「ベリファイ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

効率的に入力データのベリファイを行うことが可能なデータエントリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a data entry device which can efficiently verify input data. - 特許庁

メモリセルＭ０００，Ｍ００１は、個別に消去ベリファイしきい値電圧の調整が行われている。例文帳に追加

In memory cells M000, M001, the adjusting of an erase verify threshold voltage is performed individually. - 特許庁

更に、目的セクタの隣のトラックをリードすることにより、ライトベリファイする。例文帳に追加

Further, by leading an adjacent track of a target sector, write verify is performed. - 特許庁

電圧生成回路は、ベリファイ時、メモリセルのワード線に供給される電位を変化させる。例文帳に追加

A voltage generation circuit varies a potential supplied to a word line of a memory cell. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置のベリファイ方法例文帳に追加

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND ITS VERIFYING METHOD - 特許庁

制御回路は、不揮発性メモリセルのしきい値が第１のしきい値分布内に移動したことを消去ベリファイレベルを指標として確認する消去ベリファイ動作、不揮発性メモリセルのしきい値が第２のしきい値分布内に移動したことを書き込みベリファイレベルを指標として確認する書き込みベリファイ動作を制御する。例文帳に追加

The control circuit controls an erasing verification operation for verifying that the threshold value of the nonvolatile memory cells is moved into the first threshold value distribution with the use of an erasing verification level as an index and a writing verification operation for verifying that the threshold value of the nonvolatile memory cells is moved into the second threshold value distribution with the use of a writing verification level as an index. - 特許庁

ベリファイ動作を行う回路としては、例えば、読み出しを行うセンスアンプ１０２の出力がベリファイ信号Ｓｖとしてメモリセルに印加される動作電圧を切り替えるスイッチに接続されており、ベリファイ信号Ｓｖが切り替わると同時にベリファイ動作が終了するような構成とする。例文帳に追加

In a circuit in which verify-operation is performed, for example, an output of a sense amplifier 102 performing read- out is connected to a switch for switching the operation voltage applied to a memory cell as a verify-signal Sv, and verify-operation is finished at the same time when the verify-signal Sv is switched over. - 特許庁

多値記憶方式の不揮発性半導体記憶装置において、早く書き込みが終了して、閾値レベルが遷移しやすいメモリセルに対してベリファイを行う際に、通常のベリファイレベル以下のベリファイ電圧を複数設定し、書き込み電圧のパルス印加数に応じて、段階的に複数のベリファイ電圧を切り替える。例文帳に追加

In a nonvolatile semiconductor memory device of a multi-value storage method, when writing is completed earlier and verification is performed to a memory cell whose threshold level can be easily shifted, a plurality of verify voltages lower than a normal verify level are set and the plurality of verify voltages are switched step by step according to the number of times of applying a writing voltage pulse. - 特許庁

センスアンプの活性化やワード線の充放電の回数を減らし、ベリファイ動作を高速化する。例文帳に追加

To increase verify-operation speed by decreasing the number of times of activating a sense amplifier and charge/discharge of word lines. - 特許庁

ホストコンピュータから記録コマンドが供給されると、ライトアンドベリファイを行なう（Ｓ００５）。例文帳に追加

S005) When a host computer feeds a record command, the write and verify is executed. - 特許庁

オーバープログラムベリファイリードの結果がパスであれば、サブブロック消去動作を繰り返す（Ｓ２）。例文帳に追加

When the result of the over-program verify read shows Pass, the sub-block erase operation is repeated (S2). - 特許庁

ベリファイ時間の増大を抑えることが可能である半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device which can suppress the increase of the verifying time. - 特許庁

不揮発性半導体メモリにおいて、ベリファイ時の判定基準のばらつきを抑制すること。例文帳に追加

To suppress variance in decision reference during verification in a nonvolatile semiconductor memory. - 特許庁

完全要求駆動型ロードを防止することなくリンク中にベリファイ処理を実行する。例文帳に追加

To execute verify-processing during a link without preventing complete request driving type load. - 特許庁

低消費電力の消去ベリファイ動作が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a nonvolatile semiconductor memory device which can execute an erasure verify operation with low power consumption. - 特許庁

消去動作後のデータ書き込み動作時に、書き込みベリファイのエラーが発生することを防止すること。例文帳に追加

To prevent occurrence of write verifying errors during data writing operation after an erasing operation. - 特許庁

好ましくはこの内部ベリファイセンスアンプは、メモリブロックの所定数ごとに設けられる。例文帳に追加

Preferably, this internal verify-sense amplifier is provided for each prescribed number of memory blocks. - 特許庁

ベリファイ回数ごとの作業データが正確に取得できるデータエントリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a data entry device capable of exactly acquiring work data at every time of verify. - 特許庁

書き込み時に、負荷電流を検出しているのでベリファイ動作を不要にすることができる。例文帳に追加

Because the load current is detected when the writing is performed, the verifying operation is not required. - 特許庁

判定電圧供給回路２は次に、リード電圧とライトベリファイ電圧との中間のディターミンベリファイ電圧を生成し、同様にメモリセルアレイ７に供給する。例文帳に追加

The decision voltage supplying circuit 2 generates determine-verify voltage between read-voltage and write-verify voltage, and supplies it to the memory cell array 7 in the same way. - 特許庁

不揮発性記憶装置は、消去動作の状況及び書き込み動作の状況の少なくとも一方に基づき消去ベリファイレベル及び書き込みベリファイレベルを適応的に変化させる。例文帳に追加

The nonvolatile storage device adaptively changes the erasing verification level and the writing verification level based on at least one of the state of the erasing operation and the state of the writing operation. - 特許庁

磁気テープを一回搬送するだけで全てのサーボ信号のベリファイを行うことができ、かつ、細かなサーボ信号のヌケやカケも好適に検出しできるサーボ信号ベリファイ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a servo signal verifying device capable of verifying all servo signals by feeding a magnetic tape only once, and also suitably detecting small omissions and deficiencies of the servo signals. - 特許庁

磁気ディスク等のベリファイ処理を行うディスク制御システムにおいて、他の処理への影響を最小限とするとともに、ベリファイ処理を最後まで行えるようにする。例文帳に追加

To perform verification processing to the end while minimizing influences on other processings in a disk control system which performs verification processing of a magnetic disk or the like. - 特許庁

再ライトベリファイ処理部４６は媒体のリード処理中に一定回数以上のリトライを必要としたセクタに対し、リードしたデータを再ライトした後にベリファイリードする。例文帳に追加

A rewrite and verify processing section 46 performs verify read after rewrite of the read data to a sector which needs retry more than a fixed number of times during read processing of a medium. - 特許庁

書き込みもしくは消去回路において、一度にメモリセルのグループで並列に書き込みもしくは消去データのベリファイを行い、正しくベリファイされたセルへのさらなる書き込みもしくは消去を選択的に禁止する。例文帳に追加

In a writing or erasing circuit, write or erase data are verified in parallel among memory cells groups altogether, and further writing or erasing in a correctly verified cell is selectively inhibited. - 特許庁

予め定められた複数の温度区分のうちデータベリファイ制御処理を効果的に省略できる磁気ディスク装置及び同装置におけるデータベリファイ制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic disk device which is capable of effectively omitting data verify control processing in a plurality of predetermined temperature sections, and a data verify control method in the same. - 特許庁

リンク中に、ロードされている最初のモジュールが、ベリファイ前処理に合格したかどうかが決定され、制約付きモジュールに課せられるベリファイ前処理制約が読み込まれる。例文帳に追加

During the link, it is determined whether or not the loaded first module is successful in verify-preprocessing and verify-preprocessing constraint imposed a constrained module is read. - 特許庁

オープンビット線が存在していても消去ベリファイをパスする消去ベリファイを実行できる不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of performing erasure verification such that the erasure verification is passed even when an open bit line is present. - 特許庁

この後、ベリファイ列選択回路（ＶＣＳ）を介して、ベリファイ回路（４）に選択列のビット線を接続して基準電圧（ＶＲＥＦ）と比較する。例文帳に追加

After that, via a verify column selection circuit VCS, the bit line of the selected column is connected to a verify circuit 4 to compare the voltage with a reference voltage VREF. - 特許庁

データ入力時ベリファイモードであるとき何回目のベリファイであるかを示す値が記憶され、ジョブ別、オペレータ別あるいは作業別のデータ出力時にその値が出力される。例文帳に追加

In the verify mode at the time of data input, a value showing how many times verify is executed is stored and the value is outputted when outputting data by jobs, by operators or by work. - 特許庁

また、第２リファレンスセルＲＣ２に対しては、プログラム時には第１閾値をベリファイに用いてプログラムを行い、リフレッシュ時には前記第１閾値より低い第２閾値をベリファイに用いてリフレッシュを行う。例文帳に追加

Also, for the second reference cell RC2, program is performed using a first threshold to verify when the program is performed, refresh is performed using a second threshold being lower than the first threshold when refresh is performed. - 特許庁

バーコード有りが検知されたが認識されない場合、ベリファイＢＣＲ１２３の照明をプレＢＣＲ１２１の青色照明と異なる紫色照明にしてベリファイＢＣＲで認識処理を行う。例文帳に追加

When presence of the bar code is detected but the bar code is not recognized, lighting of verification BCR123 is changed to purple lighting being different from blue lighting of the pre BCR121 and recognition processing is performed by the verification BCR. - 特許庁

ラッチ回路ＬＣはラッチ適合信号ＶＰＬをＨレベルに保持し，ベリファイ回路ＶＣのベリファイ開始信号入力端子（ＶＲ）はＬレベルに固定される。例文帳に追加

A latch circuit LC holds a latch adaptation signal VPL at a H level, and a verify-start signal input terminal (VR) of the verify-circuit VC is fixed to a L level. - 特許庁

切り換え回路１８は切り換え制御信号に基づいて、入力されたベリファイ電圧の出力先を切り換え、セクタ毎に最適となるベリファイ電圧が供給されるように出力する。例文帳に追加

The switching circuit 18 switches an objective of output of the inputted verify-voltage based on a switching control signal, and output is so that the verify-voltage being optimum for each sector is supplied. - 特許庁

完全要求駆動型ロードを伴うベリファイ前処理制約を使用して、リンク中に、メソッド、コンピュータ・プログラム、信号伝送および装置がコンピュータ・プログラムのモジュール内の命令についてベリファイ処理する。例文帳に追加

A method, a computer program, signal transmission and a device perform a verify processing about an instruction in a module of the computer program in a link by using verify preprocessing constraint accompanied with a complete request drive type load. - 特許庁

これにより、プログラム・ベリファイとイレーズ・ベリファイ動作に応じて、リファレンスセル３０側から出力されるＳＡＲＥＦ信号の電位を増減させることができる。例文帳に追加

Thereby, a potential of a SAREF signal outputted from the reference cell 30 side can be increased or reduced according to program-verity and erase-verify operation. - 特許庁

そして、リードベリファイ実行処理部１８０が、リードベリファイ実行時に、磁気ディスクから読み出したデータに含まれる装置環境データを基にして、リライト処理を実行するか否かを判定する。例文帳に追加

A read verification execution processing part 180 decides whether to execute the rewrite processing or not, on the basis of the device environment data included in the data read from the magnetic disk in time of read verification execution. - 特許庁

また、プレＢＣＲ１２１でバーコードが認識された場合、ベリファイＢＣＲ１２３の照明をプレＢＣＲ１２１の照明と同じ色に設定してベリファイＢＣＲ１２３で認識処理を行う。例文帳に追加

When the bar code is recognized by the pre BCR121, lighting of the verification BCR123 is set to the same color as that of lighting of the pre BCR121 and recognition processing is performed by the verification BCR123. - 特許庁

ＣＡＭセルを備える半導体装置において、データの書き換えやベリファイを正常に行うことができる半導体装置およびベリファイ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a verifying method, capable of normally rewriting or verifying data in a semiconductor device equipped with CAM cells. - 特許庁

本発明の課題は、メモリコントローラ自体にベリファイチェックの機能を持たせることにより、安全にベリファイチェックを行うことができる自己試験内蔵ＳＤＲＡＭコントローラを提供することにある。例文帳に追加

To provide a self-test built-in SDRAM controller for safely performing verify check by making a memory controller itself have the function of verify check. - 特許庁

すなわち、あるアドレスが選択されベリファイが実行された後に書戻しパルスが印加された場合であっても、ベリファイ後の如何にかかわらず、次のアドレスさらに次のアドレスへとインクリメントしていくことになる。例文帳に追加

This means, even if a writing back pulse is applied after a certain address is selected and verification is executed, increment is carried out from the next address to an address after the next regardless of the result of the verification. - 特許庁

メモリセルへの書き込みとベリファイ読み出しとを繰り返して書き込みを行なう際に、昇圧回路に付加するキャパシタの容量を大きくすることなく、ワード線をベリファイ電圧から書き込み電圧に達する時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten a time required for reaching write-in voltage from Verifying voltage for a word line without increasing capacity of a capacitor added to a boosting circuit when write-in for a memory cell and verify-read-out are performed repeatedly. - 特許庁

消去ベリファイ動作時にビット線に対する充電能力を向上し、消去ベリファイ動作の確度を向上する不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage device wherein the accuracy of an erasure-verifying operation is improved, by increasing the chargeability, with respect to a bit line at the erasure-verifying operation. - 特許庁

メモリマット５Ａに対するベリファイ動作完了後、メモリマット５Ｂに対してプログラムパルスを印加し（ステップＳ６）、メモリマット５Ｂのベリファイ動作を実行する。例文帳に追加

After the completion of the verifying operation for the memory mat 5A, a program pulse is applied to a memory mat 5B (step S6), and a verifying operation of the memory mat 5B is executed. - 特許庁

ベリファイ動作時、カウンタ回路５０は、ベリファイに失敗した回数Ｃを数え、その回数Ｃを示す回数信号を参照信号生成回路１００に出力する。例文帳に追加

During the verify operation, a counter circuit 50 counts the number of times C which represents the number of failures in verifying operations and outputs a signal of the number of times that represents the number of times C to the referring signal generating circuit 100. - 特許庁