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偉を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 630



例文

A CrMo based alloy base layer 4 having 80-300 Å thickness and <140grain size, an intermediate layer 5, a CoCrPtB based magnetic layer 6, a protective layer 7 and a lubrication layer 8 are successively layered thereon.例文帳に追加

そして、その上に、厚さが80〜300Åでかつ結晶粒サイズが140Å未満であるCrMo系合金下地層4、中間層5、CoCrPtB系磁性層6、保護層7、潤滑層8を、順次積層させる。 - 特許庁

base bias in the high power output mode of an RF transistor 1 and the base bias in a low power output mode are provided by separate power sources, respectively.例文帳に追加

RFトランジスタ1の高電力出力時におけるベースバイアスと低電力出力時におけるベースバイアスとを各々別電源で与えることができる。 - 特許庁

In this alloy sheet, the outermost surface layer part of about 3 Å in a passive film deposited on the surface of an Fe-Ni alloy sheet has a compositional ratio satisfying ≤0.6 by the atomic ratio of Fe/(Fe+Ni).例文帳に追加

Fe−Ni合金板の表面に形成されている不動態皮膜中の3Å程度である最表層部がFe/ (Fe+Ni) の原子比で0.6 以下の組成比を有する合金板。 - 特許庁

After a first Al film is formed to 10in thickness, the first Al film is plasma-oxidized with RF plasma in an oxygen atmosphere of 50 Torr.例文帳に追加

次に、第1のAl膜を10Åの膜厚で成膜した後、50Torrの酸素雰囲気下において、RFプラズマにより第1のAl膜をプラズマ酸化する。 - 特許庁

例文

The dielectric material 11 consists of ferroelectric monocrystals having uniform thickness, one surface of them is defined as a recording and reproducing surface, one side length is of mm order and the thickness is about 5000 Å.例文帳に追加

誘電体材料11は均一な厚さを有する強誘電体単結晶からなり、その一つの面を記録再生面とし、一辺はmmオーダーで厚さは5000Å程度である。 - 特許庁


例文

The porous ceramic has a homogenous pore structure in which pores having radii in a narrow range of 3,000-40,000 Å occupy 90% or more of the total pore capacity.例文帳に追加

多孔質セラミックスにおいては、半径が3000〜40000Åの狭い範囲内にある細孔が全細孔容量の90%以上を占めており、均質な細孔構造が得られている。 - 特許庁

On the bottom faces 31c of the recesses 31a, in addition, amorphous interrupting layers 40 are formed having thicknesses of 10-32 Å and formed in a continuous process in the same vacuum as that in the step of forming the recesses 31a.例文帳に追加

前記凹部31aの底面31c上に、凹部31a形成工程時と同一の真空中で連続工程によって形成された、膜厚10Å以上32Å以下のアモルファス遮断層40が形成されている。 - 特許庁

The ferromagnetic metal powder is characterized by having an average extended shaft length of 30-65 nm, crystallite sizes of 80-130 Å, saturated magnetization quantity (σs) of 75-130 A.m^2/kg, an average oxide film thickness of 1.5-2.5 nm.例文帳に追加

平均長軸長が30〜65nmであり、結晶子サイズが80〜130Åであり、飽和磁化量(σs)が75〜130A・m^2/kgであり、かつ平均酸化膜厚が1.5〜2.5nmであることを特徴とする強磁性金属粉末。 - 特許庁

The activated carbon is characterized by having ≥3.86 Å d_002 obtained by X-ray diffraction method, 700-2,400 m^2/g specific surface area obtained by BET(Brunauer-Emmett-Teller) method and a ratio of (oxygen atom)/(carbon atom) in the range of 0.01-0.10.例文帳に追加

X線回折法により求められるd_002が3.86Å以上、BET法による比表面積が700〜2400m^2/g、酸素原子/炭素原子の比が0.01〜0.10の範囲にあることを特徴とする活性炭。 - 特許庁

例文

The porous adsorbent filled in the packed bed has preferably500 m^2/g specific surface area and the integrated volume of pores having a pore diameter within the range of 10-20 Å is preferably ≥0.1 cm^3/g.例文帳に追加

前記充填層に充填される多孔質吸着剤は、500m^2/g以上の比表面積を有することが好ましく、10Å〜20Åの範囲の細孔の積算容量が0.1cm^3/g以上であることが好ましい。 - 特許庁

例文

An emission layer 3 provided in a nitride semiconductor light emitting element comprises an InxGa1-xN (0≤x≤1, 0≤y≤1) crystal added with carbon (C) in the range of 2×1018-5×1021 cm-3 and the thickness thereof is 30 to 4,000 Å.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子に設けられた発光層3を、炭素(C)が2×10^18 〜5×10^21cm^-3 の範囲で添加されたIn_xGa_1-xN(0≦x≦1、0≦y≦1)結晶とし、その厚みを30〜4000オングストロームとする。 - 特許庁

A ZnO film 3 as a transparent film is formed as thick as 8000on the surface of the SiO2 film 2 to obtain a glass board 10 with a transparent conductive film (b).例文帳に追加

このSiO_2 膜2の表面に、透明導電膜としてのZnO膜3(厚さ:8000Å)を形成して、透明導電膜付きガラス基板10を得る(b)。 - 特許庁

In the resultant solid soil, the space in the card-house structure forms ultramicroporus pores of the angstrom level having spaces communicating to each other thereby giving continuously porous bodies of markedly increased water permeability and air permeability.例文帳に追加

得られた固化体は、このカードハウス構造の中の空間がÅクラスの微細孔で空間は連続したミクロポーラスの連続気孔体となり、通水性、通気性が著しく向上する。 - 特許庁

A total film thickness T5 available by adding an average film thickness of the enhance layer 12 and the average film thickness of the first soft magnetic layer 13 together comes to be 19-28 Å.例文帳に追加

前記エンハンス層12の平均膜厚と前記第1軟磁性層13の平均膜厚を足した総合膜厚T5は19Å以上28Å以下で形成される。 - 特許庁

This hydrogenation catalyst uses the carrier with a specific surface area of 200 m^2/g or above, an average pore size of 40-130 Å and an acid quantity of 0.4-0.8 mmol/g and the support amount of the active metals is preferably 0.001-10 mass%.例文帳に追加

該水素化触媒は、比表面積が200m^2/g以上、平均細孔径が40〜130Å、酸量が0.4〜0.8mmol/gの担体を用い、前記活性金属の担持量が0.001〜10質量%であることが好ましい。 - 特許庁

The surface of the steel sheet or the surface of a prescribed Fe-Ni alloy layer formed on the steel sheet is provided with a composite film containing tannate and Si whose coating weight is 0.05 to 250 mg/m^2, and having a thickness of 5 to 8,000 Å.例文帳に追加

鋼板表面上または鋼板の表面に形成した所定のFe−Ni合金層の表面上に、タンニン酸塩と、付着量が0.05〜250mg/m^2であるSiとを含有し、厚さが5〜8000Åの複合皮膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

They are: (A) the 24M4DBP absorption is 130 cm^3/100 g or more; (B) the dehydrogenation amount is 1.2 mg/g or less; and (C) the crystallite size Lc is in the range of 10 to 17 Å.例文帳に追加

(A)24M4DBP吸収量が130cm^3/100g以上である (B)脱水素量が1.2mg/g以下である (C)結晶子サイズLcが10〜17Åの範囲内である - 特許庁

The heater is coated with a protective overcoating layer, allowing the heater to have a radiation efficiency above 70% at elevated heater temperatures of >1,500°C, and the etching rate in NF_3 at 600°C and smaller than 100 Å/min.例文帳に追加

ヒータは>1500℃の高いヒータ温度でヒータに70%を超える放射効率と、NF_3中、600℃で100Å/分より低い腐食速度をヒータに与える保護上塗り層で被覆されている。 - 特許庁

A c constant of the ZnO buffer layer is set to 5.2070 Åor higher, preferably, 5.21 to 5.28 Å, by adjusting the parameter of a sputter apparatus.例文帳に追加

上記ZnOバッファ層のc定数は、スパッタ装置のパラメータを調整することにより、5.2070Å以上、好ましくは5.21Å〜5.28Åとしている。 - 特許庁

The metal ohmic contact has an average thickness of under approximately 25 Å and specific contact resistivity of under approximately 10^-3 Ωcm^2.例文帳に追加

該金属オーミックコンタクトは、約25Å未満の平均厚さ、および約10^−3Ωcm^2未満の固有接触抵抗率を有することができる。 - 特許庁

The anisotropic crystalline thin film is made of a substance which includes an aromatic ring and has a structure having a lattice surface gap of 3.4±0.2 Å along one of optical axes.例文帳に追加

異方性結晶薄膜は、芳香族環を含んでおりかつ光軸の一つに沿って3.4±0.2Åの格子面間隔を有する構造を有している物質で作られる。 - 特許庁

The cupper film polishing method comprises a step of forming a copper film on a substrate, and a step of polishing the copper film in a chemical mechanical polishing (CMP) process using a slurry allowing a copper film polishing speed of at least 10,000 Å/min or higher.例文帳に追加

基板上に銅膜を形成する段階と、前記銅膜を銅膜の研磨速度が少なくとも10000Å/分以上になるようなスラリを用いた化学的機械的研磨(CMP)工程にて研磨する段階とを含む。 - 特許庁

In some embodiments, the nuclear layer is an AlGaN layer which is approximately 1,000-1,200thick and contains approximately 2-8% of aluminum composition.例文帳に追加

幾つかの実施形態において、核形成層は、約1000オングストロームから約1200オングストロームまでの厚さ、及び約2%から約8%までのアルミニウム組成を有するAlGaNである。 - 特許庁

The odor removing filter elements 22 and 23 have pores whose average diameter is 5-200 Å, and carry a solid adsorbing agent having OH radicals on the surface, on the surface of a base material.例文帳に追加

臭気除去フィルター要素22,23は、平均細孔直径が5〜200Åで、表面にOH基を有する固体吸着剤を基材表面に担持する。 - 特許庁

A raw material aqueous solution in which the iron salt of bivalent iron (such as FeCl_2) and the metal salt of bivalent metal whose ionic radius in coordination number 6 lies in the range of 0.715 to 0.750 Å (such as ZnCl_2) are dissolved is prepared.例文帳に追加

二価鉄の鉄塩(例えばFeCl_2)と、配位数6でのイオン半径が0.715〜0.750オングストロームの範囲にある二価金属の金属塩(例えばZnCl_2)とを溶解した原料水溶液を準備する。 - 特許庁

An ester synthesizing catalyst keeps lipases carried by a silica particle of which the BET specific surface area is 20-380 m^2/g, a micropore radius is more than 25 Å and electric conductance is less than 2,000 μS/cm.例文帳に追加

BET比表面積が20乃至380m^2/g、細孔半径が25Å以上及び導電率が2000μS/cm以下のシリカ粒子にリパーゼを担持させてなることを特徴とする。 - 特許庁

A metal oxide conductor thin film which has a thickness of 1000 to 1200 Å, a specific resistance of 300 to 400 Ωcm, a light transmittance of 85% or higher and the contact resistance between the conductor thin film and a copper thin film of 1.0×10-6 Ωcm or lower is formed.例文帳に追加

厚さが1000〜1200オングストローム、比抵抗が300〜400Ωcm、光透過率が85%以上、銅薄膜との接触抵抗が1.0×10^-6Ωcm以下の金属酸化物導電体薄膜とした。 - 特許庁

The copper or copper alloy sheet/bar stock has a silane compound film having a coating weight of ≥0.5 mg/m^2 expressed in the terms of Si formed on the outermost surface, and an oxide film with a thickness of 1,000 to 2,000 Å formed on the lower layer thereof.例文帳に追加

最表面にSi換算付着量で0.5mg/m^2以上のシラン化合物被膜が形成され、その下層に厚さ1000〜2000Åの酸化皮膜が形成された銅又は銅合金板・条材。 - 特許庁

The functional paper is manufacture by subjecting a raw material for paper obtained by compounding photocatalyst particles consisting of a porous material whose diameters of fine pores are controlled so that they have a fine pore diameter distribution in the range of 20-60 Å in terms of radius, and a powder or a sol to a paper making process.例文帳に追加

半径20〜60Åの細孔径分布を有する細孔径を制御した多孔質体および粉末またはゾルからなる光触媒粒子を配合した紙の原料を抄紙したことを特徴とする機能紙。 - 特許庁

Disclosed are the adsorptive material for speaker system which is made of active carbon of ≥0.4 ml/g in cumulative capacity of pores of18 to 50in radius, and the speaker system having the same in a cabinet.例文帳に追加

半径18〜50Åの累積細孔容積が0.4ml/g以上の活性炭でなる、スピーカ装置用吸着材料およびこれをキャビネット内に有するスピーカ装置。 - 特許庁

The second recording layer 5 consists of at least Tb, Fe and Co, includes 22-24 atom % Tb and has 180-250 Å film thickness.例文帳に追加

また、第2の記録層5は、少なくともTb、Fe、Coからなるものとし、上記Tbが22〜24〔atom%〕含有されるもので、かつ膜厚が180〜250Åであるものとする。 - 特許庁

The adsorbent for digestion gas comprises activated carbon with a specific surface area of 800-2,400 m2/g, a pore volume of 0.4-1.5 cm3/g and a pore size of 7-20 Å.例文帳に追加

比表面積が800〜2400m^2/gで、細孔容積が0.4〜1.5cm^3/gで、かつ細孔直径が7〜20Åである活性炭からなる消化ガス用吸着材。 - 特許庁

The composite adsorbent comprises magnesium oxide of 0.0ml/g or more of pore volume in the range of 10-500 Å of pore radius in the pore size distribution by the gas adsorption method, and magnetic fine-particles jointed to the magnesium oxide.例文帳に追加

特に、リン成分が高濃度でも或は懸濁物質を含んだままでも短時間で吸着処理ができ、同時に窒素成分も吸着処理可能な複合吸着材を提供する。 - 特許庁

Thin conductor films 12 with a thickness of, for example, 1,000 to 2,000 Å are disposed on the circumference, rear surface and flanks of the recording and reproducing surface of the dielectric material 11.例文帳に追加

導電薄膜12は誘電体材料11の記録再生面の周囲と裏面と側面に、例えば1000〜2000Åの厚さで設けられている。 - 特許庁

To obtain a capacitor whose reliability is high, even when the film thickness of an oxide film forming an insulating layer is extremely thin, for example, 100or smaller in a capacitor having polycrystalline silicon films as the upper and lower electrode layers.例文帳に追加

多結晶シリコン膜を上下の電極層として有するキャパシタにおいて、絶縁層をなす酸化膜の膜厚が100Å以下と非常に薄い場合でも、信頼性の高いキャパシタを得る。 - 特許庁

Then, after a second Al film is formed to 10in thickness on the first Al-O barrier film 3, the second Al film is plasma-oxidized with an RF plasma in the oxygen atmosphere of 50 Torr.例文帳に追加

その後、第1のAl−Oバリア膜3の上に第2のAl膜を10Åの膜厚で成膜した後、50Torrの酸素雰囲気下において、RFプラズマにより第2のAl膜をプラズマ酸化する。 - 特許庁

The cathode 2 is formed to be provided with a layer 2a made of metal which is provided in contact with the electron transport layer 4 and has an ion radius ≤1.5 Å and a layer 2b made of metal having a work function ≥3.7 eV.例文帳に追加

陰極2を、電子輸送層4と接して設けられたイオン半径1.5Å以下の金属よりなる層2aと、仕事関数が3.7eV以上の金属よりなる層2bとを備えて形成する。 - 特許庁

The tether in the case of ligands intended for the binding of proteins is necessary to be at least 6 Å. Examples of the ligands include toxic proteins, envelope proteins, and heme compounds, siderophore, polysaccharides and peptides specific to conjugate lipids.例文帳に追加

本リガンドとしては、毒性タンパク質、外膜タンパク質及びコンジュゲート脂質に特異的な、ヘム化合物、シデロフォア、多糖類及びペプチドを含む。 - 特許庁

To provide a new carbon material which is easily produced, and has a large specific surface area and a property that the volume of micropores, especially, micropores having diameters of10is large.例文帳に追加

製造が容易で、比表面積が大きく、ミクロ孔、特に10Å以下のミクロ孔の細孔容積が高いという性質を有する、新規な炭素材料を提供する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium having a base layer, a magnetic layer and a protective layer on a substrate, the protective layer consists of a DLC film and CN bonds are formed in the region between the surface of the DLC film and 13depth from the surface of the DLC film.例文帳に追加

基体上に下地層、磁性層、保護層を有する磁気記録媒体において、該保護層がDLC膜からなり、該DLC膜の表面からの深さ13Å以下の領域にCN結合が形成された磁気記録媒体を用いる。 - 特許庁

In this exhaust gas treatment apparatus, the adsorbent in which the moisture adsorptivity at 30°C, 60 RH% is 4-8 wt.% and micropore diameter is ≤6 Å is used.例文帳に追加

30℃、60RH%の水分吸着率が4〜8重量%であって、細孔径が6Å以下である吸着材を使用する排ガス処理装置を提供するものである。 - 特許庁

On a p-type silicon substrate, the high-withstand voltage MISFET and low-withstand voltage MISFET respectively having gate oxide films having a thicknesses of 100-200 Å and formed in the same step are formed.例文帳に追加

P型シリコン基板上の同一工程で形成される100〜200ナのゲート酸化膜を各々有する高耐圧MISFETと低低圧MISFETとが形成される。 - 特許庁

The reflection film 2 consists of an aluminum alloy and is formed to have the thickness >425 Åand <500 Å.例文帳に追加

ここで、反射膜2は、アルミニウム合金からなり、またこの反射膜2の膜厚は425オングストロームより厚く500オングストロームより薄い範囲になるように形成されている。 - 特許庁

The dielectric layer 3 is made of a niobium oxide having a feature that the full width at half maximum of MZ rays of the characteristic X-rays of niobium emitted when irradiated with an electron beam is 0.98 Å or more.例文帳に追加

誘電体層3は、電子線を照射した際に放出されるニオブの特性X線のMZ線のピークの半値幅が0.98Å以上である酸化ニオブからなる。 - 特許庁

Thereafter, a heat treatment (annealing) is executed at 400°C for 10 minutes so as to obtain a Ta-Si-O based thin film (heat generating resistor film) of a 240 Å thickness on the Si substrate.例文帳に追加

この後、400℃で10分間の熱処理(アニール)を行い、Si基板11上に厚さ2400ÅのTa−Si−O系の薄膜(発熱抵抗体膜)を得る。 - 特許庁

On the bottom of the pocket 201, an aluminum layer 202 having a thickness of about 4,000 Å is formed by, for instance, a deposition method.例文帳に追加

このポケット部201の底部に、応力緩和層として、約4000Åの厚さのアルミニウム層202が例えば蒸着法によって形成されている。 - 特許庁

The biaxially stretched polyamide film is characterized by that the fine crystal size thereof measured by X-ray diffraction is within a range of 45-100 Å over the total width thereof and the sonic wave elastic modulus thereof is 1.6 GPa or more.例文帳に追加

フィルムの全幅に渡って、X線回折により測定される微結晶サイズが45〜100Åの範囲内にあり、且つ、音波弾性率が1.6GPa以上である。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film is characterized by forming the thin film having a thickness of 100or less with a discharge sputtering method using a direct current having a pulsed waveform, while using a target having a specific resistance of 0.5 Ωcm or less.例文帳に追加

比抵抗が0.5Ωcm以下であるターゲットを用い、膜厚が100Å以下である薄膜をパルス状の波形を有する直流放電スパッタリングにより成膜することを特徴とする薄膜の製造方法。 - 特許庁

On an inner wall surface of the trench 1a of the STI 2, an insulating thin film 4 formed of an alumina film of 5 Å in film thickness is provided between the inner wall and the insulating film 2a for element isolation.例文帳に追加

STI2のトレンチ1aの内壁面には素子分離用絶縁膜2aとの間に5Åの膜厚のアルミナ膜からなる絶縁薄膜4が設けられている。 - 特許庁

例文

This aromatic storage material uses RB ceramics and/or CRB ceramics, in which the capacity of a fine hole having the diameter of 10 to 2000is 0.1 to 1.1 cc/g, as an adsorbing/filtering member.例文帳に追加

細孔直径が10〜2000 オングストロームの細孔の容積が0.1〜 1.1cc/gのRBセラミックス及び/又はCRBセラミックスを吸着・濾過材として用いた芳香剤収納材料。 - 特許庁

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