「あきがけ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

登録官が権利者からの請求を受けて変更を許可する場合は，変更後の標章を公告する。例文帳に追加

Where, upon the request of the proprietor, the Registrar proposes to allow such alteration, he shall publish the mark as altered.  - 特許庁

サファイア基板１のＲ面上に、発光領域を含む窒化ガリウム半導体結晶２が形成されている。例文帳に追加

A gallium nitride semiconductor crystal 2 containing a light emitting region is formed on an R surface in a sapphire substrate 1. - 特許庁

導電性ペーストが、結晶化ガラスフリットと非晶質ガラスフリットとからなるガラスフリットを含有している。例文帳に追加

The conductive paste contains a crystallized glass frit and an amorphous glass frit. - 特許庁

ＳｉＣ層２の全面に接合するように、アノード電極となるショットキーバリア金属３が形成されている。例文帳に追加

A Schottky barrier metal 3 as an anode electrode is formed so as to join to the entire face of the SiC layer 2. - 特許庁

ｐ型層１４上には、正電極として、非晶質の酸化物半導体からなる透光性電極１６が形成されている。例文帳に追加

A translucent electrode 16 of amorphous oxide semiconductor is formed on the p-type layer 14 as a positive electrode. - 特許庁

基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。例文帳に追加

The sliding member includes the amorphous carbon film containing silicon and nitrogen and formed on a sliding surface of a substrate. - 特許庁

酸素を含有する層間絶縁膜ＩＬ１の複数の溝部の側壁を被覆するバリア金属層ＡＬが形成される。例文帳に追加

A barrier metal layer AL is formed which covers sidewalls of a plurality of groove portions of an interlayer dielectric IL1 containing oxygen. - 特許庁

本発明は概略中央部に前後方向に貫通する通孔が形成されたいわゆる穴明きヘッドレストに関する。例文帳に追加

This perforated headrest is formed with a through-hole penetrating in the front/rear direction in an approximately central part. - 特許庁

次いで、純粋な金属誘導結晶化によって結晶化領域（ポリシリコン膜）が形成されるように、非晶質シリコン膜１０４をアニールする。例文帳に追加

The amorphous silicon film 104 is then annealed so that a crystallization region (polysilicon film) is formed by pure metal induced crystallization. - 特許庁

外周コア９内には、それぞれがブレード４の形状に対応する複数のキャビティ７が形成されている。例文帳に追加

A plurality of cavities 7 corresponding to the shape of a blade 4 are formed in the inside of the outer periphery core 9. - 特許庁

サファイア基板１上に横方向に異なるバンドギャップを有する複数のセル２−１、２−２、…、２−７が形成される。例文帳に追加

A plurality of cells 2-1, 2-2, ..., 2-7 having different band gaps are formed in the lateral direction on a sapphire substrate 1. - 特許庁

半導体基板の表面上に、非晶質の絶縁材料からなる第１のバッファ層が形成されている。例文帳に追加

A first buffer layer formed of an amorphous insulating material is formed on a surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

また、プリプレグ絶縁層上に樹脂層が形成された構造のコア基板の樹脂層に電子部品が埋設されている構成としてもよい。例文帳に追加

Further, it may be constituted that the electronic component is embedded in the resin layer of the core substrate of the structure that the resin layer is formed on the prepreg insulating layer. - 特許庁

この非晶質系膜２に対してレーザ光３が走査する様に照射されることにより、結晶化したシリコン膜５が形成される。例文帳に追加

The crystallized silicon film 5 is formed by irradiating this amorphous film 2 to scan a laser beam 3 to the amorphous film 2. - 特許庁

アキュームレータ９の外周には下向きの段差９ａが形成されており、この段差９ａに固定バンド２０の上縁が当接する。例文帳に追加

At the periphery of the accumulator 9, a downward facing level difference 9a is formed, whereto the top edge of the fixing band 20 is abutted. - 特許庁

ＭＯＣＶＤにより、低温バッファ層2が形成されたサファイア基板1に所定膜厚のアンドープのＧａＮ層3を成長させる。例文帳に追加

An undoped GaN layer 3 of prescribed thickness is grown on a sapphire substrate 1, where a low-temperature buffer layer 2 is formed through MOCVD. - 特許庁

サファイア基板１上に、上面、底面および側面からなる段差部４０を有する第１のＧａＮ系半導体層２００が形成される。例文帳に追加

A first GaN semiconductor layer 200 with a step part 40 consisting of upper, bottom, and side surfaces is formed on a sapphire substrate 1. - 特許庁

ｐ型非晶質シリコン膜２４上の外周部の所定幅を除く領域に裏面電極１６が形成される。例文帳に追加

A rear electrode 16 is formed on a region except a predetermined width on an outer periphery of the silicon film 24. - 特許庁

キャリア供給層１４の上に、窒化物半導体が酸化されてなる絶縁性酸化物層１６が形成されている。例文帳に追加

An oxide insulator layer 16, made by oxidizing a nitride semiconductor, is formed on a carrier supply layer 14. - 特許庁

前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。例文帳に追加

The first resist pattern is removed, and a transition metal film is formed on the amorphous film and the exposed upper layer insulating film. - 特許庁

そして、サファイア基板１０の窒化ガリウム層を形成した側の反対側の面には、１μｍ程度の凹凸１０ａが形成されている。例文帳に追加

On the surface of the substrate 10 opposite to the surface on which the gallium nitride layer is formed, recessed and projecting sections 10a of about 1 μm in size are formed. - 特許庁

これらを覆うゲート絶縁膜の上部には半導体層と、ドーピングされた非晶質シリコンの抵抗性接触層が形成されている。例文帳に追加

A semiconductor layer and a resistive contact layer of doped amorphous silicon are formed on a gate insulating film covering them. - 特許庁

キャリア基板６の裏面には電極部１０と電極パッド３とを電気的に接続する配線パターン１１が形成される。例文帳に追加

A wiring pattern 11 which electrically connects an electrode portion 10 with an electrode pad 3 is formed on the back of the carrier board 6. - 特許庁

透明電極として、表面平坦性の高い酸化亜鉛基薄膜層が形成された非晶質基材を提供する。例文帳に追加

To provide an amorphus base material on which a zinc oxide base thin-film layer with a high surface flatness is formed as a transparent electrode. - 特許庁

この信号が、検証時に信号の変化として現れるように対象ハードウェア記述を挿入し、回路データを作成する。例文帳に追加

Circuit data is created by inserting the hardware description to be verified so that the signals appear as the change of the signals at the verification. - 特許庁

ｉ型非晶質シリコン膜２には、厚さ方向の一部の領域にＢ（ボロン）が導入されることによりＢ導入層２１が形成されている。例文帳に追加

A layer 21 introduced with B is formed in the i-type amorphous silicon film 2 by introducing B (boron) into a partial region in the thickness direction. - 特許庁

その後、サファイア基板１１とＧａＮ層１２とが結合している状態を保ちながら熱分解層１４を除去する。例文帳に追加

After that, while keeping the state of the sapphire substrate 11 and the GaN layer 12 being bonded, the thermally decomposed layer 14 is removed. - 特許庁

シリコン混晶層２２と素子形成領域１２との間には、第２導電型の不純物を含む境界層２３が形成されている。例文帳に追加

A boundary layer 23 containing the second conductivity-type impurity is formed in between the silicon mixed crystal layer 22 and the element forming region 12. - 特許庁

さらに、ED-71が結合するVDRはカルパイン制御サブユニットs1と相互作用し、積極的に分解されることを明らかにした。例文帳に追加

In addition, it has been found that the VDR binding to ED-71 interacts with a calpain control sub unit s1 and is positively decomposed. - 特許庁

ｐ型非晶質シリコン膜上の周辺部を除く領域に、透明導電膜からなる受光面電極２が形成されている。例文帳に追加

In the region except the periphery of the p-type amorphous silicon film, a light receiving surface electrode 2 composed of a transparent conductive film is formed. - 特許庁

集積回路装置１において、いずれの論理回路２も形成されていない空き領域には、電位を安定させる容量素子５が形成されている。例文帳に追加

In the circuit device 1, a capacitive element 5 which stabilizes potentials is formed in a free area where the logic circuits 2 are not formed. - 特許庁

負極板は、圧延銅箔の両面に非晶質炭素粉末を含む負極合剤層が形成されている。例文帳に追加

The negative electrode plate has a negative-electrode mixture layer containing an amorphous carbon powder at both sides of a rolled copper foil. - 特許庁

表面に板状晶炭化タングステン含有層が形成された超硬合金、その製造方法、および表面にダイヤモンドが被覆された超硬合金例文帳に追加

CEMENTED CARBIDE FORMED WITH PLANAR CRYSTAL TUNGSTEN- CONTAINING LAYER ON SURFACE, ITS PRODUCTION AND CEMENTED CARBIDE COATED WITH DIAMOND ON SURFACE - 特許庁

マスク母体となる非晶質シリコン膜２３のマスクパターン形成領域２７には透過孔パターン２３ａが形成されている。例文帳に追加

Transmission hole pattern 23a are formed in a mask pattern forming region 27 of an amorphous silicon film 23 which is a mask host. - 特許庁

水素化非晶質シリコン層３上に、透光性導電膜としてのＩＴＯ膜４が形成されている。例文帳に追加

On the hydrogenated amorphous silicon layer 3, an ITO film 4 is formed as a light transmissive conductive film. - 特許庁

好ましくはポリエステル樹脂が結晶融点を有しない非晶性であることを特徴とする上記に記載の水分散体の製造方法に関する。例文帳に追加

Preferably, the polyester resin is amorphous not having the melting point of a crystal. - 特許庁

本発明によれば、絞り表面および微小孔内部にわたって均一に、緻密な構造を有する導電性非晶質薄膜が形成される。例文帳に追加

According to the present invention, the conductive amorphous thin film having a minute structure is formed uniformly over the iris surface and the inside of the micropore. - 特許庁

検索キーワードの検索文書における重みを把握することができる手段を提供することで、文書が検索された根拠を明らかにする。例文帳に追加

To clarify a reason why a document has been retrieved by providing a means for making it possible to grasp the weight of a retrieval keyword in a retrieval document. - 特許庁

下層膜１０８は，熱処理によりノンドープシリコンの非晶質膜から変化したものであり，凹凸１１０（図１（ｂ））が形成される。例文帳に追加

The lower-layer film 108 is formed by denaturalizing the amorphous film of non-dope silicon in a thermal process, with a rough 110 (figure 1 (b)) formed. - 特許庁

半導体層のトレンチ側壁と接する部分に、アキュミュレーション層が形成されることによってオン抵抗が低減する。例文帳に追加

An accumulation layer is formed at the part of which comes into contact with the trench-side wall of a semiconductor layer and the ON resistance is reduced. - 特許庁

環状の本体部１ａをラジアル方向に貫通し、アキシャル方向第一端部側に開放する形でポケット部７が形成されている。例文帳に追加

The pocket 7 is formed in the shape of an opening on the first end side in the axial direction by penetrating in the axial direction through an annular body 1a. - 特許庁

ハードディスク１８ａ内に、一般データ記録領域２７、セキュリティデータ記録領域２８及び空き記録領域２９が形成されている。例文帳に追加

A general data recording area 27, a security data recording area 28, and a free recording area 29 are formed in a hard disk 18a. - 特許庁

炭素単層構造を骨格として少量の酸素が結合した、構造、物性の明らかな高機能極薄単離膜を提供する。例文帳に追加

To provide a high performance ultra-thin isolation membrane having a carbon monolayer structure as the skeleton, a small quantity of oxygen bonded thereto, an obvious structure and obvious physical properties. - 特許庁

そのような欠陥の存在に関する判定基準として、画像データの撮影時にフラッシュ光が存在したことを明らかにする値が検出される。例文帳に追加

A value for clarifying a fact that flash light exists when image data is photographed is detected as criteria regarding such defects. - 特許庁

結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜が形成された立方晶炭化珪素半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a cubic crystal silicon carbide semiconductor substrate on which a high-quality epitaxial film with few crystal defects is formed. - 特許庁