「ſin is」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, an input signal Sin for inspection is sent into a function 9 positioned at the head among the functions 9-11 connected in series, and the input signal Sin is made to pass through the functions 9-11, and the waveform of an output signal Sout outputted from the rearmost function 11 in the series is confirmed finally to thereby determine the product quality of the IC 1.例文帳に追加

そして、この直列接続された機能部９〜１１のうち、先頭に位置する機能部９に検査用の入力信号Ｓinを流し込み、この入力信号Ｓinを機能部９〜１１に通し、最終的に直列の最後尾の機能部１１から出力される出力信号Ｓoutの波形を確認することにより、ＩＣ１の製品良否判定を行う。 - 特許庁

The circuit for delaying a logical signal SIN having low and high logical levels has such delay characteristics as the delay time is different when the logical level of the logical signal SIN is low and high and a logical level having a shorter delay time is selected as an object to be delayed.例文帳に追加

ロウレベル及びハイレベルの論理レベルを有する論理信号ＳＩＮを遅延させる遅延回路において、論理信号ＳＩＮの論理レベルがロウレベルの場合とハイレベルの場合とで遅延時間が異なる遅延特性を有し、ロウレベル及びハイレベルの論理レベルのうち、遅延時間が短い方の論理レベルを遅延対象とする。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium 10 having the reproducing layer 3, the non-magnetic layer 4 consisting of SiN and a recording layer 5 consisting of TbFeCo formed on a dielectric material layer 2 consisting of SiN is characterized in that the reproducing layer 3 is constituted of a first layer 31 consisting of a Gd layer, a second layer 32 consisting of GdFeCo and a third layer 33 consisting of a Gd layer.例文帳に追加

ＳｉＮから成る誘電体層２上に、再生層３、ＳｉＮから成る非磁性層４、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層５を形成した光磁気記録媒体１０において、再生層３は、Ｇｄ層である第１の層３１と、ＧｄＦｅＣｏから成る第２の層３２と、Ｇｄ層である第３の層３３とから構成される。 - 特許庁

When the reply is registered, the controller 20 controls a speech path system unit 20 to connect to the incoming call when the user is in a speech enable state at present according to contents of the TUPN relating information table 50 and starts a reply incoming call system service depending on a value of SIN registered in the TUPN relating information table 50 in the incoming disabled state.例文帳に追加

登録されていると、TUPN関連情報テーブル５０の内容により当該利用者が現在通話可能状態の場合には、着信呼を接続するよう通話路系装置２０を制御し、不可状態のときには、TUPN関連情報テーブル５０に登録されているSINの値によって応答の着信系サービスを起動する。 - 特許庁

The optical waveguide manufacturing method is characterized in that a film of an SiN layer is formed on a lower clad and that ultraviolet rays are emitted onto the SiN layer, through an exposure mask having an ultraviolet non-transmitting region in the same shape as the planar shape of a target optical waveguide core and having an ultraviolet transmitting region in other regions.例文帳に追加

下部クラッド上にＳｉＮ層を成膜し、該ＳｉＮ層上に、作製すべき光導波路コアの平面形状と同じ形状の紫外線不透過領域を持ち、それ以外の領域は紫外線透過領域となっている露光マスクを通して、紫外線を照射する、ことを特徴とする光導波路作製方法。 - 特許庁

A resist 3 is applied on a SiN thin film 2 (d), a part of the resist where a pinhole is to be formed is exposed by means of EB plotting, the resist is developed and, thereby, the pinhole 4 is formed.例文帳に追加

SiＮ薄膜２の上にレジスト３を塗布し（ｄ）、ＥＢ描画により、レジスト３のピンホールを作成したい部分を露光し、レジスト３を現像することにより、ピンホール４を形成する。 - 特許庁

When the radius of the strand 12 in the outermost layer is set as r, the radius of the inner layer is set as d, and a natural number obtained by dividing 360° by 2θ (θ is sin^-1(r/d+r))is set as n, the number of the strands 12 disposed in the outermost layer is n-1.例文帳に追加

最外層の素線１２の半径をｒとし、内層の半径をｄとし、３６０°を２θ（θは、ｓｉｎ^−１（ｒ／ｄ＋ｒ））で割った自然数をｎとした場合、最外層に配置される素線１２の数はｎー１である。 - 特許庁

The murder episode depicted in this novel is a fiction created by the author Kikuchi; according to the novel, the main character killed his master, a direct retainer of the Tokugawa Shogunate, Saburobei NAKAGAWA, ran away with his master's concubine, became a robber while running a rest house at Torii Pass (Nagano Prefecture), but when he felt his sin, he went into priesthood, started excavation of a tunnel in expiation for his sin, and ended up working together with a son of Saburobei, who followed him seeking revenge, to complete the excavation. 例文帳に追加

作中では主である旗本中川三郎兵衛を殺害してその妾と出奔、鳥居峠(長野県)で茶屋経営の裏で強盗を働いていたが、己の罪業を感じて出家、主殺しの罪滅ぼしのために青の洞門の開削を始め、後に仇とつけ狙った三郎兵衛の息子と共に鑿ったものとされるが、主殺しなどのエピソードは菊池の創作である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The ECU 11 is provided with a three-phase pulse generator 30 for generating three-phase pulse signals P1, P2, P3 set to have edges, corresponding to predetermined rotation angles (electric angles) which correspond to the edges, and are prevented from overlapping, and evenly spaced based on the sine signal S_sin and the cosine signal S_cos.例文帳に追加

また、ＥＣＵ１１は、正弦信号Ｓ_sin及び余弦信号Ｓ_cosに基づいて、所定の回転角（電気角）に対応したエッジを有するとともにそれぞれの各エッジに対応する所定の回転角が互いに重複することなく且つ均等間隔となるように設定された三相のパルス信号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を生成する三相パルス生成器３０を備える。 - 特許庁

The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor.例文帳に追加

上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 - 特許庁

As a result, higher the RF power representing plasma generation energy set to the device side is raised, from 700 W to 900 W or higher, when forming the plasma SiN film 22, the larger the amount of hydrogen leaving from the plasma SiN film 22 will be, at a low temperature processing during later sintering treatment, thereby making the sintering treatment sure.例文帳に追加

これによって、プラズマＳｉＮ膜２２の成膜時に装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを７００Ｗから９００Ｗさらにそれ以上に上げるほど、後のシンター処理時にプラズマＳｉＮ膜２２から低温で離脱する水素量が多くなってシンター処理が確実に行われる。 - 特許庁

The gate electrode 44 is constituted of a multilayer film having a phosphorus doped polysilicon gate electrode main body 44a buried from the lower ends of both SiN sidewalls to a groove base, a phosphorus doped polysilicon layer 44b formed between the SiN sidewalls on the gate electrode main body and silicide 44c obtained by making the polysilicon layer into silicide in terms of self-matching.例文帳に追加

ゲート電極４４が、両ＳｉＮサイドウォールの下端から溝底まで埋めるリンドープトポリシリコン・ゲート電極本体４４ａと、ゲート電極本体上のＳｉＮサイドウォール間に形成されたリンドープトポリシリコン層４４ｂと、ポリシリコン層を自己整合的にシリサイド化してなるシリサイド４４ｃとを有する多層膜で構成されている。 - 特許庁

The input signal amplitude limiter circuit 2 performs amplitude limitation on the interference wave signal in the input signal Sin, outputs the input signal Sin having the amplitude-limited interference wave signal to the amplifier circuit 1 and sets an input side of the amplifier circuit 1 to a high impedance value when the desired wave signal is equal to or higher than a predetermined value.例文帳に追加

入力信号振幅制限回路２は、入力信号Ｓｉｎの中の妨害波信号の振幅制限を行い、振幅制限された妨害波信号を有する入力信号Ｓｉｎを増幅回路１に出力し、所望波信号が所定の値以上のときに増幅回路１の入力側を高インピーダンス値に設定する。 - 特許庁

Since the polysilicon layer between the SiN sidewalls is made into silicide, the gate insulating film is prevented from being damaged and the insulating withstand pressure defect of the gate electrode is prevented like a conventional case when the electrode is made into silicide.例文帳に追加

ＳｉＮサイドウォールの間のポリシリコン層をシリサイド化しているので、シリサイド化に際して、従来のように、ゲート絶縁膜が損傷を受け、ゲート電極の絶縁耐圧不良が生じようなことはない。 - 特許庁

Thereafter, the photo resist is removed and oxidizing treatment is carried out under a state that the SiN layer 15 formed on the transfer electrode remains as it is to form an oxide layer in a region corresponding to a light-receiving section.例文帳に追加

その後、フォトレジストを除去し、転送電極上に形成したＳｉＮ層１５を残した状態のままで酸化処理を行なって受光部に対応する領域に酸化物層を形成する。 - 特許庁

The SIM card is mounted in the second card mounting space 72, and a stopper 80 is slid along a rail 77 and is moved onto the SIM card to hold a connection condition of the SIN card and the connector 75.例文帳に追加

この第２カード装着空間７２にＳＩＭカードを装着し、ストッパ８０をレール７７に沿って摺動させてＳＩＭカード上に移動させることにより、ＳＩＭカードとコネクタ７５との接続状態を保持できる。 - 特許庁

A distortion correction factor Hs in latitude of a detected present address is decided (S140) and the table of correction factors for coordinate transformation Ht in which the distortion correction factor Hs is multipied by sin values of rotational angles is prepared (S150).例文帳に追加

検出した現在地の緯度における歪み補正係数Ｈｓを決定し（S140）、その歪み補正係数Ｈｓと回転角のｓｉｎ値を乗算した座標変換用補正係数Ｈｔのテーブルを作成する（S150）。 - 特許庁

Further, both the thread parts have the relation of LV=LT/sin (θ/2), wherein θ is the opening angle of the V groove 15, LV is the thread lead of the V feed thread part, and LT is the thread lead of the T thread part 32.例文帳に追加

さらに、Ｖ溝１５の開き角度θ、Ｖ送りネジ部のネジリードをＬＶ、Ｔ送りネジ部３２のネジリードをＬＴとしたときに、ＬＶ＝ＬＴ／ｓｉｎ（θ／２）の関係にある。 - 特許庁

An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加

低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁

When a radius of the inner fixed electrode 5 is made to R1, a radius of the inner rotation electrode 4 is made to R2 and the number of the inner rotation electrode is made to n, it satisfies a relationship of (R1+R2)×sin(π/n)<R2.例文帳に追加

内部固定電極５の半径をＲ１，内側回転電極４の半径をＲ２，内側回転電極の数をｎとした時、（Ｒ１＋Ｒ２）×ｓｉｎ（π／ｎ）＜Ｒ２の関係を満たすようにする。 - 特許庁

After an embedded oxide film 8 is formed by embedding into the groove 6 and the opening 3a through high density plasma chemical vapor deposition(CVD), the embedded oxide film 8 on the SiN film 3 is removed and flattening is performed by chemical-mechanical polishing(CMP).例文帳に追加

高密度プラズマＣＶＤ法により、溝６および開口３ａの内部に埋め込むようにして、埋め込み酸化膜８を形成した後、ＳｉＮ膜３上の埋め込み酸化膜８を除去し、ＣＭＰ法により平坦化を行う。 - 特許庁

After the photoresist pattern 6 is removed, an interlayer insulation film is formed, and then, by subjecting it to dry-etching with the P-SiN 15 as an etching stopper, a through-hole(TH) to the aluminum wring layer 4b is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン６を除去した後、層間絶縁膜を形成し、Ｐ−ＳｉＮ１５をエッチングストッパーとして、ドライエッチングすることによりアルミ配線層４ｂへのＴＨを形成する。 - 特許庁

The film is deposited at a substrate temperature ≤160°C and the composition thereof, when expressed as SiN_x, is 1.05≤x≤1.33, the refractive index is 1.8 to 1.96.例文帳に追加

基板温度１６０℃以下で成膜され、その組成をＳｉＮ_ｘと表したときに１．０５≦ｘ≦１．３３であり、屈折率が１．８以上、１．９６以下である。 - 特許庁

Relating to a one-way clutch 13, the answer of vertical drag A=F/2×sin α is 9-14 N, where F is spring force of an elastic body 19 and 2 α is wedge angle.例文帳に追加

一方向クラッチ１３において、Ｆを弾性体１９のばね力、２αをくさび角とした場合、垂直抗力Ａ＝Ｆ／２×ｓｉｎαが９〜１４Ｎである。 - 特許庁

It unilaterally concluded that the western culture is 'sin culture' which has ethical standards inward, while the Japanese culture is 'shame culture' that has the standards (appearances or decency) outward. 例文帳に追加

西欧文化は倫理基準を内面に持つ「罪の文化」であるのに対し、日本文化は外部（世間体・外聞）に持つ「恥の文化」と一方的に決め付けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A small person is innocent, but he becomes a sinner if he holds a treasure, which means being a small person in itself is not a sin, but if a small person comes into possession of an inappropriate amount of treasure he often tends to make mistakes. 例文帳に追加

小人に罪無し、玉を抱いて罪有り…小人というだけで罪はないのだが、小人が身分不相応の財宝を持つと、とかく過ちを犯しやすい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

By first forming a photoresist pattern 6, the P-SiN 15 is etched and etching continuously the aluminum laminated wiring film 4a, a lower aluminum laminated wiring 4b is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン６を形成し、まずＰ−ＳｉＮ１５を、続いて、アルミ積層配線膜４ａを順次エッチングすることにより下層のアルミ積層配線４ｂを形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, the brittle BGTBAS-SiN film 11 is removed before a stage wherein the semiconductor substrate 1 is fixed or conveyed by the electrostatic chuck, vacuum chuck, etc.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は静電チャック、真空チャックなどで半導体基板１を固定もしくは搬送する工程の前に脆弱なＢＴＢＡＳ−ＳｉＮ膜１１を除去する。 - 特許庁

Inner wall surface of the trench in a wafer W is nitrided ultrathin by action of active species in the plasma, and a dense liner SiN film is formed.例文帳に追加

プラズマ中の活性種の作用によりウエハＷのトレンチの内壁面が極薄く窒化されることにより、緻密なライナーＳｉＮ膜が形成される。 - 特許庁

Finally, a barrier film 123 and an aluminum film 124 are processed in a specific shape, and before an SiN film is deposited, heating is performed at 400°C or below under a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

最後に、バリア膜１２３とアルミニウム膜１２４を所定の形状に加工し、ＳｉＮ膜を堆積する前に水素雰囲気下、４００℃以下で加熱する。 - 特許庁

In this case, the Cu electrode layer 2 is formed so that the upper surface 2a of the Cu electrode layer 2 is located higher at position than for the P-SiN film 55.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層２の上面２ａの位置がＰ−ＳｉＮ膜５５の上面よりも高い位置となるように、Ｃｕ電極層２を形成する。 - 特許庁

An SiN buffer body is discretely formed on a board 10, over which a GaN buffer layer is formed at a low temperature, and a GaN semiconductor layer 16 thereon at a high temperature.例文帳に追加

基板１０上にＳｉＮバッファ体を離散的に形成し、その上に低温でＧａＮバッファ層、高温でＧａＮ半導体層１６を形成する。 - 特許庁

A silicon film 7 is formed on a high-dielectric gate insulating film 6, and only a silicon film 7 of PMOS region is nitrided to substitute an SiN film 9.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜６上にシリコン膜７を形成し、ＰＭＯＳ領域のシリコン膜７のみを選択的に窒化してＳｉＮ膜９に置換する。 - 特許庁

The first passivation layer 80 is made of silicon nitride (SiN), the second passivation layer 120 is made of silicon oxynitride (SiON).例文帳に追加

第１のパッシベーション層８０は窒化珪素（ＳｉＮ）で、第２のパッシベーション層１２０はシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）で、それぞれ形成される。 - 特許庁

A scan-in terminal Sin is connected to a diffusion layer region 220, and a scan-out terminal Sout is connected to the diffusion layer region 225 via a charge-voltage conversion amplifier 401.例文帳に追加

拡散層領域２２０にはスキャンイン端子Ｓｉｎが接続され、拡散層領域２２５には電荷電圧変換アンプ４０１を介してスキャンアウト端子Ｓｏｕｔが接続される。 - 特許庁

Direct nitriding of a silicon oxide film which uses RLSA type plasma treating equipment is applied to side walls of the connection hole 21 and the second trench 23, and a barrier layer 25 composed of an SiN film is formed.例文帳に追加

さらに、接続孔２１および第２の溝２３の側壁に、ＲＬＳＡ型のプラズマ処理装置を用いたシリコン酸化膜の直接窒化を施し、ＳｉＮ膜からなるバリヤ層２５を形成する。 - 特許庁

Etching treatment for forming side walls 16 under a status that an SiN layer 15 formed on a transfer electrode is covered by photo resist 21 is carried out.例文帳に追加

転送電極上に形成したＳｉＮ層１５をフォトレジスト２１で被覆した状態でサイドウォール１６を形成するエッチング処理を行なう。 - 特許庁

Then, etching is conducted up to the etching stopper film, SiN film so that an SiON film with an desirable even thickness is formed on the fuse.例文帳に追加

ヒューズを覆ってＳｉＯＮ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ_2膜をこの順序で形成した後、エッチングストッパ膜であるＳｉＮ膜までエッチングすることにより、ヒューズ上に均一で所望の膜厚のＳｉＯＮ膜を形成する。 - 特許庁

A plasma treatment process is carried out in which treatment gas f_G containing a halogen-content compound such as fluorocarbon is passed through a plasma space 22 to have it in contact with the surface of the SiN layer 12.例文帳に追加

フッ化炭素等のハロゲン含有化合物を含む処理ガスｆ_Ｇをプラズマ空間２２に通し、ＳｉＮ層１２の表面に接触させるプラズマ処理工程を行なう。 - 特許庁

A signal S1 of an audible frequency region is extracted by a linear phase low pass filter 1 from an audio signal Sin, and forwarded to a signal processing section 3 after thinning processing is performed on the signal S1 by a thinning section 2.例文帳に追加

直線位相ローパスフィルタ１によってオーディオ信号Ｓinから可聴周波数域の信号Ｓ１を取り出し、間引き部２が信号Ｓ１に対して間引き処理を施してから信号処理部３に供給する。 - 特許庁

A precursor film 304 with an a-Si layer or a fine crystal p-Si layer is formed on a glass substrate 301 having a foundation layer with stacked SiN 302 and SiO_2 film 303, and then implantation is performed there.例文帳に追加

ＳｉN３０２とＳｉＯ_2膜３０３を積層した下地層を有するガラス基板３０１にａ−Ｓｉ層または微粒結晶ｐ−Ｓｉ層のプリカーサ膜３０４を成膜し、これにインプラを行う。 - 特許庁

In the etching, contribution of chlorine plasma from a SiN_x mask 1411 large in mask thickness is large, and contribution of chlorine plasma from a SiO_2 mask 1410 small in mask thickness is small.例文帳に追加

このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ_2マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。 - 特許庁

On the TFT substrate 100, an organic passivation film 109 is formed, and an interlayer dielectric 111 comprising an SiN film formed by low-temperature CVD is formed over the film 109.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１００には、有機パッシベーション膜１０９が形成され、その上に、低温ＣＶＤによって形成されたＳｉＮ膜による層間絶縁膜１１１が形成されている。 - 特許庁

An inspection signal Sin with the frequencies f1, f2 pulsed is input to a semiconductor, and output frequencies corresponding to the frequencies f1, f2, that is, frequencies f1a, f2a are checked, thereby performing product decision on the semiconductor.例文帳に追加

そして、これら周波数ｆ１，ｆ２をパルスとした検査信号Ｓinを検査対象の半導体に入力し、この周波数ｆ１，ｆ２に対する出力周波数、即ち周波数ｆ1a，ｆ2aを確認することにより、半導体の製品判定を行う。 - 特許庁

The maintenance is performed by depositing the conductive film, for example, amorphous silicon (a-Si) film or SiN film having a refractive index of at least 2.3 while there is no substrate on a substrate holder (the counter electrode) 5B.例文帳に追加

これは、基板ホルダ（対向電極）５Ｂ上に基板が無い状態で導電膜、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜または屈折率２．３以上のＳｉＮ膜を成膜することにより行う。 - 特許庁