「小結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

磁気光学結晶に印加する磁界を変化させる電磁石を備えていても、小型で、温度上昇が少なく、消費電力の小さい磁気光学光部品を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magneto-optic optical component which is miniaturized and nearly free from temperature increase and has low power consumption even if the optical component is provided with a magnet changing a magnetic field applied to a magneto-optic crystal. - 特許庁

半導体層１０，２０がｐｎ接合Ｊ５０ａを形成する場合、これはシリサイド層２０ｓの端部から近く、結晶欠陥が小さい位置に存在するので、ここにおけるリーク電流は非常に小さい。例文帳に追加

When the semiconductor layers 10 and 20 form a pn junction J50a, leakage current occurring at the pn junction J50a is extremely small because the pn junction J50a exists near an edge of the silicide layer 20s and at a location having less crystal defect. - 特許庁

先端デバイスプロセスである低温プロセス後のウェーハ表面近傍に形成される小さなＢＭＤなど微小な欠陥であっても測定することができる測定感度の高い結晶欠陥の検出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a detecting method for a crystalline defect with high measurement sensitivity in which even a microdefect such as a small BMD formed nearby a wafer surface after a low-temperature process as an advanced device process can be measured. - 特許庁

径が小さく均一な金属化合物の結晶子が、そのままの状態、または径が小さく均一な凝集体の状態で分散し、且つ保存性に優れた金属化合物のコロイド溶液およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a colloidal solution of a metallic compound excellent in preservability, wherein uniform crystallites of a metallic compound having small diameters are dispersed as they are or in a state of uniform aggregates thereof having small diameters, and a method of producing the same. - 特許庁

オフリークが小さく、かつ素子毎のオフリークのばらつきが小さな、多結晶半導体からなるチャネル領域をもつ半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, having a channel region made of a polycrystalline semiconductor having a small off-leakage and a small unevenness of the off-leakage at each element. - 特許庁

一方、膜厚の小さいレーザダイオード３０側では、３つの誘電体膜４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄで電流ブロック層５０の結晶成長領域の面積を小さくし、マイグレーションの量を大きくする。例文帳に追加

On the side of a laser diode 30 having a small film thickness, the area of the crystal growth region of the current blocking layer 50 is reduced by three dielectric films 40B, 40C, 40D, and the amount of the migration is increased. - 特許庁

ｐｎ接合Ｊ５は分離体４１，４２と離れ、従って結晶欠陥が非常に小さい位置に存在するので、ここにおけるリーク電流は非常に小さい。例文帳に追加

Because the p-n junction J5 exists in the position that is apart from isolation bodies 41, 42 and thus has very little crystal defects, the leakage current at this position is very small. - 特許庁

近視野光プローブを持つスライダーをフォトニックバンドギャップを持つ結晶２に微小な光の通路３を形成することによって作成し、微小開口６に至るまでの光伝播の効率を向上させた。例文帳に追加

The slider having a near field optical probe is created by forming a minute path 3 of light at a crystal 2 having photonic band gap and efficiency of light propagation to a minute opening 6 is improved. - 特許庁

密度が理論的真密度の９９.９％より大きく、こうして孔の割合は０.１％より小さく、表面粗度Ｒ_ａは１５０ｎｍより小さい粒子からなることを特徴とする、多結晶シリコン顆粒。例文帳に追加

The polycrystalline granulated silicon is made of particles which have a density of greater than 99.9% of the theoretical solid density and therefore have a pore content of less than 0.1% and have a surface roughness R_a of less than 150 nm. - 特許庁

トリウムタングステン電極より仕事関数が小さくて動作温度を低くでき、電極材がアークと接触する範囲以外は、電極材温度を再結晶温度（1500℃）以下にすることができるので、電極の変形範囲が最小となる。例文帳に追加

As a material for the negative electrode, 2 wt.% of La2O3-W is used, and as a material for the positive electrode, pure W is used. - 特許庁

径が小さく均一な金属化合物の結晶子が、径が小さく均一な凝集体の状態で分散し、且つ保存性に優れた金属化合物のコロイド溶液を提供すること。例文帳に追加

To provide a colloidal solution of a metallic compound having excellent preservability wherein uniform crystallites of a metallic compound having small crystallite diameters are dispersed in a state of uniform aggregates having small diameters. - 特許庁

結晶粒径が小さいので、ダイヤモンド膜の表面粗さＲａは小さくなり高精度な加工ができるが、必要に応じてダイヤモンドペーパーなどで研磨を行う。例文帳に追加

The grain size is small, so the surface roughness Ra of the diamond film is reduced and highly accurate working is enabled, but polishing using a diamond paper, or the like is performed if necessary. - 特許庁

実験室レベルのＸ線小角測定装置を用いて配向性試料の結晶性を簡単且つ正確に評価できる超小角Ｘ線散乱測定に基づく配向度の解析方法を提供する。例文帳に追加

To provide an analyzing method of the orientation based on ultra-small-angle X-ray scattering measurements capable of easily and accurately evaluating the crystallinity of the orientation sample, by using an X-ray small-angle measuring device of a laboratory level. - 特許庁

縮径部の最小径が５ｍｍ以上と太い場合であっても、転位が増えることによるネック部の最小径部分における強度低下を防止すると共に、当該ネック部において、転位を消滅させて無転位のシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal production method which, even when the smallest diameter of a diameter contraction part is as large as 5 mm or larger, can produce a silicon single crystal prevented from loss of strength in the smallest diameter part of its neck due to its increased dislocation density and is made dislocation-free by eliminating dislocation in the neck. - 特許庁

半導体素子に設けられた第１の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第１の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第２の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第２の層を設ける（ステップＳ１）。例文帳に追加

Mechanical processing of a surface of a first electrode provided to a semiconductor element is performed to provide a microcrystal first layer having a smaller particle diameter than that before the mechanical processing, and mechanical processing of a surface of a second electrode provided to a mounting member for mounting the semiconductor element is performed to provide a microcrystal second layer having a smaller particle diameter than that before the mechanical processing (step S1). - 特許庁

４つの位相シフト光路を、４分割プリズムとアレイ状に配置したフォトニック結晶λ/４素子及びフォトニック結晶偏光素子とを組み合わせて空間的に並列生成する構成とすることにより、小形の光干渉変位センサを構築し、適用対象を拡大すると共に外乱の影響を受けることなく、対象物の微小変位や表面凹凸をサブナノメートル以下の分解能でかつ高い再現性で測定する。例文帳に追加

Thus, a small optical interference displacement sensor is constructed so that the scope of the applicable objects is expanded and enables measurement of a micro-displacements or surface roughness of an object, with a resolution of subnanometer or smaller and with high reproducibility, without being influenced by external disturbances. - 特許庁

非対称反射結晶１８ａ、１８ｂは、入射したＸ線ビームの径および発散角を水平方向について縮小させることができるように配置されており、非対称反射結晶１８ｃ、１８ｄは、Ｘ線ビームの径および発散角を垂直方向について縮小させることができるように配置されている。例文帳に追加

Asymmetric reflection crystals 18a and 18b are disposed to be capable of contracting the diameter and diffusion angle of an incidental X-ray beam in a horizontal direction, and asymmetric reflection crystals 18c and 18d are disposed to be capable of contracting the diameter and diffusion angle of the X-ray beam in a vertical direction. - 特許庁

基板７１の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶の半導体薄膜７３を形成する成膜工程と、エネルギー面積密度に所定の分布を有するレーザ光の照射領域を基板７１に対して相対的に移動しながら、レーザ光を半導体薄膜７３に間欠的に照射して、非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶から比較的粒径の大きな多結晶に転換する照射工程とを行なう。例文帳に追加

The forming method comprises a film forming step of forming a thin film 73 of an amorphous or polycrystalline semiconductor having a comparatively small grain size on a substrate 71, and a step of intermittently irradiating a laser beam having a specified energy area density distribution on the semiconductor thin film 73 with laser beam irradiating regions moving, relative to the substrate 71. - 特許庁

ガラス板は、予め微小粒子と同極性に帯電しているので、微小粒子とガラス板を含む保持部材４との静電相互作用及び微小粒子同士の静電相互作用により微小粒子がゾル状物質内で規則的配列し、ホトニック結晶と同等の特性をもつ。例文帳に追加

Since the glass plates are preliminarily electrified into the same polarity with the minute particles, the minute particles are regularly arranged in the sol substance by the electrostatic interaction between the minute particles and the holding member 4 including the glass plates and by the electrostatic interaction between the minute particles to generate equivalent characteristics to those of a photonic crystal. - 特許庁

フラッシュメモリは、フローティングゲート電極３と、フローティングゲート電極３上に設けられ、最小膜厚が５ｎｍ以上である膜厚分布を有する多結晶のゲート電極間絶縁膜５と、多結晶のゲート電極間絶縁膜５上に設けられたコントロールゲート電極４とを具備している。例文帳に追加

This flash memory comprises a floating gate electrode 3, the polycrystalline inter-gate-electrode insulating film 5 provided on the floating gate electrode 3 whose minimum film thickness being ≥5 nm, and a control gate electrode 4 provided on the polycrystalline inter-gate-electrode insulating film 5. - 特許庁

領域ごとに透過軸方向の選択可能な偏光分離作用のあるフォトニック結晶偏光子や、領域ごとに遅相軸方向の選択可能な偏光回転作用のあるフォトニック結晶波長板を、石英系光導波路チップの導波路上に挿入することで、偏光多重光コヒーレント通信用９０°ハイブリッドを小型にする。例文帳に追加

The 90° hybrid for polarizing multiplex light coherent communication is miniaturized by inserting a photonic crystal polarizer having polarizing separation action capable of selecting the transmission axis direction for each region, and a photonic crystal wavelength plate having polarizing rotation action capable of selecting the slow phase axis direction for each region into a waveguide of a quartz-based optical waveguide chip. - 特許庁

結晶性ポリエステルを水系分散液にした際の中和度の変動に対する粒径のバラツキを低減し、かつ結晶性ポリエステル粒子の粒度分布の変動係数（ＣＶ値）を小さくすること、及び低温定着性、光沢性及び常温高湿での耐久性に優れた電子写真用トナーを得ること。例文帳に追加

To reduce variation of particle diameters with respect to changes in a neutralization degree upon preparing a crystalline polyester in an aqueous dispersion, to reduce a coefficient of variation (CV value) in the particle size distribution of the crystalline polyester particles, and to obtain an electrophotographic toner excellent in low temperature fixing property, glossiness and durability at normal temperature and high humidity. - 特許庁

グラファイト等の結晶性の高い結晶性炭素材料を活物質とし、高分子カルボン酸化合物を結着剤として製造された負極を使用した二次電池においても、小さな内部抵抗と高い電気容量を長期使用において維持することが可能な二次電池用非水電解液、及び該非水電解液を用いた非水電解液二次電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonaqueous electrolytic solution for a secondary battery and a nonaqueous electrolytic solution secondary battery using the nonaqueous electrolytic solution in which even in the secondary battery having a crystalline carbon material high in crystallinity such as graphite as an active material, and using a negative electrode manufactured by using a polymer carboxylic acid compound as a binder, less inner resistance and high electric capacity can be maintained in use for a long period. - 特許庁

グラファイト等の結晶性の高い結晶性炭素材料を活物質とし高分子カルボン酸化合物を結着剤として製造された負極を使用した非水電解液二次電池においても、小さな内部抵抗と高い電気容量を長期使用において維持することが可能な二次電池用非水電解液、及び該二次電池用非水電解液を用いた非水電解液二次電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonaqueous electrolyte for a secondary battery capable of maintaining a small internal resistance and a high electric capacity for a long term use in a nonaqueous electrolyte secondary battery which uses a negative electrode having a crystalline carbon material with a high crystallinity such as graphite etc. as an active material and manufactured using a polymer carboxylic acid compound as a binder, and provide a nonaqueous electrolyte for the secondary battery using the same. - 特許庁

プリフォームの成形時にネック部を加熱して結晶化させるために、割型からなるネック部金型７ａ、７ｂに加熱装置ｈを付設するとともに、コア金型７に被着されているプリフォームネック部の結晶化進行中にコア金型から微小間隙を空けることによりプリフォームの過冷却を防止するようにしたこと。例文帳に追加

In order to crystallize the neck part by heating on the occasion of molding a preform, a heating device h is attached to neck part molds 7a and 7b consisting of splits, while the preform neck part made to fit to a core mold 7 is spaced minutely from the core mold to prevent excessive cooling of the preform in the process of crystallization of the neck part. - 特許庁

後収縮を低減し、結晶化度を制御することができることは勿論のこと、熱収縮と結晶収縮によるヒケ防止および離型時までの寸法変化を小さくすることができ、実用に耐えうる成形品を成形することができる熱可塑性樹脂成形品の射出成形方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for injection molding a thermoplastic resin molding capable of not only reducing a post contraction and controlling crystallinity but also preventing a shrink mark due to a thermal contraction and a crystal contraction and reducing a dimensional change up to a mold releasing time, and molding a molding durable against an actual use. - 特許庁

成長炉内の汚染を生じなく、低融点ドーパントの注入濃度の制御が可能で、低融点ドーパントの無駄遣いを最小にしながら、ドーピングの際に生じる酸化物によるシリコン単結晶生産への悪影響を除去したシリコン単結晶成長装置および低融点ドーパントの注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide silicon single crystal growth equipment that does not cause contamination within a growth furnace, can control an injection concentration of a low melting point dopant and eliminates adverse effect on the silicon single crystal growth production generated in doping while minimizing waste of the low melting point dopant and to provide a method for injecting the low melting point dopant. - 特許庁

良導電性金属帯を基材として微結晶シリコン及びまたは非結晶シリコンを積層成膜し、さらに透明電極を成膜積層して太陽電池素子とし、その電気的な接続を基材に形成する直線上の小突起と、透明電極上に形成する金属膜を表面活性化手段によって表面活性化し両者を金属間接合する。例文帳に追加

A solar battery element is formed by using a good-conductivity metallic belt as a base material, laminating the film of microcrystal silicon or noncrystal silicon, and further laminating a transparent electrode, and the electric connection thereof is made by surface-activating a projection on a straight line formed on the base material and a metallic film formed on the transparent electrode and making an inter-metal connection between the both. - 特許庁

高性能で大面積の画像表示装置を低コストで実現するため、薄膜トランジスタの素子材となる低温poly-Si薄膜において粒界散乱を抑制し、表面凹凸を小さくし、正孔キャリアについても高移動度が実現できる結晶構造を持つ多結晶薄膜を実現する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for materializing a polycrystalline thin film having crystal structure capable of materializing high mobility as regards a positive hole carrier, by suppressing the grain boundary dispersion and lessening the surface irregularity in a cryogenic poly-Si thin film to serve as the element material of a thin film transistor, so as to materialize an image display of high performance and large area at low cost. - 特許庁

原料脂肪酸類を溶融後、冷却することにより結晶を析出させ、濾過することにより飽和脂肪酸類と不飽和脂肪酸類を製造する方法であって、濾過操作における濾材として、析出する結晶の体積粒度分布に対して小さい側から累積５〜60質量％の粒径に相当する孔径を有する表面濾過濾材を使用する飽和脂肪酸類と不飽和脂肪酸類の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the saturated fatty acids and the unsaturated fatty acids by melting raw material fatty acids, cooling the melted fatty acids to precipitate crystals, and filtering the precipitates uses a surface filtration filter medium having an aperture corresponding to the particle diameters of accumulated 5-60 mass% from the small size side based on a volume particle size distribution of the precipitated crystals as the filter medium at the filtration operation. - 特許庁

活性層と２次元フォトニック結晶層を有するレーザ光源において、第１空孔２５１と、第１空孔２５１よりも面積が小さく厚さが薄い第２空孔２５２と、から成る異屈折率領域集合体２５を正方格子状に配置することにより２次元フォトニック結晶層２４を形成する。例文帳に追加

In the laser light source having an active layer and a two-dimensional photonic crystal layer, a different refractive index region assembly 25 comprised of a first hole 251 and a second hole 252 smaller in area and thickness than the first hole 251 is arranged in a tetragonal lattice to form the two-dimensional photonic crystal layer 24. - 特許庁

活性元素をドープした多結晶質透明セラミック部分２の少なくとも一つの端部が、活性元素を含まない多結晶質透明セラミック部分１と接合され、この結合された複合レーザ媒質の光学研摩された両端面は、表面の反射ロスを極小化するための誘電体多層膜６、７で被覆される。例文帳に追加

At least one end of an active element-doped polycrystalline transparent ceramic part 2 is connected to a polycrystalline transparent ceramic part 1 not containing the active element, and optically polished both end faces of connected composite laser medium are covered with dielectric multilayer films 6 and 7 for minimizing reflection losses on surfaces. - 特許庁

シリコン単結晶ウエハを基板として用いる太陽電池用基板において、シリコン単結晶ウエハの外周円に内接する正六角形よりも大きく、該ウエハの外周円が内接する正六角形よりも小さな正六角形で切り取られた、頂点に円形部分を残す擬正六角形８のウエハが、２つまたは４つに分割されていることを特徴としている。例文帳に追加

In a substrate for solar cell, utilizing a silicon single-crystal wafer as a substrate, a quasi-regular hexagonal wafer 8 having circular parts at the vertexes, being cut by a right hexagon large than a right hexagon inscribing the outer circumferential circle of the silicon single-crystal wafer but smaller than a right hexagon which circumscribes the outer circumferential circle of the wafer, is divided into two or four. - 特許庁

位相シフトマスク（１）を照明する照明光学系（２）を備え、位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を非晶質半導体膜（４）に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。例文帳に追加

The crystallization apparatus producing a crystalline semiconductor film is equipped with a lighting optical system (2) which illuminates a phase-shifting mask (1), and irradiates an amorphous semiconductor film (4) with light having a light intensity distribution of an inverted peak pattern showing that it is reduced to a minimum intensity at a point corresponding to the phase-shifting part of the phase-shifting mask (1). - 特許庁

転位密度が小さく、格子不整合が少なく、結晶性が優れており、その膜上に発光効率が優れたＩＩＩ族窒化物膜を形成することができ、そしてＩＩＩ族窒化物膜用下地基板、発光素子並びに表面弾性波デバイスに用いられる単結晶窒化アルミニウム膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a single crystal aluminum nitride membrane for use in an underlying substrate for the group III nitiride membrane, a luminescence element as well as a surface elastic wave devise, of which the transition density is small, the lattice inconsistencies are small and the crystallinity is excellent and that is capable of forming the group III nitride membrane with excellent luminous efficacy on the membrane. - 特許庁

水平な円筒容器内で気相法により結晶を成長する方法において、成長室の直径ｄ、長さをＬ、重力の加速度をｇ、気体の密度をρ、前記容器の中心軸に沿った温度分布、濃度分布又は分圧分布によって生ずる気体の最小密度と最大密度の差をΔρとし、前記容器の中心軸を中心に下記式を満たすように回転周波数ｆで前記容器を回転することを特徴とする結晶の成長方法。例文帳に追加

To provide the method which enables inhibition of any convection in a container without being restricted by the kinematic viscosity of gas, and stable crystal growth. - 特許庁

窒化物半導体発光素子のｐ型半導体層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型半導体層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。例文帳に追加

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6, and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7, thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally. - 特許庁

こうしてガス圧を小さくすれば、スパッタ粒子の平均自由工程が長くなってエネルギーの高いスパッタ粒子が大量に入射する結果、エネルギーの高いスパッタ粒子の入射による損傷を受けにくい結晶面である（１１−２０）面を持つ結晶粒が優先的に成長してｃ軸面内配向膜が形成される。例文帳に追加

Since the mean free path of the sputtered particles becomes long and a large amount of high-energy sputtered particles is incident by lessening a gas pressure, the crystal particles having a crystal plane (11-20) hardly damaging by incidence of the high-energy sputtered particles are preferentially grown, and the film with c-axis in-plane orientation is thus formed. - 特許庁

窒化物半導体発光素子のｐ型層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。例文帳に追加

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6 and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7 thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally. - 特許庁

圧電体５の圧電材料として、様々な長所［電気機械結合係数を大きくできると共に、所定の方向に振動させ易い結晶方位を持たせることが可能であり、しかも音速が低くてエッチング加工も可能であることにより振動子自体を小さくできる］を持つ酸化亜鉛（ＺｎＯ）のバルク単結晶を用いている。例文帳に追加

For the piezoelectric material of the piezoelectric body 5, bulk monocrystal of zinc oxide (ZnO) which has various advantages (electromechanical coupling coefficients can be made large, and also it is possible to give crystal orientation easy to make it vibrate in the specific direction, with low sound velocity, and etching treatment possible to make the vibrator small). - 特許庁

本発明は，高品質結晶の育成が可能でレーザー損傷の小さいＤＡＳＣ（４−Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ−４’−Ｎ’−ｍｅｔｈｙｌ−ｓｔｉｌｂａｚｏｌｉｕｍ ｐ−ｃｈｌｏｒｏ−ｂｅｎｚｅｎｅ ｓｕｌｆａｔｅ）結晶１０と２波長発振する光パラメトリック発振器を組み合わせることにより安定した高出力テラヘルツ波発生装置を提供するものである。例文帳に追加

Disclosed is the stable high-output terahertz wave generating device constituted by combining a DASC (4-N, N-dimethylamino-4'-N'-methyl-stilbazolium p-chloro-benzene sulfate) crystal 10 which can be grown with high quality and has small laser damage with an optical parametric oscillator oscillating with two wavelengths. - 特許庁

電極が形成される表面上に付着する微小異物及びウエーハの割れが大幅に低減される弾性表面波又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウエーハを提供し、ひいては優れた特性を有するフィルタ等が良好な製造歩留りで得られる圧電性単結晶ウエーハを提供する例文帳に追加

To provide a piezoelectric single crystal wafer for an elastic surface wave or pseudo-elastic surface wave device having remarkably decreased small foreign materials attached to the surface for forming an electrode and the crack of the wafer and provide a piezoelectric single crystal wafer giving a filter, etc. having excellent characteristics in high production yield. - 特許庁

ピストンリング１の少なくとも外周摺動部に多数の微小なディンプル２が形成され、ディンプル２の直下にナノ結晶層３が生成され、そのナノ結晶層３の厚みが２〜２０μｍで、表面の硬さが８００〜１０００ＨＶとなるよう、カバレッジ１００００〜５００００％相当のエアショットピーニングを施す。例文帳に追加

A large number of minute dimples 2 are formed in at least the outer peripheral sliding part of the piston ring 1, nano crystal layers 3 are generated just below the dimples, and air shot peening equivalent to 10,000 to 50,000% in coverage is applied to the nano crystal layers 3 so that their thickness becomes 2 to 20 μm and its surface hardness becomes 800 to 1000 HV. - 特許庁

液晶の冷却方法を工夫することにより、液晶の結晶状態を後方光散乱に比較して前方光散乱光の比率を大とする結晶状態とすることにより、記録媒体より反射してくる散乱光を小さくした書き換えが可能な可逆記録媒体および該可逆記録媒体を使用した記録方法の提供。例文帳に追加

To permit rewriting, reduced in scattered light reflected from a recording medium, by a method wherein the crystallizing condition of a liquid crystal, in which the ratio of fore light scattering is larger compared with rear light scattering, is obtained. - 特許庁

この記録層６は、下地層５側に形成され、少なくともＣｏ及びＰｔを含有するグラニュラー結晶構造でなる磁気記録層７と、保護層９側に形成され、磁気記録層７よりも小さい保磁力を有し、少なくともＦｅ及びＰｔを含有するグラニュラー結晶構造でなる記録補助層８とを有するようにする。例文帳に追加

The recording layer 6 includes a magnetic recording layer 7 formed on the base layer 5 side and comprising a granular crystal structure containing at least Co and Pt, and a recording auxiliary layer 8 formed on the protective layer 9 side, having coercive force smaller than that of the magnetic recording layer 7 and comprising a granular crystal structure containing at least Fe and Pt. - 特許庁