The chip 3 is made of LaB_6 and the holder 7 is produced by a material having a high melting point and a high work function.例文帳に追加

チップ３はＬａＢ_６製であり、ホルダー７は高融点でかつ仕事関数の高い材料で作製される。 - 特許庁

The niobium monoxide gate may have an appropriate, low work function, since the niobium monoxide gate is used as an NMOS gate.例文帳に追加

この一酸化ニオブゲートは、ＮＭＯＳゲートとして用いるために適切な低い仕事関数を有していてもよい。 - 特許庁

例文

Tungsten and molybdenum are hard to be sputtered comparing with nickel and iron, and have a small work function and a high melting point.例文帳に追加

タングステンやモリブデンは、ニッケルや鉄と比較してスパッタリングし難く、仕事関数が小さく、高融点である。 - 特許庁

例文

The work function of the first gate electrode 15g-1 is lower than that of the second gate electrode 15g-2.例文帳に追加

ゲート電極１５ｇ−１の仕事関数は、第２のゲート電極１５ｇ−２の仕事関数よりも低い。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device equipped with an alloy-based cathode having high corrosion resistance and a high work function.例文帳に追加

耐蝕性の高い高仕事関数合金系カソードを具備した有機電場発光デバイスを提供すること。 - 特許庁

The gate, where the majority is occupied by the niobium monoxide, may have a work function of about 4.1eV-about 4.4eV.例文帳に追加

一酸化ニオブが過半数を占めるゲートは、約４．１ｅＶ〜約４．４ｅＶの仕事関数を有していてもよい。 - 特許庁

This inkjet printing method includes: conveying a printing medium whose work function of a printing surface is Wm; printing on the printing surface with first ink whose work function W1 is bigger than the work function Wm of the printing surface with respect to the printing medium in conveying; and applying an active light to the first ink for curing the first ink printed on the printing surface.例文帳に追加

印刷面の仕事関数がＷmである印刷媒体を搬送し、搬送中の前記印刷媒体に対して仕事関数Ｗ_1が前記印刷面の仕事関数Ｗmよりも大きい第１インクを印刷し、前記印刷面に印刷された前記第１インクに対して当該第１インクを硬化させるための活性光線を照射する。 - 特許庁

例文

As one embodiment of the invention, an image forming apparatus having the charge roller 200 supplied only with a DC voltage, work functions of the charge roller 201, a sheet member 203 which is kept in contact with the charge roller 201 and the additives of silica satisfy (the work function of the contact member)>(the work function of the silica)>(the work function of the charge roller).例文帳に追加

発明の一実施例として、直流電圧のみを印加する帯電ローラ２００を有する画像形成装置において、帯電ローラ２０１、帯電ローラに当接するシート部材２０３、外添剤シリカの仕事関数が「当接部材の仕事関数＞シリカの仕事関数＞帯電ローラの仕事関数」の関係を満足するようにする。 - 特許庁

例文

Then an insulating film 33 for covering the gate electrode 31b and exposing the dummy gate electrode 32 is formed, and a metallic film 35 made of a second metal having a work function lower than the work function of the first metal is formed.例文帳に追加

それから、ゲート電極３１ｂを覆いかつダミーゲート電極３２を露出する絶縁膜３３を形成してから、第１金属の仕事関数よりも低い仕事関数を有する第２金属からなる金属膜３５を形成する。 - 特許庁

The hydrophobic positive charge type silica 16 is subjected to a surface treatment with a material having a position charge characteristic to the mother toner particles 8a and the work function over the entire part thereof is set smaller than the work function of the mother toner particles 8a.例文帳に追加

疎水性の正帯電性シリカ１６は、トナー母粒子８ａに対して正帯電性を有する材料で表面処理され、かつ全体の仕事関数がトナー母粒子８ａの仕事関数より小さく設定されている。 - 特許庁

To design a thin film EL element to make improvement in luminosity and long life, in the element which contains a low work function metal excellent in the electron injection characteristics in an electron injection electrode, by preventing degradation of low work function metal.例文帳に追加

電子注入特性に優れた低仕事関数金属を、電子注入電極に含む薄膜ＥＬ素子に於いて、低仕事関数金属の劣化を防止することにより、素子の高輝度化及び長寿命化を図る。 - 特許庁

A work function of the gate electrode 20 on the interface 20A with the gate insulating film 30 becomes large, so a work function difference ϕMS between the gate electrode 20 and an oxide semiconductor film 40 increases, so that the threshold voltage Vth becomes high.例文帳に追加

ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａにおける仕事関数が大きくなるので、ゲート電極２０と酸化物半導体膜４０との仕事関数差φＭＳが大きくなり、閾値電圧Ｖｔｈが大きくなる。 - 特許庁

A gate electrode 120b includes a first metal-containing film 114b having a first work function and a second metal-containing film 117b formed on the first metal-containing film 114b and having a second work function.例文帳に追加

ゲート電極１２０ｂは、第１の仕事関数を有する第１の金属含有膜１１４ｂと、第１の金属含有膜１１４ｂ上に形成されており且つ第２の仕事関数を有する第２の金属含有膜１１７ｂとを含む。 - 特許庁

The work function (x) in the microregion of the unknown sample can be calculated on the basis of a relational expression of y=(A-x)/e from the work function A of the probe 2A of the conductive cantilever 1A and the surface potential (y) of the unknown sample.例文帳に追加

導電性カンチレバー１Ａの深針２Ａの仕事関数Ａと、未知試料の表面電位ｙとから、ｙ＝（Ａ−ｘ）／ｅの関係式に基づいて、未知試料の微小領域における仕事関数ｘを算出できる。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device capable of maintaining EOT (effective oxide thickness) thinner and at the same time having a more effective work function.例文帳に追加

ＥＯＴを小さく保ちつつ、より高い実効仕事関数を有する半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a thermionic emission current measurement device necessary for accurately grasping work function only for a cathode.例文帳に追加

カソードのみの仕事関数を正確に把握するために必要な熱電子放出電流測定装置を提供すること。 - 特許庁

The high work function region 14B consists of larger crystal grains than crystal grains in the middle of the tip part.例文帳に追加

高仕事関数領域１４Ｂは、その結晶粒が先端部中央の結晶粒に比較して大きくなっている。 - 特許庁

The work function of the gate electrode in the gate stack may be about 5 eV or higher in some embodiments.例文帳に追加

ゲートスタックのゲート電極の仕事関数は、いくつかの実施形態において約５ｅＶ又はそれ以上であってもよい。 - 特許庁

A simplified method of dual work function device manufacturing starting from a single metal electrode, as well as the device itself, is disclosed.例文帳に追加

１つの金属電極から開始するデュアル仕事関数デバイスの簡単な製造方法およびそのデバイスを開示する。 - 特許庁

Metallic coating layers 14 having a low work function are formed on the inside surfaces of a pair of parallel flat plates 11 and 12 of the vacuum capacitor 8.例文帳に追加

真空コンデンサ８一対の平行平板11,12の内側面に仕事関数の低い金属の被覆層14を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device for suppressing variation in work function depending upon a gate length.例文帳に追加

ゲート長に依存する仕事関数の変動を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacture of the titanium nitride film 106a, nitrogen ions are implanted into the titanium nitride film 106, and its work function is made small.例文帳に追加

窒化チタン膜１０６ａは、窒化チタン膜１０６に窒素イオンの注入が行なわれ、仕事関数が小さくなる。 - 特許庁

To minimize a difference in the work function between a gate electrode and a semiconductor film and reduce the resistance of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極と半導体薄膜との間の仕事関数差を小さくし、且つ、ゲート電極の抵抗を小さくする。 - 特許庁

Next, it is changed into a gate electrode 6A with a large work function by introducing oxygen into each gate electrode.例文帳に追加

次に、それぞれのゲート電極に酸素を導入することによって、仕事関数が大きいゲート電極６Ａに変換する。 - 特許庁

To actualize a semiconductor device including a full-silicide gate electrode having a stable work function value and a threshold value.例文帳に追加

仕事関数の値及び閾値が安定したフルシリサイドゲート電極を有する半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The low-work-function layer is constituted of an intermetallic compound of nickel as a component element of the base material and a rare-earth element.例文帳に追加

低仕事関数層は、基材の構成元素であるニッケルと希土類元素との金属間化合物から構成される。 - 特許庁

A protective film 5 containing carbon or hydrocarbon regulated to ≤5 [eV] in work function is formed on a magnetic layer 4.例文帳に追加

磁性層４上に仕事関数を５〔ｅＶ〕以下とした炭素または炭化水素を含む保護膜５が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor structure, such as a CMOS structure, includes the gate electrode having the work function variable in the lateral direction.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。 - 特許庁

At high temperatures, some electrons receive sufficient thermal energy to overcome the work function of the tungsten/vacuum interface. 例文帳に追加

高温では、いくらかの電子はタングステン-真空境界の仕事関数に打ち勝つために十分な熱エネルギーを受け取る。 - 科学技術論文動詞集

The structure of the gate electrode section 21 is a lamination of a primary electrode 21a with a primary work function and secondary gate electrode 21b different from the primary gate electrode 21a with a secondary work function that is piled on the primary gate electrode section 21a.例文帳に追加

ゲート電極部２１は、第１の仕事関数を有する第１のゲート電極２１ａ上に、第１のゲート電極２１ａとは異なる、第２の仕事関数を有する第２のゲート電極２１ｂを積層してなる構成とされている。 - 特許庁

The electrode is composed of an oxide containing indium(In) and molybdenum(Mo), having a work function higher than that of ITO, or composed of an oxide containing indium(In) and tungsten (W), having a work function lower than that of ITO.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）およびモリブデン（Ｍｏ）を含有し、ＩＴＯよりも高い仕事関数を有する酸化物によって、または、インジウム（Ｉｎ）およびタングステン（Ｗ）を含有し、ＩＴＯよりも低い仕事関数を有する酸化物によって、電極を構成する。 - 特許庁

The work function measuring instrument 100A is constituted so as to calculate the work function of the probe 2A of a conductive cantilever 1A from the known work function value of each region of a standard sample 3A calculated by photoelectron spectroscopy and the surface potential value of each region of the standard sample 3A measured by a scanning Kelvin force microscope having the conductive cantilever 1A.例文帳に追加

仕事関数測定装置１００Ａは、光電子分光法により求められた標準試料３Ａの各領域の既知の仕事関数値と、導電性カンチレバー１Ａを有する走査型ケルビンフォース顕微鏡により計測された標準試料３Ａの各領域の表面電位値とから、導電性カンチレバー１Ａの深針２Ａの仕事関数を算出する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first MOS structure includes a first gate dielectric arranged on a substrate, a first work function metal layer formed on the first gate dielectric, and a first silicide arranged on the first work function metal layer; and a second MOS structure includes a second gate dielectric arranged on the substrate, a second work function metal layer formed on the second gate dielectric, and a second silicide arranged on the second work function metal layer.例文帳に追加

半導体デバイスであって、第１MOS構造は、基板上に配置された第１ゲート誘電体、前記第１ゲート誘電体上に配置された第１仕事関数金属層、および前記第１仕事関数金属層上に配置された第１ケイ化物を含み、且つ第２MOS構造は、前記基板上に配置された第２ゲート誘電体、前記第２ゲート誘電体上に配置された第２仕事関数金属層、および前記第２仕事関数金属層上に配置された第２ケイ化物を含む半導体デバイス。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electron source that has a chip shape fabricated precisely and an appropriate work function.例文帳に追加