「壁電荷」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

例えば、基板と、電荷障壁層と、必要に応じて接着層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、塗膜形成バインダとを含む部材である。例文帳に追加

The member includes, for example, a substrate, a charge blocking layer, an optional adhesive layer, a charge generating layer, a charge transport layer, and a coating forming binder. - 特許庁

すなわち、維持放電に用いられる対向放電面５６に壁電荷が形成されるので、その壁電荷によって発光区画の選択が確実に為される。例文帳に追加

Namely, wall electric charge is formed on the opposed discharge face 56, and the light emitting section is surely selected by the wall electric charge. - 特許庁

トンネル障壁の上に電界分布層を有する電荷捕獲装置例文帳に追加

CHARGE TRAPPING DEVICES WITH FIELD DISTRIBUTION LAYER OVER TUNNELING BARRIER - 特許庁

プラズマディスプレイパネルにおける壁電荷状態の解析方法例文帳に追加

ANALYSIS METHOD OF WALL CHARGE STATUS IN PLASMA DISPLAY PANEL - 特許庁

上記フォトダイオードＰＤから垂直電荷転送路ＶＣＣＤの電荷蓄積領域に電荷を転送する電荷転送期間に、フォトダイオードＰＤと垂直電荷転送路ＶＣＣＤとの間のポテンシャル障壁φ_ＴＧ（ＶＭ２）を垂直電荷転送路ＶＣＣＤの隣接する電荷蓄積領域間のポテンシャル障壁φ_ＶＣＣＤ（ＶＬ）よりも低くする。例文帳に追加

A potential barrier ϕ_TG(VM2) between the photodiode PD and the vertical charge transfer path VCCD is made lower than a potential barrier ϕ_VCCD(VL) between charge storage regions adjacent to the vertical charge transfer path VCCD for a charge transfer period of time for transferring the charge from the photodiode PD to the charge storage regions of the vertical charge transfer path VCCD. - 特許庁

この電荷混入防止領域は、正味の平均不純物濃度が半導体領域よりも高いので、信号電荷に対する障壁となり、隣接画素から流入してきた電荷が電荷蓄積領域に混入することを抑制する。例文帳に追加

Having a net average impurity concentration higher than that in the semiconductor region, the charge mixing prevention region serves as a barrier against signal charge, inhibiting charges that flows in from adjacent pixels from mixing into the charge storage region. - 特許庁

トンネル酸化膜と電荷蓄積膜との界面付近に電荷を蓄積することを可能にするとともに、トンネル酸化膜と電荷蓄積膜の電位障壁を高くすることにより、蓄積された電荷の基板側への流出を防ぐ。例文帳に追加

To prevent the flow-out of accumulated charges to the substrate side by enabling charges to be accumulated near the interface between a tunnel oxide film and a charge accumulation film and increasing a potential barrier between the tunnel oxide film and the charge accumulation film. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃに印加した電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さを調節することにより、規定した一定量の不要電荷を電荷分離部で分離し、ポテンシャル障壁を越えて電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷を受光出力として取り出す。例文帳に追加

Then a height of a potential barrier formed according to the voltage applied to the barrier control electrode 14c is adjusted to separate a predetermined constant quantity of unnecessary electric charges by the electric-charge-separating section, and effective electric charges flowing in the electric-charge-storing section over the potential barrier are taken out as a light receiving output. - 特許庁

電荷対発生電極５および電荷対非発生電極６の長さ方向に延びる側端面および上面を被覆することなく、隣接する電荷対発生電極５と電荷対非発生電極６との間の電荷の移動を妨げる絶縁性部材からなる隔壁部材９を設ける。例文帳に追加

A barrier member 9 composed of an insulating member for impeding the movement of charges between adjoining the charge-pair generation electrode 5 and the charge-pair non-generation electrode 6 is provided without covering the side end face extending in the length direction and the upper surface of the charge-pair generation electrode 5 and the charge-pair non-generation electrode 6. - 特許庁

電荷障壁層２は電荷移動層３中の欠陥密度よりも少ない欠陥密度で、かつ電荷移動層３よりも大きな障壁を持つようにする。例文帳に追加

The charge barrier layer 2 has defect density lower than the defect density in the charge moving layer 3 and has a barrier larger than that of the charge transfer layer 3. - 特許庁

電荷形成パルスの放電によって形成した第１の壁電荷分布を消去せず、かつ第１の壁電荷分布では維持放電が発生しないような維持パルスを印加する。例文帳に追加

Such a sustained pulse is applied as does not eliminate a 1st wall charge distribution formed by electric discharges of a charge forming pulse, and does not generate sustained discharges on the 1st wall charge distribution. - 特許庁

半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３、第２の電荷障壁層４、および、ゲート電極４を順次積層した電界効果トランジスタ構造とする。例文帳に追加

The memory device has a structure of a field effect transistor wherein a semiconductor layer 1, first charge barrier layer 2, charge accumulation layer 3, second charge barrier layer 4, and gate electrode 4 are stacked in this order. - 特許庁

初期化期間（２）は、維持放電が行われたときに蓄積された走査電極（２２−ｉ）と維持電極（２３−ｉ）間の電荷を調整するための壁電荷調整放電を行う壁電荷調整期間（６）と、消去期間（８、１０）とを含む。例文帳に追加

The initialization period (2) includes: a wall electric charge adjustment period (6) in which wall electric charge adjustment discharge for adjusting electric charges accumulated between the scanning electrode (22-i) and the maintenance electrode (23-i) during maintenance discharge is carried out; and erasure periods (8, 10). - 特許庁

半導体層１に電荷障壁層２、電荷移動層３、ゲート電極４を順次積層しした層構造とする。例文帳に追加

A layer structure is obtained, by sequentially laminating a charge barrier layer 2, a charge transfer layer 3, and a gate electrode 4 on a semiconductor layer 1. - 特許庁

電荷蓄積膜のコーナー部の薄膜化を抑制して電荷保持特性を向上するために、選択ゲート電極１５の側壁にテーパーを設ける。例文帳に追加

A sidewall of a selection gate electrode 15 is tapered so as to improve charge retention characteristics by suppressing film thinning at a corner part of the charge storage film. - 特許庁

該第２トンネル障壁構造体上に電荷トラップ構造体が配置され、該電荷トラップ構造体上に阻止誘電構造体が配置されている。例文帳に追加

A charge trap structure is arranged on the second tunnel barrier structure, and a blocking dielectric structure is arranged on the charge trap structure. - 特許庁

水平電荷転送素子を構成する水平電荷転送チャネルに沿ってドレイン領域を形成し、水平電荷転送チャネルと前記ドレイン領域との間に電荷に対する障壁となる障壁領域を介在させ、水平電荷転送チャネルと、障壁領域と、ドレイン領域とによって二電極素子を構成する。例文帳に追加

A drain region is formed along a horizontal charge transmission channel for constituting the horizontal charge transmission element, a barrier region that serves as a barrier to charge is included between the horizontal charge transmission channel and the drain region, and a two-electrode element is composed of the horizontal charge transmission channel, and barrier and drain regions. - 特許庁

半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３に所定の材料を用いることにより、半導体層１と電荷蓄積層３間にショットキー放出による電気伝導を生じせしめる。例文帳に追加

By using specified materials for the semiconductor layer 1, the first charge barrier layer 2, and the charge accumulation layer 3; electric conduction is induced between the semiconductor layer 1 and the charge accumulation layer 3 by Schottky discharge. - 特許庁

即ち、電荷蓄積用不純物拡散領域から電荷検出部に信号電荷を転送するときに、両者の間に電位の障壁は生じず、完全転送を実現できる。例文帳に追加

That is, when a signal charge is transferred from the impurity diffusion region for electric charge storage to the charge detection part, a potential barrier is not generated between both thereof and complete transfer is realized. - 特許庁

電荷排出回路に含まれる垂直電荷転送装置の転送チャネル内に確率的に存在する電位障壁又は電位ばらつき等に起因する電荷転送残りによる縦線の発生を抑制する。例文帳に追加

To suppress the occurrence of longitudinal lines due to untransferred remainders of transferred charges caused by a potential barrier, potential fluctuation, etc., existing in probability in the transfer channels of vertical charge transfer devices contained in charge discharging circuits. - 特許庁

電荷を捕獲する銀微粒子１０３は、電荷の通り抜けに対する障壁となる酸化銀１０４で覆われているので、メモリ機能体１１３は、常温で安定して電荷を保持することができる。例文帳に追加

Since the fine silver particle 103 for capturing charges is covered with a silver oxide 104 becoming a barrier for preventing charges from passing through, the memory function body 113 can hold charges stably under normal temperature. - 特許庁

非対称な複数のトンネル障壁を有する電荷トラップ浮遊ゲートメモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a charge trap floating gate memory element comprising a plurality of asymmetric tunnel barriers. - 特許庁

フラットパネルディスプレイ内のスペーサ壁上に蓄積される電荷を低減する。例文帳に追加

To reduce electric charge built up on a spacer wall in a flat panel display. - 特許庁

全画素領域内の正規の領域に、所定量の壁電荷が安定して形成される。例文帳に追加

Thus, a predetermined quantity of wall charges are stably formed in the normal area in the whole pixel area. - 特許庁

電極間絶縁膜３は、第１層の電荷転送電極４０の側壁から成膜されるものである。例文帳に追加

The inter-electrode insulating film 3 is formed of the sidewall of the charge transfer electrode 40 of the 1st layer. - 特許庁

放電セルにおいて所望の壁電荷分布を安定して形成し得、高い表示品質を実現する。例文帳に追加

To stably form desired wall charge distribution in discharge cells and to obtain high display quality. - 特許庁

壁電荷を精密に制御できるプラズマディスプレイパネル及びその駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma display panel capable precisely controlling wall charges and a driving method thereof. - 特許庁

フラットパネルディスプレイ内のスペーサ壁上に蓄積される電荷を低減する。例文帳に追加

To reduce electric charges which have accumulated on a spacer wall, inside a flat panel display. - 特許庁

壁電荷の蓄積の違いによる誤った表示動作をなくして高精細化する。例文帳に追加

To improve the definition of a display by eliminating an erroneous displaying function due to a difference in the storage of wall electric charge. - 特許庁

溝１１内側の側壁部分両側に電荷蓄積層としての浮遊ゲート３０を形成する。例文帳に追加

A floating gate 30, which is an electric charge accumulating layer is formed on both sides at the sidewall part inside the channel 11. - 特許庁

壁電荷形成パルスＶｗｍの時間幅は、例えば３乃至５０μｓとする。例文帳に追加

The duration of the wall charge forming pulse Vwm is, for example, made to 3 to 50 μs. - 特許庁

暗所コントラストを向上させつつ、放電セル内の壁電荷分布を最適に制御し得る。例文帳に追加

To suitably control a wall charge distribution in a discharge cell while improving a dark-place contrast. - 特許庁

メモリトランジスタ１０１は、第１トンネル障壁膜５を介して電荷蓄積電極１２と対向する電荷移動層６と、第２トンネル障壁膜７を介して電荷移動層６と対向する電荷供給電極８と、記憶制御ゲート絶縁膜１０を介して電荷移動層６の全側面を囲む記憶制御ゲート電極１１とを有するデータ記憶部１０３を備えている。例文帳に追加

A memory transistor 101 comprises a data memory 103, having a charge migration layer 6 which faces a charge storage electrode 12 through a first tunnel barrier film 5, a charge supply electrode 8 facing the charge migration layer 6 through a second tunnel barrier film 7, and a memory control gate electrode 11 surrounding the entire side face of the charge migration layer 6 through a memory control gate insulation film 10. - 特許庁

ＣＣＤは、第１層及び第２層電荷転送電極１１、１２と、第１層電荷転送電極１１の下に配置される電荷蓄積層（Ｎ型ウエル）及び第２電荷転送電極１２の下に配置される障壁層（Ｎ^-型ウエル）からなる転送チャネル１７と、一対の配線４１、４２とを有する。例文帳に追加

The CCD has first and second layer charge transfer electrodes 11, 12, a transfer channel 17, made of a charge storage layer (N-type well) disposed underneath the electrode 11 and a barrier layer (N^--type well) disposed underneath the electrode 12, and a pair of wirings 41, 42. - 特許庁

すると，電極の外側領域に存在する壁電荷の量を減らすことができ，後続のリセット期間でアドレッシングに適した壁電荷を容易に制御することができる。例文帳に追加

By generating a weak sustain discharge, the amount of wall charge formed in the exterior area of electrodes may be reduced. - 特許庁

維持電極が接地電圧にバイアスされれば，リセット期間に走査電極に低い電圧が印加されるので，走査電極の壁電荷による電位がアドレス電極の壁電荷による電位より高くなる。例文帳に追加

If the maintaining electrode is biased to the grounding voltage, a low voltage is applied to the scan electrode in a reset period and therefore the potential by wall charge of the scan electrode turns higher than the potential by the wall charge of an address electrode. - 特許庁

このとき，維持電極が接地電圧でバイアスされると，リセット期間で走査電極に低い電圧が印加され，走査電極の壁電荷による電位がアドレス電極の壁電荷による電位より高くなる。例文帳に追加

When the sustain electrode is biased at the ground voltage, a low voltage is impressed to the scan electrode in a reset period and potential based on the wall charge of the scan electrode is made higher than potential based on the wall charge of an address electrode. - 特許庁

１セル内のＸ電極とＹ電極に同極性で同一量の壁電荷を、Ｘ電極とＹ電極の間の面放電が発生している間に形成し、その壁電荷量によって点灯と非点灯を区別している。例文帳に追加

The same polarity and the same amount of wall electric charges are formed to the X and Y electrodes in one cell while surface electric discharge is generated between the X and Y electrodes so that turn-on and turn-off are distinguished by the wall electric charge amount. - 特許庁

Ｘ，Ｙ電極データ制御手段１７は、平均信号レベルを壁電荷制御手段１４，１８に送り、リセット行程あるいはアドレス行程での壁電荷を制御する信号を生成させる。例文帳に追加

The X,Y electrode data control means 17 sends the average signal level to wall charge control means 14, 18 to generate a signal controlling wall charge in a reset process or an address process. - 特許庁

これにより書き込み放電後にスキャン側電極−サステイン側電極間の電位差を打ち消すようにセルの壁面に蓄積される電荷量を減少させることで壁電荷量を調節することができる。例文帳に追加

Thus, the wall charge amounts can be adjusted by reducing the charge amounts accumulated on the wall surface of a cell so as to offset a potential difference between the scanning side electrode and the sustaining side electrode after write discharge. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。例文帳に追加

Then a height of a potential barrier formed according to the voltage applied to the barrier control electrode 14c is adjusted to separate a predetermined constant quantity of unnecessary electric charges in a charge separation section. - 特許庁

そして、壁電荷形成期間２４において、共通電極Ｃ及びデータ電極Ｄの電位を接地電位とし、全ての走査電極Ｓに走査パルスＶｗと同電位の壁電荷形成パルスＶｗｍを印加する。例文帳に追加

Then, for the wall charge forming period 24, a common electrode C and a data electrode D are kept at the ground potential, and a wall charge forming pulse Vwm of the same potential as the scanning pulse Vw is applied to all the scanning electrodes S. - 特許庁

まず、リセット段階で、以前サブフィールドで形成された壁電荷が消去され、第１走査段階では、XY電極ライン双のY電極周囲に第２極性の壁電荷が形成される。例文帳に追加

Firstly, at a reset stage, the wall charges, which have been formed in a sub-field before, are eliminated, and at a 1st scanning stage, the wall charges of the 2nd polarity are formed around the Y-electrode of an XY- electrode line pair. - 特許庁

表示負荷率が低い場合は、維持放電規模が大きく壁電荷の量も低下せず、表示負荷率が高い場合は、維持放電規模が小さく壁電荷の量が大きく低下する。例文帳に追加

When the display load factor is low, the scale of trickle discharges is large and the quantity of wall charges is also lowered, and when the display load factor is high, the scale of trickle discharges is small and the quantity of wall charges is largely lowered. - 特許庁

維持期間の最後に維持電極１９ｂ側に維持パルスを印加することによって、放電期間終了時には、維持電極１９ｂ側に負の壁電荷が、走査電極１９ａ側に正の壁電荷が蓄積される。例文帳に追加

A maintenance pulse is applied to a maintenance electrode 19b in the ending of a maintenance period and then while negative wall electric charges are accumulated on the side of the maintenance electrode 19b in the ending of a discharge period, positive wall electric charges are accumulated on the side of a scanning electrode 19a. - 特許庁