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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ベリファイの意味・解説 > ベリファイに関連した英語例文

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ベリファイを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 544



例文

この後、コントローラからベリファイマルチリードコマンドを受信すると、IDタグは、ベリファイNGフラグが「1」にセットされているものに限り、応答信号を送信する。例文帳に追加

Afterwards, when a verify multi-read command is received from the controller, a response signal is transmitted by the ID tag only concerning the data of the verify NG flag set to '1'. - 特許庁

記録領域全体のベリファイ処理を行うより処理時間を短縮しながら、ベリファイを全く行わない場合に比べ再生時の信頼性を高める手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means for improving reliability at the time of reproduction while reducing the processing period than the case of performing the verifying process for a whole recording area, as compared with a case when a verification is not performed at all. - 特許庁

サブブロック消去が未完了であれば、オーバープログラムベリファイリード(S6)を行い、サブブロック消去ベリファイ結果がFailになった原因が、未消去かオーバープログラムセルの存在かを判定する。例文帳に追加

When the sub-block erase is not been completed, an over-program verify read (S6) is carried out to decide whether the Fail resulting from the sub-block erase verify is caused by the unerased state or the existence of an over program cell. - 特許庁

上記プログラムベリファイ回路30のプログラムロードレジスタ32は、正しく書き込まれたと最初にベリファイされたメモリ素子33について、書き込みが必要であると言う状態を排除する。例文帳に追加

A program load register 32 of the program verify-circuit 30 eliminates a state in which write-in is required for a memory element 33 verified initially as that it is written correctly. - 特許庁

例文

ベリファイ付きデータライトと交替処理を行う記録再生システムにおいて、ディスク状記録媒体に生じた傷などに起因した欠陥区間を予測して無駄なデータライト・ベリファイ処理の省略化を図る。例文帳に追加

To achieve elimination of useless data write verification processing by predicting a defective section resulting from a flaw produced in a disk recording medium in a recording and reproducing system which performs data write with verification and alternating processing. - 特許庁


例文

ベリファイモード3cのときは、更新されたエントリファイルのデータとエントリバックアップファイルのデータが比較され、相違するデータのみが再ベリファイされる。例文帳に追加

In reverification mode 3c, the data of the updated entry are compared with the data of an entry backup file and only different data are reverified. - 特許庁

3値の情報を記憶することができ、かつ誤ベリファイを招くことなく書込みベリファイ動作の高速化をはかり得るEEPROMを提供すること。例文帳に追加

To provide an EEPROM that ternary information can be stored and speed of write-in verifying operation can be increased without performing erroneous verifying. - 特許庁

ライトベリファイモードの実行によりエラーを判定したときには、クリアランスを増加させるようにヒータ制御値を一定量ずつ変化させながらエラーが判定されなくなるまでライトベリファイモードを実行する例文帳に追加

When the error is determined by execution of a write-verify mode, the monitoring part 52 executes the write-verify mode until the error is not determined while changing a heater control value by a fixed amount so as to increase clearance. - 特許庁

フラッシュメモリ1には、書き込みや消去動作に含まれる読み出し動作時の初期ベリファイに用いられる初期ベリファイ電圧を生成するオペレーション用ブースト回路5bが設けられている。例文帳に追加

A flash memory 1 is provided with a boost circuit 5b for operation generating initial verification-voltage used for initial verifying at the time of read-out operation included in write-in and erase operation. - 特許庁

例文

サービス機能群22の作業は、データエントリ端末31、検印端末32、データベリファイ端末33で行われ、分割された項目別の項目イメージデータを集めて順にデータエントリし、ベリファイし、検印処理を行う。例文帳に追加

The work of a service function group 22 is performed by a data entry terminal 31, a mark terminal 32 and a data verify terminal 33 and the divided item image data by items are collected, successively inputted, verified and marked. - 特許庁

例文

また、ベリファイの結果に応じて記録を自動的に停止し、或いはベリファイの結果に応じて間欠的な記録の休止期間中に記録パラメータを変更するための学習処理を行なう。例文帳に追加

Also, recording is stopped automatically in accordance with the result of verification, or learning processing for changing recording parameters during a stop period of intermittent recording in accordance with the result of verification. - 特許庁

データ書き込み後のベリファイ読出し動作では、選択ワード線にベリファイ読出し電圧、非選択ワード線にはパス電圧Vpass3を与える。例文帳に追加

In verify-read-out operation after writing data, verify-read-out voltage is given to the selection word line and pass voltage Vpass 3 is given to the non-selection word line. - 特許庁

この後、ある範囲に一括してシフトされたスレシホールド電圧V_THの下限を、消去ベリファイ電圧V_EVに近い第1の過消去ベリファイ電圧V_OEV1にシフトさせる。例文帳に追加

Then the lower limit of the threshold voltage VTH shifted collectively to the range is shifted to a first over-erasion verifying voltage VOEV1 approximate to the erasion verifying voltage VEV. - 特許庁

制御手段は、ページ書き込みを、プログラム動作及びベリファイ動作からなるステップの繰り返しで実行し、ベリファイ動作において正常なデータ書き込みが確認できなかった書き込み単位についてのみ、次ステップ以後においてプログラム動作及びベリファイ動作を実行することを特徴とする。例文帳に追加

The control means performs the page write-in by repeating a step including a program operation and verify operation, and only for a write-in unit in which normal data write-in cannot be confirmed in verify operation, the control means performs program operation and verify operation in a next step or later. - 特許庁

続いて、消去ベリファイが終了し、バンクBank0〜Bank3のうち、任意のバンクの消去ベリファイがパスすると、コントローラは、消去ベリファイがパスしたバンクに対応するバンク選択部19にサブデコーダ制御信号Csubを出力する(たとえば、HiレベルからLoレベルに遷移)。例文帳に追加

Successively, erasing verify is finished, when erasing-verify of an arbitrary bank is passed out of banks Bank 0 to Bank 3, a controller outputs a sub-decoder control signal Csub to a bank selecting part 19 corresponding to a bank in which erasing-verify is passed (e.g. shifting from a Hi level to a Lo level). - 特許庁

消去ベリファイ動作時に、データ消去後のメモリセルを所望のしきい値電圧にするために必要なメモリセルのしきい値電圧の判定を、書き込みベリファイ動作時にメモリセルのしきい値電圧を判定する際に用いる判定電流と同一の判定電流で行うことができる不揮発性半導体記憶装置およびその消去ベリファイ方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a non-volatile semiconductor memory and its erasing verifying method that can judge threshold voltage of a memory cell required for making a memory cell after erasing data a desired threshold voltage, at the time of erasing and verifying operation, with the same judging current as the judging current used for judging threshold voltage of a memory cell at the time of writing and verifying operation. - 特許庁

過消去状態にあれば、書き戻しをしてから(ステップS4)、閾値電圧Vthを第1リペア・ベリファイ電圧RV0より高い第2リペア・ベリファイ電圧RV1と比較し(ステップS5)、過消去状態が解消されたことを確認後、閾値電圧Vthを消去ベリファイ電圧EVと比較し所望の消去状態にあるか否かを判定する。例文帳に追加

If in the excessively erased state, the threshold voltage Vth is compared with a second repair verify voltage RV1 higher than the first repair verify voltage RV0 (step S5) to check the removal of the excessively erased state, and then the threshold voltage Vth is compared with the erasure verify voltage EV to determine whether it is in a desired erased state or not. - 特許庁

前記制御回路は、データ記憶のための高電圧パルスの印加とベリファイにより一旦パスした処理単位の不揮発性メモリトランジスタに対して再度ベリファイを行い(S41,S47)、再度のベリファイでフェイルとされた不揮発性メモリトランジスタに対して軽い高電圧パルスの印加を追加する(S46,S52)。例文帳に追加

The control circuits performs verifying again for the nonvolatile memory transistor of a processing unit being passed once by application of a high voltage pulse for storing data and verifying (S41, S47), and adds light application of the high voltage pulse for the nonvolatile memory transistor being made fail in verifying again (S46, S52). - 特許庁

情報記録媒体である光ディスク1が挿着されたとき、CPUコントローラ11を中心とする制御部によって、その光ディスク1が欠陥検出(ベリファイ)済みか否かによって欠陥検出の要否を判定し、ベリファイ済みでなければ光ディスク1の全面をフォーマットした後ベリファイする。例文帳に追加

When an optical disk 1 which serves as the information recording medium is inserted, a control unit having a CPU controller 11 as the main component judges whether the optical disk 1 needs defect detection depending on whether defect detection (verification) of the optical disk 1 has been finished and, if the verification has not been finished, the whole surface of the optical disk 1 is formatted and verified. - 特許庁

キャッシュメモリシステム、半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置、半導体記憶システムおよびメモリベリファイ回路例文帳に追加

CACHE MEMORY SYSTEM, SEMICONDUCTOR MEMORY, NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM, AND MEMORY VERIFY-CIRCUIT - 特許庁

消去動作時やベリファイ時(読み出し時)に、VBBが負電位になり、ノードA,Bのいずれか一方が負電位になる。例文帳に追加

At erasing operation and verification (at read-out), VBB becomes a negative potential, either of nodes A, B becomes a negative potential. - 特許庁

その際のWL待ち時間WTaを、最終データの書き込みベリファイ読み出し時のそれ(WL待ち時間WT)よりも短くする。例文帳に追加

A WL waiting WTa of the verify read is made shorter than it (WL waiting time WT) of write verify read of the final data. - 特許庁

ベリファイ処理を実行してデータを記録する場合、所定の記録レートを確保しつつ、記録データの信頼性も高めることができるようにする。例文帳に追加

To enhance the reliability of the recorded data while securing a predetermined recording rate when verification is executed to the recorded data. - 特許庁

ベリファイ時の判定結果を有効に活用することができる読み出し回路を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device including a readout circuit that can effectively utilize a determination result made at the time of verification. - 特許庁

新しいパスワード自体は認証サーバに送信されず、新しいパスワードをパスワードベリファイヤから導出することは基本的に不可能である。例文帳に追加

The new password itself is not transmitted to the authentication server and introduction of the new password from the password verifier is basically impossible. - 特許庁

ベリファイ機能を有する場合に電圧ストレスワースト条件でデータ書き換えテストを行うことを可能としたEEPROMを提供する。例文帳に追加

To provide an EEPROM in which a data rewriting test can be performed in the worst condition of voltage stress when the device has a verify- function. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置、並びに不揮発性半導体記憶装置のベリファイ方法及び読み出し方法例文帳に追加

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHODS FOR VERIFYING AND READING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY - 特許庁

本発明は、プログラムベリファイ機能を有するNAND型フラッシュメモリにおいて、記憶データを高速に検索できるようにする。例文帳に追加

To enable storage data to be searched at high speed in a NAND type flash memory having a program verify function. - 特許庁

このように、動画像の撮影中は、ベリファイ動作を一時停止させることにより、ノイズのない良好な音声記録を行うことができる。例文帳に追加

Thus, satisfactory sound recording with no noise can be conducted by temporarily stopping the verify operation during photographing a moving image. - 特許庁

制御板のレイアウトの自由度を持たせつつ、ダウンロード時間やベリファイ時間を短縮できるようにする。例文帳に追加

To shorten download time or verify time while keeping the degree of freedom in the layout of a control board. - 特許庁

電子価格ラベルは自己検査プログラムを周期的に走らせ、その各種コンポーネントの適正な動作をベリファイする。例文帳に追加

The electronic price label runs a self-inspection program periodically to verify the proper operation of the various kinds of components. - 特許庁

電位Vbi’でベリファイ動作をする場合、電位Vai+1でセルのデータを予備リードし、この状態をラッチ回路に記憶する。例文帳に追加

When verification operation is performed at a potential Vbi', data of a cell are preliminarily read at a potential Vai+1, and this state is stored in a latching circuit. - 特許庁

十分なリードマージンを有しかつ正確なベリファイ動作を行なうことが可能なセンスアンプを備えたフラッシュメモリを提供する。例文帳に追加

To provide a flash memory provided with a sense amplifier which has sufficient read-margin and performs accurate verifying operation. - 特許庁

ベリファイリードでは、選択されたカラムのリードデータの検出を、通常データリードのためのセンスアンプを用いて行う。例文帳に追加

In verify-read, detection of read-data of a selected column is performed by using the sense amplifier for normal data-read. - 特許庁

サブジェクトは、認証のために短期使い捨て証明書をベリファイアに提示し、公開鍵に対応する私有鍵の知識を有することを示す。例文帳に追加

The subject presents the short term throwaway certificate to a verifier for authentication, and presents that the subject has knowledge about a private key corresponding to the public key. - 特許庁

半導体記憶装置は、複数のメモリ素子を配列したメモリセルアレイ21と、プログラムベリファイ回路30とを備える。例文帳に追加

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array 21 in which a plurality of memory elements are arranged and a program verify-circuit 30. - 特許庁

これにより、トリミング動作後にも読み取り電圧又はベリファイ電圧の間の電圧差を一定に維持できる。例文帳に追加

Thus, the voltage difference between the read-out voltages or verify voltages is maintained to be constant even after the trimming operation. - 特許庁

新しいパスワードからおよび認証サーバによって提供された情報から、「パスワードベリファイヤ」を導出する。例文帳に追加

A "password verifier" is guided from information provided from the new password and by the authentication server. - 特許庁

ベリファイ処理を実行してデータを記録する場合、所要記録時間を抑制しつつ、記録データの信頼性も高めることができるようにする。例文帳に追加

To enhance the reliability of the recorded data while suppressing the required recording time when verification is executed to the record data. - 特許庁

分散型コンピュータシステム、インタラクティブ型クライアント−サーバ・アプリケーションのベリファイ方法、及び製品例文帳に追加

VERIFICATION METHOD AND PRODUCTS FOR DISTRIBUTED COMPUTER SYSTEM AND INTERACTIVE CLIENT-SERVER APPLICATIONS - 特許庁

このとき、検証にパスしていないメモリセルを動作対象として、複数のベリファイ書き込み動作を同時に実行する。例文帳に追加

In this case, with respect to memory cells having failed to pass the verification, a plurality of verify write operations are simultaneously performed. - 特許庁

このため、ベリファイ時にはワードライン(ゲート)に−5Vの読出モード時よりも大きい(絶対値)電圧を印加する。例文帳に追加

Therefore, on verifying, a voltage (absolute value) greater than -5 V of a reading mode is applied to a word line (gate). - 特許庁

多値書き込みにおいて必要なベリファイ動作を低減することができ、書き込み動作にかかる時間を短縮する。例文帳に追加

To reduce the time needed for writing operation by reducing verify operation required in multivalue writing. - 特許庁

ベリファイ処理を実行してデータを記録する場合、所定の記録データの信頼性を確保しつつ、記録レートも高めることができるようにする。例文帳に追加

To increase a recording rate while securing the reliability of the predetermined recorded data when verification is executed to the record data. - 特許庁

ページバッファの一部のページのみにデータが格納された場合には、不要なベリファイを行わないようにして書き込み時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten the writing time by not performing unwanted verification when data are stored only in a certain of pages of a page buffer. - 特許庁

電圧発生回路9aはデータ書き込みや消去、ベリファイ時などに用いられる様々な電圧を生成する。例文帳に追加

The voltage generation circuit 9a generates various voltages used in data writing, erasing, verifying, etc. - 特許庁

本発明は、消去ベリファイ時の消費電流を低減することができる不揮発性半導体記憶装置およびその制御方法を実現する。例文帳に追加

To realize a nonvolatile semiconductor memory device that reduces consumption current during erase verification, and a control method of the device. - 特許庁

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の消去方法は、ブロック一巡型過消去ベリファイを実行する。例文帳に追加

The erasing method for a nonvolatile semiconductor storage device executes block-one-round type over-erasure verification. - 特許庁

そして、その優先度に基づいて、記録メディアに記録されるAVデータの中から、ベリファイ処理の対象となる対象データが設定される。例文帳に追加

Based on the priority, target data to be verified is set from the AV data recorded on a recording medium. - 特許庁

例文

装置コストや回路規模が増大することがなく、ベリファイ処理を短時間で実行することのできる光情報処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical information processor capable of executing a verification processing in a short period of time without increasing device cost and circuit scale. - 特許庁

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