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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "ſin is"に関連した英語例文

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"ſin is"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 43



例文

The wages of sin is death. 例文帳に追加

罪の報いは死なり. - 研究社 新英和中辞典

The wages of sin is death.例文帳に追加

罪の報いは死である。 - Tatoeba例文

the wages of sin is death 例文帳に追加

罪の報いは死である - 日本語WordNet

The wages of sin is death. 例文帳に追加

罪の報いは死である。 - Tanaka Corpus

例文

Sin is preclusive of happiness. 例文帳に追加

罪悪と幸福とは氷炭相容れず - 斎藤和英大辞典


例文

Sin is preclusive of happiness. 例文帳に追加

罪悪と幸福とは氷炭相いれぬ - 斎藤和英大辞典

She repents of her sin―She is repentant of her sinpenitent for her sin―a penitent sinner―a repentant sinner. 例文帳に追加

彼女は罪を犯したのを悔いている - 斎藤和英大辞典

Everyone who sins also commits lawlessness. Sin is lawlessness. 例文帳に追加

罪を犯す者はみな,不法をも犯すのです。罪は不法です。 - 電網聖書『ヨハネの第一の手紙 3:4』

Tsumi (sin) is the same as 'Tsutsugami (harm)' and means mental injury or trouble and sadness or sorrow from it. 例文帳に追加

「罪」は「恙み(ツツガミ)」から、精神的な負傷や憂いを意味する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

SiN is filled in the SiN recess 60a to form a lower convex intralayer lens 33.例文帳に追加

SiN凹部60a内にSiNを充填して下凸層内レンズ33を形成する。 - 特許庁

例文

The voltage level of a logic signal Sin is converted by a level shifter 30 and given to inverters 43, 45 from connecting nodes N1 and N2.例文帳に追加

ロジック信号S_inの電圧レベルが、レベルシフタ30によって変換され、接続ノードN1及びN2からインバータ43,45に与えられる。 - 特許庁

Next, the side wall 13 formed of SiN is formed on the offset spacer 7 and the side wall 11 to cover the same SiN film.例文帳に追加

次に、オフセットスペーサ7及びサイドウォール11上に、SiNからなりこれらを覆うようなサイドウォール13を形成する。 - 特許庁

When the voltage level of the signal Sin is varied at this time, the speeds of rising and falling of the voltage of the connecting nodes N1 and N2 are different.例文帳に追加

ここで、ロジック信号Sinの電圧レベルが遷移するときに、接続ノードN1及びN2の電圧の立ち上がりと立ち下がりの速度が異なる。 - 特許庁

A differential signal SIN is supplied to an input terminal 321 and an input terminal 322 of a signal processing circuit 30.例文帳に追加

信号処理回路30の入力端子321および入力端子322には差動信号SINが供給される。 - 特許庁

An SiN film 60 is formed on the BPSG film 32 so as to bury the BPSG recess 32a, and SiN is filled in the BPSG recess 32a.例文帳に追加

BPSG凹部32aを埋めるようにBPSG膜32上にSiN膜60を形成し、BPSG凹部32aにSiNを充填する。 - 特許庁

The interference pulse light S9 of the same logic as the logic of the input pulse light SIN is formed from the interference pulse light S6b by the delay interference device 9.例文帳に追加

遅延干渉器9で干渉パルス光S_6bから入力パルス光S_INと同論理の干渉パルス光S_9を生成する。 - 特許庁

A half SIN1 of a test data SIN is input into FFs 10, 11 from a data input and output node 15 in a test data input mode, and the other half of the half SIN2 of the test data SIN is input into FFs 13, 14 from a data input and output node 16.例文帳に追加

テストデータ入力モード時は、データ入出力ノード15からテストデータSINの半分SIN1をFF10、11に入力すると共に、データ入出力ノード16からテストデータSINの他の半分SIN2をFF13、14に入力する。 - 特許庁

The lower electrode layer 13 is formed in order to be connected to the side wall of the recessed part 12 so that SiN is formed above the lower electrode layer as a dielectric body 14 to be operated as a capacitor.例文帳に追加

この下部電極層13は凹部12の側壁に対して接続するように形成し、その上部にキャパシタとして動作させるための誘電体14としてSiNを形成する。 - 特許庁

Consequently, the interpolation signal Sout, containing the harmonic components is generated from the input signal Sin, even if the input signal Sin is a signal of a single frequency.例文帳に追加

このため、入力信号Sinが単一周波数の信号であっても、この入力信号Sinから、高調波成分を含む補間信号Soutを生成することができる。 - 特許庁

When a voltage of an input signal Sin is nearly equal to a reference voltage, an offset elimination section 3 stores the output data D_0 from the A/D converter 2 as offset data D_4.例文帳に追加

オフセット除去部3は、入力信号Sinの電圧値が基準電圧と略等しいときに、A/D変換器2からの出力データD_0をオフセットデータD_4として記憶しておく。 - 特許庁

A scan-in terminal Sin is connected to a diffusion layer region 220, and a scan-out terminal Sout is connected to the diffusion layer region 225 via a charge-voltage conversion amplifier 401.例文帳に追加

拡散層領域220にはスキャンイン端子Sinが接続され、拡散層領域225には電荷電圧変換アンプ401を介してスキャンアウト端子Soutが接続される。 - 特許庁

When the input signal SIN is at e.g. logical 'H', the saturation current of the FET 22 flows to ground GND via the gate and the source of the FET 22 and also flows to a resistor 21.例文帳に追加

ここで、入力信号S_INが例えば“H”のとき、FET22の飽和電流が該FET22のゲート及びソースを介してグランドGNDに流れるが、この飽和電流は抵抗21にも流れる。 - 特許庁

A first insulation layer 108 formed of SiN is formed on a side surface of the emitter mesa part and a surface of a ledge structure 105a to cover them.例文帳に追加

エミッタメサの部分の側面およびレッジ構造部105aの表面には、これらを被覆するように、SiNからなる第1絶縁層108が形成されている。 - 特許庁

A first insulating film 108 comprising silicon nitride (SiN) is formed on a side of part of an emitter mesa and a surface of a ledge structure 105a so that those parts are covered.例文帳に追加

エミッタメサの部分の側面およびレッジ構造部105aの表面には、これらを被覆するように、窒化シリコン(SiN)からなる第1絶縁層108が形成されている。 - 特許庁

By switching an input terminal to which an input AC signal Sin is input among a plurality of terminals in3, in5 and in7, the input paths of the input AC signal Sin to blocks in a conductor part 111 are switched.例文帳に追加

入力交流信号Sinが入力される入力端子を、複数の端子in3,in5,in7間で切り換えることにより、導体部111におけるブロックに対する入力交流信号Sinの入力経路を切り換える。 - 特許庁

A low-pass filter circuit 11 has a first input terminal to which a sensor signal (SIN) is supplied, a second input terminal, and an output terminal for outputting an output signal (SOUTP).例文帳に追加

ローパスフィルタ回路11は、センサ信号(SIN)が供給される第1の入力端子と、第2の入力端子と、出力信号(SOUTP)を出力するための出力端子とを有する。 - 特許庁

A clocking start signal SIN is inputted to a path switching means 2, controlled by an external/refresh operation-operation start request signal REQ (O)/(I), and connected to first or second clocking section 3, 4.例文帳に追加

計時開始信号SINが経路切り換え手段2に入力され、外部アクセス/リフレッシュ動作開始要求信号REQ(O)/(I)により制御されて第1又は第2計時部3、4に接続される。 - 特許庁

Each optical pulse LDs is emitted at a fixed interval from a light source, and a reflected optical pulse Sin is received, after a response time T required for the distance to the measuring object.例文帳に追加

光源から一定間隔で光パルスLDsを射出し、測定対象物までの距離に要する応答時間T後に反射光パルスSinを受光する。 - 特許庁

A complex sinusoidal wave SIN is generated based on the detected frequency offset OFF, and the frequency of an input signal IN is converted, thus correcting the offset of the reception signal R.例文帳に追加

検出された周波数オフセットOFFに基づいて複素正弦波SINを生成し、入力信号INを周波数変換すれば、受信信号Rのオフセットが補正できる。 - 特許庁

A plurality of LEDs 12 are formed one-dimensionally (in a main scanning direction) on a substrate 10, and a protective layer 14 made of SiO_2 or SiN is formed on the LEDs 12.例文帳に追加

基板10上に複数のLED12が1次元上(主走査方向)に形成され、LED12上にSiO_2やSiN等の保護層14が形成される。 - 特許庁

The movable terminals of the semi-fixed resistors TR1, TR2 each move at the same proportion interlockingly in an opposite direction to each other, and are adjusted so that when an audio signal Sin is mute, the duty ratios Spwm, /Spwm of PWM signals output from the inverters INV1, INV2 are 50%.例文帳に追加

半固定抵抗器TR1,TR2の各可動端子は互いに逆方向に連動して同一の割合で移動し、オーディオ信号Sinが無音の場合にインバータINV1,INV2から出力されるPWM信号Spwm,/Spwmのデューティ比が50%となるように調整されている。 - 特許庁

The transmitter of this invention is provided with amplifiers PA1, PA2 that amplify a signal Sin whose frequency is included within a prescribed frequency band and this invention relates to the transmitter for a wireless signal where the signal Sin is used to alternately transmit information and in an inactive state within prescribed 1st and 2nd time widths.例文帳に追加

本発明は、周波数が所定の周波数帯域内に含まれる信号Sinを増幅する複数の増幅器PA1,PA2を備え、信号Sinは情報を交互に伝送し、第1および第2の所定時間幅内において静止状態にある無線信号用の伝送器に関する。 - 特許庁

On the entire surface of the TMR element 5 as well as on the upper surface of the TMR lower electrode 28, an interlayer insulating film 30 formed of LT-SiN is formed, with an interlayer insulating film 32 of LT-SiN formed to cover the entire surface including the side surface of the TMR lower electrode 28.例文帳に追加

TMR素子5の全面及びTMR下部電極28の上面上にLT−SiNより形成される層間絶縁膜30が形成され、TMR下部電極28の側面を含む全面を覆ってLT−SiNよりなる層間絶縁膜32が形成される。 - 特許庁

A specific frequency component of an input picture signal SIN is extracted with a band-pass filter 2, and a rectifier and detector circuit 4 samples a part of a prescribed horizontal synchronizing period in a vertical blanking period to perform rectification and detection and outputs a noise level signal SNLVL indicating the noise level.例文帳に追加

入力画像信号SINの特定周波数成分がバンドパスフィルタ2により抽出され、整流検波回路4は垂直ブランキング期間内の所定水平同期期間の一部をサンプリングして、整流検波を行いノイズレベルを示すノイズレベル信号SNLVLを出力する。 - 特許庁

Light collection efficiency can easily be improved by reducing the influence of an error by using an optical fiber characterized in that the area of an incidence surface Sin is made larger than the area of projection surfaces Sout and the plurality of projection surfaces are provided for the single incidence surface.例文帳に追加

入射面Sinの面積が、出射面Soutの面積よりも大きく、単数の入射面に対して、複数の出射面を有する光ファイバを用いることで、誤差の影響を受けにくくして集光効率を向上させることが容易にできる。 - 特許庁

In this manufacturing method, a protective film is deposited on the substrate by an aerosol deposition method in which powder containing silicon compound (SiC or SiN) is sprayed to the substrate together with carrier gas such as helium at the spraying particle speed of800 m/s from very small nozzles.例文帳に追加

ケイ素化合物(SiC又はSiN)を含む粉末を、例えばヘリウムのようなキャリアガスと共に微小孔ノズルから800m/s以上の吹きかけ粒子速度で基板に吹きかけるエアロゾルデポジション法によって基板上に保護膜を成膜する。 - 特許庁

The signal S1 of the audible frequency region is subtracted from the audio signal Sin by a subtraction section 8, and the subtracted signal S7 and the signal S5 are added by an adder section 6, and thereby, an audio signal Sout of the same frequency region with the audio signal Sin is created.例文帳に追加

減算部8によってオーディオ信号Sinから可聴周波数域の信号S1を減算し、その減算した信号S7と信号S5とを加算部6が加算することで、オーディオ信号Sinと同じ周波数域のオーディオ信号Soutを生成する。 - 特許庁

Then, an input signal Sin for inspection is sent into a function 9 positioned at the head among the functions 9-11 connected in series, and the input signal Sin is made to pass through the functions 9-11, and the waveform of an output signal Sout outputted from the rearmost function 11 in the series is confirmed finally to thereby determine the product quality of the IC 1.例文帳に追加

そして、この直列接続された機能部9〜11のうち、先頭に位置する機能部9に検査用の入力信号Sinを流し込み、この入力信号Sinを機能部9〜11に通し、最終的に直列の最後尾の機能部11から出力される出力信号Soutの波形を確認することにより、IC1の製品良否判定を行う。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium 10 having the reproducing layer 3, the non-magnetic layer 4 consisting of SiN and a recording layer 5 consisting of TbFeCo formed on a dielectric material layer 2 consisting of SiN is characterized in that the reproducing layer 3 is constituted of a first layer 31 consisting of a Gd layer, a second layer 32 consisting of GdFeCo and a third layer 33 consisting of a Gd layer.例文帳に追加

SiNから成る誘電体層2上に、再生層3、SiNから成る非磁性層4、TbFeCoから成る記録層5を形成した光磁気記録媒体10において、再生層3は、Gd層である第1の層31と、GdFeCoから成る第2の層32と、Gd層である第3の層33とから構成される。 - 特許庁

The information recorded on the information recording/ reproducing medium is optically read out by a pickup, and an RF signal SRF' generated by an RF signal producing circuit CQ1 based on this reading signal Sin is supplied to a frequency property compensating circuit 10 to produce an RF signal SRF with which the frequency property of the RF signal SRF' is compensated.例文帳に追加

ピックアップによって情報記録再生媒体に記録されている情報を光学的に読み取り、その読取り信号Sinに基づいてRF信号生成回路CQ1が生成したRF信号SRF’を周波数特性補償回路10に供給し、RF信号SRF’の周波数特性を補償したRF信号SRFを生成する。 - 特許庁

The circuit for delaying a logical signal SIN having low and high logical levels has such delay characteristics as the delay time is different when the logical level of the logical signal SIN is low and high and a logical level having a shorter delay time is selected as an object to be delayed.例文帳に追加

ロウレベル及びハイレベルの論理レベルを有する論理信号SINを遅延させる遅延回路において、論理信号SINの論理レベルがロウレベルの場合とハイレベルの場合とで遅延時間が異なる遅延特性を有し、ロウレベル及びハイレベルの論理レベルのうち、遅延時間が短い方の論理レベルを遅延対象とする。 - 特許庁

In a semiconductor device where a capacitor comprising a ferroelectric film is integrated on a semiconductor substrate where an active element is formed, at least an insulating film principally comprising SiN is formed between the active element, e.g. a transistor, formed on the semiconductor substrate and the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体膜からなるキャパシタが、能動素子が形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、前記半導体基板上に形成されたトランジスタなどの能動素子と、前記強誘電体からなるキャパシタとの間に主成分がSiNからなる絶縁膜がすくなくとも形成されている。 - 特許庁

例文

With regard to the portable non-contact communication device, a contact and non-contact SIN is mounted in a communication device including a portable telephone function or an SIM reader/writer function so as to settle a traffic fare or a transaction with an external apparatus via an antenna coil that is included in the device.例文帳に追加

本発明の携帯可能な非接触通信デバイスは、携帯電話機能を有するか、SIMリーダライタ機能を有する通信デバイス内に、接触、非接触両用SIMを装着し、デバイス内に有するアンテナコイルを介して外部機器との間で交通運賃や取引の決済処理を可能にした非接触通信デバイスであって、SIM内の取引データを表示する表示機能面を当該デバイスの一面に有し、当該表示機能面とは反対側のデバイス面の一部もしくは全面に、クッション性素材5a,5b,5cを付与して外部機器受信部と接触した際の衝撃を緩和したことを特徴とする。 - 特許庁

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