「ſin is」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Or the BTBAS-SiN film 11 and back seal oxide film 10 are removed before the stage wherein the semiconductor substrate 1 is fixed or conveyed, to expose the reverse surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

もしくは、静電チャック、真空チャックなどで半導体基板１を固定もしくは搬送する工程の前にＢＴＢＡＳ−ＳｉＮ膜１１およびバックシール酸化膜１０を除去し、半導体基板１の裏面を露出させる。 - 特許庁

The gate electrode 12 is formed as a structure of a polysilicon layer 24 and WSi layer 26 laminated thereon having a sidewall 28 made of an insulating film such as SiN, etc.例文帳に追加

ゲート電極は、ポリシリコン層２４とポリシリコン層２４上に積層されたＷＳｉ層２６の積層構造として形成され、側面にＳｉＮ等の絶縁膜からなるサイドウォール２８を備えている。 - 特許庁

A contact hole is formed in a gate insulating film 12 formed of SiO_2 and a laminated inter-layer insulating film 13 formed on SiN thereupon by etching using buffer hydrofluoric acid.例文帳に追加

ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the upper surface of the copper interconnection 5 partially and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面及び上面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the side face of the copper interconnection 5 and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。 - 特許庁

The mirror 1 comprises a three-layer film in the entire region, comprising an Al layer 11, a SiN layer 12, and an Al layer 13 successively layered from one side and is configured into a planar state.例文帳に追加

ミラー１は、その全体の領域が、一方側から順に積層されたＡｌ層１１、ＳｉＮ層１２及びＡｌ層１３の３層からなる膜で、平板状に構成される。 - 特許庁

A SiN film attached to the heat resistance nonmetal member in a film forming process is removed in a two-stage cleaning process which uses a mixed gas of F_2 and HF as cleaning gas.例文帳に追加

成膜工程で耐熱性非金属部材に付着したＳｉＮ膜を、クリーニングガスとしてＦ_2とＨＦとの混合ガスを用いた２段階のクリーニング工程で除去する。 - 特許庁

When the calorific value is reduced in order to eliminate the effect of radiant heat from the heater, the temperature in the furnace drops abruptly, resulting in peeling of the SiN film deposited in the furnace due to thermal stress, leading to occurrence of particles.例文帳に追加

そして、ヒーターからの輻射熱の影響を無くすために熱量を低くすると炉内の温度が急激に低下して、炉内に堆積したＳｉＮ膜が熱ストレスにより剥がれ、パーティクルが発生することが分かっている。 - 特許庁

When the input signal SIN is at e.g. logical 'H', the saturation current of the FET 22 flows to ground GND via the gate and the source of the FET 22 and also flows to a resistor 21.例文帳に追加

ここで、入力信号Ｓ_INが例えば“Ｈ”のとき、ＦＥＴ２２の飽和電流が該ＦＥＴ２２のゲート及びソースを介してグランドＧＮＤに流れるが、この飽和電流は抵抗２１にも流れる。 - 特許庁

A modulation circuit PCM within an integrated circuit IC1 to which a standard power VD1 (e.g., 5V) is supplied, performs PWM modulation on an input signal SIN and outputs a pulse signal SP1.例文帳に追加

標準電源ＶＤ１（例えば５Ｖ）が供給された集積回路ＩＣ１内の変調回路ＰＣＭは、入力信号ＳＩＮをＰＷＭ変調してパルス信号ＳＰ１を出力する。 - 特許庁

To provide a radiation curable resin composition suitable for forming a resist film when a glass substrate or a substrate with an insulating film of SiO_2, SiN or the like is wet-etched.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉＯ_2またはＳｉＮ等の絶縁膜を有する基板をウェットエッチング加工する際のレジスト膜の形成に好適な放射線硬化性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

By this operation, a microwave plasma treatment device 100 is capable of generating a good quality SiN film stably by obtaining the plasma of treatment gas by the power of the microwave introduced into the treatment vessel 10.例文帳に追加

これにより，マイクロ波プラズマ処理装置１００は，処理容器１０内に入射されたマイクロ波のパワーにより処理ガスをプラズマ化させて良質なＳｉＮ膜を安定的に発生させることができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

A first insulation layer 108 formed of SiN is formed on a side surface of the emitter mesa part and a surface of a ledge structure 105a to cover them.例文帳に追加

エミッタメサの部分の側面およびレッジ構造部１０５ａの表面には、これらを被覆するように、ＳｉＮからなる第１絶縁層１０８が形成されている。 - 特許庁

A first insulating film 108 comprising silicon nitride (SiN) is formed on a side of part of an emitter mesa and a surface of a ledge structure 105a so that those parts are covered.例文帳に追加

エミッタメサの部分の側面およびレッジ構造部１０５ａの表面には、これらを被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第１絶縁層１０８が形成されている。 - 特許庁

The barrier film is made from silicon nitride (SiN_x) having a ratio [N/(Si+N)] indicating an atomic ratio relation between nitrogen N and silicon Si in the range of 0.60 to 0.65, by using a surface wave plasma chemical vapor deposition (CVD) device.例文帳に追加

表面波プラズマＣＶＤ装置を用いて、窒素Ｎと珪素Ｓｉの原子比率を表す比率Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ）が０．６０から０．６５の間である窒化珪素（ＳｉＮ_ｘ）からなるバリヤ膜を形成する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

Then, a film stack, composed of an SiN film 15 and an SiO_2 film 16, is formed so as to cover the surface of the semiconductor wafer including the thinned region and the groove section 12.例文帳に追加

次に、薄片部および溝部１２を含む半導体ウエハ表面を覆うようにＳｉＮ膜１５およびＳｉＯ_２ 膜１６からなる積層膜を形成する。 - 特許庁

To solve the problem, the board is inserted by controlling maximum calorific value of the heater that controls the temperature in the reactive furnace to 0.75 kJ/sec to 1.5 kJ/sec, during a process for forming the SiN film.例文帳に追加

これを解決するために、ＳｉＮ膜を成膜する工程にて、反応炉内温度を制御するヒーターの最大熱量を０．７５ｋＪ／ｓｅｃ以上、１．５ｋＪ／ｓｅｃ以下に制御してボートを装入する。 - 特許庁

Since the inclining angle of the piece 3 is suppressed to 2° at the maximum, a lateral length (b) of the piece 3 can be decided with respect to a thickness (a) of the solder 4 to be used according to a/b=sin 2°.例文帳に追加

短絡片３の傾き角を最大でも２°に抑えるため、使用する半田４の厚さａに対して、短絡片３の横の長さｂを、ａ／ｂ＝ｓｉｎ２°に基づいて決める。 - 特許庁

A through-hole 8AK of a BPTEOS layer 8A is smaller than a through-hole 4AK of a SiN layer 4A and therefore an end part near the through-hole 8AK or peripheral part 8AT forms a hood structure for the through-hole 4AK.例文帳に追加

ＢＰＴＥＯＳ層８Ａの貫通孔８ＡＫはＳｉＮ層４Ａの貫通孔４ＡＫよりも小さく、貫通孔８ＡＫ付近の端部ないしは周縁部８ＡＴは貫通孔８ＡＫに対してひさし構造を成している。 - 特許庁

A rate of a groove area ratio Sin at a second side in the tire width direction with a tire center line as a center to a groove area ratio Sout at a first side is not smaller than 1.10 and smaller than 1.25.例文帳に追加

タイヤセンターラインを中心としてタイヤ幅方向の第２の側の溝面積比率Ｓinの、第１の側の溝面積比率Ｓoutに対する比は、１．１０以上１．２５未満である。 - 特許庁

The logic circuit LC can be surely operated in response to the leading edge of the input signal Sin, and the RS flip-flop FF1 is reset in response to the output signal Sout of the logic circuit LC.例文帳に追加

入力信号Ｓ_inの立ち上がりエッジに応じて論理回路ＬＣが確実に動作でき、当該論理回路ＬＣの出力信号Ｓ_out に応じてRSフリップフロップFF１がリセットされる。 - 特許庁

A clocking start signal SIN is inputted to a path switching means 2, controlled by an external/refresh operation-operation start request signal REQ (O)/(I), and connected to first or second clocking section 3, 4.例文帳に追加

計時開始信号ＳＩＮが経路切り換え手段２に入力され、外部アクセス／リフレッシュ動作開始要求信号ＲＥＱ（Ｏ）／（Ｉ）により制御されて第１又は第２計時部３、４に接続される。 - 特許庁

In addition, the layer 14 is caused to emit light by forming SiN in the interface between GaN and AlGaN and increasing the resistance value of the layer 14, and then, injecting holes into the layer 14.例文帳に追加

さらに、ＧａＮとＡｌＧａＮとの界面にＳｉＮを形成し、Ｎ型ＧａＮ系層１４の抵抗値を高め、ホールを注入してこの層で発光を生じさせる。 - 特許庁

Consequently, in the manufacturing process of the bipolar transistor associated with the present embodiment there is no need of forming a protective film, such as an SiN film separately as an etching stopper.例文帳に追加

したがって、本実施形態に係るバイポーラトランジスタの製造工程においては、エッチストッパーとして別途ＳｉＮ膜などの保護膜を成膜する必要がない。 - 特許庁

The total film thickness of the SiO film 4 and the SiN film 5 being the insulation films formed on the surface of the dispersed resistance layer 7 of the n-type silicon single crystal region 2 is thinner than the film thickness of the SiON film 3 of the insulation film of the rear surface.例文帳に追加

ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 - 特許庁

Then, a switch circuit 46 connected to the second MOS transistor Q12 is on/off controlled based on an input signal Sin so that the output currents Iout can be on/off controlled.例文帳に追加

そして、入力信号Ｓinに基づいて第２のＭＯＳトランジスタＱ１２に接続したスイッチ回路４６をオン・オフ制御して出力電流Ｉout をオン・オフ制御する。 - 特許庁

In the signal processing circuit section 200, various kinds of transistors, wiring 8 and 10, etc., are arranged and an SiN film 11 is formed on the whole surface of the section 200 as a protective film.例文帳に追加

信号処理回路部２００には、各種トランジスタや配線８、１０などが配置されて、その上に保護膜としてＳｉＮ膜１１が全面に形成されている。 - 特許庁

Both the bottom gate insulation film 11a and top gate insulation film 11f are made of SiN, and the latter has a higher ratio of Si, so that a trap region is formed.例文帳に追加

ここで、ボトムゲート絶縁膜１１ａとトップゲート絶縁膜１１ｆは、共にＳｉＮによって構成されるが、トップゲート絶縁膜１１ｆの方がＳｉの比率が高く、トラップ領域が形成される。 - 特許庁

The surface of a transparent substrate 2 is provided with a recording layer 5 laminated and constituted with a metallic layer 3 consisting of, for example, Cr, and a metal oxide layer 4 consisting of, for example, silver oxide, and a transparent protective layer 6a consisting of, for example, SiN.例文帳に追加

透明基板２上に、例えばＣｒからなる金属層３と例えば酸化銀からなる金属酸化物層４とを積層構成した記録層５及び例えばＳｉＮからなる透明な保護層６ａを順次設ける。 - 特許庁

The absorption layer 7 absorbs light traveling reversely to the light take-out direction A or traveling in the horizontal direction out of light emitted from the active layer 12 and it is composed of SiN.例文帳に追加

吸収層７は、活性層１２で発光された光のうち光取出方向Ａとは反対方向または水平方向に進行する光を吸収するためのものであって、ＳｉＮからなる。 - 特許庁

The bit line 16 is formed as a polysilicon layer 32 and a CoSi layer 34 laminated thereon while provided with a sidewall 36 made of another insulating film such as SiN on the side.例文帳に追加

ビッド線は、ポリシリコン層３２とポリシリコン層３２上に積層されたＣｏＳｉ層３４の積層構造として形成され、側面にＳｉＮ等の絶縁膜からなるサイドウォール３６を備えている。 - 特許庁

An I phase signal and a Q phase signal are obtained by multiplying a cosine wave and a sine wave which are orthogonal to each other with a received signal that is QPSK-modulated.例文帳に追加

ＱＰＳＫ変調された受信信号に互いに直交するcos 波およびsin波を乗積することによりＩフェーズ信号およびＱフェース信号が得られる。 - 特許庁

To provide a reflection increased silver film which will not peel from a silver or silver alloy film, even if SiN film is used so as to improve color tone and to provide a translucent reflective or reflective liquid crystal display, using the reflection increased film of silver.例文帳に追加

色調を改善するためにＳｉＮ膜を用いても銀あるいはその合金膜と剥離しない銀の増反射膜とこの銀の増反射膜を用いた半透過反射型または反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The inverter INV1 is provided between a first high-potential side power supply Vcc1 and a low-potential side power supply Vss so as to output an output signal S1 generated by inverting an input signal Sin.例文帳に追加

インバータＩＮＶ１は、第１の高電位側電源Ｖｃｃ１と低電位側電源Ｖｓｓの間に設けられ、入力信号Ｓｉｎを反転した出力信号Ｓ１を出力する。 - 特許庁

A voltage division circuit 9 is configured of resistors R1 and R2 connected in series between an input terminal 2 of the input signal Sin and an input terminal 3 of a reference potential.例文帳に追加

入力信号Ｓinの入力端子２と基準電位の入力端子３との間に直列に接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２により分圧回路９を構成する。 - 特許庁

The condensing element 2 comprises two kinds of gradient index lenses (concave type and convex type), and a concentric circular SiN (N=2) film having a two-stage structure is buried in an SiO_2 (N=1.45) film.例文帳に追加

集光素子は２種類の分布屈折率レンズ（Ｏ型、凸型）によって構成されており、２段構造を有する同心円形状であるＳiＮ(Ｎ＝２)膜が、Ｓi Ｏ_2（Ｎ＝１．４５）膜中に埋め込まれている。 - 特許庁

In a power feeder TM, an electric power signal Sp for electric power transmission is modulated as a carrier wave, by using a data signal Sin, and supplied to a power receiver RV.例文帳に追加

給電装置ＴＭにおいて、電力伝送用の電力信号Ｓpを搬送波とし、これをデータ信号Ｓinを用いて変調して受電装置ＲＶに供給する。 - 特許庁

After a resist pattern is formed on a sacrificial oxide film 35 of a first insulating film, openings 36 and 37 for forming storage nodes are formed through the oxide film 35 and an SiN film 34.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＰＤＡＳ膜４とＷＳｉ_2 膜５とを形成し、パターンニングしてゲート電極６とワード線７〜１０とを形成する。 - 特許庁

In relation to the upper p-SiN film 12, the real part (n) of the complex index of refraction is set in the range of 1.7-2.4, the imaginary part (k) in the range of 0.15-0.75 and the film thickness in the range of 10-40 nm.例文帳に追加

上層ｐ−ＳｉＮ膜１２に関して、複素屈折率の実部ｎを１．７以上２．４以下の範囲内に、虚部ｋを０．１５以上０．７５以下の範囲内に及び膜厚を１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内に設定している。 - 特許庁

In relation to the lower p-SiN film 11, the real part (n) of the complex index of refraction is set in the range of 1.9-2.5, the imaginary part (k) in the range of 0.9-1.7 and the film thickness in the range of 20-60 nm.例文帳に追加

下層ｐ−ＳｉＮ膜１１に関して、複素屈折率の実部ｎを１．９以上２．５以下の範囲内に、虚部ｋを０．９以上ｋ以下１．７の範囲内に及び膜厚を２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲内に設定している。 - 特許庁

A reception signal S_Sin the fixed pseudo antenna at the relative position I(t) is obtained by S_S=[{d-I(t)}S_F+I(t)S_B]/d from a reception signal S_F of the antenna A_F at a position 0 and a reception signal S_B of the antenna A_B at a position d.例文帳に追加

相対位置Ｉ(t)の疑似固定アンテナにおける受信信号Ｓ_Sを、位置０のアンテナＡ_Fの受信信号Ｓ_Fと位置ｄのアンテナＡ_Bの受信信号Ｓ_Bとから、Ｓ_S＝〔｛ｄ−Ｉ(t)｝Ｓ_F＋Ｉ(t)Ｓ_B〕／ｄにより求める。 - 特許庁

The detected frequency error is given to a SIN/COS generator 62, from which correction data for correcting fixed phase errors of a symbol due to carrier frequency error and a guard interval period are generated.例文帳に追加

検出された周波数誤差はＳＩＮ／ＣＯＳ発生器６２に入力され、キャリアの周波数誤差とガードインタバル期間とに起因するシンボルの固定位相誤差を補正する補正データが発生される。 - 特許庁