「バイアス電界」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

これにより、バイアス電極にバイアス電圧を印加した際に電界が空隔部４２に集中することがなくなる。例文帳に追加

Thus, even when a bias voltage is applied to a bias electrode, an electric field is prevented from concentrating on the void part 42. - 特許庁

高電圧動作電界効果トランジスタとそのバイアス回路およびその高電圧回路例文帳に追加

HIGH-VOLTAGE OPERATION FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS BIAS CIRCUIT AND ITS HIGH-VOLTAGE CIRCUIT - 特許庁

高電圧動作電界効果トランジスタとそのバイアス回路およびその高電圧動作回路要素例文帳に追加

HIGH-VOLTAGE OPERATION FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS BIAS CIRCUIT AND ITS HIGH-VOLTAGE OPERATION CIRCUIT ELEMENT - 特許庁

電界効果トランジスタＱ１のソース端子Ｓには、バイアス用の回路部３が接続されている。例文帳に追加

A circuit part 3 for bias is connected to a source terminal S of an FET Q1. - 特許庁

エンハンスメントモード電界効果トランジスタにゲートバイアスを与える方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for imparting a gate bias to an enhancement mode field effect transistor. - 特許庁

また、電圧制御手段は、プロセス速度に基づいて、ＡＣバイアス電界のＶｐｐを変更する。例文帳に追加

A voltage control means changes the Vpp of the AC bias electric field based on the processing speed. - 特許庁

本発明の光変調器は、カスケードの各干渉計に電界を印加する電極基板と、所定のバイアス点で各干渉計をバイアスする電極構造に接続されるバイアス回路とを備える。例文帳に追加

The optical modulator is provided with an electrode substrate to apply an electric field to each of the interferometers of the cascade and a bias circuit connected to an electrode structure to bias each of the interferometers at specified bias points. - 特許庁

電界効果トランジスタ１０３は、５０μｍのゲート幅を有し、ソースが接地され、ゲートにバイアス回路３０で発生されたバイアス電圧でバイアスされた入力信号が入力される。例文帳に追加

In a field effect transistor 103 having 50 μm gate width, a source is grounded and input signals biased by the bias voltage generated in the bias circuit 30 is inputted into the gate. - 特許庁

プロセスばらつきにより電界効果トランジスタのしきい値が変動しても、バイアス電流を一定にすることができるバイアス回路および当該バイアス回路に適用される抵抗素子を提供する。例文帳に追加

To provide a bias circuit wherein the bias current is kept constant even in the fluctuations due to process variation in the field effect transistor threshold, and to provide a resistance element for use with the bias circuit. - 特許庁

バイアス回路６は、電界吸収型光変調器２の光吸収電流の平均値を、電界吸収型光変調器２に印加するバイアス電圧にフィードバックする。例文帳に追加

A bias circuit 6 feeds back the average of the light absorption current of the electroabsorption optical modulator 2 to the bias voltage to be applied to the electroabsorption optical modulator 2. - 特許庁

このトナー付着部分が２次転写部を通過している間、２次転写バイアスローラ８１には、通常の画像形成動作時と同じバイアスが印加され、該２次転写部には、該トナーを該中間転写体から該２次転写バイアスローラ側に移動させる電界が形成される。例文帳に追加

The same bias as that at a normal image forming operation time is applied to a secondary transfer bias roller 81 while the toner sticking part passes through the secondary transfer part, so that an electric field by which the toner is moved from the intermediate transfer body to the side of the secondary transfer bias roller is formed at the secondary transfer part. - 特許庁

クリーニングローラ８６に対して液体現像剤のトナー成分を電界の作用で吸着するようにバイアス印加回路９０でバイアス印加する。例文帳に追加

A bias application circuit 90 applies bias to the cleaning roller 86 so that the toner component of liquid developer may be attracted by the action of electric field. - 特許庁

バイアス電圧５４が電極５１，５２と電極５３の間に印加されると、単一のバイアス電圧により、位相シフト器３のほか、同時に方向性結合器２と方向性結合器４に電界が付与される。例文帳に追加

When a bias voltage 54 is applied between the electrodes 51 and 52 and the electrode 53, an electric field is simultaneously imparted to the directional coupler 2 and the directional coupler 4 besides the phase shift device 3 by a single bias voltage. - 特許庁

そして、バイアス回路１２は、外部より印加される高周波電界によってＬＣ発振回路１１が発振停止しないような電流レベルのバイアス電流ＩｂをＬＣ発振回路１１に印加する。例文帳に追加

Then the bias circuit 12 supplies the bias current Ib with a current level, at which the oscillation of the LC oscillation circuit 11 is not stopped with an externally applied high frequency electric field, to the LC oscillation circuit 11. - 特許庁

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置１は、電界効果トランジスタ型の複数のメモリセル２と、ソースバイアス制御回路１０と、ドレインバイアス制御回路２０とを備える。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor memory 1 is provided with a plurality of memory cells 2 of an electric field effect transistor type, a source bias control circuit 10, and a drain bias control circuit 20. - 特許庁

直流リターン回路１１０全体の抵抗値は、自己バイアス電圧によってＰＩＮフォトダイオード５が無バイアス時の内部電界を破壊されない範囲に設定する。例文帳に追加

A resistance value of the entire DC return circuit 110 is set within such a range that an internal electric field without a bias of the PIB photodiode 5 is not broken by a self-bias voltage. - 特許庁

バイアス電圧電源１０４によるバイアス電圧を光電変換素子１０１に印加して光電変換を行うようにしたことにより、送信アンテナ１０２からの出力電波の電界強度を実用レベルまで高めることができる。例文帳に追加

Since bias voltage from the power supply 104 is applied to the element 101 to execute optical-to-electrical transduction, the field intensity of an output radio wave from the antenna 102 can be enhanced up to a practical use level. - 特許庁

トナー強制消費モード実行時は、一次転写バイアス制御手段たる演算処理部で一次転写バイアスを制御して、一次転写電界を弱める。例文帳に追加

During the execution of a mode for forcibly consuming the toner, a primary transfer bias is controlled by an arithmetic processing part as a primary transfer bias control means so as to weaken a primary transfer field. - 特許庁

誘電体板１６の外面に高周波の誘導電界を生じて中空容器内にプラズマを発生させる高周波コイル１７を配設し、金属製中空容器１１バイアス電源３２で負バイアスを印加する。例文帳に追加

A high frequency coil 17 to generate plasma in the hollow container by producing an induction field of high frequency is disposed on the outer surface of the dielectric plate 16, and a negative bias is applied to the metal hollow container 11 by a bias supply 32. - 特許庁

カスコード接続の電界効果トランジスタの最小雑音指数を得るバイアス条件 は、ソース接地トランジスタＭ１が電流飽和領域にバイアスされることにある。例文帳に追加

A grounded source transistor (TR) M1 is biased in a current saturation region under a bias condition to obtain a minimum noise figure of field-effect transistors connected in cascade. - 特許庁

転写バイアスを印加する転写手段を、転写バイアスを印加しない間は接地し、転写手段側へ電界を形成することにより、搬送ベルト表面から感光体側への電荷の放電を抑制する。例文帳に追加

The discharging of electric charges from the surface of the conveyer belt to sides of photosensive bodies is suppressed by forming electric fields to sides of transfer means by grounding the transfer means applying transfer biases while they do not apply the transfer biases. - 特許庁

この中間転写体には、バイアスが印加可能なキャリア除去ローラが当接していて、軟化したトナーをバイアスによる電界の力で押し固めつつキャリアを除去する。例文帳に追加

A carrier removal roller to which a bias can be applied is abutted on the intermediate transfer body and removes a carrier while pressing and hardening the softened toner by force of an electric field generated by the bias. - 特許庁

電界制御部２２は、閾値を超えるバイアス電圧Ｖｅをスイッチ素子１０に印加することによって、電界印加電極１４から半導体基板１０４のヘテロ接合界面に電界を印加する。例文帳に追加

The electric field control part 22 applies an electric field to a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the electric field application electrode 14 by applying a bias voltage Ve exceeding a threshold value to the switching element 10. - 特許庁

駆動回路２０の電界制御部２２は、スイッチ素子１０の電界印加電極１４およびソース電極１３に接続されており、電界印加電極１４−ソース電極１３間にバイアス電圧Ｖｅを印加する。例文帳に追加

An electric field control part 22 of a drive circuit 20 is connected to the electric field application electrode 14 and a source electrode 13 of the switching element 10 to apply a bias voltage Ve across the electric field application electrode 14 and the source electrode 13. - 特許庁

現像ローラに印加を行う現像バイアスの、振動電界を形成する部分と振動電界を形成していない部分とにより構成される振動電界パターンの切替えを、画像形成中に連続して行う。例文帳に追加

The oscillating electric field pattern of a development bias applied to a developing roller, composed of oscillating electric field generation portions and oscillating electric field non-generation portions, is continuously switched during image formation. - 特許庁

また，現像時には上記現像ローラ１１に印加される現像バイアス電位と同電位の直流電界を，非現像時には直流電界若しくは直流電界に交流電界を重畳させた電界を，上記クリーニングブレードに若しくはその近傍に印加する。例文帳に追加

Then, the DC electric field having the same potential as developing bias potential applied to the roller 11 is applied to or near the cleaning blade at the developing time, and the DC electric field or the electric field obtained by superposing the AC electric field on the DC electric field is applied to or near the cleaning blade at the non-developing time. - 特許庁

３本の電極には電源１９によってＡＣバイアスが印加され、電極間にＡＣ成分を有する電界が形成される。例文帳に追加

AC bias is applied to three electrodes by a power source 19, so that an electric field having an AC component is formed between the electrodes. - 特許庁

クリーニングブレード６２のカット面６２ｃ周辺では，電極６３にＤＣバイアスが印加されることによって電界が形成される。例文帳に追加

An electrical field is formed in the periphery of the cut surface 62c of the cleaning blade 62 with the application of the DC bias to the electrode 63. - 特許庁

この強制トナー消費モードでは，現像ローラ２に印加する交流バイアスを変え，現像領域の電界の強さを強くしている。例文帳に追加

In the forcible toner consumption mode, AC bias to be applied to the developing roller 2 is changed to enhance the intensity of electric field in a developing area. - 特許庁

有機電界効果トランジスタにおけるバイアスストレス効果を抑えると同時に、しきい値電圧を一定値に制御する。例文帳に追加

To restrain a bias stress effect in an organic field effect transistor, and to control concurrently a threshold voltage to a fixed value. - 特許庁

ショットキー接合面での電界を緩和して耐圧を向上させつつ、順バイアス時のオン抵抗を下げることができる。例文帳に追加

To reduce on-resistance at forward bias while improving breakdown strength by reducing an electric field on a Schottky junction. - 特許庁

現像ローラの高圧バイアスから絶縁して電界ノイズを拾うのを減少させるとともに、飛散トナーの影響を少なくする。例文帳に追加

To reduce picking up of an electric field noise by insulating connectors from high voltage bias of a developing roll and to decrease the influence of scattering toner. - 特許庁

バイアス電極１の４個の外周縁部１ａは、円弧状の曲線で形成されており、この部分への電界集中は生じない。例文帳に追加

Four outer peripheral edges 1a of the bias electrode 1 are formed with a circular arc curve, and electric field concentration to this part is not produced. - 特許庁

分離装置及び方法では、電界分離領域上に且つイメージセンサのピクセルに隣接させて、バイアスされるゲートを形成する。例文帳に追加

The isolation structure and method include forming a biased gate over a field isolation region and adjacent a pixel of an image sensor. - 特許庁

供給部は、供給バイアスの印加に伴って発生する電界により、現像剤を現像剤搬送経路に沿って最近接位置に向けて搬送する。例文帳に追加

The supply part conveys the developer toward the nearest position along the developer conveyance route with the electric field generated by application of supply bias. - 特許庁

赤外線の検知動作時に、電界効果トランジスタ（６０１）はピンチオフ状態で動作するようにバイアスされる。例文帳に追加

When the detection of the infrared ray is operated, the field effect transistor (601) is biased so as to operate at the pinched-off state. - 特許庁

赤外線の検知動作時において、電界効果トランジスタはピンチオフ状態で動作するようにバイアスされる。例文帳に追加

In detection operation of an infrared ray, the electric field effect transistor is biased so as to be operated in a pinch off state. - 特許庁

高電圧印加用バイアス電極の外周縁部への電界集中をなくし、放電破壊の生じないＦＰＤを提供する。例文帳に追加

To provide an FPD that eliminates electric field concentration on the outer peripheral edge of a bias electrode for high-oltage application and that will not cause discharge breakdown. - 特許庁

前記電界は、バイアス電圧Ｖ１の印加された電極５ａと平版印刷原版Ｐとが隙間を有しながら対向する領域に生じている。例文帳に追加

The electric field is generated in an area where an electrode 5a to which bias voltage V1 is applied and the plate P are opposed through a gap. - 特許庁

バイアス温度不安定性を改善したＳＯＩ構造絶縁ゲート型電界効果トランジスタを実現する。例文帳に追加

To achieve a field effect transistor of SOI structured insulating gate type that has improved bias temperature instability. - 特許庁

バイアス調整を行わない状態で使用しても、動作点のズレに伴う感度特性のばらつきが発生しない電界センサを提供する。例文帳に追加

To provide an electric field sensor which does not generate dispersion in sensitivity characteristics due to deviation of an operating point even when the sensor is used in a state of no bias adjustment. - 特許庁

バイアス電界の集中を緩和して、オン抵抗を増加させることなく耐圧の向上を実現する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of realizing an improvement of breakdown voltage without increasing on-resistance by moderating the concentration of a bias electric field. - 特許庁

基板バイアス電圧を印加することなく、正確且つ確実な低温動作を実現する構成を有する電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor having a structure that realizes sure and secure low-temperature operation without applying a substrate bias voltage. - 特許庁

１つ以上のイオン感応電界効果トランジスタ、すなわちＩＳＦＥＴと、弱反転領域で動作するよう前記または各々のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるためのバイアス回路とを含む信号処理回路である。例文帳に追加

A signal processing circuit contains one or more ion-sensitive field-effect transistors, namely, ISFET, and a bias circuit for biasing them or each ion-sensitive field-effect transistor so as to operate in a weak inversion region. - 特許庁

バイアス回路は、受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、電界効果型トランジスタのドレイン電極とドレインバイアス端子の間に抵抗が直列に接続され、上記ドレイン電極とゲートバイアス端子の間に少なくとも２個以上の抵抗が直列に接続され、上記直列接続された２個以上の抵抗のうち２個の抵抗が接続される接続点を上記ゲート電極に接続する。例文帳に追加

The bias circuit for use with a receiving amplifier is so constructed that a resistor is connected in series between a drain electrode of a field effect transistor and a drain bias terminal, at least two resistors are connected in series between the drain electrode and a gate bias terminal, and a junction connecting two of the two or more series-connected resistors is connected to a gate electrode. - 特許庁