「"solder material"」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a lead-free solder material which can be melted and joined at lower temperature conditions (peak temperature:≥150°C) than the mounting temperature (reflow heat treatment temperature)of Sn-37Pb eutectic solder, and can be repaired under the temperature conditions same as those of Sn-37Pb eutectic solder after the mounting.例文帳に追加

Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだの実装温度（リフロー熱処理温度）よりも低温条件（ピーク温度１５０℃以上）で溶融接合でき、実装後は、Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだと同等の温度条件でリペア可能な鉛フリーはんだ材料を提供する。 - 特許庁

The metallic frame is formed by joining a plurality of metallic molded forms having a symmetric shape, a metallic base and the metallic frame are joined with a metallic solder material, the through-holes are formed to the metallic frame and lead terminals are bonded with an insulator in the through-holes.例文帳に追加

金属枠体が対称形状である複数の金属成型体を接合することにより形成され、金属基体と金属枠体とが金属ろう材により接合され、金属枠体に貫通孔が形成され、リード端子が前記貫通孔で絶縁物により接着することにより形成する。 - 特許庁

As the solder material, a material, in which a load upon showing the changing amount of 8μm in the direction of the height of a spherical bump, having a diameter of 130μm in a direction parallel to an electronic component body is not larger than 100g, when a vertical load is applied, is employed.例文帳に追加

はんだ材料として、例えば、電子部品本体と平行な方向の直径が１３０μｍの球状バンプに垂直方向に荷重をかけた際に当該球状バンプが８μｍの高さ方向の変化量を示すときの荷重が１００ｇ以下であるはんだ材料を使用する。 - 特許庁

Using solder balls 11 as a solder material, they are filled in line inside a tubular member 12, picked up by a designated amount using members 13, 14 for controlling transfer of solder balls inside the tubular member and then discharged outside the tubular member.例文帳に追加

はんだ材料としてはんだボール１１を使用し、これを筒状部材１２内部に整列させて充填し、筒状部材内部ではんだボールの移動を制御する部材１３，１４を用いて一定量を捕捉して、これを筒状部材外部に放出する。 - 特許庁

A metal composite layer having an inner region and a surface region is formed by actively providing reactive atoms of higher concentration (a 3B group, a 4B group, and rare earth elements or the like) to the surface region compared with the inner region and it is made to be the solder material.例文帳に追加

表面領域によりも内部領域のほうに、より高濃度の反応性原子（３Ｂ族、４Ｂ族、希土類元素など）を能動的に提供することによって、内部領域および表面領域を有する金属複合層を形成しろう材とする。 - 特許庁

The high temperature solder material is composed so as to have a composition containing, by mass, 12 to 16% Sb, 0.01 to 2% Ag, 0.1 to 1.5% Cu and trace amounts of Si and B as well, and the balance Sn with inevitable impurities to the whole thereof.例文帳に追加

高温はんだ材料全体に対して、夫々Ｓｂが１２〜１６質量％、Ａｇが０．０１〜２質量％、Ｃｕが０．１〜１．５質量％含まれ、さらに微量のＳｉ及びＢが含まれ、残部がＳｎ及び不可避不純物からなるように高温はんだ材料を構成する。 - 特許庁

To provide a circuit board wherein printing margin of solder material can be enlarged even when ball grid array is mounted on the circuit board by a reflow treatment, and to provide a mounting structure of the ball grid array, an electro-optical device and an electronic apparatus.例文帳に追加

ボール・グリッド・アレイをリフロー処理によって回路基板上に実装する場合であっても、半田材料の印刷マージンを大きくすることができる回路基板、ボール・グリッド・アレイの実装構造、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide the flip chip bonding method of a semiconductor device using a solder material not containing Pb at 11 in the manufacture of a printed circuit board for the flip chip bonding and a packaging circuit board using the flip chip bonding process.例文帳に追加

フリップチップボンディング用の印刷回路基板とフリップチップボンディングを用いた実装回路基板の製造方法とに関し、Ｐｂを含まない半田材料を用いた新規な半導体装置のフリップチップボンディング方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor element protective resin 205 formed on a semiconductor element 101 by covering it is also formed in an outer peripheral surface region between an intermediate junction layer 203 of the semiconductor element 101 and a solder junction layer 204 by covering it; and thereby crack resistance in the semiconductor element 101 and a relaxation property of stress applied to an interface between the semiconductor element 101 and a solder material 104 are improved.例文帳に追加

半導体素子１０１上に被覆形成される半導体素子保護樹脂２０５を、半導体素子１０１の中間接合層２０３とはんだ接合層２０４の間の外周面域にも被覆形成させ、半導体素子１０１内部の耐クラック性、および半導体素子１０１とはんだ材料１０４との界面に加わる応力の緩和性を向上させる。 - 特許庁

The solder material contains: first solder powder containing, by mass, 7% to 9% Cu, 0.001% to 0.05% Si, and 0.001% to 0.05% Ti, and the balance Sn; Cu powder with its surface being covered with Ag; and flux to be mixed with the first solder powder and the Cu powder and raw materials thereof.例文帳に追加

はんだ材料は、７質量％以上、９質量％以下のＣｕと、０．００１質量％以上、０．０５質量％以下のＳｉと、０．００１質量％以上、０．０５質量％以下のＴｉとを含み、残部をＳｎとした第１のはんだ粉と、表面をＡｇで被覆したＣｕ粉と、前記第１のはんだ粉及びＣｕ粉と、これらの原料と混合されるフラックスと、を含んでいる。 - 特許庁

The solder material includes: a tin-bismuth (Sn-Bi) alloy; copper (Cu); and an alloy represented by X-Y; wherein X is at least a metallic element selected from a metallic element group comprising Cu, Ni, and Sn and Y is at least a metallic element selected from a metallic element group comprising Ag, Au, Mg, Rh, Zn, Sb, Co, Li and Al.例文帳に追加

はんだ材料は、スズ-ビスマス（Ｓｎ-Ｂｉ）合金と、銅（Ｃｕ）と、Ｘ−Ｙで表記される合金、を含み、前記Ｘは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素であり、前記Ｙは、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ａｌからなる金属元素グループから選択される少なくとも１つの金属元素である。 - 特許庁

When detecting the first and second intensities, and when the irradiation domain is irradiated with light with the solder material, the intensity detection object, not arranged in the irradiation domain, a reference intensity of the infrared ray having the specific wavenumber in the measuring domain is detected automatically, and the first and second intensities are corrected with the reference intensity.例文帳に追加

さらに、第一および第二強度を検出する際、強度の検出対象とする半田材が照射領域に配されていない状態で照射領域に光を照射したときに計測領域における上記特定波数の赤外線の基準強度を自動的に計測し、上記第一および第二強度を当該基準強度で補正する。 - 特許庁

A method of manufacturing solder bumps comprises steps of: forming a first protrusion 311 extending upwardly from a contact pad 102 of a semiconductor chip 101; forming a second protrusion 312 extending upwardly from a ball pad of a mounting substrate 109; and forming the first protrusion 311 and second protrusion 312 within the solder material.例文帳に追加

ソルダバンプ製造方法において、半導体チップ１０１の接続パッド１０２から上向きに延びる第１突起部３１１を形成する段階と、実装基板１０９のボールパッドから上向きに延びる第２突起部３１２を形成する段階と、第１突起部３１１及び第２突起部３１２をソルダ物質内に形成する段階を有する。 - 特許庁

To provide a heat dissipation module in which not only the assembly step is simple, but also the operation is convenient and suitable for mass production preventing conventional defects of soldering, so as to make high efficiency heat dissipation possible; and which enables to hold the overall appearance fine by making solder material hard to leak in soldering.例文帳に追加

組み立てのステップが簡単なだけでなく、操作が便利で大量生産に適し、且つ、従来のはんだ付けが不完全な欠陥を防いで、高放熱効率を有することができるようにし、且つ、はんだ付けを行う時、はんだ材料を漏れ難くすることで、全体的な外観をきれいに保持できる放熱モジュールを提供する。 - 特許庁

A heatsink 5 disposed on the upper face of a base 7 via a solder material has a semiconductor laser element fixing face 1 perpendicular to the upper face of the base 7 and a heatsink slanting part 8 not parallel to the upper face of the base 7 at the position vertically under the semiconductor laser element 6 to be fixed to the semiconductor laser element fixing face 1 and higher than the upper face of the base 7.例文帳に追加

ベース７の上面にロー材を介して立設したヒートシンク５が、ベース７の上面と垂直な半導体レーザー素子固着面１を有するとともに、半導体レーザー素子固着面１に固着させる半導体レーザー素子６の鉛直下方で、かつベース７の上面より高い位置に、ベース７の上面と非平行なヒートシンク傾斜部８を有する。 - 特許庁

The minimum height in the displacement amount of an individual surface mounting component soldered to the substrate surface measured by laser measurement means is referred to the maximum height in the displacement amount thereof, and then a height range of the surface mounting component stored in the data base by designation in advance is referred to a thickness range of a solder material thereof to logically determine a soldered state of the surface mounting component.例文帳に追加

レーザ計測手段で計測された基板表面にはんだ付けされた個々の表面実装部品の変位量の最小高さと最大高さと、あらかじめ指定してデータベースに格納した前記表面実装部品の高さ範囲とはんだ材の厚み範囲とを照合し、前記表面実装部品のはんだ付け状態を論理判定する。 - 特許庁

After the electronic parts are mounted on the above boards, the boards are bonded together, so that a fine-pitch terminal part mounted with the semiconductor element on a COF mounting region is hardly contaminated with solder material in SMT mounting, and the board in a COF mounting region is hardly deformed by the high-temperature in reflow soldering.例文帳に追加

それぞれの基板上に電子部品を実装した後、両基板を接合するので、ＣＯＦ実装領域上に半導体素子などを搭載する狭ピッチ端子部分が、ＳＭＴ実装時の半田材料により汚染されることもなく、また、リフロー半田付け処理の高温加熱により、ＣＯＦ実装領域の基板が、歪んでしまうこともない。 - 特許庁

The metal cap 3 applying the press-contact sealing plating layer of the high-temperature solder material to at least a seal portion is pressed in on the electroless Ni plating layer 10 of the outer ring 7 of the airtight terminal 2 including the lead to which a crystal chip 5 is soldered, and air-tightly sealed in press-contact with the press-contact sealing plating layer 16.例文帳に追加

そして、高温はんだ材の圧接封止用めっき層を少なくともシール部分に施した金属キャップ３は、水晶片５がはんだ付けされたリードを有する気密端子２の外環７の無電解Ｎｉめっき層１０上に圧入され、圧接封止用めっき層１６と圧接して気密封着される。 - 特許庁

The external connection terminals 213 and 214 in the different groups have bumps differing in height for compensation of solder material gap differences occurring when the groups of the external connection terminals 213 and 214 and the package carrier 220 are joined owing to the predicted warpage of the substrate and then the warpage of the substrate is predicted to suppress the occurrence of the solder joining defect.例文帳に追加

予測される基板の反りに起因して、外部接続端子２１３、２１４群とパッケージキャリアー２２０との接合の間に起きる半田材隙間差異の補償用として、異なるグループの外部接続端子２１３、２１４は高さが異なるバンプを有することによって、基板の反りを予測し、半田接合欠陥の発生を抑える。 - 特許庁

A main conductor layer 4 composed of a contact metal layer 2, a first anti-diffusion layer 3 and Au, a second anti-diffusion layer 5 of Pt and a solder material layer 7 composed of an Sn layer 6 and an alloy of Au-M (M is Sn, Si or Ge) are stacked in sequence to form a wiring conductor layer on the top of an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１の上面に密着金属層２、第１の拡散防止層３、Ａｕより成る主導体層４、Ｐｔより成る第２の拡散防止層５、Ｓｎ層６およびＡｕ−Ｍ（ＭはＳｎ，ＳｉまたはＧｅ）合金より成るロウ材層７が順次積層された配線導体層が形成されている。 - 特許庁

In the circuit board, at least a metal circuit layer principally comprising Cu out of the metal circuit layer and a heat dissipation layer is bonded onto a ceramic substrate through a solder material comprising 6.0-60% of Sn, 2.0-9.5% of at least one kind of Ti, Nb, Hf and Zr, and the remainder of Cu and not containing Ag.例文帳に追加

本回路基板はセラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及び放熱層のうちの少なくとも金属回路層がろう材によって各々接合されており、上記ろう材は、６．０〜６０％のＳｎ、２．０〜９．５％のＴｉ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＺｒのうちの少なくとも１種、及び残部Ｃｕとからなり、Ａｇを含有しない。 - 特許庁

In the flux-applying method for applying flux to the substrate by jetting flux, including solvent and an active component toward the substrate in the flow soldering process for mounting the electronic components on the substrate using the solder material, jetted flux is stuck to the substrate while jetted flux substantially maintains a solution state.例文帳に追加

はんだ材料を用いて電子部品を基板に実装するフローはんだ付けプロセスにおける、溶剤および活性成分を含むフラックスを基板に向けてノズルから噴射することによってフラックスを基板に塗布するフラックス塗布方法において、噴射されたフラックスが溶液状態を実質的に維持したままで基板に付着するようにする。 - 特許庁

A solder material deposited on the bonding pad of the p-side is liquefied in a reflow furnace, surface tension of the liquefied solder makes these device bars self-aligned, and keeps these bars in an aligned state until the solder is solidified and a solder joint is formed between the engaged bonding pads.例文帳に追加

ｐ側のボンディング・パッド上に堆積されたはんだ材料が、リフロー炉内で液化され、液化したはんだの表面張力が、それらのデバイス・バーを互いに自己整合させ、はんだが凝固して、嵌合したボンディング・パッド間ではんだ接合を形成するまで、それらのバーを整合した状態に保つ。 - 特許庁

To provide a novel thermoplastic resin composition for sealing filler in which flux activity is added to an underfill agent using a thermoplastic resin, the flux treatment of a solder material by the flux activity is conducted during heat treatment for reaching the heat-filling of the resin, and solder connecting can be conducted.例文帳に追加

熱可塑性樹脂を利用するアンダーフィル剤にフラックス活性を付加し、熱可塑性樹脂の加熱充填を達成する熱処理中に、そのフラックス活性よるハンダ材料に対するフラックス処理、ならびにハンダ接合をも実施することを可能とする新規な封止充填剤用熱可塑性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Outflow holes 32 are bored in flat apexes 31 of mutually opposing dimples 30, uneven structures for securing gaps spreading solder material from an inner circumference rim of the outflow holes 32 to the apexes 31 of the dimples 30 are formed in peripheries of the outflow holes 32, and a plurality of recessed grooves 33 or the like are formed, radially extending from the inner circumference rims of the outflow holes 32.例文帳に追加

互いに対接するディンプル３０の平坦状の頂部３１に流出孔３２が穿設され、この流出孔３２の周囲に、ロウ材を流出孔３２の内周縁よりディンプル３０の頂部３１に拡げる隙間を確保するための凹凸構造として、流出孔３２の内周縁から放射状に延びる複数の凹溝３３等が形成されている。 - 特許庁