「半カップ」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

なお、半導体構成体２と接着層３との間およびベース板１と接着層３との間にシランカップリング剤からなる密着力向上膜を設けるようにしてもよい。例文帳に追加

Also, the adhesion-improving film comprising the silane coupling agent may be provided between the semiconductor configuration 2 and the adhesion layer 3 and between the base plate 1 and the adhesion layer 3. - 特許庁

半導体装置において、ＶＤＤとＧＮＤの間にＰ型ＭＯＳキャパシタＣ１とＮ型ＭＯＳキャパシタＣ２を直列に接続したデカップリング容量を有する。例文帳に追加

A semiconductor device has decoupling capacitance wherein a p-type MOS capacitor C1 and an n-type MOS capacitor C2 are connected in series between VDD and GND. - 特許庁

素子分離領域上へのフローティングゲート電極の張り出しを無くすことで素子の微細化を図ると共に、所望のカップリング比を得ることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of miniaturizing an element by eliminating a jutting of a floating gate electrode over the element separation region, and concurrently obtaining the predetermined coupling ratio. - 特許庁

書き込み時のセンスアンプの貫通電流およびビット線間のカップリングの影響を低減でき、レイアウト面積を縮小できる半導体記憶装置を実現する。例文帳に追加

To achieve a semiconductor storage for reducing a layout area by reducing the influence of the feedthrough current of a sense amplifier in writing and the coupling between bit lines. - 特許庁

半導体チップ構造が、データを記憶及び処理する第１のセルを有する第１の領域と、デカップリング・キャパシタを含むＯＰＣ構造を有する、第１の領域の外側の第２の領域とを含む。例文帳に追加

The semiconductor chip structure is provided with a first area having a first cell for storing and processing data, and a second region outside the first region having the OPC structure provided with the decoupling capacitor. - 特許庁

最小化された面積を用いて、半導体メモリ装置の性能を向上さえるために、少なくとも一つの共有キャパシタを有するディカップリングキャパシタが複数の電圧源の間に分配される。例文帳に追加

Decoupling capacitance of at least one shared capacitor is distributed among a plurality of voltage sources for enhancing performance of a semiconductor device with minimized area. - 特許庁

デカップリングキャパシタを備えた高周波用の半導体装置において、実装面積をより一層小さくするとともに、配線の長さを可及的に短くして、高周波信号に対する伝送特性を向上させる。例文帳に追加

To improve transmission characteristics for high-frequency signals in a high-frequency semiconductor device having a decoupling capacitor by further reducing a packaging area as well as shortening a wire length accordingly. - 特許庁

半田接続部４３は、カップ形の形状を有しており、その底部中央に変圧器１の接続部３よりやや大径の貫通孔４３ａが設けられている。例文帳に追加

The solder-connection part 43 has a cup-like shape and a through hole 43a provided in the middle of its bottom part and having a diameter somewhat large than that of the connection part 3 of the transformer. - 特許庁

この場合は、カップリングレンズ１５は、切り欠き部１２２に当接された状態で、Ｗ方向に移動可能であり、半導体レーザ素子１１との位置関係を調整することができる。例文帳に追加

In this case, the coupling lens 15 can move in the direction W while abutted on the notch 122 to thereby adjust the positional relationship with the semiconductor laser device 11. - 特許庁

本発明は、縦続接続された増幅回路の段間のカップリングコンデンサをなくしオフセットキャンセルを行う半導体集積回路装置及びオフセットキャンセル設定システムを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device for performing offset cancel by removing a coupling capacitor between stages of amplifier circuits connected in cascade, and to provide an offset cancel setting system. - 特許庁

回路が密集した領域であっても、デカップリング容量値の確保が十分に行える半導体集積回路並びにその設計方法および製造方法を実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit and a design method and a manufacturing method thereof wherein the decoupling capacitance value is sufficiently ensured even in a region having high density circuits. - 特許庁

半導体レーザ２５１から出たビームはカップリングレンズ２１０で略平行ビームになり、アパーチャ２１１に入射し、所望のビーム形状に整形される。例文帳に追加

The beam emitted from the semiconductor laser 251 is formed into a substantially parallel beam with the coupling lens 210, made incident to an aperture 211, and shaped into a required beam form. - 特許庁

ビット線構成が階層化されたメモリセルアレイにおいて、隣接グローバルビット線間のカップリングノイズを抑制可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of suppressing coupling noise between adjacent global bit lines in a memory cell array with hierarchical bit line constitution. - 特許庁

最小限のコストで電源抵抗の抵抗値とデカップリング容量の容量値を変更することを可能にした半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit capable of changing a resistance value of a power source resistor and a capacitance value of decoupling at a minimum cost. - 特許庁

デカップリングコンデンサＣ_１〜Ｃ_ｎの実装形態に対応する半導体装置内での電源電圧の等価的な変動量ΔＶＣＣは、特定された第１及び第２の関係に基づいて算出される。例文帳に追加

Variation amount ΔVCC of equivalent in power supply voltage in the semiconductor device corresponding to the mounting configuration of the decoupling capacitors C_1-C_n is calculated based on the specified first and second relationships. - 特許庁

カップリングレンズ２は、面発光型半導体レーザ１からの光束を略平行光として射出するので、その焦点距離は走査光学系の光学特性に依存しないで設定することができる。例文帳に追加

Since the coupling lens 2 emits a light flux from the surface emitting semiconductor laser 1 as substantially parallel light, the focal distance can be set without depending on optical characteristics of a scanning optical system. - 特許庁

素子面積の増大、セル電流の減少、又は誘電層の薄膜化に起因する信頼性の低下等の問題を防止しつつ、カップリングレシオを増大させて、半導体記憶装置の動作電圧を低電圧化する。例文帳に追加

To reduce operating voltage of a semiconductor storage device by expanding coupling ratio, preventing problems like enlargement of element surface, decrease of cell current or less reliability due to the thin film of a dielectric layer. - 特許庁

直接にはメモリ機能に寄与しないシールド線を配置することなく、隣接ビット線間のカップリングノイズを低減できるようにした半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory apparatus in which coupling noise between adjacent bit lines can be reduced without arranging a shield line which does not contribute to a memory function directly. - 特許庁

ウェーブ・ジェネレータはフレックス・スプライン２２の歯の半径方向内側の入力部に回転可能に支持されており、カップ形フレックス・スプライン２２の第２端３８には環状ダイヤフラム４２が配置されている。例文帳に追加

A wave generator is rotatably supported to an input part on the radial inside of teeth of this flex spline 22, and an annular diaphragm 42 is disposed at a second end 38 of the cup-shaped flex spline 22. - 特許庁

半円筒形マニホールドに連結されるカップ２１の下部に三つの垂直ビード２６が形成され、これらのうち、両側垂直ビードの外側流路は塞がる。例文帳に追加

Three vertical beads 26 are formed at the lower part of a cup 21 connected with the semi-cylindrical manifold, and the outside channels of the vertical beads at both sides among these are closed. - 特許庁

本発明は、予めカップリング剤にて処理した水酸基を有する球状シリカを５〜７０重量％含有する柔軟で強靭な半導体用の接着剤である。例文帳に追加

This adhesive is a flexible and strong adhesive 26 for a semiconductor device, containing 5-70 weight % of spherical silica having hydroxyl groups and pre-treated by a coupling agent. - 特許庁

複数のファラデーカップ２０は、複数の試料基板１２を乗せた円板状試料ホルダ１１の半径方向に一列に並べて配置され、イオンビーム電流を測定する。例文帳に追加

A plurality of Faraday cups 20 are disposed in one line in the radial direction of a circular plate sample holder 11 with a plurality of sample substrates 12 thereon and measure ion beam current. - 特許庁

本発明は、プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置の処理室内部の全部または一部の部材にカップリング剤が表面処理されていることを特徴とする半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置である。例文帳に追加

In the method for manufacturing a semiconductor, plasma processing method and apparatus, all or some of members in a processing chamber of a plasma processor are subjected to surface treatment with the use of a coupling agent. - 特許庁

２個のカップリングレンズ２２ａ、２２ｂが、半導体レーザ１０ａ、１０ｂと光軸コリメータ調整されて、各１個のひさし状突起部２０ａ、２０ｂにそれぞれ接着されて固定されている。例文帳に追加

The two coupling lenses 22a and 22b and the lasers 10a and 10b adjusted in optical axes by a collimator, and are respectively stuck and fixed to the one part 20a or 20b. - 特許庁

半導体集積回路のマスクレイアウト情報３１から、電源配線の抵抗値Ｒｌｉｎｅ、デカップリング容量の抵抗値Ｒｃａｐ、およびトランジスタの抵抗値Ｒｍｏｓを個別に計算する。例文帳に追加

A resistance value Rline of power supply wiring, a resistance value Rcap of a decoupling capacity and a resistance value Rmos of a transistor are individually calculated from mask layout information 31 on the semiconductor integrated circuit. - 特許庁

改善された電気的隔離と低いカップリングキャパシタンスを有する、半導体基板上の導電層とキャップ層よりなる堆積層のためのスペーサー構造を提供する。例文帳に追加

To provide a spacer structure for a stacked layer composed of an electrically conductive layer and a cap layer formed on a semiconductor substrate, wherein the structure has improved electrical isolation and low coupling capacitance. - 特許庁

シリカ材料を、半球カップ状、ボウル状、あるいは皿状に湾曲した二重薄膜構造を有し、膜厚が１０〜１００ｎｍのものとして使用する。例文帳に追加

This silica material is formed in double thin-film structure curved in hemispherical cup shape, bowl shape or plate shape with a film thickness of 10-100 nm for use. - 特許庁

半導体レーザアレイ３０１の各発光点からのビームは、液体マイクロレンズ３０２、カップリングレンズ３０３を通過した後、シリンダレンズ１１３に入射され、ポリゴンミラーの偏向面１０６で収束される。例文帳に追加

The beams from respective light emitting points of a semiconductor laser array 301 pass through a liquid microlens 302 and a coupling lens 303 and are made incident on a cylinder lens 113 and focused on the deflection face 106 of a polygon mirror. - 特許庁

半導体構成体２の外部接続用電極１３を含む封止膜１４の上面と該上面を覆っている上層絶縁膜２１との間にはシランカップリング剤からなる密着力向上膜１５が設けられている。例文帳に追加

A semiconductor component 2 is provided with an adhesive strength improvement film 15 made of silane coupling agent between the upper surface of a sealing film 14 including an external connection electrode 13 and an upper layer insulation film 21 covering the upper surface of the sealing film 14. - 特許庁

書き込み動作終了後に選択ワード線に印加されている書込電圧を放電する際に、カップリングノイズの発生を低減する不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a non volatile semiconductor memory device which reduces occurrence of coupling noise when discharging a writing voltage applied to a selected word line after finishing writing operation. - 特許庁

各軸４，５が、歯車伝動装置の各歯車６，７に、半径方向および軸方向に制限された可とう性を有する回転剛性的なカップリング９を介して結合されている。例文帳に追加

Respective shafts 4 and 5 are connected to the respective gears 6 and 7 of a gear transmission device through a rotary rigid coupling 9 having flexibility restricted in radial and axial directions. - 特許庁

電圧変動の影響を抑えるために容量が必要になったときには、半導体基板２の裏面側をバックグラインド処理し、その電極１５を露出させ、そこにデカップリングコンデンサ等の容量素子を接続する。例文帳に追加

When capacity becomes necessary to suppress an influence of the voltage variation, the reverse surface side of the semiconductor substrate 2 is subjected to back grind processing to expose the electrode 15, and a capacitance element such as a decoupling capacitor is connected thereto. - 特許庁

充分な容量と低い自己インダクタンス、高いＬＣ共振周波数を有し、デカップリングコンデンサに用いて好適な積層コンデンサとこれを用いた半導体装置、および電子回路基板を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer capacitor which has sufficient capacitance, low self-inductance and high LC resonance frequency and is suitable as a decoupling capacitor, and to provide a semiconductor device and an electronic circuit board which use the multilayer capacitor. - 特許庁

固体構造、特に半導体構造内部に一つ乃至複数のエアギャップを形成して金属線の如き電気部品間の誘電的カップリングを減じる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an air gap or gaps within solid structures and specifically semiconductor structures to reduce dielectric capacitive coupling between electrical elements such as metal lines. - 特許庁

本発明は接地リングと電源リング間のデカップリング容量を増大して、同時スイッチングノイズ等の影響を減少した半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for increasing the influence of simultaneous switching noise or the like by increasing the decoupling capacitor between ground and power supply rings. - 特許庁

装置フレーム１０１の一面側には光源としての半導体レーザが取り付けられており、他面側にはカップリングレンズ保持部材１０２が取り付けられている。例文帳に追加

A semiconductor laser being a light source is fitted on one face side of a device frame 101 and a coupling lens holding member 102 is fitted onto the other face side. - 特許庁

半導体レーザ１とカップリングレンズ３とが一体的に保持された複数の発光部２１、２２、２３、２４を有し、各発光部は、それぞれ独立に調整可能な駆動部６を有する。例文帳に追加

It has a plurality of light emitting parts 21, 22, 23 and 24 where the semiconductor laser 1 and the lens 3 are integrally held, and each light emitting part has a driving part 6 independently adjusted. - 特許庁

キャパシタ誘電体膜２２は高誘電率を有するので、種々の静電容量のデカップリングキャパシタ２１を形成でき、半導体チップ１１に近接して配設されているので高速動作が可能となる。例文帳に追加

Since the capacitor dielectric film 22 has a high dielectric constant, the decoupling capacitor 21 of a variety of capacities can be formed and, moreover, is located near the semiconductor chip 11, thereby operating the semiconductor device at a high speed. - 特許庁

粗成形されたカップ形の第１半成品の肉厚を比較的少ない成形圧によって、全体形状に大きな歪をあたえることなく成形できる製造方法を得ることにある。例文帳に追加

To provide a manufacturing method in which thickness of a roughly formed first semifinished product in a cup shape can be formed by a comparatively small forming pressure without causing large deformation to the entire shape. - 特許庁

カップリング比を減少させずにゲート電極と不純物拡散領域との位置が整合して形成される不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage device where a gate electrode and impurity diffusion regions are formed in position matching without reducing a coupling ratio, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

キャパシタのカップリングノイズ等の影響を受けずに、連続的なカラム選択による高速データ読み出しを可能とした半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory in which no adverse effect caused by capacitor coupling noise, etc., is received and a high speed data reading is made possible by a continuous column selection. - 特許庁

画素領域の反射部に形成されたカップリングキャパシタを通して反射曲線と透過曲線とをマッチングさせ、画素領域に均一な階調を形成可能な半透過型液晶表示パネルを得る。例文帳に追加

To provide a transflective liquid crystal display panel which can form a uniform gray scale in a pixel region by matching a reflective curve and a transmitting curve through a coupling capacitor formed in a reflective part of the pixel region. - 特許庁

カップリングは更に、接触表面により半径方向内方へ押圧できるようにハブ内に配置された数個のクランプローラ（２４）と、クランプローラ（２４）によりハブ（１０）に結合できるシャフト（９）とを有する。例文帳に追加

The coupling has several clamp rollers 24 arranged in the hub so as to be pressed inside in the radial direction by the contact surfaces, and a shaft 9 joinable to the hub 10 by the clamp rollers 24. - 特許庁

ＤＲＡＭ素子のリフレッシュ動作特性を向上させ、カップリングノイズの発生を防止することが可能な半導体素子のトランジスタ及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a transistor of a semiconductor device which can improve the refresh operation characteristics of a DRAM device and avoid coupling noise, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、無機充填材、金属水酸化物固溶体及びほう酸亜鉛をチタネート系カップリング剤により表面処理した難燃剤からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。例文帳に追加

This epoxy resin composition for sealing semiconductors, characterized by comprising an epoxy resin, a phenolic resin, a curing accelerator, an inorganic filler, and a flame retardant prepared by treating the surface of a metal hydroxide solid solution or zinc borate with a titanate-based coupling agent. - 特許庁