「あきがけ」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

同じく閑院流阿野実顕の子、姉小路公景が慶長18年（1613年）に新たな姉小路家を起こす（ちなみに阿野家も1.の姉小路家共々南朝方について一度は没落したが、後に勢力を回復させた家系である）。例文帳に追加

Kinkage ANEGAKOJI, the son of Saneaki ANO of the Kanin line established a new Anegakoji family in 1613 (note that the Ano family was ruined like the Anegakoji family (1) after supporting the southern dynasty, but subsequently managed to recover power).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

また、この地アルーシャにおいては、2008年、日本企業とタンザニア企業の合弁による世界最大のマラリヤ対策の蚊帳（Olyset Net）の製造工場が建設され、マラリヤ撲滅に大きく貢献しています。例文帳に追加

In Arusha, Japanese and Tanzanian enterprises built the world's largest plant for anti-malaria mosquito nets, called Olyset, under their joint venture in 2008, making major contributions to malaria eradication.  - 財務省

債務問題が顕在化する2009年秋まで、ギリシャ国債の対ドイツ国債スプレッドは1％程度と、民間投資家によるギリシャ国債への投資意欲に支えられて非常に低く抑えられていた。例文帳に追加

Until the autumn of 2009 when the European debt problem came to the fore, the Greek government bond spread vis-a-vis German’s had been no more than 1 percentage point (100 basis points), maintained thanks to the strong appetite of private investors.  - 財務省

第VI章の規定は，1970年6月19日にワシントンで作成された特許協力条約にエストニア共和国が加盟してから3月が経過するまでは適用しない。例文帳に追加

The provisions of chapter VI of this Act do not apply earlier than three months after the accession of the Republic of Estonia to the Patent Cooperation Treaty entered into on 19 June 1970 in Washington.  - 特許庁

故意の意匠権侵害の場合は，当該行為が刑法第49章第2条に基づいて工業所有権に対する犯罪として罰せられる場合を除き，侵害者は，意匠権侵害について罰金を課されるものとする。例文帳に追加

Where the infringement of a design was intentional, he or she shall, unless the act is punishable as a crime against an industrial property right under Section 2 of Chapter 49 of the Criminal Code, be liable to a fine for violation of the right to a design.  - 特許庁

証明標章が継続的に使用され，法律による保護が停止したときは，第L712条 10に従うことを条件として，10年間は如何なる目的でも登録したり使用したりすることができない。例文帳に追加

Where a certification mark has been used and has ceased to be protected by law, it may be neither registered nor used for any purpose whatsoever during a period of 10 years, subject to Article L712-10.  - 特許庁

補足的審査中に，出願された意匠に対して重要性を有する事項が明らかになった場合は，その意匠は，調査報告書に記載されている日付から2月が経過したときに登録しなければならない。例文帳に追加

Where during the supplementary examination matters come to light which are of significance to the design applied for, the design shall be registered two months after the date stated in the search report.  - 特許庁

当該期間が経過した後は、同一製品に関する初回登録出願と同一条件及び手続並びに手数料に基づき、標章は保有者又は第三者のために再登録される。例文帳に追加

After the lapse of the said period, a mark may be re-registered for the benefit of its owner or a third party, in connection with the same products, under the same conditions, procedures and fees of the initial application for registration.  - 特許庁

実用新案権の排他的権利を故意に侵害する者は，その行為が刑法第49章第2条の工業所有権侵害行為として処罰の対象となっている場合を除いて，実用新案権侵害による罰金を科される。例文帳に追加

Any person who infringes an exclusive right in a utility model right intentionally, shall, unless the act is punishable as an industrial property right offence under Section 2 of Chapter 49 of the Penal Code, be liable to a fine for violation of a utility model right.  - 特許庁

(e) 所有者自身又は所有者が経済的関連を有する者が製造した商品又は供給したサービスに当該標章を使用していること例文帳に追加

(e) the owner has used the mark for the goods or services which he himself, or a person with whom he has economic links, manufactures or supplies. - 特許庁

過去に使用され，かつ，その登録が消滅させられた団体標章及び証明標章は，その登録の消滅から5年が経過するまでは，第三者の名義で登録を受けることができない。例文帳に追加

The collective and the certification marks that were once in use and whose registrations have been extinguished may not be registered in the name of a third party until 5 (five) years have elapsed since the extinguishment of the registration.  - 特許庁

(3) 第23条(2)及び第VI章の規定は，1970年6月19日ワシントンで作成された特許協力条約にエストニア共和国が加盟してから3月が経過するまでは適用しない。例文帳に追加

(3) The provisions of subsection 23(2) and Chapter VI of this Act do not apply earlier than three months after the accession of the Republic of Estonia to the Patent Cooperation Treaty entered into on 19 June 1970 in Washington.  - 特許庁

そして、前記サファイア基板１のレーザー光が出射することになる面には、当該レーザー光の波面を整形するためのホログラム１６が形成されている。例文帳に追加

A hologram 16 used for shaping the wavefront of laser rays is formed on the surface of the sapphire substrate 1 from which laser rays are projected. - 特許庁

好ましくは、ジルコニア部分が正方晶ジルコニアを含み、アルミナ部分がγ−アルミナを含み、かつ、白金族金属成分が結晶化している固体酸触媒を用いる。例文帳に追加

The solid acid catalyst preferably used comprises one of which the zirconia part contains a tetragonal crystal zirconia, the alumina part contains γ-alumina, and the platinum-group metal component is crystallized. - 特許庁

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。例文帳に追加

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer. - 特許庁

ショットキーバリア金属３の全面を覆うように緩衝膜としてのドーパント濃度の比較的高いｎ型のＳｉＣ膜４が形成されている。例文帳に追加

An n-type SiC layer 4 having a relatively high dopant concentration as a buffer film is formed so as to coat the entire face of the Schottky barrier metal 3. - 特許庁

透光性電極１６は、非晶質の酸化物半導体で形成される代わりに、表面が研磨により平坦化された酸化物半導体膜であってもよい。例文帳に追加

The translucent electrode 16 may be formed of an oxide semiconductor film having a surface flattened by polishing in place of an amorphous oxide semiconductor. - 特許庁

構造式Ａ−Ｂ−Ａで表され、式中のＡ部分が結晶性アイソタクチックポリプロピレンブロックであり、Ｂ部分が非晶性のエラストマーブロックであるトリブロックコポリマー。例文帳に追加

The copolymer is represented by a structural formula A-B-A [A is a crystalline isotactic polypropylene block; B is an amorphous elastomer block]. - 特許庁

ペロブスカイト構造をもち、かつそれら構造を擬立方晶と見なした場合の（１１０）面を表面とする導電性ペロブスカイト型単結晶基板などに、層状ペロブスカイト強誘電体薄膜が形成される。例文帳に追加

A layered perovskite ferroelectric thin film is formed on an electroconductive perovskite type single crystal substrate, etc., having perovskite structure and using (110) face when considering its structure as a pseudocubic as the surface. - 特許庁

ステロール類を含有する有機溶媒を、予め含有するステロール類の一部が結晶として析出する状態まで冷却し、晶析装置へ供給することを特徴とするステロール類の回収方法。例文帳に追加

This method for recovering the sterols is characterized by cooling an organic solvent containing the sterols to a state in which a part of the previously contained sterols are deposited as a crystal and feeding the resultant solution to a crystallizer. - 特許庁

構造式Ａ−Ｂで表され、式中のＡ部分が結晶性アイソタクチックポリプロピレンブロックであり、Ｂ部分が非晶性のオレフィン系エラストマーブロックであるブロックコポリマー。例文帳に追加

This block copolymer is represented by the structural formula: A-B (the portion A is crystalline isotactic polypropylene block; the portion B is an amorphous olefinic elastomer block). - 特許庁

波長が３７０〜６５０ｎｍの範囲のレーザビームを用いて、非晶質半導体膜の一部にレーザアニールを行ない、第１の結晶質領域が形成する。例文帳に追加

A first crystalline region is formed by performing laser annealing on part of an amorphous semiconductor film, using a laser beam having a wavelength in the range of 370-650 nm. - 特許庁

サファイア基板や炭化珪素基板などの窒化物半導体とは格子不整合な材料からなる基板の上に、再現性よく品質の高い窒化物半導体の結晶層が形成できるようにする。例文帳に追加

To form a crystal layer of a high quality nitride semiconductor which ensures good reproducibility, on a substrate which is formed of a material mismatching with lattice from a nitride semiconductor such as a saphire substrate and silicon carbide substrate. - 特許庁

ニオブ酸カリウム堆積体１００は、さらに、前記サファイア基板１１の上方に形成された、金属酸化物からなるバッファ層１２を有し、該バッファ層１２の上方に前記ニオブ酸カリウム層１３が形成される。例文帳に追加

The potassium niobate deposited body 100 further has a buffer layer 12 formed on the sapphire substrate 11 and made of metal oxide, and the potassium niobate layer 13 is formed on the buffer layer 12. - 特許庁

前面基板の電極がクロム、銅、クロム電極の場合、従来からガラス基板に直接電極が形成されているためクロムの鏡面反射が非常に大きくなり、明室コントラストを劣化させる原因となっている。例文帳に追加

To solve problems that in the case an electrode of a front face substrate is a chromium-copper-chromium electrode, mirror-finished surface reflection of the chromium becomes so large to cause bright room contrast deterioration since electrodes are traditionally formed directly on glass substrates. - 特許庁

劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームを得る。例文帳に追加

To obtain a laser beam having an elliptical far field pattern profile obtained by forming a resonance surface on a nitride semiconductor which is grown on a sapphire substrate that is hard to cleave. - 特許庁

非晶質炭素３の周囲に、黒鉛よりも導電率が高い金属粒子２の被膜４が形成された粒子６を、黒鉛粒子１の周囲に形成した。例文帳に追加

Particles 6 having coatings 4 which comprise metal particles 2 having higher conductivity than graphite and which are formed around amorphous carbon 3 are applied on graphite particles 1. - 特許庁

チャネルが形成される非晶質半導体膜、ソース、ドレイン領域となるｎ型の半導体膜及びソース配線及びドレイン電極となる導電膜を積層し、同一のフォトマスクにてパターニングする。例文帳に追加

An amorphous semiconductor film for channel formation, an n-type semiconductor film formed as source and drain regions, and a conductive film formed as source wiring and drain electrode are stacked and then subjected to patterning operation using the same photomask. - 特許庁

デジタルコピー機１は、作像禁止エリア９０２に文字表示９０４ａ等が形成されたリユーザブルペーパ（ＲＰ）９００にも作像可能である。例文帳に追加

A digital copying machine 1 can form images even on the RP where the character display 904a, etc., are formed in an image formation inhibition area 902. - 特許庁

サファイア基板２上のバッファ基層に溝１１が形成され、この溝１１によって、バッファ基層２１が複数のバッファ層５に分離される。例文帳に追加

A groove 11 is formed on a buffer base layer on a sapphire substrate 2, and the buffer base layer 21 is separated into a plurality of buffer layers 5 by the groove 11. - 特許庁

従って、レーザアニール工程を行う時点で非晶質の半導体膜の表面に酸化膜が形成されていないので、レーザアニール工程を行った後の多結晶性の半導体膜の表面に凹凸がほとんど形成されない。例文帳に追加

Since no oxide film is formed on the surface of the amorphous semiconductor film in a laser anneal process, roughness is little is formed on the surface of a polycrystalline semiconductor film after the laser anneal process. - 特許庁

本発明の中空シリカゾル及び中空シリカ微粒子は、主成分がケイ素酸化物であり、非晶質であり、ナノサイズの細孔を有する実質的に中空なシリカ微粒子を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The hollow silica sol and hollow silica fine particles comprise substantially hollow silica fine particles which contain, as a main component, silicon oxide, are amorphous and have nano-sized pores. - 特許庁

表面に非晶質シリコン膜が形成された基板の全面を、予め多結晶シリコン膜にすることなく、大きなシリコン結晶粒が得られるレーザアニール方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laser annealing method obtaining a large silicon crystal grain without previously forming a polycrystalline silicon film on the whole surface of a substrate with an amorphous silicon film formed on the surface thereof. - 特許庁

セルが結晶相である場合と非晶質相である場合の入射光に対する反射率が相異なるので、このような性質を利用して情報記録媒体に記録された情報を再生することができる。例文帳に追加

Since reflectance to incident light is different between the cases the cell is in the crystal phase state and the amorphous phase state, information recorded in the information recording medium can be reproduced using this property. - 特許庁

基板の表面に光ファイバ２０を保持するための凹部として複数の平行溝１３が形成された光ファイバ整列部材１０において、少なくともガラス遷移領域を有する非晶質合金から作製することを特徴とする。例文帳に追加

The optical fiber aligning member 10, wherein plural parallel grooves 13 are formed on a substrate as recessed parts for holding optical fibers 20, is made of an amorphous alloy having at least a glass transition region. - 特許庁

表面及び裏面に銅箔３、４が形成されているコア基板の裏面から、所定の位置に炭酸ガスレーザーを照射して、スルーホール５を形成する（図１Ｂ）。例文帳に追加

A CO_2 laser is irradiated to a prescribed position from the back of a core substrate 2 wherein copper foils 3, 4 are formed on the surface and the back, and a through hole 5 is formed (figure B). - 特許庁

この電子部品搭載装置１において、多層板２上における半導体チップ搭載エリア９の外周部には、複数の層間接続用めっきスルーホール１０が形成されている。例文帳に追加

In this electronic component mounting device 1, a plurality of plated through-holes 10 for interlayer connection are formed in the outer peripheral part of a semiconductor chip mounting region 9 on a multilayer board. - 特許庁

酸化シリコン膜やサファイア基板などからなる絶縁物１１上に、シリコン層からなり半導体素子が形成される素子領域部１３が独立して設けられている。例文帳に追加

An element region part 13 composed of a silicon layer and forming a semiconductor element is provided independently on an insulating substance 11 composed of a silicon oxide film, a sapphire substrate or the like. - 特許庁

この方法により、金属水酸化物又は金属硫化物の非晶質の分子集合体粒子の粒子間に微細な隙間が形成されている乾燥粉末又は熱処理粉末からなるガス吸着・脱着性材料が得られる。例文帳に追加

The gas adsorbing and desorbing material is obtd. by this method and it consists of a dry powder or heat-treated powder having minute vacancies among the particles in amorphous molecular aggregate particles of the metal hydroxides or metal sulfides. - 特許庁

本発明の最適チャネル検出方法では，無線通信に用いることが可能な複数のチャネルの中から，当該無線通信に適した空きチャネルが検出される。例文帳に追加

In this method of detecting an optimum channel, an unused channel suitable for radio communication is detected from among a plurality of channels usable for the radio communication. - 特許庁

絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。例文帳に追加

Reflective films 19 are formed in regions, in the insulating film 16, at the lower side (sapphire substrate 10 side) of the n-electrode 17 and the p-electrode 18. - 特許庁

また、汎用性のあるアトマイズ装置を用いても非晶質化されるので、設備投資金額が軽減されるとともに稼働率が高められ、製造コストが低減される。例文帳に追加

Furthermore, since the powder is made amorphous even by using the generally used atomizing device, the cost of equipment investment can be reduced, the operation rate is enhanced, and the manufacturing cost is reduced. - 特許庁

貫通孔が形成されてなり、β晶形成能が６０〜９０％であり、かつメルトフローレート（２３０℃、２．１６ｋｇ）が１０〜２０ｇ／１０分であるポリプロピレン樹脂からなる多孔性ポリプロピレンフィルムとする。例文帳に追加

The porous polypropylene film comprises a polypropylene resin in which a through hole is formed, the β crystal formability is 60-90%, and the melt flow rate (230°C, 2.16 kg) is 10-20 g/10 min in the film. - 特許庁

この構成では、ゲート電極に正電圧が印加されると、埋込Ｎ領域に低抵抗のアキュムレーション層が形成されるため、オン抵抗を低減できる。例文帳に追加

In this configuration, since the application of a positive voltage to the gate electrode causes to form a low-resistance accumulation layer on the buried N region, the on-resistance can be reduced. - 特許庁

サファイア基板１裏面には錘状の突起部分１０が形成され、その先端部分１１のみ光遮断膜３を除いて微小開口部４を形成される。例文帳に追加

A spindle-shaped projection part 10 is formed on the back surface of the sapphire substrate 1 and the fine opening part 4 is formed by removing the light shielding film 3 only at the tip part 11. - 特許庁