「ſin is」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In this ball screw device, when center circle diameter of the ball 5 is dm and diameter of the ball 5 is Dw, the ball 5 raking direction and the ball 5 returning direction of a circulation tube 8 are tilted outside in the radial direction by θ=sin^-1(Dw/dm) in relation to a tangent direction of a screw groove 4 of the nut 6.例文帳に追加

ｄｍをボール５の中心円径、Ｄｗをボール５の直径とした場合に、循環チューブ８のボール５のすくい上げ方向及び戻し方向をナット６のねじ溝４の接線方向に対してθ＝ｓｉｎ^−１（Ｄｗ／ｄｍ）だけ径方向外側へ傾ける。 - 特許庁

A extraction wiring 109 from the wiring for an excitation, the wiring for a sin output, and the wiring for a cos output of a resolver having a plurality of the angle detecting sections is connected to a circuit board 106 that is fixed with a stud bolt 107 to a stator 103.例文帳に追加

この角度検出セクションを複数備えたレゾルバの励磁用の巻線、ｓｉｎ出力用の巻線およびｃｏｓ出力用の巻線からの引き出し配線１０９を、ステータ１０３にスタッドボルト１０７によって固定された回路基板１０６に接続する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a protective film is deposited on the substrate by an aerosol deposition method in which powder containing silicon compound (SiC or SiN) is sprayed to the substrate together with carrier gas such as helium at the spraying particle speed of ≥ 800 m/s from very small nozzles.例文帳に追加

ケイ素化合物（ＳｉＣ又はＳｉＮ）を含む粉末を、例えばヘリウムのようなキャリアガスと共に微小孔ノズルから８００ｍ／ｓ以上の吹きかけ粒子速度で基板に吹きかけるエアロゾルデポジション法によって基板上に保護膜を成膜する。 - 特許庁

OE no Hiromoto asked Yasutoki HOJO's opinion about it, and he replied, 'it is a sin against Bushi's duty for a follower to kill those who are eligible to enter the In and other palaces, to say nothing of the fact that it happened on the street in a broad daylight. He should be punished at once.' 例文帳に追加

それに対して大江広元から意見を求められた北条泰時は、「郎従の身として諸院宮昇殿の者を殺害するなど、武士の本分にもとる行為だ。それも白昼路上で行うなどもってのほか。直ちに厳罰に処すべきである」と言ったと。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Wiring 11 composed of aluminum (Al) and a passivation film 12 composed of silicon nitride (P-SiN) are formed on the electrode on a semiconductor substrate 10 composed of silicon (Si), and a barrier layer 13 composed of e.g. titanium (Ti) is formed on the surface thereof.例文帳に追加

シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板１０上の電極部に、アルミニウム（Ａｌ）からなる配線１１と窒化シリコン（Ｐ−ＳｉＮ）からなるパッシベーション膜１２とをそれぞれ形成し、その表面には、例えばチタン（Ｔｉ）からなるバリア層１３を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate that has low resistance and is excellent in crystallinity of a nitride semiconductor single-crystal layer without forming an SiN_x layer between an Si substrate and the nitride semiconductor single-crystal layer formed thereupon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The incidence of an infrared signal Sii from a remote controller 40 and an infrared signal Sin from a remote controller and a personal computer, etc. indoors on the light receiving element 11 of the television set 10 is shielded by infrared nontransparent objects 53 arranged so as to surround the light emitting element 23.例文帳に追加

発光素子２３を囲むように配置された赤外線非透過体５３によって、リモコン４０からの赤外線信号Ｓｉｉや、室内にあるリモコンやパソコン等からの赤外線信号Ｓｉｎが、テレビ１０の受光素子１１に入射するのが遮られる。 - 特許庁

A guitar outputs an audio signal Sout to which resonance sound of a body or the like of a guitar of a different model is added, by performing convolution operation in a filter unit 13 on an audio signal Sin output from a pick-up.例文帳に追加

本発明の実施形態におけるギターは、ピックアップから出力されたオーディオ信号Ｓｉｎに対して、フィルタ部１３における畳み込み演算を施すことにより、別の機種のギターにおける胴などの共鳴音を付加したオーディオ信号Ｓｏｕｔを出力する。 - 特許庁

The movable terminals of the semi-fixed resistors TR1, TR2 each move at the same proportion interlockingly in an opposite direction to each other, and are adjusted so that when an audio signal Sin is mute, the duty ratios Spwm, /Spwm of PWM signals output from the inverters INV1, INV2 are 50%.例文帳に追加

半固定抵抗器ＴＲ１，ＴＲ２の各可動端子は互いに逆方向に連動して同一の割合で移動し、オーディオ信号Ｓinが無音の場合にインバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２から出力されるＰＷＭ信号Ｓpwm，／Ｓpwmのデューティ比が５０％となるように調整されている。 - 特許庁

A high-resistance part 113, having a resistance value larger than that of a conductor part 111, is provided in a vibrating part 11 (in parallel with an LCR series resonance circuit) in the vibration part 11 for performing resonance vibration by longitudinal wave vibration, according to the frequency of an input AC signal Sin.例文帳に追加

入力交流信号Ｓinの周波数に応じて縦波振動による共振振動を行う振動部１１内において、振動部１１内に（ＬＣＲ直列共振回路と並列に）、導体部１１１よりも抵抗値の高い高抵抗部１１３を設ける。 - 特許庁

During detection, a detecting operation is performed based on a signal (a detection signal S11) of basic frequency f0 in a common driving signal Vcom, and signals (detection signals S13, S15) of two harmonics 3f0, 5f0 in the common driving signal Vcom out of the detection signal Vdet (Sin).例文帳に追加

この検出の際に、検出信号Ｖdet（Ｓin）のうち、コモン駆動信号Ｖcomにおける基本周波数ｆ０の信号（検出信号Ｓ１１）と、このコモン駆動信号Ｖcomにおける２つの高調波３ｆ０，５ｆ０の信号（検出信号Ｓ１３，Ｓ１５））とに基づいて検出動作を行う。 - 特許庁

To solve a problem that a conventional MONOS has a configuration for storing charges in SiN, but the charge storage amount is not sufficient, the variational width of a threshold voltage cannot be made large, and consequently high electric charge density by means of dopant introduction cannot be realized by a technique of introducing lanthanoids into HfO_2, ZrO_2 and TiO_2.例文帳に追加

従来のＭＯＮＯＳは、ＳｉＮに電荷を蓄積する構成であるが、電荷蓄積量が不十分であり閾値電圧変化幅を大きく取れず、またＨｆＯ_２，ＺｒＯ_２，ＴｉＯ_２中へＬａ系元素を導入した技術ではドーパント導入による電荷の高密度化は実現が困難である。 - 特許庁

This dielectric element is provided with the lower electrode, provided with an IrSiN film 14 with a function for suppressing diffusion of oxygen, an SBT film 19 as the oxide-based dielectric film formed on the lower electrode and an SiN film 17 with the function of suppressing the diffusion of oxygen, arranged in regions other than the lower electrode.例文帳に追加

酸素拡散を抑制する機能を有するＩｒＳｉＮ膜１４を含む下部電極と、下部電極上に形成され、酸化物系誘電膜としてのＳＢＴ膜１９と、下部電極以外の領域に配置され、酸素拡散を抑制する機能を有するＳｉＮ膜１７とを備えている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which makes a surface of a latent image carrier scanned in a reciprocating manner via a scanning optical system with arc-sin characteristics by an optical beam deflected by a vibrating deflection mirror, and which prevents such a harmful effect on an image that the density of toner formed at an end is higher than that of toner formed in a central part.例文帳に追加

振動する偏向ミラーにより偏向された光ビームをａｒｃ−ｓｉｎ特性を有する走査光学系を介して潜像担持体表面に往復走査する画像形成装置において、中央部より端部において形成されるトナー濃度が濃くなるという画像弊害を防止する。 - 特許庁

To solve a problem of a conventional synchronous detection method for an amplitude modulation signal and a conventional rotation signal processor that synchronous detection cannot be accurately performed due to a phase difference α present as a considerable value because the synchronous detection of an amplitude modulation signal f(θ) sin(ωt-α) is performed by using an excitation signal sinωt.例文帳に追加

従来の振幅変調信号の同期検波方法及び回転信号処理器は、励磁信号ｓｉｎωｔを用いて振幅変調信号ｆ（θ）・ｓｉｎ（ωｔ−α）の同期検波を行うので、位相差αが無視できない値として存在し、正確な同期検波を行う際の支障となっている。 - 特許庁

This vibration suppression method for a working arm drives a base with a speed pattern in which the speed is continuously changed using a sin function when driving the base of the working arm to move a distal end and when suppressing the vibration during the movement of and after the stop of the distal end.例文帳に追加

作業腕の基部を駆動して先端部を移動させるとともに、その先端部の移動中および停止後の振動を抑制するに際し、前記基部の駆動を、ｓｉｎ関数を用いて速度を連続的に変化させる速度パターンで行うことを特徴とする作業腕の振動抑制方法である。 - 特許庁

A voltage adjusting part 20 has driving force for making the voltage of the node 15 close to the inverted voltage with a time constant corresponding to an RC product when the voltage of the node 15 is different from the inverted voltage, and transfers a voltage variation of an input signal SIN to the node 15 through capacitors 21 and 22.例文帳に追加

電圧調整部２０は、ノード１５の電圧と反転電圧とが異なるときにはノード１５の電圧を反転電圧へＲＣ積に応じた時定数で近づける駆動力を有し、かつ、入力信号ＳＩＮの電圧変動をキャパシタ２１，２２によってノード１５に伝達する。 - 特許庁

To provide an optical scanner capable of calculating a scanning time of a resonance type light deflection element which performs sin vibration with a simple constitution and capable of detecting a scanning time exactly according to an individual difference even when there is a variation in the resonance type light deflection element, and to provide an image forming apparatus comprising the optical scanner.例文帳に追加

簡単な構成で正弦振動している共振型光偏向素子の走査時間を算出することができ、共振型光偏向素子にばらつきがあっても、個体差に応じて正確に走査時間を検出することができる光走査装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The light receiving surface 14A of the imaging device is tilted at an angle θ satisfying sin θ=(L4-L2)/D with reference to the optical axis of the image pickup lens 12 so that the image picked up from the whole road surface may be focused on the light receiving surface 14A of the image pickup element.例文帳に追加

撮像素子の受光面１４Ａにおいて撮像される路面全体が合焦するように撮像レンズ１２の光軸に対して撮像素子の受光面１４Ａが、ｓｉｎθ＝（Ｌ４−Ｌ２）／Ｄを満足する角度θ傾斜されている。 - 特許庁

The level meter (3) is provided with a sign wave power detector device (31) for capturing a sinusoidal wave power level (P_SIN) and a noise power level detector device (32) for capturing a noise power level (P_NOISE).例文帳に追加

本発明によれば、レベル・メータ（３）は正弦波電力レベル（Ｐ＾_ｓｉｎ）を捕捉するための正弦波電力検出器デバイス（３１）を備え、また雑音電力レベル（Ｐ＾_ｎｏｉｓｅ）を別に捕捉するための雑音電力レベル検出器デバイス（３２）を備える。 - 特許庁

Consequently, even if the amplitude V(t) of the input signal Sin(t) decreases, error signal components remaining in an output high-frequency signal Sout(t) are reduced since the amplitude level of error signals generated by the signal divider 12 is lowered.例文帳に追加

これによって、入力信号Ｓｉｎ(ｔ)の振幅Ｖ(ｔ)が減少しても、信号分離器１２により生成されるエラー信号の振幅レベルを低減することができるので、出力高周波信号Ｓｏｕｔ(ｔ)中に残留するエラー信号成分を低減することができる。 - 特許庁

This field effect transistor is composed of a compound semiconductor-based field effect transistor formed on a GaAs substrate 41 and has a gate electrode 52 electrically connected to the channel area (not shown in the figure) of the substrate 41 through an SiN film 42 formed on the substrate 41.例文帳に追加

本電界効果トランジスタは、ＧａＡｓ基板４１上に形成された化合物半導体系の電界効果トランジスタであって、ＧａＡｓ基板上に形成されたＳｉＮ膜４２を貫通してＧａＡｓ基板のチャンネル領域（図示せず）に電気的に接続するゲート電極５２を有する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, as the etching stopper in forming a groove 10 of a pad portion and a groove 11 of a wiring portion, an SiN film 5 corresponding to a third insulating film is interposed between an oxide film 4 corresponding to a second insulating film and an oxide film 8 corresponding to a fourth insulating film.例文帳に追加

パッド部の溝１０および配線部の溝１１を形成する際のエッチングストッパーとして第３絶縁膜に相当するＳｉＮ膜５を第２絶縁膜に相当する酸化膜４と第４絶縁膜に相当する酸化膜８の間に配置する。 - 特許庁

The output signal Sout of the AND gate AND 1 of the logic circuit LC goes down after the lapse of the time top from a trailing edge of the output signal S0 of the AND gate AND 1 and the RS flip-flop FF1 is set, in response to the trailing edge of the input signal Sin.例文帳に追加

ANDゲートAND1の出力信号Ｓ_O の立ち下がりエッジから時間ｔ_opが経過したあと、論理回路ＬＣの出力信号Ｓ_out が立ち下がり、入力信号Ｓ_inの立ち下がりエッジに応じてRSフリップフロップFF１がセットされる。 - 特許庁

To overcome the problem of a conventional synchronous detection method of an amplitude modulation signal and a rotation signal processor wherein synchronous detection of an amplitude modulation signal f(θ)×sin(ωt-α) is performed using an excitation signal sinωt, hence phase difference α exists as a non-negligible value and disturbs accurate synchronous detection.例文帳に追加

従来の振幅変調信号の同期検波方法及び回転信号処理器は、励磁信号ｓｉｎωｔを用いて振幅変調信号ｆ（θ）・ｓｉｎ（ωｔ−α）の同期検波を行うので、位相差αが無視できない値として存在し、正確な同期検波を行う際の支障となっている。 - 特許庁

A receiver 70 is provided with an amplifier circuit 1, an input signal amplitude limiter circuit 2, a switch 3, a switch 4, a power source 5, a signal processor 6, an input terminal Pad1, and an output terminal Pad2, wherein a desired wave signal and an interference signal wave are input as an input signal Sin.例文帳に追加

受信装置７０には、増幅回路１、入力信号振幅制限回路２、スイッチ３、スイッチ４、電源５、信号処理部６、入力端子Ｐａｄ１、及び出力端子Ｐａｄ２が設けられ、所望波信号と妨害波信号が入力信号Ｓｉｎとして入力される。 - 特許庁

Secondly, in a second cleaning step, the selection ratio is decreased by increasing a temperature in the treatment chamber to 350°C to remove the quartz powder of the quarts member generated in a first cleaning step and the remaining SiN film which cannot be removed in the first cleaning step.例文帳に追加

つぎに、第２のクリーニング工程で、処理室内の温度を３５０℃に上げることで、上記選択比を下げ、第１のクリーニング工程で発生した石英製部材の石英粉及び第１のクリーニング工程において除去できずに残存したＳｉＮ膜を除去する。 - 特許庁

Smooth drawing out of the tape is made possible by making winding angle θ lager than sin^-1(w/(πd)) not to closely come into contact with adhesion surfaces of the exposed side surfaces of the film-like adhesive each other but to make spaces so that the adhesive surfaces are not adhered.例文帳に追加

巻き角度θをｓｉｎ−１（ｗ／（πｄ））より大きくすることで、フィルム状の接着剤の露出した側面の粘着面同士は密着せずに隙間ができ、粘着面同士が接着することなく、スムーズなテープの繰り出しを可能とする。 - 特許庁

An insulating protective layer 16 of a thermal head substrate 11 containing at least one of the group consisting of, SiN, SiC, SiO2, Ta2O5, Si3N4, SiON, CrO, AlN, SiAlON and diamond is formed up to a region facing a metallic heat dissipation plate 19.例文帳に追加

サーマルヘッド基板１１の、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ダイヤモンドからなる群のうちの少なくとも一つを含んで構成された絶縁性保護層１６を、金属製放熱板１９と対向する領域にまで形成する。 - 特許庁

In addition, at least one of the first insulating film 16 and the passivation film 34 is a film mainly composed of SiON, a film mainly composed of Sin, or a laminated film of these, and the interlayer dielectrics 19, 23, 27 are films of low dielectric constant.例文帳に追加

そして、前記第１の絶縁膜１６、パッシベーション膜３４の少なくとも一方はＳｉＯＮを主とする膜、若しくはＳｉＮを主とする膜、又はこれらの積層膜であり、前記層間絶縁膜１９、２３、２７は低誘電率膜である。 - 特許庁

The inner peripheral surfaces of a wiring groove 12 and a connection hole 13, which are formed in interlayer insulating films 8 and 11 are covered with oxidation preventing films, such as SiN films 14 and 19, and thereafter, a Cu film is buried in the groove 12 and the hole 13 to form a Cu dual-damascene wiring.例文帳に追加

層間絶縁膜８、１１に形成される配線溝１２および接続孔１３の内周面を酸化防止膜、例えばＳｉＮ膜１４、９により覆った後、配線溝１２および接続孔１３にＣｕを埋め込んでＣｕデュアルダマシン配線を形成する。 - 特許庁

An quadrature modulator 26 performs quadrature modulation of a reference frequency signal of an oscillator 14 for transmission and reception with the sin/cos wave from the DVCO part 23 to generate a local oscillation signal for transmission whose frequency is deviated by the frequency deviation.例文帳に追加

直交変調器２６は、送受共通の発振器１４の基準周波信号に対しＤＶＣＯ部２３からのｓｉｎ／ｃｏｓ波により直交変調し、周波数ずれ分だけずれた周波数の送信用ローカル発振信号を生成する。 - 特許庁

An electrode substrate 2 comprises a recess forming film 12 where an SiN film 13, an SiO2 film 14, an SiON film 15 and a phosphorus doped P-Si film 16 are deposited sequentially on a basic material 11 from the low etching rate side and a recess 17 having an inclining face 17a is made therein.例文帳に追加

電極基板２は、基材１１上にエッチレイトの低い側からＳｉＮ膜１３、ＳｉＯ_2膜１４、ＳｉＯＮ膜１５及びリンドープＰ−Ｓｉ膜１６を順次積層した凹部形成膜１２を設けて、傾斜面１７ａを有する凹部１７を形成した。 - 特許庁

To provide a structure that can detect at inspection in a factory the presence or absence of a pin hole of a sealing film such as SiN of an organic EL display device of solid sealing type, in which the influence of incoming moisture is prevented by covering an organic EL layer with the sealing film.例文帳に追加

有機ＥＬ層をＳｉＮ等の封止膜で覆うことによって、外部からの水分の影響を防止する固体封止タイプの有機ＥＬ表示装置において、封止膜におけるピンホールの存在の有無を工場内の検査で検出することが出来る構成を実現する。 - 特許庁

A specific frequency component of an input picture signal SIN is extracted with a band-pass filter 2, and a rectifier and detector circuit 4 samples a part of a prescribed horizontal synchronizing period in a vertical blanking period to perform rectification and detection and outputs a noise level signal SNLVL indicating the noise level.例文帳に追加

入力画像信号ＳＩＮの特定周波数成分がバンドパスフィルタ２により抽出され、整流検波回路４は垂直ブランキング期間内の所定水平同期期間の一部をサンプリングして、整流検波を行いノイズレベルを示すノイズレベル信号ＳＮＬＶＬを出力する。 - 特許庁

In the grain oriented silicon steel sheet, oriented the average value of D sin β is ≤0.2 mm, with respect to the submergence angle β of an axis of easy magnetization forming the smallest angle with the surface of the steel sheet and a grain diameter D (mm).例文帳に追加

方向性電磁鋼板の各結晶粒において、鋼板表面と最も小さい角をなす磁化容易軸の潜り角βと結晶粒径Ｄ（mm）に対して、Ｄ sinβの平均値が０．２mm以下であることを特徴とする高加工性方向性電磁鋼板。 - 特許庁

After having formed a metal film 19 on a silicon oxide film 12, a plug 16 and a SiN film 18, by anisotropically etching the metal film 19 by using a photo resist film, the metal film 19 is left on the side wall of the protruded portion from the silicon oxide film 12 of the plug 16.例文帳に追加

酸化シリコン膜１２、プラグ１６およびＳｉＮ膜１８上にメタル膜１９を形成した後、フォトレジスト膜を用いてメタル膜１９を異方的にエッチングすることにより、プラグ１６の酸化シリコン膜１２から突出した部分の側壁にメタル膜１９を残す。 - 特許庁

A portion 303p projected perpendicularly, with respect to a portion extended radially, is formed in each tooth part 303 of a stator body 311 to wind a detection coil comprising a "sin" coil 31a and a "cos" coil 31b in a resolver.例文帳に追加

レゾルバにおいてｓｉｎ巻線３１ａとｃｏｓ巻線３１ｂからなる検出巻線が施されるべきステータ本体３１１の各歯部３０３に、半径方向に延びる部分に対し垂直に突出した部分３０３ｐが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor type light source 10 is positioned with its base plate 10A pinched by a rear part stopper 30R protruded on the light source fitting face 21 and a U-shaped sheet spring 31 in a back and forth direction, on the light source fitting face 21 of the heat sin member.例文帳に追加

半導体型光源１０は、その基板１０Ａがヒートシンク部材２０の光源取付面２１上で、該光源取付面２１上に突設した後部ストッパー３０ＲとＵ字状の板ばね３１とにより前後方向に挟圧されて位置決めされる。 - 特許庁

When the input signal Sin changes from the low level to the high level, a current I8 increases in response to the increase in a current I6, while a p-type MOS transistor MP12 changes from ON to OFF, the voltage at the node N2 is decreased by the current I8.例文帳に追加

入力信号Ｓｉｎがローレベルからハイレベルへ変化する場合は、電流Ｉ６の増加に応じて電流Ｉ８が増加し、ｐ型ＭＯＳトランジスタＭＰ１２がオンからオフへ変化するまでの間、この電流Ｉ８によりノードＮ２の電圧が引き下げられる。 - 特許庁

Light collection efficiency can easily be improved by reducing the influence of an error by using an optical fiber characterized in that the area of an incidence surface Sin is made larger than the area of projection surfaces Sout and the plurality of projection surfaces are provided for the single incidence surface.例文帳に追加

入射面Ｓｉｎの面積が、出射面Ｓｏｕｔの面積よりも大きく、単数の入射面に対して、複数の出射面を有する光ファイバを用いることで、誤差の影響を受けにくくして集光効率を向上させることが容易にできる。 - 特許庁

In the case when a silicon-containing layer in a form of SiN_xO_y (0<x≤1.5 and 0≤y≤2) is to be formed in order to obtain a good surface and volume passivations, a single or more catalytic dopants are selectively mixed in accordance with an objective.例文帳に追加

良好な表面及び体積不動態化を得るために、ＳｉＮ_xＯ_y（０＜ｘ≦１．５及び０≦ｙ≦２）の形のシリコン含有層を形成するときに、単数又は複数の触媒作用ドーピング物質を目的に応じて選択的に混入することを提案する。 - 特許庁

On a white screen separated by 1(m) from the end of the LED in the direction of the structural axis and standing perpendicularly thereto, color difference is within 0.01 between the chromaticity coordinates within a distance (radius) of sin (one half of the angle of beam spread of the LED θ_1/2/2)(m) from the structural axis and the chromaticity coordinates on the structural axis.例文帳に追加

該ＬＥＤの先端部から構造軸方向で１（ｍ）離した該軸に垂直に立てた白色スクリーンにおいて、構造軸から距離（半径）ｓｉｎ（ＬＥＤの１／２指向角θ_１／２／２）（ｍ）以内の円内における色度座標と構造軸上の色度座標との色差が０．０１以内。 - 特許庁

The magneto-optical disk 1 is obtained by laminating at least a reflection layer 4 consisting of AlTi, nonlinear material layer 6 consisting of Sb, recording and reproducing layer 7 consisting of TbFeCo and second dielectric layer 8 consisting of SiN on a disk substrate 2.例文帳に追加

光磁気ディスク１を、ディスク基板２上に、ＡｌＴｉからなる反射層４、Ｓｂからなる非線形材料層６、ＴｂＦｅＣｏからなる記録再生層７、およびＳｉＮからなる第２の誘電体層８を少なくとも積層させて構成する。 - 特許庁

Leprosy was mainly considered to be a sickness caused as a punishment for sin in the Medieval Age; as history shifted from the Medieval to Early-Modern Ages, the disease was considered to be hereditary or "in the family."; it is also pointed out in the existing research of history that this disease has been thought of as an infectious disease since the Modern Age.例文帳に追加

「癩」はかつて中世社会では、主として仏罰による病と考えられていたが、やがて近世に至って「家筋」とみなされるようになり、さらに近代以降は伝染病認識も加わっていったことが従来の歴史研究の中で指摘されている。 - 厚生労働省