「イオン化電流」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

被加工物をアーク加工するための方法であって、プラズマトーチに、電流と、窒素および／またはアルゴンと水素とを含有するガス混合物とを供給し、電流によるガス混合物のイオン化によって得られるプラズマジェットを、プラズマトーチを用いて送出する方法。例文帳に追加

In a method for arc machining a workpiece, current and a gas mixture containing nitrogen and/or argon and hydrogen are fed to a plasma torch, and a plasma jet obtained by ionizing the gas mixture by current is sent out using the plasma torch. - 特許庁

従来の電子衝撃法によるイオン化ではクラスターのフラグメント化防止と実用的なビーム電流を両立することは困難であるが、本発明を用いることによって、クラスターのフラグメント化を防止しながら、実用的なビーム電流を得ることができる。例文帳に追加

Although it is difficult to balance prevention of the fragmentation of the cluster with a practical beam current by ionization by a conventional electron impact method, the practical beam current can be provided while preventing the fragmentation of the cluster by this application. - 特許庁

従って、低圧でガス分子の量が少ない場合でも、少量の熱電子で効率よく多数のガス分子をイオン化することができ、従来に比して大きいイオン電流を得ることができるので、低圧でも、分圧や全圧を測定可能な程度のイオン電流を得ることができる。例文帳に追加

Accordingly, even if there are not many gas elements under a low pressure, a large number of gas elements can be efficiently ionized by a small quantity of thermions, and a bigger ion current can be obtained in comparison with the one in the past, so that an ion current having a level capable of measuring a partial pressure and a total pressure even under a low pressure can be obtained. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体を含んで構成された半導体発光素子であって、逆バイアスされたｐｎ接合によって電流をブロックする構造を有し、前記逆バイアスされたｐｎ接合の電流ブロック領域が５×１０^１７〜５×１０^２０ｃｍ^−３のイオン化不純物濃度を有する。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element constituted by including a ZnO semiconductor includes a structure for blocking current by a reversely biased pn junction, in such a manner that a current block region of the reversely biased pn junction has an ionization impurity concentration of 5×10^17 to 5×10^20 cm^-3. - 特許庁

これらの電極３０，４０の間に電圧を印加し、水素原子が試験標本電極３０に浸透して前記第２の面に達すると、正に帯電した第２の表面と前記電極間を流れる電流によって前記水素原子がイオン化されるようにする。例文帳に追加

When a voltage is applied between these electrodes 30, 40 and a hydrogen atom is permeated into the test sample electrode 30 to reach to the above second surface, the hydrogen is ionized by a current flowing between the second surface positive-charged and the electrodes. - 特許庁

本発明は、直流グロー放電により得た準安定状態のヘリウムを利用して、放電部から離隔した空間にドーパントガス、ペニングガスを電離させ、そのプラズマを利用して、測定成分のイオン化効率を向上させることにより、大きなイオン電流を得る。例文帳に追加

Dopant gas and Penning gas are ionized in a space isolated from a discharge part, using metastable helium obtained by direct-current glow discharge, and the ionization efficiency of the measuring components is enhanced using a plasma thereof to obtain an intensified ion current. - 特許庁

放電極６０と集塵極７０の触媒層７９との間に高電圧が印加されることにより、両極間に流れる放電電流によって空気中に含まれる塵埃はイオン化され、集塵極７０の触媒層７９上に吸着される。例文帳に追加

High voltage is applied across a discharge electrode 60 and the catalyst layer of a dust collecting electrode 70 to ionize dust contained in air by the discharge current flowing across both electrodes and the ionized dust is attracted to the catalyst layer 79 of the dust collecting electrode 70. - 特許庁

フッ素化炭化水素化合物を含むガスを、イオン化電流によりプラズマ化し、それにより生じた各イオンを、被成膜部材上に吸引衝突、付着させて、フッ素化ダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成させることを特徴とするフッ素化ダイヤモンドライクカーボン薄膜の製造方法である。例文帳に追加

This method forms a fluorinated diamondlike carbon thin film by forming a gas containing a fluorinated carbon hydride compound into plasma by an ionizing current, and sucking, colliding and sticking generated ions on a member on which a film is formed. - 特許庁

リペラ100は、壁12に対して負にバイアスされ、スパッタ可能材料のスラグと、イオン化室14内にスラグを取り付ける取付構造体を含み、イオンビーム電流の広いダイナミックレンジを与えるために連続的に可変のバイアスを与えることができる。例文帳に追加

The repeller 100 is negatively biased with respect to the wall 12, and contains a slug of sputtable material, and a mounting structure to mount the slug in the ionizing chamber 14, and can continuously give variable bias to give the wide dynamic range of an ion beam current. - 特許庁

イオン化室１６で試料ガスに金属イオンを付着して試料ガスイオンを生成し、試料ガスイオンが電磁場によって形成された質量分析部１３を通って質量分離され、質量分離された試料ガスイオンをイオン電流として検出部１４で検出し測定する。例文帳に追加

Metal ions are attached to the sample gas in an ionizing chamber 16 to produce sample gas ions, the sample gas ions are passed through a mass spectrometry part 13 formed with an electromagnetic field and mass- segregated, and the mass-segregated sample gas ions are detected and measured as ion current with a detecting part 14. - 特許庁

基板１９が配置される下部電極は、基板の表面上のコンタクトホールを満たすイオン化されたスパッタ原子を取り出すため、下部電極上に負の自己バイアス電圧を生成するようにＭＦ，ＨＦまたはＶＨＦのｒｆ電流が与えられる。例文帳に追加

The lower electrode arranged with a substrate 19 is applied with an rf electric current such as MF, HF or VHF so that negative self-bias voltage is generated on the lower electrode for taking out ionized sputter atoms filling a contact hole on the surface of the substrate. - 特許庁

プラズマトーチ２３の誘導コイル３１に高周波交流電流を供給して高周波電磁界を発生させ、トーチ本体２５に供給したガスを誘導的にイオン化し、プラズマ炎となる熱プラズマを発生させる発振器３２を設ける。例文帳に追加

An oscillator 32 supplies a high frequency alternating current to the induction coil 31 of the plasma torch 23 to generate a high frequency electromagnetic field, which inductively ionizes the gas supplied to the torch body 25 to generate thermal plasma as a plasma flame. - 特許庁

飽和ソース−ドレイン電圧Ｖ_ｄｓａｔがソース−ゲート電圧Ｖ_ｇｓおよびソース−ドレイン電圧Ｖ_ｄｓの関数にて与えられたドレイン横方向電界Ｅ_ｄの計算式に基づいて電界効果トランジスタのインパクトイオン化電流Ｉｉｉを計算する。例文帳に追加

In the circuit simulator, the impact ionization current Iii of a field effect transistor is calculated based on a drain transverse electric field E_d calculation formula in which a saturated source-drain voltage V_dsat is given by a function of a source-gate voltage V_gs and a source-drain voltage V_ds. - 特許庁

化合物電界効果半導体装置に関し、オーミック電極及びリセスの構造に簡単な改変を加えることで、素子動作時にチャネルに流れる電流に依る衝突イオン化を起こり難くして素子の信頼性を向上しようとする。例文帳に追加

To improve the reliability of an element by applying a simple modification to the structure of an ohmic electrode and of a recess to make the collision of ions by a current flowing in a channel during the operation of the element hardly occur, in a compound field effect semiconductor device. - 特許庁

犠牲防食部材２３は銅及びアルミニウムよりイオン化傾向が高い金属であるマグネシウム合金からなるとともに、隣り合う銅バー２２の間を流れる誘導電流の経路から外れた位置で、かつ短絡環２４及び銅バー２２と接するように配置されている。例文帳に追加

A sacrificial protection member 23 is composed of a magnesium alloy which is a metal higher in ionization than copper and aluminum, and arranged so as to contact with the short circuit rings 24 and the copper bars 22 in a position deviated from a passage of an induction current which flows between the adjacent copper bars 22. - 特許庁

ＭＩＳトランジスタは、ドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こしてシリコン層１２を第１の電位に設定した第１データ状態と、ドレイン接合に順方向電流を流してシリコン層１２を第２の電位に設定した第２データ状態とをダイナミックに記憶する。例文帳に追加

The MIS transistor dynamically memorizes a first data state in which the silicon layer 12 is set to a first potential by causing impact ionization in the vicinity of the drain junction; and a second data state in which the silicon layer 12 is set to a second potential by passing forward current to the drain junction. - 特許庁

Ｈｅに混入していた又はプラズマ生成領域付近の円筒間３内面から放出された不純物の一部もＨｅとともに管外に排出されるため、イオン化電流検出領域に達する不純物の量を減らしてノイズを低減できる。例文帳に追加

Noise can be reduced by reducing an amount of impurities which reaches the ionizing current detecting region since a part of impurities which are contaminated in He or released from an inner surface of a cylinder 3 adjacent to the plasma generating region is also discharged to the outside of the tube together with He. - 特許庁

内部にハライドを含むイオン化放電物質と両端に電極システムが挿通してガラスフリットによって封着した細管を両端に備えたセラミック発光管において、電流導入体がハロゲン化物質によって腐食するのを防ぎ、また、細管のクラックを防止する。例文帳に追加

To prevent the occurrence of crack in a narrow tube by preventing corrosion of a current lead-in body by a halogenated material in a ceramic arc tube provided with a narrow tube, which is filled with the ionized discharge material containing halide inside thereof and in which an electrode system is inserted and sealed by a glass frit in both ends thereof, in both ends. - 特許庁

ＭＩＳトランジスタは、ドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こしてシリコン層１２を第１の電位に設定した第１データ状態と、ドレイン接合に順方向電流を流してシリコン層１２を第２の電位に設定した第２データ状態とをダイナミックに記憶する。例文帳に追加

The MIS transistor dynamically stores a first data status wherein impact-ionization takes place near a drain junction to set the silicon layer 12 to a first electric potential, and a second data status wherein a forward current is allowed to flow the drain junction to set the silicon layer 12 to a second electric potential. - 特許庁

空気調和機における電気集塵装置のイオン化部の放電電極を最適化することにより、一定電圧、一定電流下において塵埃帯電効率を最大化し、また安定した放電特性を有する電気集塵装置を得ることを目的としたものである。例文帳に追加

To obtain an electrostatic precipitator in an air conditioner in which dust charge acceptance is maximized under fixed voltage-fixed electric current and further having stable discharge properties by optimizing a discharge electrode in an ionization part, and to realize a unit having reduced ventilation resistance independent of the arrangement position of the electrostatic precipitator. - 特許庁

光イオン化検出器は、測定流体中のＶＯＣの検出電極２と、該検出電極２に交流電圧又は交流電流を印加する交流印加回路３と、測定流体に紫外線を照射するＵＶランプ４と、該ＵＶランプ４の励起回路５と、検出電極２に流れる電流又は電圧を測定する測定回路７と、を有する。例文帳に追加

The photoionization detector has: a detection electrode 2 of VOC in a measurement fluid; an AC application circuit 3 for applying an AC voltage or an AC current to the detection electrode 2; a UV lamp 4 for irradiating the measurement fluid with ultraviolet rays; an excitation circuit 5 of the UV lamp 4; and a measurement circuit 7 for measuring current or voltage flowing to the detection electrode 2. - 特許庁

汚損検出用絶縁物４と、イオン化傾向の異なる２種の金属とその間に介在する絶縁物とからなる少なくとも１組のセル９と、汚損検出用絶縁物の表面にセルの起電圧を印加する導体８と、導体に流れる電流を測定する変流器７とからセンサ１を構成する。例文帳に追加

This sensor 1 is constituted of an insulating body 4 for fouling detection, at least one pair of cells 9 comprising two kinds of metals different in an ionization tendency and an insulating material interposed between them, a conductor 8 for impressing electromotive force of the cells to a surface of insulating body 4, and a current transformer 7 for measuring a current flowing in the conductor 8. - 特許庁

半導体装置の製造工程におけるイオン注入において、注入量のシフトを防ぐためにチャンバ内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上の状態にしてイオン注入することにより、イオン種、ビーム電流、注入エネルギー、レジスト材料などが異なる場合でも、ビーム中性化（又はイオン化）の計算を行うことなく、イオン注入量のシフトを少なく抑えたイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus which may reduce shift of ion implantation quantity without calculating the beam neutralization (beam ionization) even when ion species, beam current, implantation energy, and resist material, etc., are different by ion implanting under a pressure within a chamber of more than 1×10-4 Torr so as to prevent shift of ion implantation amount in ion implantation process during manufacture of semiconductor device. - 特許庁