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小結晶の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1291



例文

CZ法により成長したシリコン単結晶に観察される全ての微欠陥のパターンを実際の成長条件に対して、一組のモデル定数で実質的に再現する。例文帳に追加

To substantially reproduce a pattern of all minute defects observed in a silicon signal crystal grown by a CZ method with a couple of model constants against practical growth conditions. - 特許庁

合金組成を制御して、結晶粒径を250μm以下とすることにより、Al−Zn−Mg系アルミニウム材料をインパクト成形した型構造用部品の製造を可能にした。例文帳に追加

The small structural parts obtained by impact molding of the Al-Zn-Mg-based aluminum material can be manufactured by controlling an alloy composition to regulate grain size to ≤250 μm. - 特許庁

抗電界Ecがさく残留分極Prが大きいビスマス層状構造強誘電体結晶、およびその製造方法、ならびにそれを用いた電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a bismuth layered structural ferroelectric crystal which has small coercive electric field Ec and large residual polarization Pr; and to provide its producing method, and an electronic device using the same. - 特許庁

熱緩衝膜20は、シリコンウェーハWと一体に形成され、シリコン単結晶よりも熱伝導率のさいシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜が採用される。例文帳に追加

The thermal buffer film 20 is integrally formed with the silicon wafer W, and a silicon oxide film having a smaller heat conductivity than that of a single crystal or a silicon nitride film is adopted. - 特許庁

例文

高純度のシリコン結晶を製造する方法を単純なプロセスで,消費エネルギーを最とし,高純度シリコン融体を連続的に多量生産する製造プロセスとする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a high purity silicon crystal by which a high purity silicon molten body is continuously mass-produced with a simple process and minimized energy consumption. - 特許庁


例文

繊維径が極めてさく、均一で、繊維長が1mm以上であり、その結晶化度が低いことを特徴とする、セルロース極細繊維およびその繊維集合体シートとその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a cellulose ultrafine fiber in which the ultrafine fiber is uniform with an extremely small fiber diameter, ≥1 mm fiber length and low crystallinity thereof, to provide a fiber aggregate sheet thereof and to provide a method for producing the fiber aggregate sheet. - 特許庁

電気機械結合係数が大きく、フィルター、ジャイロ等の波動デバイス用途の型化、高圧電応答性を可能にする圧電単結晶組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a piezoelectric single crystal composition having high electromechanical coupling coefficient and enabling the downsizing of devices and high piezoelectric response in the application to wave devices such as filters or gyroscopes. - 特許庁

2個以上の微試料を互いに近接した位置に保持することができる光ピンセット、及びそれに用いる2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源を提供する。例文帳に追加

To provide a photo tweezer for holding two or more minute samples in mutually adjacent positions, and a 2-dimensional photonic crystal face emission laser light source using the photo tweezer. - 特許庁

CLBO結晶1の出射側と入射側に中空管5,5’を設け、該中空管5,5’の両端部分の温度とその周囲雰囲気温度との差をさくする。例文帳に追加

Hollow tubes 5, 5' are attached to the exit side and entrance side of a CLBO crystal 1 to decrease the temp. difference between the both ends of the hollow tubes 5, 5' and the ambient atmospheric temp. - 特許庁

例文

これによって、大口径の半導体単結晶ウエハの一部に欠陥が含まれていても、その欠陥を除く部分から切り出された口径のウエハを出荷し得るという、副次的効果をも得ることができる。例文帳に追加

This also brings about a secondary result that even if a semiconductor single crystal wafer of a large caliber partially has a defect, a wafer of a smaller caliber that is obtained from the part excluding the defect can be shipped. - 特許庁

例文

な膜厚を有する解析対象膜を含む解析用試料を、その解析対象膜の結晶構造を変化させることなく高精度に形成することのできる試料作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sample preparing method capable of forming an analytical sample containing a film to be analyzed having a minute film thickness without changing the crystal structure of the film to be analyzed. - 特許庁

A電極2及びB電極3は、大型光学結晶1の周囲を巻回するように、各側面においてその面の端部側の電極幅がさくその面の中央部の電極幅が大きくなるように形成する。例文帳に追加

The A electrode 2 and B electrode 3 are formed so as to have a small electrode width on an end side of each flank and a large electrode width at the center part of the flank to enclose a circumference of the large-sized optical crystal 1. - 特許庁

より電気機械結合係数が大きく、音速がさい圧電単結晶とシリコン基板とを直接接合した複合圧電基板とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a piezoelectric composite substrate in which a piezoelectric single crystal having a larger electromechanical coupling factor and a low sound velocity and a silicon substrate are directly joined and to provide its manufacture method. - 特許庁

型でありながら、昇華性ドーパントを収容する試料管の位置を容易に修正可能な昇降手段を有するシリコン単結晶引上装置を提供する。例文帳に追加

To provide a pulling apparatus of a silicon single crystal having a rising and falling means by which the position of a sample tube housing a sublimable dopant can be easily modified although it is miniaturized. - 特許庁

ソーラスリット12とコリメータとを選択し、X線検出装置21の機能を選択することにより、結晶粒の大に拘わらず適正な条件でX線回折測定を行うことができる。例文帳に追加

By selecting the solar slit 12 and the collimator and selecting the function of the X-ray detector 21, X-ray diffraction and measurement can be performed under a proper condition regardless of the size of a crystal grain. - 特許庁

このようにして形成された半導体膜は前記走査方向においては実質的に単結晶に近い特性のものとなるが、高調波のCWレーザの出力がさくアニールの効率が悪い。例文帳に追加

The output is assisted by simultaneous irradiation of a CW laser converted to a second higher harmonic wave and a CW laser as the fundamental wave to the same part of the semiconductor film. - 特許庁

デバイスサイズ相当の大きな粒径の結晶により構成され、且つ、その表面の凹凸がさいシリコン薄膜を得ることができるレーザアニール方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a silicon thin-film being composed of a crystal having a large grain size corresponding to a device size and having the small irregularities of the surface of the crystal. - 特許庁

次いで生産部品を生産金型で成形し、結晶化温度でアニールして、寸法公差のさい、高い引っ張り強度を有する部品を得ることができる。例文帳に追加

A component as a product is molded by the mold for production, annealed at the crystallizing temperature, the component with a small dimensional tolerance and a high tensile strength can be produced. - 特許庁

レンズ間に複屈折結晶を配置した光モジュールの型化、コストダウン、挿入損失の低減化に貢献する光モジュール、および光サーキュレータを提供する。例文帳に追加

To provide on optical module that contributes the miniaturization, cost reduction, and insertion loss reduction of an optical module in which a birefringent crystal is arranged between lens, and an optical circulator. - 特許庁

全体のシステムの広い波長可変性を確実にするために、非線形光学結晶での周波数変換と合同して超短パルスの型光源のラマンシフトが実施される。例文帳に追加

To ensure a wide tunability of the whole system, Raman-shifting of the compact sources of ultrashort pulses in conjunction with frequency-conversion in nonlinear optical crystals can be implemented. - 特許庁

その作製は、任意の指数の面から微角傾斜した単結晶傾斜基体1上に、細線2の熱電物質を構成する原料と非導電物質3の原料とを交互に供給して実施する。例文帳に追加

The raw material constituting the thermoelectric conversion material of the thin wire 2 and the raw material of the non-conductive material 3 are alternately supplied on the single crystal inclined substrate 1 inclined from the face of an arbitrary exponent by the micro angle. - 特許庁

電磁鋳造方法により多結晶シリコンを製造するに際し、最終凝固部における異物析出範囲を縮させ、クラックの発生を防止することができる電磁鋳造方法および電磁鋳造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electromagnetic casting method and an electromagnetic casting apparatus capable of preventing crack generation by reducing a foreign matter deposition range in a final coagulation part, when producing polycrystalline silicon by the electromagnetic casting method. - 特許庁

ポリスルホンは、その非結晶性ゆえに成形収縮率がさくて寸法精度が高く、耐クリープ性が高くて変形しても復元しやすく、しかも耐熱性が高い。例文帳に追加

The polysulfone is noncrystalline, thereby having a small mold shrinkage rate to obtain dimensional accuracy, high creep resistance to be easily restored even when being deformed, and high heat resistance. - 特許庁

本発明は、凸度のさいサファイア単結晶を、従来の安価な装置を用いて、安価で且つ簡便に育成する方法の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a method for growing a sapphire single crystal, by which the sapphire single crystal having a small projection degree can be easily and inexpensively grown by using an inexpensive conventional apparatus. - 特許庁

金属基材1上に、金属基材1の金属粒子の平均粒径よりもさい平均粒径を有する金属基材1の溶融・固化層2を介して結晶化セラミックス皮膜3を形成する。例文帳に追加

On the metal substrate 1, the crystallized ceramic coating film 3 is formed via a melt-solidified layer 2 of the metal substrate 1 having an average particle size smaller than the average particle size of metal particles of the metal substrate 1. - 特許庁

第一加熱段階では、K_2TaF_7の層の固体状態での還元を促進し、タンタル結晶成長を最限にする一方で、非常に微細なタンタル粒子を生成することができる。例文帳に追加

A first heating phase is used to promote the solid state reduction of the layer of K_2TaF_7, which results in the production of very fine tantalum particles while minimizing tantalum crystal growth. - 特許庁

結晶異方性エッチングと等方性エッチングの組み合わにより、裏面側からの基板エッチングで裏面側での広がりのさな貫通孔を形成できる振動センサの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a vibration sensor which can form a through hole whose expansion on the back side is small in substrate etching from the back side by a combination of crystal anisotropic etching and isotropic etching. - 特許庁

光ファイバの出口に設けられるレンズ群の型化を図りながら、半導体層の結晶化や不純物の活性化などに必要な高密度のレーザ光を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a semiconductor device capable of generating a high density laser light required for crystallization of a semiconductor layer or activation of impurities while reducing the size of a lens group disposed at the outlet of optical fibers. - 特許庁

多数個の結晶半導体粒子を光反射部材の開口部に、隙間を最限にして一括的に容易に挿入することができ、その結果光電変換効率を向上させた光電変換装置を得ること。例文帳に追加

To obtain a photoelectric conversion device which can improve photoelectric conversion efficiency by collectively inserting a large number of crystal semiconductor particles easily into an opening of a light reflecting member with a minimized gap. - 特許庁

歪のさいサファイア単結晶インゴット、サファイア基板およびサファイア基板に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a sapphire single crystal ingot having a small strain, to provide a sapphire substrate, and to provide a high quality semiconductor light emitting element that is obtained by forming a compound semiconductor layer on a sapphire substrate. - 特許庁

ターゲットとバッキングプレートを熱間静水圧プレスにより接合する際に、結晶粒成長がさい銅合金スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a copper alloy sputtering target whose crystal grain growth is small when it is jointed with a backing plate by hot static hydraulic pressing. - 特許庁

シリコン単結晶基板と信号線路との間に絶縁膜を形成することなく、ミリ波帯域での基板への電磁波の漏れによる減衰がさいコプレーナ線路及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a coplanar line with a small attenuation caused by leakage of electromagnetic waves to a substrate in a millimeter wave band without forming any insulating film between a silicon monocrystalline substrate and a signal line, and to provide a method of manufacturing the coplanar line. - 特許庁

{0001}面を除いて任意に特定される{hkil}面に対して面方位のばらつきがさな主面を有するIII族窒化物結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride crystal having a principal plane whose plane orientation with respect to an any specified {hkil} plane except the {0001} plane has a small variation. - 特許庁

質量分析計で分析される測定試料の脱塩処理を低コストで迅速かつ感度向上に役立つ微小結晶化が可能なピンスポット用プレートカラム装置を実現する。例文帳に追加

To provide a plate column device for a pin spot enabling micro crystallization by performing desalting treatment useful for sensitivity improvement quickly at low cost of a measuring sample to be analyzed by a mass spectrometer. - 特許庁

サファイア単結晶インゴットの外周部にある加工歪みや微クラックを除去した大口径のサファイア基板とその経済的に効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a large diameter sapphire substrate from which machining strains or fine cracks caused in the outer peripheral part of a sapphire single crystal ingot are removed, and to provide a method for economically and efficiently producing the sapphire substrate. - 特許庁

従来、位相シフタの大面積化に伴い撓みが発生し、位相シフタと被処理基板との間の距離が一定でなくなり、レーザ光によるアニール処理を行うと結晶化シリコンの粒径に大の差が生じている。例文帳に追加

To solve the problem wherein size differences occur in the diameters of crystallized silicon grains when annealing is performed by using laser light, because deflection occurs as the area of a phase shifter is increased and the distance between the shifter and a substrate to be treated is not fixed. - 特許庁

膜厚の大きいレーザダイオード20側では、1つの誘電体膜40Aで電流ブロック層50の結晶成長領域の面積を大きくし、マイグレーションの量をさくする。例文帳に追加

On the side of a laser diode 20 having a large film thickness, the area of the crystal growth region of a current blocking layer 50 is increased by one dielectric film 40A, and the amount of a migration is reduced. - 特許庁

その結果、超解像再生の際には、アモルファス状態に近いさな結晶ドメインと溶融状態間とでの大きな反射光レベルの変化が記録マーク部分で起こる。例文帳に追加

When making super resolution reproduction, the reflected light level largely changes between the almost amorphous small crystal domain and the melted state. - 特許庁

金属ストリップ製品の結晶粒を微細化することができるうえに、製品の長さ方向での形状変化をさくし、製品の形状をより平坦とすることができる熱間圧延ラインを提供する。例文帳に追加

To provide a hot-rolling line by which the change in shape in the length direction of a product is made smaller and the shape of the product is made flatter, while the crystal grain of the product of a metallic strip is refined. - 特許庁

WSiN膜3は、WSi膜4がポリSi膜2と反応してグレイン成長するのを抑制するため、WSi膜4の結晶粒がさくなり、遮光特性が向上する。例文帳に追加

Because the WSiN film 3 suppresses a reaction of the WSi film 4 with the polysilicon film 2 to produce grain growth, a crystal grain of the WSi film 4 gets smaller and the light shielding characteristics are improved. - 特許庁

試料台10、連結リブ60、外枠70および接続リブ80は、全てシリコン製であり、単結晶シリコンウエハ101から一体で作製される。例文帳に追加

The micro sample block 10, the connection rib 60, the outer frame 70 and the connection rib 80 are made of silicon in the wholes thereof, and are integrally manufactured of a single crystal silicon wafer 101. - 特許庁

この時、下部電極、誘電体膜と上部電極の結晶粒界のそれぞれの平均粒径の少なくとも1つを、下部電極の最大幅の10分の1よりさくする。例文帳に追加

In this case, at least one of each of mean particle sizes of crystal grain boundaries of the lower electrode, the dielectric film and the upper electrode is made smaller than one-tenth of the largest width of the lower electrode. - 特許庁

鋳造時の凝固工程に起因する巣の発生がなく結晶粒径が比較的さく均質な微細構造を有するスパッタリングターゲットを製造する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a sputtering target free from the cavities caused in a solidification step at casting, having relatively small grain size and a homogeneous fine structure. - 特許庁

高さが最大値から最大値と最値の差分の1/2を示す領域の占める割合が、29〜72%である表面形状を持つ結晶性半導体薄膜を有する半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a crystalline semiconductor thin film having a surface shape wherein areas having heights ranging a maximum value to a half of a difference between the maximum value and a minimum value share 29 to 72% of the entire areas. - 特許庁

各トランジスタ部において絶縁膜8に第1の開口が形成され、多結晶シリコン層11に第1の開口よりさい第2の開口が該第1の開口と同軸に形成される。例文帳に追加

At each transistor part, a first opening is formed in an insulating film 8 and a second opening, which is smaller than the first opening, is formed in a poly-crystal silicon layer 11 coaxially with the first opening. - 特許庁

アイソレーションバルブ手段等のクリーニングが容易で、作業者に負担がかからず、引上げ装置の据え付けスペースもさく、生産性向上に寄与する単結晶引上げ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling apparatus capable of readily cleaning an isolation valve means, etc., not burdening an operator, having a small installation space for the pulling apparatus and contributing to improvement in productivity. - 特許庁

結晶欠陥に起因するリーク電流が少なく、かつ、ウェル領域の境界に要するマージンがさい、DTMOS及び基板バイアス可変トランジスタを備えた半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device whose leakage current caused by crystal defects is small, a margin needed for the boundary of well areas is small, and having a DTMOS and a substrate bias variable transistor. - 特許庁

画像欠陥の発生等の問題が発生し未だ高感度、高画質、高安定性の全てを充分に満足する感光体が作製できるような結晶型チタニルフタロシアニンが未だ得られていない。例文帳に追加

To obtain a crystal type oxotitanyl phthalocyanine capable of preparing a sensitive material sufficiently satisfying all of high sensitivity, high image quality and high stability without causing a problem of occurrence of fine image defects or the like. - 特許庁

結晶温度に起因する焼鈍後の変色を防止し、箔にした際の強度及び加工特性に優れ、表面粗さのさい圧延銅箔を提供する。例文帳に追加

To provide a rolled copper foil in which discoloration after annealing due to recrystallization temperature can be prevented and which has excellent strength and workability when being formed in the foil and also has small surface roughness. - 特許庁

例文

結晶粒界の影響が無視し得るほどさい半導体薄膜から動作半導体膜を形成し、極めて高い移動度の薄膜型の半導体装置を実現する。例文帳に追加

To realize a thin film semiconductor device which has very high mobility, by forming an operating semiconductor layer from such a semiconductor thin layer that the influence of grain boundaries is negligible. - 特許庁

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