「ベリファイ」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

フラッシュメモリ１１にデータを書込むと共に、書込んだデータをベリファイし、その結果正しく書込まれないデータを再び書込むための不揮発性半導体記憶装置の書込み装置において、データを書込んだアドレスの書込みデータとベリファイしたデータとを比較し、再書込みするデータのみを選択的に書込む書込信号の生成手段５１を設けたことを特徴とする。例文帳に追加

In the writing apparatus of a nonvolatile semiconductor memory apparatus for writing data to a flash memory 11 and moreover, verifying written data and rewriting data not correctly written, a write signal-generating means 51 is set for comparing write data of an address where the data is written and verified data and selectively rewriting data to be written. - 特許庁

また、ベリファイリトライ時にも過去の成功したリトライ情報についてリードリトライを行い、リトライ成功時に成功したリトライ情報を保存する。例文帳に追加

During verify retry, read retry is executed for past successful retry information, and successful retry information at the success of retry is saved as retry information. - 特許庁

所定の期間、イベントシーケンス、および／またはチャレンジセットのための所与の認証トークン出力に対応する検証レコードが、ベリファイアにダウンロードされる。例文帳に追加

For a predetermined period, an event sequence and/or a verification record corresponding to a given authentication token output for a challenge set is downloaded to a verifier. - 特許庁

ベリファイアは、証明書データベースに記憶された無署名証明書に対応する有効な無署名証明書の暗号ハッシュを収めるハッシュ表を保持する。例文帳に追加

The verifier holds a hash table storing the code hash of a valid certificate with no signature corresponding to the certificate with no signature stored in the certificate database. - 特許庁

図３で示される半導体記憶装置において、メモリ用トランジスタＭ４８について書き込み／消去ベリファイを行う場合、次のように制御する。例文帳に追加

In a semiconductor memory device shown in the figure, when verifying writing/erasure is performed for a transistor M48 for memory, control is performed as follows. - 特許庁

１つの他のモジュールに動的にリンクされる、コンピュータ・プログラムのモジュール内の命令について効率的なベリファイ処理方法を提案する。例文帳に追加

To provide an efficient verify processing method for an instruction, in the module of a computer program dynamically linked with another module. - 特許庁

認証クライアントおよび認証サーバは、それぞれ、新しいパスワードからおよびパスワードベリファイヤから、新しい認証および暗号化セキュリティキーの組を並行して導出する。例文帳に追加

Each of the authentication client and the authentication server guides a set of new authentication and an encryption security key simultaneously. - 特許庁

最後に、単一のリードバック動作を用いて複数個のプログラムされたマイクロデバイスにプログラマによってプログラムされたデータをベリファイするための方法およびデータ比較回路もまた開示される。例文帳に追加

Finally, a method for verifying data, programmed by a programmer in a plurality of programmed micro devices by using a single read-back operation and a data comparison circuit are also provided. - 特許庁

その際に、フラッシュメモリは、自身が備えるプログラムベリファイ機能を利用して“０”データを比較することにより、検索データと非検索データとの一致をチェックする。例文帳に追加

At this time, the flash memory checks the coincidence of the search data and the nonsearch data in the manner of comparing "0" data by utilizing the own provided program verify function. - 特許庁

カウンタ３０は、直列接続の最終段の論理ゲートによる、ベリファイ・フェイルがあることを示す論理レベルの出力回数をカウントする。例文帳に追加

The counter 30 counts the output frequency of the logical level showing that there is verification fail by the logical gate at the last stage of the serial connection. - 特許庁

データ保護情報を記録するためのデータ保護用メモリセルアレイ４と、リード／ベリファイ用リファレンスセル３の消去用の回路を共通にし、同時に消去を行う。例文帳に追加

Erasure is performed simultaneously by sharing a memory cell array 4 for protecting data and a reference cell for read-verify. - 特許庁

ベリファイ処理を実行してデータを記録する場合、ユーザが所望する記録レートを確保しつつ、記録データの信頼性も高めることができるようにする。例文帳に追加

To improve the reliability of recorded data, too, while securing a recording rate desired by a user when performing verifying processing to record data. - 特許庁

さらに、利用者は、レポート、ベリファイ、あるいはバックアップのようなその他の目的のために、仮想化されたネットワークストレージシステムから独立して、ネットワークストレージ装置をアクセスすることが許可される。例文帳に追加

In addition the client is permitted to access the network storage devices separate from the virtualized network storage system for other purposes such as reporting, verifying or banking up. - 特許庁

メモリセル特性の製造時のばらつきや経時的な変動に対応して、最適な読み出し／ベリファイ動作を実行することができる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory in which an optimum reading/verify operation is executed in accordance with variance in memory cell characteristics during production and fluctuation in the characteristics over time. - 特許庁

同一データを複数の光ディスクに記録するデュプリケータ等において、ユーザは重要なデータ部分を指定して選択的にベリファイを実行できる。例文帳に追加

In a duplicator or the like which records the same data onto a plurality of optical disks, the user can designate an important data portion and selectively execute verification. - 特許庁

センスアンプＳＡ１０は、閾値電圧のベリファイ時に、電圧生成回路により生成された電圧に応じて選択されたメモリセルＭＣに流れる電流と、基準電流生成回路２１から出力される電流とを比較する。例文帳に追加

A sense amplifier SA10 compares a current flowing in the memory cell MC selected in accordance with voltage generated by the voltage generation circuit with a current outputted from a reference current generation circuit 21 in verifying the threshold voltage. - 特許庁

論理ゲートチェーン５２は、各々の論理ゲート５１の出力する論理レベルの示す内容が、ベリファイ・フェイルのあるカラムに対応する論理ゲート５１を境界にして反転するように構成される。例文帳に追加

The logical gate chain 52 is configured such that the content showing the logical level output by each logical gate 51 is reversed with the logical gate 51 corresponding to the column having the verification fail being a boundary. - 特許庁

人手によるベリファイを必要とする文字認識システムにおいて、入力画像の文字認識結果とその確信度を活用することにより、全体の処理能力を向上させることを可能とする文字認識方法を提供する。例文帳に追加

To provide a character recognition method making it possible to enhance the overall processing capability of a character recognition system which requires human verification, by making use of the results of character recognition for input images and their certainty. - 特許庁

サブジェクトは、認証のために、発行された第１の無署名証明書をベリファイアに提示し、無署名証明書における公開鍵に対応する私有鍵の知識を有することを証明する。例文帳に追加

The subject presents the issued 1st certificate with no signature on the verifier for authentication and certifies that it has the knowledge of a private key corresponding to the public key in the certificate with no signature. - 特許庁

またキャリブレーション要求フラグがオフであると判別した場合は、ライトパワーキャリブレーションを実行させずに記録を行い、その記録動作に対するベリファイを行う（Ｓ２０５〜Ｓ２０９）。例文帳に追加

When the flag is discriminated as OFF, the recording is carried out without performing the write power calibration, and the recording operation is verified (S205-S209). - 特許庁

データの書き換え回数に応じて最適なベリファイ電圧を供給することにより、データの書き換え動作にかかる時間の遅延を防止し、かつデータの誤判定を防止する。例文帳に追加

To prevent delay of a time required for rewriting data and to prevent erroneous discrimination of the data by supplying optimum verify-voltage in accordance with the number of times of rewriting the data. - 特許庁

効率的なＲＡＭ管理を実現でき、データアクセスにベリファイが必要なホスト装置に対しても効率的にＲＡＭを有効に制御可能なデータ転送制御装置およびその方法を提供する。例文帳に追加

To provide a data transfer controller and its method for achieving efficient RAM management, and controlling a RAM efficiently and effectively even for a host device requiring verification for data access. - 特許庁

データ記録装置において、記録媒体から再生したデジタルオーディオデータを蓄積用記録媒体に記録する際に、ディザ信号を付加して再量子化するとベリファイ処理を行うことができない。例文帳に追加

To solve the problem that verify processing can not be performed when a dither signal is attached and requantization is performed in the case of recording digital audio data reproduced from a recording medium on a recording medium for storage in a data recorder. - 特許庁

データを入力するエントリモードと、入力されたデータが正しく入力されているかを検証するためのベリファイモードを有するエントリプログラムによりデータ入力が行われる。例文帳に追加

Data are inputted by an entry program having an entry mode for inputting data and a verify mode for verifying whether inputted data are rightly inputted or not. - 特許庁

フェイルセーフモードでは、フラッシュメモリにデータを書き込んだ後のベリファイ動作において不良を検出すると、エラー訂正してフラッシュメモリの使用は継続される。例文帳に追加

In the fail safe mode, when a defect is detected in verify-operation after data is written in the flash memory, error correction is performed and use of the flash memory is continued. - 特許庁

半導体記憶装置１００は、メモリブロックＭＢ内の特定のメモリセルへの書込動作時に、所定期間書込電圧を印加した後、センスアンプ回路２２およびコンパレータ２５を用いて、ベリファイ動作を行なう。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor storage device 100 uses a sense amplifier circuit 22 and a comparator 25 to verify a particular memory cell after applying a write voltage to the memory cell in a memory block MB for a prescribed period at write to the memory cell. - 特許庁

論理ゲートチェーン５２は、いずれかのカラムに対応付けられ、且つ対応付けられたカラムにおけるベリファイ・フェイルの有無を示す論理レベルを次段に出力するように直列接続された複数の論理ゲート５１を含む。例文帳に追加

The logical gate chain 52 is mapped to any column and includes a plurality of logical gates 51 connected in series so as to output a logical level showing the presence or absence of verification fail in a mapped column to a next storage. - 特許庁

オペレーション用ブースト回路５ｂは、シーケンスコントローラ４から出力される制御信号に基づいて、電源電圧をブーストして初期ベリファイ電圧を生成する。例文帳に追加

The boost circuit 5b for operation boosts power source voltage and generates initial verification- voltage based on a control signal outputted from a sequence controller 4. - 特許庁

制御回路１１は、データ消去時、メモリセルの閾値電圧が第１ベリファイ電圧以下でない場合にはメモリセルに閾値電圧を小さくするための消去電圧を印加する。例文帳に追加

A control circuit 11 applies erasure voltage for making the threshold voltage smaller to the memory cell in the case where the threshold voltage of the memory cell is not first verification voltage or less in erasing data. - 特許庁

ベリファイ動作時、電圧発生回路１１から出力される電流は選択されたフューズ回路及び検出回路１３を介してパッド１７に流れる。例文帳に追加

In the verification operation, a current outputted from the voltage generation circuit 11 flows to a pad 17 via the selected fuse circuit and a detection circuit 13. - 特許庁

さらに、過剰消去になったメモリセルが上記第２のベリファイ動作によって発見されたときそのメモリセルに対してソフトプログラム動作を行う（Ｓ４）。例文帳に追加

Further, a memory cell over-erased is discovered by the second verifying operation, software program operation is performed for the memory cell (S4). - 特許庁

時刻ｔ_Cの時点で記録されていたブロックｎから、結露センサにより結露が検出された時点で記録されていたブロック（ｎ＋ｍ）までをベリファイの対象とする。例文帳に追加

From a block n recorded at the time point t_C to a block (n+m) recorded when dew condensation is detected by the dew condensation sensor is set as an object of verification. - 特許庁

したがって、書込非対象のメモリセルＭＣに流れる電流の影響を受けることなくベリファイを行なうことができ、全てのメモリセルＭＣのしきい値電圧を正しく設定することができる。例文帳に追加

Then, verification can be performed without being affected by current caused to flow to the memory cell MC of the writing non-target, and threshold voltage of the entire memory cells MC can be correctly set. - 特許庁

こうして、閾値電圧が負のメモリセルが生じないようにし、正確なベリファイを行ってブロック内の全メモリセルを確実に消去状態にする。例文帳に追加

Thus, threshold voltage performs accurate verification so as not to cause a negative memory cell, and all memory cells in the block are made an erasure state surely. - 特許庁

リード／ベリファイ用リファレンスセル３を消去するとその不揮発性メモリはメモリとしての役割を果たせなくなるため、結果としてデータの改竄を防ぐ。例文帳に追加

When data of the reference cell 3 for read-verify is erased, as the non-volatile memory cannot accomplisch its role, consequently, alternation of data can be prevented. - 特許庁

そのデータ記録中にデータ記録が失敗したクラスタや記録後のベリファイ処理が失敗したクラスタを検出し、検出した欠陥クラスタに記録すべきデータをデータバッファ６からデータバッファ７に転送する。例文帳に追加

The cluster in which data recording has failed during the data recording and the cluster in which verifying processing after recording has failed are detected, and data to be recorded in the detected defective cluster is transferred from the data buffer 6 to the data buffer 7. - 特許庁

センスアンプ２４では、正の温度特性を有する電流Ｉ５と負の温度特性を有する電流Ｉ４とを合成して温度特性を持たないベリファイ用のセンスアンプ負荷電流Ｉ６を生成する。例文帳に追加

In a sense amplifier 24, a sense amplifier load current I6 for verification having no temperature characteristic is generated by synthesizing a current I5 having a positive temperature characteristic and a current I4 having a negative temperature characteristic. - 特許庁

ＣＰＵ１３からの制御命令により、メモリセル１６から読み出されたメモリセルデータＭＤがベリファイ回路１４を介してページバッファ１５に格納される。例文帳に追加

By control instructions from a CPU 13, memory cell data MD read out from a memory cell 16 are stored in a page buffer 15 through a verification circuit 14. - 特許庁

フラグ回路は、メモリセルアレイの消去ベリファイ動作によりメモリセルのいずれかの消去未完了が検出されるのに伴ってセットされる。例文帳に追加

The flag circuit is set in response to detection of erasure un-completion in any one of memory cells by erasure verify operation of the memory cell array. - 特許庁

ノーマルモードでは、フラッシュメモリにデータを書き込んだ後のベリファイ動作において不良を検出すると、以降のフラッシュメモリの使用は停止される。例文帳に追加

In the normal mode, when a defect is detected in verify-operation after data is written in the flash memory, subsequent use of the flash memory is stopped. - 特許庁

本発明は、不正コピーを適切に防止するとともに、データ書込時におけるベリファイを支障なく実行することが可能な記憶装置及びデータ書込装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a storage device and a data writing device which properly prevents illegal copying, and performs a verify operation in data writing without any problem. - 特許庁

メモリセルアレイ７の記憶素子が劣化し、ゲート電圧の閾値が低下している場合にはディターミンベリファイ電圧では正しくデータを読み出すことができず、判定回路６における比較結果は不一致となる。例文帳に追加

When a storage element of the memory cell array 7 is deteriorated and a threshold value of gate voltage is reduced, data cannot be read out correctly by the determine- verify voltage, the comparison result in the decision circuit 6 is noncoincidence. - 特許庁

電圧生成回路は、閾値電圧のベリファイ時に、データの読み出し時に選択されたメモリセルＭＣの行線に供給される電圧と同一の電圧を生成する。例文帳に追加

A voltage generation circuit generates the same voltage as voltage supplied to a row line of a memory cell MC selected in reading data. - 特許庁

通常のデータ読出しに対して書込みベリファイ読出しのメモリセル電流を大きくすることにより、高速書き換えを可能としたＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭを提供する。例文帳に追加

To provide a NAND type EEPROM enabling high speed rewriting by enlarging a memory cell current of write-in-verify-read-out for normal read- out of data. - 特許庁

データ消去後のベリファイ動作は、左右セルアレイ１Ｌ，１Ｒについて同時並行的に消去ブロックの検索を行って、消去されたブロックについて行われる。例文帳に追加

A verification operation after the data erase operation is performed regarding an erased block after erase blocks are retrieved simultaneously in parallel regarding the left cell array 1L and the right cell array 1R. - 特許庁