「ſin is」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the grating is characterized in that an SiN layer is formed on a lower clad and two luminous fluxes of ultraviolet ray are radiated on the SiN layer.例文帳に追加

下部クラッド上にＳｉＮ層を成膜し、該ＳｉＮ層上に紫外線を２光束干渉照射する、ことを特徴とするグレーティング作製方法。 - 特許庁

After the SiN film 52 is flattened, the SiN film 52 is etched at a higher selection ratio than the BPSG film 49 to be exposed in regions on the transfer electrodes 19a and 19b and at peripheries thereof.例文帳に追加

ＳｉＮ膜５２を平坦化した後、ＳｉＮ膜５２をＢＰＳＧ膜４９よりも高選択比でエッチングして、各転送電極１９ａ，１９ｂ上及びその周囲の領域のＢＰＳＧ膜４９を露出させる。 - 特許庁

The open pore 61 is eliminated by etch-back processing and an SiN recess 60a of a low aspect ratio is formed in SiN within the BPSG recess 32a.例文帳に追加

エッチバック処理により開気孔６１を除去するとともに、ＢＰＳＧ凹部３２ａ内のＳｉＮに低アスペクト比のＳｉＮ凹部６０ａを形成する。 - 特許庁

If an open pore 61 which is the source of a void develops in SiN, a flat film 62 is formed on the SiN film 60 so as to fill the open pore 61.例文帳に追加

ＳｉＮにボイドの基となる開気孔６１が発生した場合、この開気孔６１を埋めるようにＳｉＮ膜６０上に平坦膜６２を形成する。 - 特許庁

On the top surface of a g-SiN_x film 72 of average quality deposited at a high rate of deposition, a high-quality g-SiN_x film 74 is deposited at a low rate of deposition, and after that the amorphous silicon layer is deposited.例文帳に追加

高い堆積速度で堆積された平均的な品質のｇ−ＳｉＮ_X膜７２の頂面の上に低い堆積速度で高品質のｇ−ＳｉＮ_X膜７４を堆積し、次いで、アモルファスシリコン層を堆積する。 - 特許庁

Further, the flapping motion of the front wing shaft 103 is represented by sin (τ+ϕ/2), and the flapping motion of the rear wing shaft 104 is represented by sin (τ-ϕ/2).例文帳に追加

また、前羽軸１０３の羽ばたき運動がｓｉｎ（τ＋φ／２）で表される運動であり、後羽軸１０４の羽ばたき運動がｓｉｎ（τ−φ／２）で表される運動である。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared wherein a 2nd Al film 54 and a P-SiN film 55 are formed, in this order on its uppermost part, and an opening 55a is formed on the upper part of the 2nd Al film 54 in the P-SiN film 55.例文帳に追加

最上部に、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが順に形成され、Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分に開口部５５ａが形成されている半導体基板を用意する。 - 特許庁

When the refractive index of atmosphere where the optical element 2 is placed is n_0, an incident angle θ of the light beam to the first face 14 satisfies the relationship expressed by (n_0/n_1)<sin θ<(n_2/n_1).例文帳に追加

光学素子２が置かれている雰囲気の屈折率がｎ_０であるとすると、第１面１４に対する光ビームの入射角θが、（ｎ_０／ｎ_１）＜sin θ＜（ｎ_２／ｎ_１）の関係を満たす。 - 特許庁

Whoever is born of God doesn’t commit sin, because his seed remains in him; and he can’t sin, because he is born of God. 例文帳に追加

神から生まれた者は罪を犯しません。その方の種がこの人の内にとどまっているからです。そして，この人は罪を犯すことができません。この人が神から生まれたからです。 - 電網聖書『ヨハネの第一の手紙 3:9』

The second SiN film 32b is formed by changing the film formation conditions of CVD method, so as to grow etching rate larger than that of the first SiN film 32a under the same etching conditions.例文帳に追加

第２のＳｉＮ膜は、同じエッチング条件下でエッチングレートが第１のＳｉＮ膜より大きくなるようにＣＶＤ法の成膜条件を変えて成膜されている。 - 特許庁

An RF filter 1a extracts high frequency signals of a plurality of channels included in a reception wave Sin, and a signal Scp level-adjusted by a variable filter circuit 1b is supplied to an RF amplifier 4.例文帳に追加

受信波Sinに含まれる複数チャンネルの高周波信号をＲＦフィルタ1aで抽出し、可変フィルタ回路1bでレベル調整した信号ScpをＲＦアンプ４へ供給する。 - 特許庁

A modulation frequency fn is adjusted, in such a way that Sin ϕn or Sin (ϕn-ϕ0) of an output signal to be output from a phase-difference measuring circuit 215 becomes 0.例文帳に追加

位相差測定回路２１５から出力される出力信号（直流信号）のＳｉｎφｎ又はＳｉｎ（φｎ−φ０）が０（ゼロ）になるように変調周波数ｆｎが調整される。 - 特許庁

By switching an input terminal to which an input AC signal Sin is input among a plurality of terminals in3, in5 and in7, the input paths of the input AC signal Sin to blocks in a conductor part 111 are switched.例文帳に追加

入力交流信号Ｓinが入力される入力端子を、複数の端子in３，in５，in７間で切り換えることにより、導体部１１１におけるブロックに対する入力交流信号Ｓinの入力経路を切り換える。 - 特許庁

A low-pass filter circuit 11 has a first input terminal to which a sensor signal (SIN) is supplied, a second input terminal, and an output terminal for outputting an output signal (SOUTP).例文帳に追加

ローパスフィルタ回路１１は、センサ信号(SIN)が供給される第１の入力端子と、第２の入力端子と、出力信号(SOUTP)を出力するための出力端子とを有する。 - 特許庁

The sin(mθ+ψ) calculated by a sine operation part 55 is multiplied by a predetermined gain G by an amplitude adjustment part 57, and an angular velocity ω of the detection target by a multiplier 59.例文帳に追加

正弦演算部５５が算出したsin（mθ＋ψ）に振幅調整部５７が所定のゲインGを、乗算器５９が検出対象の角速度ωを乗じる。 - 特許庁

A first logic unit 20 generates a first control signal S1 that is in accordance with an input signal Sin or having an L level in response to the input signal Sin and the first detection signal DZ.例文帳に追加

第１論理部２０は、入力信号Ｓｉｎと第１検知信号ＤＺとに基づいて、入力信号Ｓｉｎに応じた第１の制御信号Ｓ１、又はＬレベルの第１の制御信号Ｓ１を出力する。 - 特許庁

The protection film 4 is configured of at least a SiOx film 41 and a SiN film 12 formed of a Si compound containing N, and the SiN film 42 and the SiOx film 41 are laminated on the ITO film 3 in this order.例文帳に追加

保護膜４は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜４１と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜１２とからなり、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されて構成される。 - 特許庁

A diffraction condition of an optical path equation at the spherical diffraction grating is defined by 1/k= SINβ(COSα+cosβ)/(SINαCOS2β+COS2αSINβ), 1/k'=SINα(COSα+ cosβ)/(SINαCOS2β+COS2αSINβ).例文帳に追加

ここで、球面回折格子における光路方程式の回折の条件は、 1/k = SIN β(COSα+cosβ) ／(SINα COS^2 β+ COS ^2 α SINβ) 1/k'= SIN α(COSα+cosβ) ／(SINα COS^2 β+ COS ^2 α SINβ) により規定される。 - 特許庁

To provide an SiN film that has a small amount of leakage current even if film thickness is reduced to 0.4 nm or less, and a semiconductor device that uses the SiN film as a capacitor insulating film.例文帳に追加

膜厚を０．４ｎｍ以下に減少させてもリーク電流の少ないＳｉＮ膜、およびかかるＳｉＮ膜をキャパシタ絶縁膜に使った半導体装置を提供する。 - 特許庁

The comfort noise generator 100 generates a comfort noise in matching with a voice signal Sin' from which an undesired component is eliminated and adds the noise to the voice signal Sin'.例文帳に追加

不要成分除去後の音声信号Ｓin’に、それに合わせたコンフォートノイズを生成して付加するコンフォートノイズ発生装置１００である。 - 特許庁

Then the resist mask 10 and the plugging material 9 are removed, the SiOC film 5 is further etched by using the SiN film 7 as a mask, and the SiN film 7 and the exposed parts of the SiC films 4, 2 are removed.例文帳に追加

その後、レジストマスク１０及び埋め込み材９を除去し、ＳｉＮ膜７をマスクとして、ＳｉＯＣ膜５を更にエッチングし、ＳｉＮ膜７並びにＳｉＣ膜４及び２の露出している部分を除去する。 - 特許庁

In a correction expression storage section 62, θ' = θ+ A x sin(C1 x θ +θa) + B x sin(C2 x θ + θb) + θc is stored as a correction expression of a rotational angle.例文帳に追加

補正式記憶部６２には回転角の補正式として、θ’＝θ＋Ａ・ｓｉｎ（Ｃ１・θ＋θａ）＋Ｂ・ｓｉｎ（Ｃ２・θ＋θｂ）＋θｃを記憶しておく。 - 特許庁

Moreover, the controller circuit 14 having detected turning off of power gradually mutes the input signal Sin using the volume control circuit 15 to make the input signal Sin into the state of muting before the power is started.例文帳に追加

また、電源がオフされたことを検出したコントローラ回路１４は、ボリュームコントロール回路１５を用いて入力信号Ｓｉｎに徐々にミュートをかけて電源が立ち下がる前にミュート状態にする。 - 特許庁

An SiN film 8 is formed on the resultant entire substrate and then subjected to a full etch back processing, leaving the SiN film 8 on tops of the parts 7a of the SiO2 film within the grooves 6.例文帳に追加

全面にＳｉＮ膜８を形成した後、全面エッチバックを行うことにより、溝６の内部のＳｉＯ_2 膜の部分７ａの上部にＳｉＮ膜８を残す。 - 特許庁

Firstly, in a first cleaning step, a SiN film/quartz etching-rate-selection ratio is increased by setting a temperature in the treatment chamber to 300°C to mainly remove the SiN film attached to the quartz memeber in the film forming process.例文帳に追加

まず、第１のクリーニング工程で、処理室内の温度を３００℃とすることで、ＳｉＮ膜／石英エッチングレート選択比を上げ、成膜工程において石英製部材に付着したＳｉＮ膜を主に除去する。 - 特許庁

The signals output from the variable oscillator 71 are multiplied, added and so on, and a signal sin(ωt+ϕt) and a signal cos(ωt+ϕ) which is π/2 out of phase with the signal are output.例文帳に追加

可変型発振器７１から出力された信号の掛け算、加算等が行われ、信号sin(ωt＋φ)と、それを基準としてπ／２だけ位相がずれた信号である信号cos(ωt＋φ)が出力される。 - 特許庁

The signal processing section A3 has a function to change tempo of an inputted audio signal Sin, when an automatic mode is set by the mode changeover switch 27, the number of beats and a period of the beat are automatically calculated from the audio signal Sin.例文帳に追加

信号処理部Ａ３は、入力されるオーデオ信号Ｓinに対してテンポを変化させる機能を有しており、モード切換スイッチ２７で自動モードが設定されると、オーデオ信号Ｓinから自動的に拍数と拍周期を演算する。 - 特許庁

The magnetic material has such a structure that the ceramic film formed of SiN_X and/or SiO_2 wherein metal Si in the film has a gradient concentration in the thickness direction is formed on the surface of a substrate.例文帳に追加

磁性材料基板の表面に、被膜中の金属Siを厚み方向に濃度傾斜させたSiN_Xおよび／またはSiO_2からなるセラミック被膜を被覆する。 - 特許庁

The surface layer of an SiO2 film is modified into an SiN film 3 by exposing it to a nitrogen plasma so that a gate insulating film 10 in the two layer structure of the SiO2 film 2 and the SiN film 3 can be formed.例文帳に追加

窒素プラズマ中に晒して、ＳｉＯ_2 膜の表面層をＳｉＮ膜３に改質して、ＳｉＯ_2 膜２とＳｉＮ膜３の二層構造のゲート絶縁膜１０とする。 - 特許庁

Information e[k]=M*sin(ψ) representing the phase difference ψ between the input data x[k] and the output data y[k] is calculated with the first and second orthogonalizers 3 and 4 and the phase difference calculator 5.例文帳に追加

第１，第２直交化器３，４及び位相差算出器５で入力データｘ[k]と出力データｙ[k]の位相差ψを示す情報ｅ[k]＝Ｍ・sin(ψ)を算出する。 - 特許庁

A sacrificial oxide film is formed by removing the SiN film 3 and, after the sacrificial oxide film is removed, a gate oxide film is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３を除去して犠牲酸化膜を形成し、所定のイオン注入を行った後、犠牲酸化膜を除去し、ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

When a control signal Sin of 'H' level is inputted, a control circuit 36 is actuated, and an FET 35 is on/off-operated.例文帳に追加

“Ｈ”レベルの制御信号Ｓｉｎが入力されると、制御回路３６が動作し、ＦＥＴ３５がオン、オフ動作する。 - 特許庁

Kegare and sin are often collectively called as 'Tsumi Kegare' and while Tsumi is caused by man, Kegare is thought to arise naturally. 例文帳に追加

罪と併せて「罪穢れ」と総称されることが多いが、罪が人為的に発生するものであるのに対し、穢れは自然に発生するものであるとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

HDP4 is polished until the surface of SiN 5 is exposed, using a ceria (cerium oxide: CeO_2) slurry.例文帳に追加

そして、セリア（酸化セリウム；ＣｅＯ_２）スラリーを用いて、ＳｉＮ５の表面が露出するまで、ＨＤＰ４の研磨を行う。 - 特許庁

When a bare chip is mounted on the leadframe 14, it is sealed with a sealing re sin 24 from one surface side of the substrate.例文帳に追加

リードフレーム１４にベアチップを実装した場合、基板の一面側から封止樹脂２４で封止される。 - 特許庁

Finally, the SiN film 2 is removed by dry etching by SF6 gas from the back side, thereby the metal membrane 4 is completed.例文帳に追加

最後に、裏面側から、ＳＦ_6ガスによるドライエッチングによりSiＮ膜２を除去し、金属メンブレン４を完成させる。 - 特許庁

A photoresist film 5 is formed through lithography, and the SiN film 4a is patterned by a RIE to form an insulation film mask 4 (b).例文帳に追加

フォトレジスト膜５をリソグラフィにて形成し、ＲＩＥによりＳｉＮ膜４ａをパターニングして絶縁膜マスク４を形成する（ｂ）。 - 特許庁

The SiN film 3 is selectively etched through a plasma etching method where CF4 gas and O2 gas are used, by which the film 3 is made to recede from the edge of the trench 5.例文帳に追加

ＣＦ_4 ガスとＯ_2 ガスとを用いたプラズマエッチング法によりＳｉＮ膜３を選択的にエッチングし、トレンチ５の外側に後退させる。 - 特許庁

The first optical material is, e.g. quartz and the second optical material is, e.g. silicon nitride(SiN) or gallium phosphide(GaP).例文帳に追加

例えば、第１の光学材料を石英とし、第２の光学材料を窒化ケイ素（ＳｉＮ）またはリン化ガリウム（ＧａＰ）とする。 - 特許庁

Etching is performed such that a deposit 5 is formed at the end of opening in the LP-SiN film 4 and the pad oxide film 2.例文帳に追加

このエッチングの際に、ＬＰ−ＳｉＮ膜４及びパッド酸化膜２の開口端に堆積物５が形成されるようにする。 - 特許庁

The SiO2 film 7 is removed from the part except the opening of the SiN film 3 and the inside of the trench 5, and a trench element isolation region is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜３の開口およびトレンチ５の内部以外の部分をＳｉＯ_2 膜７を除去し、溝素子分離領域を形成する。 - 特許庁

Growth of GaN semiconductor 12 is suspended to grow a SiN buffer body 14, and then another GaN semiconductor layer 16 is grown.例文帳に追加

ＧａＮ半導体層１２の成長を中断してＳｉＮバッファ体を１４を成長させ、その後再びＧａＮ半導体層１６を成長させる。 - 特許庁

An n-type GaN layer 12 is grown on a sapphire substrate 11, and a grown mask 14 is formed on the layer 12 by an SiN film or the like.例文帳に追加

サファイア基板１１上にｎ型ＧａＮ層１２を成長させ、その上にＳｉＮ膜などにより成長マスク１４を形成する。 - 特許庁

Using an SiN film deposited by plasma CVD is employed as a passivation film for diffusion, zinc is diffused from an opening to form a diffusion area.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を拡散用のパシベーション膜として用い、開口部より亜鉛を拡散して拡散領域を形成した。 - 特許庁

That is, the ceiling wall face extending from the valve seat 8 is formed into a wave form (Sin curve) turning from side to side when viewed.例文帳に追加

すなわち、バルブシート面８から続く天井壁面５Ａを、断面でみて反転する波形（Ｓｉｎ曲線）に形成させる。 - 特許庁