「あきがけ」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

非晶質状態の半導体薄膜２の表面を清浄に保ち得る雰囲気中にて、非晶質状態の半導体薄膜２が結晶化する温度以上に加熱することにより、非晶質状態の半導体を結晶化させつつ、複数の半導体微粒子３を生成する。例文帳に追加

In an atmosphere in which the surface of the film 2 can be kept clean, by heating the substrate 1 to a temperature equal to or higher than that at which the film 2 is crystallized, a plurality of semiconductor fine particles 3 are produced while crystallizing the amorphous crystalline semiconductor. - 特許庁

情報配信部１３は空き無線資源判定部１１から空き無線資源が存在するゾーンの情報を取得した場合に、情報データベース１２に格納されている情報を空き無線資源が検出されたゾーン内に存在するユーザ端末３に対して配信する。例文帳に追加

When an information distribution section 13 acquires information of a zone where a free wireless resource exists from the free wireless resource discrimination section 11, the information distribution section 13 distributes information stored in an information database 12 to a user terminal 3 resident in the zone from which the free wireless resource is detected. - 特許庁

ガラス基板１０１の上に、例えば膜厚３０μｍ程度の非晶質フッ素樹脂層１０２が形成された状態とし、次に、非晶質フッ素樹脂層１０２の上に下層に貫通する溝部１０３ａを備えたレジストパターン１０３が形成された状態とし、レジストパターン１０３をマスクとして非晶質フッ素樹脂層１０２を選択的にエッチングし、非晶質フッ素樹脂層１０２に溝１０２ａが形成された状態とする。例文帳に追加

An amorphous fluoro resin layer 102 with a thickness, for example, about 30 μm is formed on a glass substrate 101; a resist pattern 103 having groove parts 103a penetrating the layer thereunder is formed on the amorphous fluoro resin layer 102; and the amorphous fluoro resin layer 102 is selectively etched using the resist pattern 103 as a mask to form grooves 102a in the amorphous fluoro resin layer 102. - 特許庁

だが、結局大阪市が4号線を第三軌条式で建設してしまったため京阪は新線建設をあきらめ、残る近鉄が自社線内を架線式として架線式・第三軌条式両方に対応する車両を開発した上で4号線と相互直通する方針を固めたものの、大阪市が難色を示したため、近鉄も新線建設をあきらめるようになった。例文帳に追加

However, eventually Osaka City constructed the fourth line using the third-rail system, whereupon Keihan abandoned the plan of constructing the new line and the remaining Kintetsu decided on a policy of introducing through-service between the new line by Kintetsu and the fourth line by developing train cars that use trolley lines on Kintetsu's line and also support the third-rail system; however, because Osaka City was reluctant to accept the plan, Kintetsu also abandoned the plan to construct the new line.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

登録標章の取消請求がなされた場合は，所轄当局は，当該標章の所有者に通知を発して，通知日後30日以内に標章の使用を証明するのに適当と考える対応を行うよう求めるものとする。上記の期間が経過した後，所轄当局は標章登録の取消を行うか否かの決定を行い，その決定を当事者に通知する。例文帳に追加

On receipt of a request for cancellation, the competent office shall serve notice on the owner of the registered mark to make such response as he considers appropriate to prove use of the mark within a period of 30 working days following such notification. On expiry of the period referred to in this Article, the competent office shall decide whether or not to cancel the registration of the mark, which fact shall be notified to the parties in a duly reasoned decision. - 特許庁

両端に電極１を有するランプ容器であるガラス製のバルブ２上に蛍光体層３が形成され、蛍光体層３を構成する蛍光体粒子４の間の隙間には、化学的に安定な非晶質の金属酸化物からなる保護膜５が形成されている。例文帳に追加

A fluorescence layer 3 is formed on a glass-made bulb 2 that is a lamp vessel having the electrode 1 at both ends, and a protective membrane 5 of a chemically stable amorphous metal oxide in a gap of fluorescence particles 4 forming the fluorescence layer. - 特許庁

薄膜トランジスタアレイ基板１００には、絶縁基板上にゲート線１２１、ゲート電極１２３を含むゲート配線が形成され、これを覆うゲート絶縁膜１４０上には非晶質シリコンからなる半導体層１５０が形成されている。例文帳に追加

In the thin film transistor array substrate 100, a gate wiring comprising a gate line 121 and a gate electrode 123 is formed on an insulating substrate and a semiconductor layer 150 consisting of amorphous silicon is formed on a gate insulating film 140 covering the gate wiring. - 特許庁

外部接続用パッドを有する配線を備え、前記外部接続用パッドの最上層に非晶質透明導電膜層が形成され、その下層にアルミニウム若しくは銅、チタンからなる金属層が形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置である。例文帳に追加

The thin-film semiconductor device is equipped with wiring having a pad for external connection, is formed with an amorphous transparent conductive film layer on the uppermost layer of the pad for external connection and is formed with a metallic layer composed of aluminum, copper or titanium on the lower layer thereof. - 特許庁

シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１１が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも半導体領域３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。例文帳に追加

On the silicon substrate 1, while an accumulation layer 11 of the first conductivity type containing impurity concentration higher than the silicon substrate 1 is formed on the side of second principal plane 1b, irregular unevenness 10 is formed on a domain facing at least to a semiconductor domain 3 on the second principal plane 1b. - 特許庁

ガベージコレクション判定部１２３は、セクタ利用状況検出部１２１が検出した空きセクタ数と、ファイル情報管理部１２２が検出した各ファイルの処理状態と、に基づいて、フラッシュメモリに対するガベージコレクションの実行の要否を判定する。例文帳に追加

On the basis of the number of free sectors detected by the sector use state detection part 121 and the processing states of the files detected by the file information management part 122, a garbage collection determination part 123 determines whether to execute garbage collection on the flash memory. - 特許庁

本発明は羽根車にアキシャル方向に衝撃が加わっても、羽根車の羽根がケース体の内壁面に接触するのを効率よく阻止し、摩耗粉やゴミの発生を防止し、羽根が削れて性能が劣化したりすることのない送風機を得るにある。例文帳に追加

To provide a blower device efficiently preventing a vane of an impeller from being in contact with an inner wall surface of a case even when impact is applied to the impeller in an axial direction, preventing generation of wear debris or dust, and not deteriorating performance caused by scraping of the vane. - 特許庁

本発明によるグラビア版銅の製造方法においては、まず、円筒状のシリンダ母材３１の表面の全域に、銅めっきが施されて銅層３３が形成され、この銅層３３の表面の全域に、明室現像用の感光性樹脂が塗布されて、感光性樹脂層５０が形成される。例文帳に追加

In the manufacturing method of a photogravure plate cylinder, a copper layer 33 is formed by applying a copper plating on the whole area of the surface of a cylindrical cylinder matrix 31 and a photosensitive resin for bright room developing is coated on the whole area of the surface of the copper layer 33, and thereby the photosensitive resin layer 50 is formed. - 特許庁

遊技機の遊技盤を構成する盤材１を被覆するためのシートとして、セルロース誘導体や非晶性ポリエステル系樹脂で構成された基材層５の片面にインクジェット記録方式により画像が形成可能なインク受容層３が形成されたシートを調製する。例文帳に追加

As a sheet for coating a board material 1 constituting the game board of a game machine, the sheet for which an ink receiving layer 3 where images can be formed by an ink-jet recording system is formed on one surface of a base material layer 5 constituted of cellulosic or amorphous polyester based resin is prepared. - 特許庁

コア基板１１の主面に接続パッド６を含む下層の回路パターン１６が形成され、この接続パッド６上にビアホール底強化パッド７を形成され、層間絶縁膜１０にビアホール底強化パッド７に達するビアホール５が形成されている。例文帳に追加

A lower layer circuit pattern 16, including a connecting pad 6, is formed on the main surface of a core substrate 11, a via hole bottom strengthening pad 7 is formed on this connection pad 6, and a via hole 5 reaching the via hole bottom strengthening pad 7 is formed on an interlayer insulating film 10. - 特許庁

発光素子本体Ａは、サファイア基板からなる基板１の一表面側にｎ形ＧａＮ層２ａとｐ形ＧａＮ層２ｂとからなる発光部２が形成され、ｎ形ＧａＮ層２ａおよびｐ形ＧａＮ層２ｂそれぞれに電極３ａ，３ｂが形成されている。例文帳に追加

The light emitting element body A has the light emitting part 2 which is formed of an n-type GaN layer 2a and a p-type GaN layer 2b on one surface of a substrate 1 of sapphire and electrodes 3a and 3b which are respectively formed on the n-type GaN layer 2a and the p-type GaN layer 2b. - 特許庁

ｎ^−型半導体基板１には、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。例文帳に追加

On the n^--type semiconductor substrate 1, an accumulation layer 7 is formed on the side of a second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1, and irregular unevenness 10 is formed in regions of a first principal surface 1a and the second principal surface 1b which are opposed to the pn junction. - 特許庁

キャリア基板２は、３層の配線基板２ａ〜２ｃが積層され、４層の配線層が形成された多層配線基板からなり、配線基板２ａ，２ｂ間の配線層には、電源電圧Ｖ_DDを供給する電源プレーンＰＶ_DD、および電源電圧Ｖ_DDQ を供給する電源プレーンＰＶ_DDQ が形成される。例文帳に追加

The carrier board 2 is a multilayer wiring board composed of three laminated wiring boards 2a to 2c on which four layers of wiring are formed, a power supply plane PVDD which supplies a power supply voltage VDD and a power supply plane PVDDQ which supplies a power supply voltage VDDQ are formed on a wiring layer between the wiring boards 2a and 2b. - 特許庁

本発明の排気管は、結晶性無機材及び非晶質無機材からなり、赤外線放射率が上記基材の赤外線放射率より高い放熱層とを備え、上記放熱層が形成される上記基材の表面に凹凸が形成されており、内部を排ガスが流れることを特徴とする。例文帳に追加

This exhaust pipe is composed of a crystalline inorganic material and an amorphous inorganic material and has a heat radiating layer whose infrared emissivity is higher than those of the base materials, and unevenness is provided on the surface of the base materials constituting the heat radiating layer while allowing exhaust gas to flow through the interior thereof. - 特許庁

対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。例文帳に追加

A first metal layer 31a is formed on a counter insulation layer 22, a second metal layer 32a is formed on the frame body part 14 separated from the silicon wafer of a functional layer and the first metal layer 31a is bonded to the second metal layer 32a by eutectic bonding or diffusion bonding. - 特許庁

積層体２０は、長手方向に沿う一側にタブ２０ａが形成されたタブ形成部と、タブ形成部に隣接して配置され多数の貫通孔が形成された孔明き形成部とを有する２枚の銅箔Ｗ３と、銅箔Ｗ３の孔明き形成部のそれぞれに当接して挟持された薄板状の金属リチウムＷ５とを備えている。例文帳に追加

A laminate 20 includes a tab formation part having a tab 20a formed on one side along a lengthwise direction, two copper foils W3 disposed adjacently to the tab formation part and having a hole formation part with a number of through-holes, and a thin tabular metal lithium W5 held between the copper foils W3 in contact with respective hole formation parts. - 特許庁

前記チャネル形成領域１１０では、第１のｎ^+ 領域１２１と接するようにキャリア供給部１１１が形成され、第２のｎ^+ 領域１２２と接するようにキャリア加速注入部１１２が形成され、前記キャリア供給部１１１およびキャリア加速注入部１１２は相互に接している。例文帳に追加

In the channel formation region 110, a carrier supply part 111 is formed so that it is in contact with the first n+ region 121, a carrier acceleration injection part 112 is formed so that it is in contact with the second n+ region 122, and the carrier supply part 111 and the carrier acceleration injection part 112 are connected each other. - 特許庁

そして、シール２０のスリンガ３０に面する側面２５には軸受外側に向かって拡径しスリンガ３０に接触する円錐状のアキシアルリップ２６が形成され、アキシアルリップ２６の付根部にはシール２０の側面２５との間に周方向に離間して複数の板状のひれ２８が形成されている。例文帳に追加

A conical axial lip 26, whose diameter is enlarged toward the outside of the bearing and which contacts the slinger 30, is formed on a side face 25 facing to the slinger 30 of the seal 20, and a plurality of plate-like fins 28 spaced from the side face 25 of the seal 20 in a circumferential direction is formed in a bottom part of the axial lip 26. - 特許庁

ＥＣＵ２００は、レベル低下スイッチによりリザーバタンク２６の液面レベルが所定の基準液面レベルよりも低くなったことが検出された場合、アキュムレータ５０の液圧を液面レベル低下検出前よりも増加させ、さらにその後、液漏れが発生していることが検出された場合、アキュムレータ５０の液圧を液漏れ検出前よりも減少させる。例文帳に追加

In case a fluid level of the reservoir tank 26 is detected lowering below the predetermined standard fluid level by the level lowering switch, the ECU 200 increases the hydraulic pressure of the accumulator 50 relative to the hydraulic pressure before the lowering of the fluid level is detected, and then, if the leakage is detected, decreases the hydraulic pressure of the accumulator 50 relative to the hydraulic pressure before the leakage is detected. - 特許庁

この窒化物系半導体素子は、サファイア基板１上の所定領域に形成され、所定の厚みを有するＧａＮ層３を含むとともに、素子が形成される素子形成領域６と、サファイア基板１上の素子形成領域６以外の領域に形成され、ＧａＮ層３が形成されないかまたは薄い厚みで形成される素子不形成領域７とを備えている。例文帳に追加

The nitride-based semiconductor element is provided with a GaN layer 3 formed on a prescribed region on a sapphire substrate 1 and provided with a prescribed thickness, the element-forming region 6 where an element is formed, and an element non-forming region 7, formed in a region other than the element-forming region 6 on the sapphire substrate 1 where the GaN layer 3 is not formed or is formed thin. - 特許庁

棺冷却台装置Ｃの上面部５１には、上面側冷気供給口５１１と上面側エア吸引口５１２が形成され、棺Ｂの底面部１１には、上面側冷気供給口５１１に対する底面側冷気取入口１１１と上面側エア吸引口５１２に対する底面側エア排出口１１２が形成されている。例文帳に追加

An upper side cold air supply port 511 and an upper side air intake 512 are formed on a top part 51 of the coffin cooling table device C, and a bottom side cold air intake 111 and a bottom side air outlet 112, corresponding to the upper side cold air supply port 511 and the upper side air intake 512 respectively, are formed on a bottom part 11 of the coffin B. - 特許庁

半導体基体上に、シリコン層９Ａ，９Ｃとシリコン及び他の第IV族元素を有する層９Ｂにより成るシリコン混晶層９によって形成されたエピタキシャルベース領域を有するバイポーラトランジスタが形成されて成り、シリコン混晶層９のうちベース引出し電極部となる部分の上に、多結晶シリコン膜１０を介してシリサイド１１が形成されて成る半導体装置を構成する。例文帳に追加

In this semiconductor device, the bipolar transistor is formed to have an epitaxial base region, formed on a semiconductor substrate and formed of a silicon mixed crystal layer 9 consisting of silicon layers 9A, 9C and a layer 9B having silicon and other group IV element, and a silicide 11 is formed on the part of the silicon mixed crystal layer 9 which serves as an extraction electrode via a polycrystalline silicon film 10. - 特許庁

基体２２と、前記基体２２の表面に構成された表面層２５を備えて成るものであって、表面層２５は、Ｘ線回折において単斜晶の酸化ジルコニウム（−１１１）面の回折ピークが検出されるとともに、斜方晶の酸化ジルコニウム（１１１）面の回折ピークが検出されないことを特徴とする電解用電極２１により課題を解決できる。例文帳に追加

The electrolyzing electrode 21 is provided with a base body 22 and a surface layer 25 formed on the surface of the base material 22 and on the surface layer 25, the diffraction peak of monoclinic zirconium oxide (-111) plane is detected in X-ray diffraction and the diffraction peak of orthorhombic zirconium oxide (111) plane is not detected. - 特許庁

やがて上洛した信長と義昭が対立し、義昭によって信長包囲網が形成されると、義賢は義治と共に仇敵であった浅井長政や三好氏らと手を結び、旧臣をかき集めてゲリラ的に南近江で織田軍と戦った。例文帳に追加

A short time later Nobunaga arrived in Kyoto to face Yoshiaki but was surrounded by Yoshiaki, whereupon Yoshitaka formed an alliance with his former enemies Nagamasa AZAI and the Miyoshi clan, gathered together his former vassals and waged a guerilla-style battle on Nobunaga's forces in South Omi.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

一上が特に定められていない場合には、摂関を除く最上位の公卿、当時の場合には左大臣源兼明が一上の職務を行う慣例となっていたが、兼通による指名によって賜姓皇族として人望の厚かった兼明の政治的権限が剥奪されてしまった。例文帳に追加

If no ichi no kami was specified, the court noble with the top rank other than the sessho and kanpaku, at that time, MINAMOTO no Kaneakira, sadaijin customarily carried out jobs of the ichi no kami, but because of appointment by Kanemichi, political powers of Kaneakira, who was very popular as a sisei kozoku (a member of the Imperial Family conferred with a family name) was divested.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

義元以降は、細川宣元（義元の子）、細川忠元（宣元の子）、細川孚元（忠元の養子、三春藩家老・小野寺泰忠の子）、細川昌元（孚元の養子、藩主秋田延季の七男）と家督が継承されている。例文帳に追加

After Yoshimoto, the reigns of the family were succeeded as follows, Nobumoto HOSOKAWA (the son of Yoshimoto), Tadamoto HOSOKAWA (the son of Nobumoto), Fumoto HOSOKAWA (the adopted son of Tadamoto, the son of Yasutada ONODERA who was a Karo of the Miharu clan) and Masamoto HOSOKAWA (the adopted son of Fumoto, the seventh son of Nobusue AKITA who was the lord of the domain).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

該カーボンブラックは、常用のカーボンブラック反応器において、燃焼室内での燃焼を、カーボンブラック芽晶が形成され、該芽晶が直接カーボンブラック原料と接触せしめられるように制御することにより製造することができる。例文帳に追加

The carbon black can be produced in conventional carbon black reactors by conducting the combustion in the combustion chamber so that carbon black nuclei form and are immediately brought into contact with the carbon black raw material. - 特許庁

回路が形成されたプラグを挟んでソレノイドバルブとアキュームレータとを配置し、アキュームレータのピストン及びスプリングとプラグとを同一のシリンダボア内に収納する際に、プラグの摩耗や、ピストンとシリンダボアとの擦れや摩耗を抑制防止する。例文帳に追加

To suppress and prevent wear of a plug and rubbing between a piston and a cylinder and wear thereof when a solenoid valve and an accumulator are situated with a plug nipped therebetween forming a circuit, and the piston of the accumulator, a spring and the plug are contained in the same cylinder bore. - 特許庁

導電性を有するコア部を備えるコア基板において、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡することを防止し、高密度に配線が形成される配線基板の製造に好適に利用することができるコア基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a core substrate comprising a core having conductivity which prevents an electric short circuit between a conduction through-hole and the core, and can be suitably used for manufacturing a wiring substrate on which wiring is formed with high density, and its manufacturing method. - 特許庁

モータジェネレータ（回転電機）１のステータ７は、内周にスロット１５が形成されたステータコア９と、スロット１５に配設されたコイル１１と、スロット１５の開口部１５ａ付近にコイル１１とステータコア９とを絶縁可能に配置されたウェッジ紙１３と、を含んで構成される。例文帳に追加

A stator 7 of a motor generator (rotating electric machine) 1 includes: a stator core 9 forming slots 15 along its inner periphery; a coil 11 arranged in the slots; and a wedge paper 13 arranging the coil 11 and the stator core 9 for insulation near opening portions 15a of the slots 15. - 特許庁

このレーザビーム１０から、レンズ３１、凸レンズ３２、および一方の面に凹部３３ｂが形成されかつ中央に孔３３ａを有する孔あきレンズ３３からなる光学的手段によって、同軸上に異なる焦点を有する主ビーム１１および副ビーム１２を生成する。例文帳に追加

A main beam 11 and a sub-beam 12 having different focuses on the same axis are generated from the beam 10 by an optical means comprising a lens 31, a convex lens 32 and a perforated lens 33 having a recess 33b formed on one surface, and a hole 33a in a center. - 特許庁

ドライエア供給ダクト６２の内部では、ドライエア供給ダクト６２の端面から所定の長さで水平方向に延びるように複数の通気ガイド６２ａが設けられ、複数の通気ガイド６２ａにより複数の通気路６２ｒが形成されている。例文帳に追加

Several ventilation guides 62a are arranged in the dry air supply duct 62 horizontally extending from the end of the dry air supply duct 62 by a predetermined length, and several ventilation passages 62r are formed by the several ventilation guides 62a. - 特許庁

コア基板１の表面に、無機絶縁粉末１２および有機樹脂を含有する保護層３が形成されてなる配線基板において、前記保護層３中の、前記コア基板１側の無機絶縁粉末１２量が表面１５側より多い。例文帳に追加

In the wiring board, the protection layer 3 including inorganic insulation powder 12 and an organic resin is formed on the surface of the core substrate 1, amount of inorganic insulation powder 12 in the protection layer 3 in the side of the core substrate 1 is larger than that in the side of surface 15. - 特許庁

第１の内層配線１０１が形成されたコア基板１００の上面に第１の半導体チップ１０２を、その回路形成面がコア基板１００の上面と対向すると共に該回路形成面に形成された電極が第１の内層配線１０１と接続するように搭載する。例文帳に追加

On the top surface of a core substrate 100 where a first internal- layer wire 101 is formed, a first semiconductor chip 102 is mounted so that its circuit formation surface faces the top surface of the core substrate 100 and an electrode formed on the circuit formation surface is connected to the first internal-layer wire 101. - 特許庁

樹脂層２０ａ上に、開口部を備えたプリプレグ絶縁層１０が形成されることによって凹部３１が設けられた構造のコア基板３０と、コア基板３０の凹部３１の底部に、電子部品４０の接続パッド４０ａが上側になって実装された電子部品４０とを含む。例文帳に追加

The electronic component package includes a core substrate 30 of the structure that a recess 31 is provided by forming a prepreg insulating layer 10 having an opening on a resin layer 20a, and an electronic component 40 mounted so that the connecting pad 40a of the electronic part 40 becomes the upper side at the bottom of the recess 31 of the core substrate 30. - 特許庁

１）骨接合ピンの末端部に穴部が形成されている「穴あき骨接合ピン」を作成、使用することにより、穴部に挿通した軟鋼線（または軟細線）で骨接合ピンを骨に強固に固定でき、手術後の骨接合ピンのゆるみを完全に防止できる。例文帳に追加

(1) This 'perforated pin for joining bone' in which a hole part is formed at the end part of the pin, strongly secures the pin to the bone with a soft steel wire (or a soft thin wire) inserted to the hole part and the looseness of the pin after the operation is completely prevented. - 特許庁

このコア基板１０の両面に、複数の線状導体１２を共有する形でその両端に電気的に接続された配線層２２の一部からなるパッドＰ１，Ｐ２が対向配置され、該パッドを介してコア基板１０の一方の面側と他方の面側との配線接続が形成されている。例文帳に追加

On both surfaces of the core substrate 10, pads P1, P2 comprising parts of a wiring layer 22 having both ends electrically connected sharing a plurality of linear conductors 12 are arranged opposite each other, and wiring connections with one surface side and the other surface side of the core substrate 10 are formed through the pads. - 特許庁

削除領域決定部２１は、選択された削除対象コンテンツが記録されている記録媒体における領域の中で、削除する削除領域を決定し、記録制御部２３が、決定された削除領域を空き領域として認識し、該空き領域に対して新たな記録を行う制御をする。例文帳に追加

An erasing region deciding part 21 decides an erasing region to be erased out of regions in the recording medium in which selected erasing object contents are recorded, a recording control part 23 recognizes the selected erasing region as an empty region, and controls new recording for the empty region. - 特許庁

主基板５０には第２の信号線路５２が形成され、第１の信号線路２２と第２の信号線路５２が、キャリア基板の側壁に設けた接続電極２５１とはんだ３５からなる接続部により接続され、キャリア基板２０を主基板５０上に２次実装されている。例文帳に追加

On a main substrate 50, a second signal line 52 is formed, the first signal line 22 and the second signal line 52 are connected by a connecting part composed of a connecting electrode 251 and a solder 35, provided on the sidewall of the carrier board, and the carrier substrate 20 is mounted secondarily on the main substrate 50. - 特許庁

実施例１のIII 族窒化物半導体発光素子は、凹凸形状が形成されたサファイア基板１０と、サファイア基板１０の凹凸形状側表面上に、バッファ層を介して順に積層された、III 族窒化物半導体からなるｎ型層、発光層、ｐ型層と、を有している。例文帳に追加

A group III nitride semiconductor light-emitting element comprises: a sapphire substrate 10 on which an uneven shape is formed; and an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer that are sequentially stacked on a surface of the sapphire substrate 10 at the uneven shape side via a buffer layer and are composed of a group III nitride semiconductor. - 特許庁

被照射面２０９に、非晶質珪素膜が形成されたガラス基板を配置すると、非晶質珪素膜には表面から入射する線状ビームと、ガラス面を透過した線状ビームが同じ箇所に照射され結晶化される。例文帳に追加

When a glass substrate, where an amorphous silicon film is formed is arranged on the irradiated face 209, a linear beam which is made incident from a surface and a linear beam transmitted through a glass face are irradiated on the same place of the amorphous silicon film and they are crystallized. - 特許庁