「ベリファイ」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

ベリファイすべきモードは、即時実行モードか、クローズコマンド内実行モードのいずれかをユーザが選択する。例文帳に追加

As the verification mode, the user selects one of an immediate execution mode and an in-close-command execution mode. - 特許庁

メモリセルブロックの一部を消去するサブブロック消去（Ｓ２）が実行された後、サブブロック消去ベリファイリードが実行される（Ｓ４）。例文帳に追加

The sub-block erase verify read is executed (S4) after the sub-block erase (S2) for erasing a part of a memory cell block is executed. - 特許庁

過消去セルのリーク電流の影響をなくして消去ベリファイを確実に行なうことのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which erase-verify can be performed surely by preventing influence of a leak current of an over-erase cell. - 特許庁

ページバッファ１７はベリファイ回路１６と接続され、メモリアレイ１０ａ，１０ｂのメモリセルへの書込み目標値を記憶する。例文帳に追加

A page buffer 17 is connected to the verify circuit 16 and stores write target values to memory arrays 10a, 10b. - 特許庁

具体的には、最初のアドレスから最終アドレスまで順番に過消去ベリファイおよび書戻しを実行する。例文帳に追加

Specifically, the method executes over-erasure verification and writing back operation sequentially from a first address to a final address. - 特許庁

自動認証要求は、少なくとも部分的に共有される自動再接続データに基づくセッションベリファイアを含む。例文帳に追加

The auto-authenticate request includes a session verifier that is based at least in part on the shared auto-reconnected data. - 特許庁

ここで、セルの状態がＡｉ＋１より高い場合は強制的にベリファイリード結果をローレベルとする。例文帳に追加

Then, when a cell state is higher than Ai+1, a result of verify-read is made forcedly to have low level. - 特許庁

第１の段階では「消去パルス印加」と「ベリファイ」を行って、ブロック内の全メモリセルの閾値電圧を３Ｖ以下にする。例文帳に追加

In a first step, 'applying erasure pulse' and 'verifying' are performed, and threshold voltage of all memory cells in a block are made 3 V or less. - 特許庁

ＲＭＤのベリファイを行い、ＲＭＤがリードできた場合にはさらにＲＭＤのＰＩエラー数を検出する。例文帳に追加

The controller performs verification of the RMD and when the RMD can be read, the controller detects the number of PI errors of the RMD more. - 特許庁

可変抵抗素子を用いた不揮発性半導体装置において、ベリファイによる書き込み品質の向上を図る。例文帳に追加

To improve write quality in verify operation in a nonvolatile semiconductor memory device using a variable resistance element. - 特許庁

ベリファイ時の判定結果を有効に活用することができる読み出し回路を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a reading circuit that can effectively utilize determination results during verification. - 特許庁

書き込みベリファイが誤ってパスすることで生じる書き込み不足を補償することが可能な半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device that can compensate insufficient writing caused by erroneously-passed write verification. - 特許庁

ステートマシンは、ベリファイ動作によりフェイルが判定されたときに、ソフトプログラム動作を実行するためのソフトプログラム信号を生成する。例文帳に追加

A state machine generates a soft program signal for executing a soft program operation when fail is determined in a verifying operation. - 特許庁

ベリファイ動作を不要としながら読み出し動作を正確に行うことのできる不揮発性メモリの制御方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a control method of nonvolatile memory capable of exactly performing read operation without necessitating verification operation. - 特許庁

書き込み１回目で書き込み対象のメモリセルに書き込みバイアスを印加した後、書き込みベリファイを行う。例文帳に追加

After impressing writing bias to a writing target memory cell at first writing, write verification is performed. - 特許庁

ベリファイ読み出し時間を短縮して書き込み動作を高速化することができる半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a non-volatile semiconductor memory in which write-in operation speed can be increased by shortening a verify-read-out time. - 特許庁

本発明は、四値フラッシュメモリにおいて、ベリファイマージンを安定に保証できるようにすることを最も主要な特徴とする。例文帳に追加

To provide a four-level flash memory in which a verification margin can be stably insured as the most important characteristic . - 特許庁

ベリファイ動作でパスワードとセキュリティ解除コードとが一致と判定された場合は、セキュリティ機能の解除を行なう。例文帳に追加

When the password is judged to coincide with the security release code by the verification operation, the security function is released. - 特許庁

サブブロック消去ベリファイリードの結果、サブブロック消去が完了していれば、サブブロック消去を終了する（Ｓ５）。例文帳に追加

When the sub-block erase is being completed in a result of the sub-block erase verify read, the sub-block erase is finished (S5). - 特許庁

ＭＤ記録再生系では、新たな圧縮データと、バッファメモリに格納済みのクラスタ３の圧縮データとをベリファイする。例文帳に追加

The new compression data and the compression data of the claster 3 already stored in a buffer memory are verified by an MD recording/reproducing system. - 特許庁

データ読み出し時のマージンを最大に確保すると供に、データ書き込みの際のベリファイ動作時に不定センスが発生しないようにする。例文帳に追加

To secure a maximum margin at the time of reading out data, and also prevent an unfixed sense from occurring at the time of verification when writing data. - 特許庁

多値データの書き込みベリファイに要する時間増大を抑えることが可能であり、多値データの読み出し時間を短縮可能とする。例文帳に追加

To suppress increase of a time required for write verification of multivalued data and to shorten a read-out time of the multivalued data. - 特許庁

これにより、ベリファイコマンドは実行しないので、初期化プログラム４の実行時間を従来に比べて大幅に短縮することができる。例文帳に追加

Thus, since the verify command is not executed, an execution time of the initializing program 4 is substantially shortened compared with a conventional one. - 特許庁

書き込みとベリファイに要する時間を短縮することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a NAND-type flash memory allowing reduction of the time required for writing and verification. - 特許庁

また、書き換え回数が多くなったときにベリファイされるので記録データの品質を保証することができる。例文帳に追加

Further, when the rewriting frequency becomes large, verification is carried out, so the quality of recording data can be guaranteed. - 特許庁

ロードされている最初のモジュールが、リンク前に、１回１モジュール・ベリファイ処理に合格しているかどうかをまず決定する。例文帳に追加

Whether a loaded first module succeeds in one time one module verify processing is first decided before the first module is linked. - 特許庁

次に、カラムラッチＧ３、Ｇ４のデータに応じてビット線ＢＬ２をプリチャージし、ワード線ＷＬにベリファイ電圧を印加する。例文帳に追加

Next, the bit line BL2 is pre-charged in accordance with data of the column latches G3, G4, and verify-voltage is applied to a word line WL. - 特許庁

参照信号生成回路１００は、読み出し動作及びベリファイ動作時に用いられる複数の参照信号群Ｉｒｅｆを生成する。例文帳に追加

A referring signal generating circuit 100 generates a plurality of referring signal groups Iref which are used for a reading operation and a verify operation. - 特許庁

オーバープログラムベリファイリード（Ｓ６）がＦａｉｌであれば、Ｆａｉｌ結果を出力し、動作を完了する（Ｓ８）。例文帳に追加

When the result of the over-program verify read (S6) shows Fail, the result of Fail is outputted, and the operation is completed (S8). - 特許庁

処理方式としては、Ｆ／Ｗからの書き込み設定処理に続いて書込チェック部３がＨ／Ｗ的にベリファイを行う。例文帳に追加

A processing method is used, where the check part 3 performs verification of an H/W(hardware) basis, following the writing/setting from the F/W. - 特許庁

このメモリセルの閾値電圧が消去状態の２Ｖに達するまで、これら一連の微弱書込みおよびベリファイの動作を繰り返す。例文帳に追加

A series of these very weak writing and verifying operations are repeated until the threshold voltage of this memory cell reaches 2V of an erasure state. - 特許庁

本発明は、電源ノイズ等が発生してもベリファイ動作が誤判定しない半導体記憶装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory in which erroneous discrimination of verify-operation is not caused even if a power source noise or the like are caused. - 特許庁

これにより書き込み時間を短縮でき、また、ベリファイ読み出しおよび通常読み出しを高速に行うことができる。例文帳に追加

Thereby, the write time can be shortened, and verifying read and normal read can be performed at high speed. - 特許庁

情報の連続性を確保したうえで、記録した情報のモニタリング及び記録ベリファイを可能とする。例文帳に追加

To achieve the monitoring of recorded information and the verification of recording while securing continuity of information. - 特許庁

子カウンタをインクリメントするためには、署名をベリファイし、ストアされた値を、親セキュアカウンタの現在の値に対して検査する。例文帳に追加

In order to carry out increment of the slave counters, the signature is verified and the stored value is inspected to the current value of the master secure counter. - 特許庁

配線パターンの厚さ方向の形状に関する情報を含む画像に基づくベリファイを可能にするパターン検査装置の提供。例文帳に追加

To provide a pattern inspection device for enabling the verification based on an image containing the data related to the shape in the thickness direction of a wiring pattern. - 特許庁

必要な場合にのみイレーズを行うことで、ベリファイの結果が合格となる可能性を高めたうえで、ライト時間を短縮できる。例文帳に追加

By erasing the region only when it is required, possibility that the result of verification is successful is improved, and write time can be shortened. - 特許庁

子カウンタをリードする前に、署名をベリファイし、ストアされた値を親セキュアカウンタの現在の値と比べて検査する。例文帳に追加

The signature is verified before reading the slave counters and the stored value is inspected by comparing it with the current value of the master secure counter. - 特許庁

これにより、情報の連続性を確保したうえで、記録した情報のモニタリング及び記録ベリファイを可能とすることができる。例文帳に追加

Thus, the recorded information can be monitored and the record can be verified after ensuring information continuity. - 特許庁

或いは、ＣＰＵ使用率またはディスク制御装置の使用率に応じて、ベリファイの頻度を変化させるようにした。例文帳に追加

Otherwise, the frequency of verification is changed in accordance with the usage rate of CPU or the usage rate of a disk control device. - 特許庁

ベリファイライト動作が開始されると、チャージ線ＣＬが「Ｈ」レベル（電源電位ＶＤＤ）から「Ｌ」レベル（基準電位）に駆動される。例文帳に追加

A charge line CL is driven to the "L" line (reference potential) from a "H" level (power source potential VDD) when a verify writing operation is started. - 特許庁

メモリセルへの書き込み／消去を精度良くベリファイし、通常読み出し時におけるアクセス速度の低下を防止することが目的とされる。例文帳に追加

To prevent lowering of access speed in normal reading by accurately verifying writing/erasure to a memory cell. - 特許庁

再ライトベリファイ処理により救済しているセクタの交替割付けを不必要に増やすことなく確実にデータを保護する。例文帳に追加

To surely protect data without unnecessarily increasing alternate allocation of sectors being relieved by rewrite verify processing. - 特許庁

メモリコントローラ１０は、不揮発性メモリ２１ａに書き込まれたデータを、揮発性メモリ２２ｂに書き込まれたデータを用いてベリファイする。例文帳に追加

The memory controller 10 verifies the data written into the nonvolatile memory 21a by using the data written into the volatile memory 22b. - 特許庁

実質的に書き込みベリファイ時間を短縮して、高速書き込みを可能とする半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory in which high-speed writing is attained by substantially shortening write verifying time. - 特許庁