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ドープ金属酸化~の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 110



例文

酸化亜鉛にアルミニウムを0.5質量%以上1質量%未満の範囲でドープさせ、そのアルミニウムをドープさせた酸化亜鉛を2質量%以上4質量%以下の範囲でアルカリ金属の水酸化物とともに含有させることによって、アルカリ電解液を構成する。例文帳に追加

The alkaline electrolytic solution is constituted, by doping aluminum into zinc oxide in a range 0.5 wt% or more and less than 1 wt%, and by containing the zinc oxide doped with the aluminum, in a range 2 wt% or higher and 4 wt% or lower, together with hydroxide of alkaline metal. - 特許庁

ディーゼルエンジン排気後処理系のための非熱プラズマと金属又は金属酸化物をドープしたγ−アルミナ触媒との組合せのための方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR COMBINATION OF NON-THERMAL PLASMA FOR DIESEL ENGINE EXHAUST GAS POST-TREATMENT SYSTEM AND γ-ALUMINA DOPED WITH METAL OR METAL OXIDE - 特許庁

排気ガス浄化用触媒は、各々触媒金属ドープCeZr系複合酸化物粉末よりなり且つその触媒金属含有率が異なるA−1粒子成分とA−2粒子成分を含有する触媒層を備える。例文帳に追加

A catalyst for purifying exhaust gas includes a catalytic layer containing an A-1 particle component and an A-2 particle component which are each composed of a catalytic metal-doped CeZr-based composite oxide powder and are different in their catalytic metal content. - 特許庁

本発明による集積回路デバイスは、第1の金属電極と第2の金属電極との間に位置する強誘電体材料と、第1の金属電極上に位置する、チタンドープトアルミニウム酸化物を含むパッシベーション層とを備える。例文帳に追加

An integrated circuit device is provided with the ferroelectric material positioned between a first metal electrode and a second metal electrode and a passivation layer containing a titanium doped aluminum oxide positioned on the first metal electrode. - 特許庁

例文

酸化珪素を主成分として、フッ素ドープ量を1〜9ppm、OH基濃度800〜1200ppm、遷移金属類、アルカリ土金属類、アルカリ金属をそれぞれ20ppm未満、塩素含有量1ppm未満とすることで、放射線照射に対して安定な光学ガラスの製造方法。例文帳に追加

The optical glass substantially stable to the irradiation comprises silicon oxide as a main component, is doped with fluorine in an amount of 1-9 ppm, and contains an OH group in concentration of 800-1,200 ppm, and, a transition metal, an alkaline earth metal and an alkali metal in respective amounts of less than 20 ppm, and less than 1 ppm of chlorine. - 特許庁


例文

この非鉄金属製品は、非鉄金属によって形成されている心材と、該心材の外側に形成されている表面層であって、Ti−C結合の状態で炭素がドープされている酸化チタン又はチタン合金酸化物を含む表面層とを有する。例文帳に追加

The nonferrous metal product comprises a core material formed from a nonferrous metal, and a surface layer formed on the outer side of the core material, wherein the surface layer includes the oxide of titanium or titanium alloy, which is doped with carbon so as to form a Ti-C bond. - 特許庁

RhドープZrCeNd複合酸化物に、さらに上記Ce及びNd以外の希土類金属のイオンが、上記Ce、Zr及びNdの各イオンと共に酸化物を構成するように含まれている。例文帳に追加

In the Rh-doped ZrCeNd composite, ions of rare earth metals other than the Ce and Nd are additionally contained so as to compose the oxide together with ions of the Ce, Zr and Nd. - 特許庁

銅二価塩や鉄三価塩が酸素の多電子還元触媒として作用することを利用して、可視光照射下において、金属イオンドープ酸化チタンに高い酸化分解活性を発現させることができる。例文帳に追加

The metal ion-doped titanium oxide is enabled to exhibit high oxidation and decomposition activity under visible light radiation by utilizing that the cupric salt and/or the ferric salt can work as a multi-electron reduction catalyst. - 特許庁

ハードコート層3の導電性金属酸化物微粒子としてリンドープ酸化スズ(PTO)を用い、PTO/樹脂=5/95〜95/5(重量比)とする。例文帳に追加

Phosphor-doped tin oxide (PTO) is used as the conductive metal oxide particulate in the hard coat layer 3 and a relation: PTO/resin = 5/95 to 95/5 (weight ratio) is satisfied. - 特許庁

例文

酸素吸蔵能を有する複酸化物、例えばCeZr複酸化物の結晶格子点又は格子点間にRh等の触媒金属3が配置された触媒金属ドープ酸化物1と、Al_2O_3にCe及びZrが複合されている複合酸化物2とを混合して、ハニカム状担体にコーティングする。例文帳に追加

A double oxide having oxygen occlusion capacity, e.g., a catalyst metal-doped double oxide 1 having a metallic catalyst 3 like Rh disposed at crystal lattice points or between the lattice points of CeZr double oxide, is mixed with a double oxide 2 formed by combining Ce and Zr with Al_2O_3 to be coated on a honeycomb-like carrier. - 特許庁

例文

Alを主成分とする金属基材11の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜12が形成された陽極酸化基板10上に、下部電極20、光電変換層30および上部電極50の積層構造を有する光電変換素子1において、陽極酸化基板10が、陽極酸化膜12に少なくとも1種のアルカリ金属ドープされたものとする。例文帳に追加

In the photoelectric conversion device 1 which has a stacked structure of a lower electrode 20, a photoelectric conversion layer 30, and an upper electrode 50 on the anodic oxidation substrate 10 formed with an anodic oxidation film 12 on at least one face of a metal base 11 having Al as a main component, the anodic oxidation substrate 10 is formed by doping at least one kind of alkaline metal onto the anodic oxidation film 12. - 特許庁

オリビン型結晶構造を持つリチウム金属リン酸化合物を含む正極と、リチウムをドープ・脱ドープ可能な負極活物質を用いた負極と、非水電解質とを備えた非水電解質電池であって、負極活物質に無機酸化物ナノ粒子を含むことを特徴とする非水電解質電池。例文帳に追加

Inorganic oxide nano-particles are contained in the negative electrode active material. - 特許庁

サブストレート1の上に第一の酸化物層4を設け、その上に下側電極及び上側電極31、33及びこれらの間に析出した金属酸化物含有コンデンサー材料層32を有するコンデンサーを形成させ、コンデンサーの形成の前に、第一の酸化物層4を、プラズマドープ法の使用下に、第一の酸化物層中で水素拡散バリア7Aを形成するバリア物質をドープする。例文帳に追加

A first oxide layer 4 is provided on a substrate 1, a capacitor having a metal oxide containing capacitor material layer 32 separated on a downside electrode and upside electrodes 31, 33 is formed thereon, and the first oxide layer 4 is doped prior to forming the capacitor, and a barrier substance forming a hydrogen diffusion barrier 7A is doped in the first oxide layer under the use of a plasma doping method. - 特許庁

リチウム二次電池用正極を、リチウム遷移金属複合酸化物からなる活物質と、酸化スズをドープした酸化インジウム(ITO)で被覆された微粒子からなる導電材と、該活物質および該導電材を結着する結着剤とを含むように構成する。例文帳に追加

The lithium secondary battery positive electrode is constructed to include an active material made of a lithium transition complex oxide, a conductive material made of a minute particle coated with indium oxide (ITO) doped with tin oxide, and a binder binding the active material and the conducting material. - 特許庁

デバイスの基本となる部分は、Nbなどを少量ドープしてn型半導体特性を持たせた二酸化チタン(TiO_2)またはチタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)上に、二酸化バナジウム(VO_2)などの遷移金属酸化物がエピタキシャル成長している。例文帳に追加

In the basic part of this heterojunction device, the transition metal oxide such as vanadium dioxide (VO_2) is epitaxially grown on titanium dioxide (TiO_2) or strontium titanate (SrTiO_3) doped with a small amount of Nb etc., to have n-type semiconductor characteristics. - 特許庁

金属酸化物がドープされた酸化インジウムからなる導電性酸化物針状粉がバインダーを含む溶剤中に分散した透光性導電塗料であって、バインダーが架橋性樹脂と硬化剤を主成分とし、且つ架橋前の架橋性樹脂のガラス転移点(Tg)が70℃以上である。例文帳に追加

Of the translucent conductive coating with conductive oxide acicular powder made of indium oxide with metal oxide doped dispersed in a solvent containing a binder, the binder has cross-linking resin and a curing agent as main ingredients, with a glass transition point (Tg) of the cross-linking resin prior to cross-linking of 70°C or higher. - 特許庁

包装シートは、金属光沢面を有する基材2と、金属光沢面上に設けられた赤外線の鏡面反射率の低い第一印刷層3と、該赤外線の鏡面反射率の低い印刷層上に設けられたアンチモンドープ酸化錫又は錫ドープ酸化インジウムを含む第二印刷層4とからなる。例文帳に追加

The packaging sheet includes: a substrate 2 with a metallic luster face; a first printing layer 3 provided on the metallic luster face and having a low specular surface reflectivity of infrared rays; and a second printing layer 4 provided on the printing layer of the low specular surface reflectivity of the infrared rays and including antimony-doped tin oxide or tin-doped indium oxide. - 特許庁

撥水性基体表面に疎水性シリコーン化合物含有層を形成し、当該疎水性シリコーン化合物含有層表面に、銅、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄及び亜鉛からなる群から選択された金属元素の少なくとも1つがドープされたチタン酸化物を含む金属ドープチタン酸化物含有層を形成する親水化防汚方法例文帳に追加

A hydrophobic silicone compound-containing layer is formed on the surface of the water repellent substrate and a metal dope titanium oxide-containing layer containing titanium oxide, which is doped with at least one metal element selected from the group consisting of copper, manganese, nickel, cobalt, iron and zinc, is formed on the surface of the hydrophobic silicone compound-containing layer. - 特許庁

この発明に係る酸化チタン光触媒体の製造方法は、TiX(X=P、N、S_2、Cなど非金属元素)化合物をチタン化合物に溶媒中で混合して加熱結晶化して酸化チタン光触媒体を得る方法であり、この方法により、得られる酸化チタン光触媒体中に非金属元素を均一にドープすることができる。例文帳に追加

The method of manufacturing the titanium oxide photocatalyst comprises mixing a compound of formula TiX (wherein, X is at least one nonmetallic element selected from P, N, S_2 and C) with a titanium compound in a solvent and heating and crystallizing the mixture to obtain the titanium oxide photocatalyst and enables uniform doping of nonmetallic elements in the resultant titanium oxide photocatalyst. - 特許庁

このように無機酸化物に遷移金属ドープすることで、カラーフィルタの製造が容易になり、透過率が高いため、表示品位の高い液晶表示パネル1を実現することができる。例文帳に追加

The manufacture of the color filter is made easy by doping an inorganic oxide with transition metals and owing to its high transmissivity a liquid crystal display panel 1 with high display quality is realized. - 特許庁

少なくともタングステンをドープしたインジウムを含み、予めキャリア濃度が制御された金属酸化物膜と、導電性高分子膜との積層により構成される。例文帳に追加

The Schottky junction element is constituted by laminating a metal oxide film containing at least tungsten-doped indium and having a previously controlled carrier concentration, and a conductive polymer film. - 特許庁

ミリ波発生媒質104は、電子が放出される不純物が添加(ドープ)された半導体及び電子が放出される物質が混合された金属酸化物の少なくとも1つから構成されている。例文帳に追加

The millimeter wave generating medium 104 is composed of at least one of a semiconductor doped with an impurity from which electrons are emitted and a metal oxide incorporated with a substance from which electrons are emitted. - 特許庁

ハフニウム酸化膜105を堆積した後で、タンタル金属106を堆積した後、ドープドシリコン108を堆積させ、活性化熱処理を行う。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a hafnium oxide film 105, depositing a tantalum metal 106, then depositing a doped silicon 108, and activation heat treating the film. - 特許庁

蓄光性粒子はアルミ酸化物のアルカリ土類金属塩に希土類をドープさせてなり、かつ蓄光性粒子の平均粒径が0.1〜10μmの範囲にあるものが好ましい。例文帳に追加

The luminous particles are prepared by doping an alkaline earth metal salt of an aluminum oxide with rare earth and the average particle diameter of the luminous particles is preferably within the range of 0.1-10 μm. - 特許庁

ここで、そのマスクには、不純物半導体膜12,13の分だけでなく蓄電用ライン7の分もあるので、不純物ドープ金属酸化物膜から蓄電用ライン7も形成される。例文帳に追加

Since the mask can be used not only for the impurity semiconductor films 12 and 13 but also for lines 7 for accumulation of electricity, the lines 7 for accumulation of electricity can be also formed from the impurity doped metallic oxide film. - 特許庁

金属元素でドープされたチタン酸化物を含む基材表面処理用溶液又は分散液、前記液を用いる基材表面処理方法、及び前記方法を用いて得られる表面処理材料例文帳に追加

SOLUTION OR DISPERSION FOR TREATING SURFACE OF BASE MATERIAL, CONTAINING TITANIUM OXIDE DOPED WITH METAL ELEMENT, METHOD FOR TREATING SURFACE OF BASE MATERIAL BY USING THE LIQUID, AND SURFACE-TREATED MATERIAL OBTAINED BY USING THE METHOD - 特許庁

本発明に係る蛍光体は、Li_2TiO_3:Mn^4+に、GeとA(AはNa、K、及びRbから選択される少なくとも一種)とのうち少なくとも一方がドープされている構造を有する金属酸化物固溶体から成る。例文帳に追加

The phosphor consists of a metal oxide solid solution having a structure wherein Li_2TiO_3:Mn^4+ is doped with at least one of Ge and A (A is at least one selected from Na, K and Rb). - 特許庁

高い屈折率及び高い透明性と、高い耐久性の維持とを両立させることが可能なアルカリ土類金属酸化ドープジルコニアナノ粒子透明分散液及び透明複合体を提供する。例文帳に追加

To provide a transparent dispersion liquid of alkaline earth metal oxide-doped zirconia nanoparticles and a transparent composite, maintaining a high refractive index and high transparency as well as high durability. - 特許庁

熱線カット膜構造体は、希土類元素をドープしたアルカリ土類金属とチタンの複合酸化物からなる熱線カット膜2を基体1の表面に担持させて構成されている。例文帳に追加

The heat ray cut film structural body is constituted so that a heat ray cut film 2 which is composed of complex oxide that is made from alkaline-earth metals and titanium and that is doped with rare-earth elements is made to be carried on a surface of a substrate 1. - 特許庁

B粒子成分は、活性アルミナ粉末、Zr系酸化物担持アルミナ粉末、並びに触媒金属ドープ型CeZr系複合酸化物粉末のうちから選ばれる少なくとも一種よりなり、B粒子成分の少なくとも一部はA粒子成分よりも粒径が大きい。例文帳に追加

The B particle component is composed of at least one selected from the group consisting of an activated alumina powder, a Zr-based oxide-supported alumina powder, and a catalytic metal-undoped CeZr-based composite oxide powder, and at least a part of the B particle component has a particle size larger than that of the A particle component. - 特許庁

加熱室10の開閉手段17に設けた小孔を有する金属板(透視窓)18には、インジュームとスズとの酸化物膜20とフッ素ドープ酸化スズ膜21を積層して製膜したガラス板19を配設したものである。例文帳に追加

A metallic plate (see-through window) 18 mounted on an opening/closing means 17 of a heating chamber 10 and having a small hole is provided with the glass plate 19 manufactured by stacking an oxide film 20 of indium and tin, and a fluorine-doped tin oxide film 21. - 特許庁

メカノルミネッセント材料は、ランタニドの錯体及びキレート化物;希土類イオンをドープしたアルミン酸塩、ケイ酸塩及びアルミノケイ酸塩;及び遷移金属又は希土類イオンをドープした硫酸亜鉛、硫酸マンガン、硫酸銅、硫酸カドミウム、酸化亜鉛から選択されるのが好ましい。例文帳に追加

The mechano-luminescent material is preferably selected from among lanthanoid complexes and chelate compounds; aluminates, silicates, and aluminosilicates, all doped with a rare earth ion; and zinc sulfate, manganese sulfate, copper sulfate, cadmium sulfate, and zinc oxide, all doped with a transition metal or a rare earth ion. - 特許庁

金属酸化膜をゲート絶縁膜に、ドープドポリシリコンもしくはドープドポリシリコンゲルマニウムをゲート電極に備えた半導体装置において、容量値の低下とリーク電流の増加を抑制し、電極からのドーパントの染み出しを防止する。例文帳に追加

To suppress a decrease in a capacitance and an increase in a leakage current and to prevent a dopant from being exuded from an electrode, in a semiconductor device having a metal oxide film in a gate insulation film and a doped polysilicon or a doped polysilicon germanium in a gate electrode. - 特許庁

シリコン基板2、二酸化シリコン層3、単結晶シリコン層4、二酸化シリコン層5、N+ドープ・ポリシリコンのスペーサ13、導電性拡散防止物質のコンフォーマル層15、金属シリサイド層16、CVD二酸化シリコン層17、絶縁体スペーサ18、酸化シリコン層19、ポリシリコン21を備える。例文帳に追加

This embodiment comprises a silicon substrate 2, a silicon dioxide layer 3, a monocrystal silicon layer 4, a silicon dioxide layer 5, a spacer 13 of N+ doped polysilicon, a conformal layer 15 of a conductive diffusion preventing substance, a metal silicide layer 16, a CVD silicon dioxide layer 17, an insulator spacer 18, a silicon oxide layer 19, and a polysilicon 21. - 特許庁

本発明のキャパシタ素子は、少なくとも上面が第一の窒化金属からなる第一電極と、酸化ジルコニウム膜からなる容量絶縁膜と、ボロン、アルミニウム、ガリウムのいずれかが不純物としてドープされた酸化亜鉛膜からなる第一のバリア膜と、少なくとも下面が第二の窒化金属からなる第二電極と、がこの順で積層されてなることを特徴とする。例文帳に追加

A capacitor element is formed by laminating a first electrode with at least the upper surface comprising a first metal nitride, a capacitance insulating film comprising a zirconium oxide film, a first barrier film comprising a zinc oxide film doped with one of boron, aluminum and gallium as an impurity, and a second electrode with at least the lower surface comprising a second metal nitride in this order. - 特許庁

Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、Au、Ag、Ti、Zr、Al、V、Mo、W、Cr、Co、Ni、Zn、In及びLaからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属または金属イオンがドープされたマンガン酸塩を含むアンモニアないしアミンの酸化分解触媒、窒素酸化物の選択還元触媒。例文帳に追加

A catalyst for oxidative decomposition of ammonia or amines and a catalyst for selective reduction of nitrogen oxides containing a manganate doped with at least one kind of metal or metal ion selected from a group consisting of Pt, Pd, Rh, Ir, Au, Ag, Ti, Zr, Al, V, Mo, W, Cr, Co, Ni, Zn, In and La are used for removing nitrogen oxide. - 特許庁

紫外線カットフィルタは、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする微粒子1にインジウム(In)、ビスマス(Bi)および鉄(Fe)のうち少なくとも一種の金属ドープされていて、このドープ金属の濃度が当該微粒子の表面から中心に向かうに従って低下するように構成された材料から形成されている。例文帳に追加

The ultraviolet cut filter is made of a material, which is composed so that fine particles 1 mainly consisting of zinc oxide (ZnO) are doped with at least one kind of metals from indium (In), bismuth (Bi), and iron (Fe) and the concentration of these dope metals is gradually lowered toward the center of the fine particle from the surface thereof. - 特許庁

マンガン酸化物又はリチウムマンガン複合酸化物を含有する正極と、リチウム金属、リチウム合金又は、リチウムをドープ/脱ドープすることが可能な材料を含有する負極と、少なくとも2種類以上の電解質塩を含有する電解質とを備え、この電解質は電解質塩の1種としてLiBF_4を0.005mol/l以上、0.3mol/l以下の範囲で含有する。例文帳に追加

This nonaqueous electrolyte secondary battery is composed of a positive electrode containing a manganese oxide or a lithium manganese composite oxide, a negative electrode containing lithium metal, a lithium alloy, a material capable of doping/undoping lithium, and an electrolyte containing at least two kinds of electrolyte salts, and the electrolyte contains 0.005-0.3 mol/L LiBF4 as one kind of the electrolyte salts. - 特許庁

透明電極基材100は、厚さ0.7mmの板状の透明な無アルカリガラス基板10と、ガラス基板10の上に形成された透明導電膜としてのインジウム酸化錫(ITO)膜20と、ITO膜20の上に形成された金属酸化物としてのニオブ(Nb)ドープ酸化チタン(TiO_2)膜30とを備える。例文帳に追加

A transparent electrode substrate 100 comprises a plate-shaped transparent alkali-free glass substrate 10 with a thickness of 0.7 mm, an indium tin oxide (ITO) film 20 on the glass substrate 10 formed as a transparent conductive film, and a niobium (Nb) dope titanium oxide (TiO_2) film 30 on the ITO film 20 formed as a metal oxide. - 特許庁

少なくとも重合体一次粒子及び着色剤粒子を凝集して粒子凝集体とする工程を経て得られる非磁性ブラックトナーにおいて、着色剤粒子が非磁性酸化鉄に金属ドープして得られる黒色顔料であることを特徴とする非磁性ブラックトナー。例文帳に追加

In the nonmagnetic black toner obtained by the process of aggregating at least polymer primary particles and coloring agent particles into particle aggregates, the coloring agent particles comprise a black pigment obtained by doping nonmagnetic iron oxide with metals. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板10内に設け、第1のゲルマニウムドープト領域を含む第1の電極と、第1の電極上に設け、半導体酸化物及び安定金属を含む第1の誘電体層23と、第1の誘電体層23上に設ける第2の電極とを備える。例文帳に追加

This semiconductor device includes: a first electrode formed in a semiconductor substrate 10 and including: a first germanium-doped region; a first dielectric layer 23 formed on the first electrode and containing a semiconductor oxide and a stable metal; and a second electrode formed on the first dielectric layer 23. - 特許庁

ゾルゲル法、固相反応法、イオン注入法などの従来の方法に比べて生産効率が高く、かつ容易に可視光線の領域でも光触媒活性を有する金属ドープ酸化チタン微粒子を製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a metal doped titanium oxide particulate having photocatalyst activity even in the visible light range with a higher production efficiency and more easily compared with conventional methods such as the sol-gel method, the solid-state reaction method, the ion-implantation method or the like. - 特許庁

表面の酸性度が低く、樹脂に含有させた場合においても樹脂を変質させる虞が無く、しかも、シャープな粒度分布を有し、結晶性も高いシングルナノメートル級のアルカリ土類金属酸化ドープジルコニアナノ粒子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide alkaline earth metal oxide-doped zirconia nanoparticles in a single nanometer order, having low acidity of the surface and no possibility of modifying a resin when the particles are incorporated into the resin, and having a sharp particle size distribution and high crystallinity, and to provide a method for producing the nanoparticles. - 特許庁

担体1上のゼオライト含有層2の上側に、Pt及びPdのうちの少なくとも一方が耐熱性粒子に担持されてなる貴金属担持耐熱性粉末とRhドープCeZr系複合酸化物粉末とを含有する触媒層3を設ける。例文帳に追加

A catalyst layer 3, which contains noble metal supported heat-resistant powder, wherein at least one of Pt and Pd is supported on heat-resistant particles, and Rh doped CeZr type composite oxide powder, is provided on the upper side of the zeolite-containing layer 2 on a carrier 1. - 特許庁

被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてNi含有膜およびAu含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method includes a step of forming a transparent conductive film of a titanium-doped indium oxide on a body to be filmed, and a step of forming the metal compound film of an Ni-containing film and an Au-containing film as a conductive connection portion with the outside on the transparent conductive film. - 特許庁

有機ケイ素化合物及び/又は無機ケイ素化合物、並びに、金属ドープ酸化チタンを含む、光透過性基体の透過可視光量増加剤を光透過性基体の表面に塗布し、これを必要に応じて加熱して当該基体を光高透過性とする。例文帳に追加

An agent for increasing the amount of transmitting visible light for the light-transmiting substrate containing an organosilicon compound and/or an inorganic silicon compound and a metal dope titanium oxide is applied onto the surface of the light-transmitting substrate and, if necessary, the resulted substrate is heated to bring the substrate to be highly light-transmissive. - 特許庁

VAD法によりシリカ微粒子を堆積させて得たシリカ多孔質体に、金属および金属酸化物から選ばれた少なくとも1種からなるドーパントを含有する溶液を含浸させ、真空凍結乾燥後、加熱溶融してガラス化させることにより、シリカガラス中にドーパントが均一な濃度分布で含まれたドープシリカガラスを得る。例文帳に追加

A silica porous body obtained by depositing silica microparticles by the vapor phase axial deposition (VAD) method is impregnated with a solution containing a dopant consisting of at least one kind selected from metals and metal oxides, freeze-dried under vacuum, and then vitrified by heating and fusing to obtain a doped silica glass in which the dopant is contained with a uniform concentration distribution. - 特許庁

n型不純物がドープされた酸化膜4にゲート溝5を形成した後、酸化膜4からのn型不純物の固相拡散によりソース、ドレインとして機能するn型半導体領域6を形成し、さらにゲート溝5の内部に高誘電体材料7および低抵抗金属膜8を埋め込むことでそれぞれゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。例文帳に追加

A gate groove 5 is provided to an oxide film 4 doped with n-type impurities, n-type semiconductor regions 6 functioning as a source and a drain are formed by solid phase diffusion, and furthermore the gate groove 5 is filled up with a high dielectric material 7 and a low-resistance metal film 8 for the formation of a gate insulating film and a gate electrode. - 特許庁

本発明の排ガス脱臭用触媒は、珪素含有化合物とチタニウム含有化合物とが分子状態で混合された状態で酸化物とされた3〜35重量%のシリカが微細にアナターゼ型チタニア粒子に分散保持されたシリカドープアナターゼ型チタニアと、シリカドープアナターゼ型チタニアに担持された触媒貴金属と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

The waste gas deodorizing catalyst contains silica doped anatase type titania, which is formed into oxide by mixing a silicon-containing compound with a titanium-containing compound in the molecular state and in which 3-35 wt.% silica is finely dispersed and held, and a catalyst noble metal supported on the silica doped anatase type titania. - 特許庁

例文

(2)正極活物質としてリチウムの複合酸化物を含む正極3と、リチウムイオンのドープ・脱ドープが可能な炭素材、リチウム金属またはリチウム合金を活物質とする負極2と、液体または固体の電解質とを有するリチウム二次電池において、正極として(1)記載のリチウム二次電池用正極を用いるリチウム二次電池。例文帳に追加

(2) This lithium secondary battery includes: a positive electrode 3 containing a composite oxide of lithium as a positive electrode active material; a negative electrode 2 using, as an active material, a carbon material capable of doping and dedoping lithium ions, lithium or a lithium alloy; and a liquid or solid electrolyte; and uses the positive electrode for a lithium secondary battery described in (1) as the positive electrode. - 特許庁

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