「あきがけ」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

ＩｎＧａＮ（混晶比０％〜１００％）層１０１上にＡｌＧａＮ層１０２が積層されており、そのＡｌＧａＮ層１０２上にゲート電極１０３およびオーミック電極１０４が形成されている。例文帳に追加

An AlGaN layer 102 is laminated on an InGaN (mixed crystal ratio of 0%-100%) layer 101, and a gate electrode 103 and an ohmic electrode 104 are formed on the AlGaN layer 102. - 特許庁

架台１２０には、光学素子１５６に対応して、エア流通孔１２６が形成され、エアチューブ１３０を介してエア吸引装置に接続されている。例文帳に追加

An air circulation hole is formed on a trestle 120 corresponding to an optical element 156 and is connected to an air suction device via an air tube. - 特許庁

透明サファイア基盤１１の表面上には、ＳｉＯ_2、ＴｉＯ_2がそれぞれ１０７ｎｍ、６７ｎｍの厚さで５組積層されて、誘電体多層膜フィルタ１９が形成されている。例文帳に追加

The nitride semiconductor light emitting diode comprises five sets of SiO_2 and TiO_2 laminated in thicknesses of 107 nm and 67 nm on the surface of a transparent sapphire substrate 11 to form a dielectric multilayer filter 19. - 特許庁

サファイア基板の表面に半導体層が形成され外周が面取りされたウェーハの裏面を研削する場合において、内部に割れを生じさせないようにする。例文帳に追加

To prevent occurrence of internal cracking when grinding the back surface of a wafer where a semiconductor layer is formed on the front surface of a sapphire substrate and the outer periphery is chamfered. - 特許庁

層間絶縁膜ＩＬ１の酸素を熱拡散させることによってバリア金属層ＡＬの少なくとも一部を酸化することで、酸化物バリア層ＢＬ１が形成される。例文帳に追加

At least a portion of the barrier metal layer AL is oxidized by thermally diffusing oxygen of the interlayer dielectric IL1 to form an oxide barrier layer BL1. - 特許庁

ＳｉＣ基板９０に｛１１−２０｝面を主表面とする六方晶ＳｉＣ基板が用いられるとともにＳｉＣ基板９０にトレンチ溝９１が形成されている。例文帳に追加

A hexagonal SiC substrate, with {11-20} surface set as a main surface, is used in an SiC substrate 90, and a trench groove 91 is formed in the SiC substrate. - 特許庁

また、分子組成が変化したときに、または温度条件が変化したときに、分子が形成する高次構造がどのような状態になるかを明らかにできるシミュレーション方法を提供すること。例文帳に追加

A calculation model of a molecule is formed by dividing the molecule into a part exerting large attraction force (monomer) and a part other than the above part and exerting the force of the order of van der Waals force. - 特許庁

静翼６表面、動翼５表面の少なくとも一部に非晶質セラミックマトリックス中にビッカース硬度が８００以上の結晶質からなる硬質粒子が分散して存在するコーティング皮膜が形成されている。例文帳に追加

A coating film dispersed with hard particles comprising crystalline materials having 800 or more of Vickers hardness in an amorphous ceramic matrix at least on part of a stationary blade 6 surface and a moving blade 5 surface. - 特許庁

オフアキシャル反射面が形成された結像ミラーが、その長手方向、短手方向および反射面方向を位置決めする手段をそれぞれ独立に有する。例文帳に追加

The image forming mirror on which the off-axial surface is formed is independently provided with means for respectively positioning the longitudinal direction, the lateral direction and reflection surface direction of the mirror. - 特許庁

まず、サファイア基板１０１の上に、例えばスパッタ法により、Ａｌ_2Ｏ_3層１０２、ＡｌＯ_xＮ_y層１０３、ＡｌＮ層１０４が形成された状態とする。例文帳に追加

First, the Al_2O_3 layer 102, AlO_xN_ylayer 103, and AlN layer 104 are formed, for example, with the sputtering method on a sapphire substrate 101. - 特許庁

非晶質状態の反射率が結晶状態の反射率より高い構成の相変化光ディスクに対してアドレス信号品質を低下させることのない初期化装置を提供する。例文帳に追加

To provide an initialization device for preventing address signal quality from deteriorating for a phase-change optical disk where the reflection factor of an amorphous state is higher than that in a crystal state. - 特許庁

非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sliding member that has an amorphous carbon film formed thereon and obtains a lower friction coefficient than that of conventional ones, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

続いてサファイア基板１０１を分離し、AlN薄膜表面にAu上部電極１０８を形成し、AlN層１０３下方に空隙１１１が形成された共振器を形成する。例文帳に追加

Succeedingly, the sapphire substrate 101 is separated, an Au upper electrode 108 is formed on the AIN thin film surface, and the resonator is formed, wherein an air gap 111 is formed under the AIN layer 103. - 特許庁

複数のマグネチックドメインが形成され、該マグネチックドメインからなるデータビットがアレイに保存されうるメモリトラックを具備し、該メモリトラックは、非晶質軟磁性物質からなることを特徴とする磁気メモリである。例文帳に追加

In the magnetic memory, a plurality of magnetic domains are formed, there is a memory track in which a data bit comprising the magnetic domain can be stored in an array, and the memory track is made of an amorphous soft magnetic substance. - 特許庁

さらに、箔型コア基板５の両主表面ＣＰ１，ＣＰ２には導体層と絶縁層を交互に積層した配線積層部Ｌ１，Ｌ２が形成されている。例文帳に追加

Furthermore, wiring laminates L1 and L2 wherein a conductive layer and an insulating layer are laminated alternately are formed in both the main surfaces CP1 and CP2 of the foil core boards 5. - 特許庁

ＴＩＧ溶接トーチからアークが形成され、溶接部（図１中Ａで囲んだ領域）のアルミニウム−ボロン合金が溶けると、溶接プール３０内にボロン晶出材料２０であるＫＦＢ_4が分散する。例文帳に追加

Arc is formed from a TIG welding torch, and when the aluminum-boron alloy at the welding part (the surrounding zone with A in the Figure 1) is melted, KFB_4 as the boron crystallized material 20 is diffused in the welding pool 30. - 特許庁

シリコン酸化膜２とゲート絶縁膜３との境界上には、表面が酸化された多結晶シリコン５（あるいは非晶質シリコン）が形成される。例文帳に追加

A polycrystalline silicon 5 (or amorphous silicon) having an oxidized surface is formed at the interface between the silicon oxide film 2 and the gate insulating film 3 thereon. - 特許庁

保管ボックス１０の上部には、清浄空気又は清浄ガスを供給する配管に接続するための配管継手とフィルタとを有するエア供給口１２が形成される。例文帳に追加

An air supply port 12 having piping joints and a filter to be connected to piping which supplies clean air or clean gas is made on top of the storing box 10. - 特許庁

半導体発光素子１は、サファイア基板からなるベース基板１１の一表面側に発光部１２が形成され、発光部１２にアノード電極１３ａおよびカソード電極１３ｂが設けられている。例文帳に追加

The light emitting element 1 has a light emitting unit 12 formed on one front surface side of a base substrate 11 made of a sapphire substrate, and an anode electrode 13a and a cathode electrode 13b are provided in the light emitting unit 12. - 特許庁

該高熱伝導性透明立方晶多結晶体基板はその表面にコーティング層が形成されたものを用いると良く、さらに、該コーティング層は複層とするのが好ましい。例文帳に追加

The transparent cubic polycrystalline substance substrate with high heat conductivity in use, preferably, has a coating layer formed on its surface, and the coating layer is further preferably multilayered. - 特許庁

成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。例文帳に追加

As the growth proceeds, the surface 10a of the sapphire substrate 10 is gradually covered with the GaN crystal 13, and a flat GaN crystal 13 is formed (Fig.1(d)). - 特許庁

キャップ１には、スカート壁６を上方に延び、更に天面壁５の周縁をプルリング３の反対方向へ延びる一対のスコア９が形成されている。例文帳に追加

The cap 1 has a pair of scores 9 extending upward along the skirt wall 6 and further to the direction opposite to the pull-ring 3 along the peripheral rim of the top surface wall 5. - 特許庁

集合メタルコア基板１３に配列された一対のメタルコア３ａ、３ｂから成る複数のメタルコア３には、中央を貫いてスリット１３ｂが形成されている。例文帳に追加

A slit 13a is formed through a center of each of a plurality of metal cores 3 made of a pair of metal cores 3a, 3b arrayed on the set metal core substrate 13. - 特許庁

第一部材２及び第二部材３の各アキシャル方向分割面２３には、ラジアル方向へのそれら第一部材２及び第二部材３の相対移動を阻止するラジアル方向係合部２１，３１が形成されている。例文帳に追加

On axially split faces 23 of the first member 2 and the second member 3, radial engaging portions 21, 31 are formed for preventing the radial movement of the first member 2 relative to the second member 3. - 特許庁

従って画像内の構造の方向は保持され、画像内の明らかな回転を除去することにより、物体移動中にオペレータが経験する混乱は低減される。例文帳に追加

Then, the direction of a structure in the image is held, and confusion experienced by an operator while the object is moved is reduced by eliminating clear turning in the image. - 特許庁

熱プレス転写法にて金属薄膜層が形成された非晶性ポリエステル樹脂シートであって、熱プレス時に金属メッキ板への密着がなく良好な外観をもったものを提供する。例文帳に追加

To provide a polyester resin sheet being an amorphous polyester resin sheet having a metal thin film layer formed thereon by a hot press transfer method, prevented from closely adhering to a metal plated sheet at the time of hot pressing and having good appearance. - 特許庁

成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。例文帳に追加

As the growth proceeds, the surface 10a of the sapphire substrate 10 is gradually covered with the GaN crystal 13, and finally, a flat GaN crystal 13 is formed (Fig.1(c)). - 特許庁

また、引き回し配線層３５ａ、ガラス繊維強化樹脂材３３、コア基板２０及び引き回し配線層３５ｂを貫通するスルーホール３６が形成されている。例文帳に追加

Further, a through-hole 36 is formed which penetrates the routing wiring layer 35a, a glass fiber-reinforced resin material 33, the core substrate 20, and a routing wiring layer 35b. - 特許庁

コア基板１１は、電流供給用導体１５が形成された導体形成部１４と、導体形成部１４を挟んで形成された複数の収容穴９０とを有する。例文帳に追加

The core substrate 11 has a portion 14 in which a current supply conductor 15 is formed, and a plurality of accommodation holes 90 having the conductor formation portion 14 therebetween. - 特許庁

各ガラスセラミック層１１Ａ〜１１Ｄ（一部図示せず）は、非晶質ガラスおよびアルミナ(Ａｌ_2 Ｏ_3 )を含み、各ガラスセラミック層１１Ａ〜１１Ｄの表面には、銀からなる配線パターン１２Ａ〜１２Ｄが形成されている。例文帳に追加

Each glass ceramic layer 11A-11D (not shown partially) contains amorphous glass and alumina (Al_2O_3) and a silver wiring pattern 12A-12D is formed on the surface of each glass ceramic layer 11A-11D. - 特許庁

情報記録層のセルの初期状態が結晶相または非晶質相であり、電気的な加熱によって二つの相のうちの一つから他の一つに変換される。例文帳に追加

The initial states of the cells of the information recording layer are a crystal phase or an amorphous phase and one of the two phases is transformed to the other by electrical heating. - 特許庁

表面に非晶質炭素膜が形成されたガス流路構造において、ガス流路断面積をより微細化でき、発電性能を一層向上できる燃料電池用セパレータを提供する。例文帳に追加

To provide a fuel cell separator in which, in a gas passage structure having an amorphous carbon film formed on the surface, the gas passage cross-section is made further finer and the power generation performance is further improved. - 特許庁

メッキスルーホールが形成されているコア基板上の絶縁層が平滑に形成されることにより、絶縁層上に形成される外層パターンをファインパターンに形成することができる多層プリント配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer printed wiring board where an outer layer pattern made on an insulating layer can be made into a fine pattern by enabling the insulating layer on a core board, where a plated through hole is made smooth. - 特許庁

このデッドスペースを活用することで発音体ホルダ５ｂ内の収容部２３に空きスペースが形成されるので、その分発音体ホルダ５ｂの大きさを小さくすることができる。例文帳に追加

Since a spare space is formed in an accommodation part 23 of the sound generator holder 5b by effectively using the dead space, the size of the sound generator holder 5b can be made small according to the space. - 特許庁

さらに、ベルトコンベア９が傾斜しているため、ノズル７から吹きつけられたエッチング液（矢印ｅ）は、傾斜の坂下方向に流動し、坂上方向の約半分には液溜まりを生じない。例文帳に追加

Further, the belt conveyor is inclined and therefore the etchant (arrow (e)) sprayed from the nozzle 7 flows in the downhill direction of the inclination and a liquid pool is not produced in about the half in the uphill direction. - 特許庁

半導体装置１に設けられたテープキャリア基板４主面のデバイスホール７の周辺部には、該デバイスホール７を囲むように額縁状の補強枠９が形成されている。例文帳に追加

A reinforcing frame 9, such as a picture frame is formed around device holes 7 to surround the device holes 7 on the main surface of a tape carrier board 4 provided for a semiconductor device 1. - 特許庁

基板突き上げ機構５８は、突き上げピンが固定された突き上げ板７４と、突き上げ板７４に配設されたカムフォロア９１Ａ，９１Ｂと、カム溝８９Ａ，８９Ｂが形成された円筒溝カム８７とを備える。例文帳に追加

A substrate thrust mechanism 58 comprises a thrust board 74 on which thrust pins are fixed, cam followers 91A, 91B arranged on the thrust board 74, and a grooved cylindrical cam 87 in which cam grooves 89A, 89B are formed. - 特許庁

絶縁基板１１の表面両端に形成された表電極膜１２，１３が結晶化ガラスを含み、表電極膜１２，１３どうしを接続するように形成された抵抗膜１４が非晶質ガラスを含むように構成する。例文帳に追加

Front electrode films 12, 13 formed at both ends of a surface of an insulation substrate 11 contain a crystalline glass, and a resistance film 14 formed so as to connect the front electrode films 12, 13 to each other contains an amorphous glass. - 特許庁

サファイア基板１０上に単結晶シリコン１０を形成させると共に、アクティブ領域にＳｉ_3 Ｎ_4 を形成して酸化処理を行うと、素子分離部に酸化膜３０が形成される。例文帳に追加

Single crystal silicon 10 is deposited on a sapphire substrate 10 and Si3N4 is deposited in an active region and then they are oxidized to fom an oxide film 30 at an isolation region. - 特許庁

同軸ケーブルに接続される同軸コネクタ１０であって、中心導体である端子１２の表面に、Ｉｎと共晶反応を生じる金属材料より成る表面被覆層２０が形成されている。例文帳に追加

In this coaxial connector 10 connected to a coaxial cable, a surface coating layer 20 formed of a metal material generating an eutectic reaction with In is formed on a surface of a terminal 12 being a central conductor. - 特許庁

このとき、遮光膜４９がマスクとして機能するため、遮光膜４９が形成された領域における非晶質珪素膜４２Ａは結晶化されずにそのまま残る。例文帳に追加

In this case, since the light-shielding film 49 works as a mask, the amorphous silicon film 42A is not crystallized but remains in a region where the light-shielding film 49 is formed. - 特許庁

このエッチングによりカラー酸化膜４が基板深部側に後退した部分４Ａが形成され、そこに非晶質シリコンなどの半導体材料を埋め込んで半導体接続層１５Ａを形成する。例文帳に追加

The portion 4A of the color oxide film 4 which has withdrawn to the side of a substrate deep part is formed with the foregoing etching, in which a semiconductor material such as amorphous silicon is embedded to form a semiconductor connection layer 15A. - 特許庁

アキシャルピストン式ポンプにおいて、ピボット４０の外周面（凸曲面）４０Ａと摺動するリテーナ３９の内周面（テーパ面）３９Ａには純錫（Ｓｎ）からなる金属膜５１が形成されている。例文帳に追加

In an axial piston type pump, a metal film 51 made of pure tin (Sn) is formed on an inner peripheral face (tapered face) 39A slid with an outer peripheral face (protruded curved face) 40A of the pivot 40. - 特許庁

モータケース２のテーパ筒部２Ｂおよび小径筒部２Ｃ内には、電動モータ８のステータ９、ロータ１０と仕切板４との間に位置して環状の空きスペースＳａ が形成される。例文帳に追加

In a tapered tube part 2b and a small-diameter tube part 2C of the motor case 2, an annular space Sa is formed between a stator 9 and a rotor 10 of the motor 8 and the partition 4. - 特許庁

ＧａＮ系半導体層１５の結晶成長中に、段差部１００の側面１０１上にサファイア基板１の（０００１）面に対して完全に垂直な｛１１-2０｝面が形成される。例文帳に追加

During the crystal growth of the GaN system semiconductor layer 15, a surface {11-20} that is completely vertical with respect to the surface (0001) of the sapphire substrate 1 is formed on the side surface 101 of the step part 100. - 特許庁