「小結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

生産性、材料選択性、凹凸面の設計の自由度、コストおよび波長選択性に優れた基板生成方法、フォトニック結晶素子の生成方法、フォトニック結晶構造の生成方法を提供することを課題とし、さらには、フォトニック結晶構造の光学特性の向上および形状の小型化を図ることを課題とする。例文帳に追加

To provide a substrate production method, a method for producing a photonic crystal element and a method for producing a photonic crystal structure, excellent in productivity, material selectivity, latitude of designing a rugged surface, cost and wavelength selectivity, and to improve optical characteristics of a photonic crystal structure and to minimize the size. - 特許庁

本発明は、硬脆材料であるセラミックスを脆性モード加工するための単結晶ダイヤモンドからなる切れ刃を有する単結晶ダイヤモンド工具において、切れ刃の両サイドの盛り上がり部分を脆性破壊させ、加工抵抗を小さくし、大きな切り込みを可能にした単結晶ダイヤモンド多刃工具及びその製造方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide a single crystal diamond multi-cutting edge tool having cutting edges made of single crystal diamond for machining ceramics, which is a fragile material, in a fragile mode, capable of realizing large cut-in by brittle-fracturing swelled portions on both sides of the cutting edges to reduce cutting resistance, and its manufacturing method. - 特許庁

磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が２０％以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。例文帳に追加

To realize a membrane crystal having the following characteristics: the autonomous formation of a nanocrystal containing a magnetic element in a high concentration is controlled artificially in a semiconductor containing a magnetic element; and even when the average composition of the magnetic element in the crystal is 20% or less, the crystal becomes to be in a ferromagnetic or superparamagnetic status at room temperature or higher, causing hysteresis in a magnetization process. - 特許庁

単結晶や坩堝壁からの輻射熱の影響をできるだけ小さくし、融液表面温度を安定的に、正確に測定し得る温度センサーを備えた単結晶引き上げ装置の提供と、輻射スクリーンと融液表面との間隔を常に一定値に制御可能な単結晶引き上げ方法の提供にある。例文帳に追加

To provide a single crystal pulling device equipped with a temperature sensor capable of stably and accurately measuring the temperature of the surface of a melt while suppressing the effects of radiation heat from a single crystal and the wall of a crucible and to provide a single crystal pulling method by which the distance between a radiation screen and the surface of the melt is always controlled to be a constant value. - 特許庁

これにより、種結晶６０の径方向中央部は接着層８０を介して台座１３に強固に固定されが、高温加熱時には、種結晶６０の径方向中央部に比べて、外周部が台座１３と強固に固定されないため、種結晶６０と台座１３との間で発生する熱膨張率の差を小さくできる。例文帳に追加

As the result, the center part of the seed crystal 60 in a diameter direction is strongly fixed on the pedestal 13 via the adhesive layer 80 and the difference of thermal expansion rate caused between the seed crystal 60 and the pedestal 13 can be reduced since the outer peripheral part is not strongly fixed on the pedestal 13 comparing with the center part of the seed crystal 60 in high temperature heating. - 特許庁

第２のシンチレータ１８Ｂは、蛍光組成物の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群によって形成されている柱状部３４Ｂと、柱状部３４Ｂに連続し、この蛍光組成物の結晶により形成されるとともに、空隙率が０よりも大きく柱状部３４Ｂの空隙率よりも小さい非柱状部３６Ｂとを有する。例文帳に追加

The second scintillator 18B includes: a columnar portion 34B formed by a group of columnar crystals to which crystals of fluorescent compositions grow in columnar shapes; and a non-columnar portion 36B that is continuous with the columnar portion 34B and has a porosity greater than 0 but less than a porosity of the columnar portion 34B while being formed by the crystals of the fluorescent compositions. - 特許庁

結晶性の熱可塑性高分子材料を溶融成形したビレットを、成形型のビレット収容キャビティから、内周面がテーパー面とされた絞り部又は少なくとも両側内面が斜面とされた絞り部を通して、横断面の面積が小さい成形キャビティへ上記高分子材料の結晶化温度で圧入充填し、分子鎖（結晶）を配向させる。例文帳に追加

The molecular chain (crystal) is oriented by press fit filling a melt molded billet of the crystalline thermoplastic polymer material from a billet housing cavity of a molding die into a molding cavity with small cross section area via a throttle section, at the crystallization temperature of said polymer material; wherein the throttle section is tapered in the inner periphery or slanted at least in both inside surfaces. - 特許庁

装置の小型化が図れるとともに、効率よく所望の単結晶薄膜を基板上にエピタキシャル成長させることができる分子線エピタキシャル成長装置および安価にかつ精度よく窒化ガリウム等のIII族グループ窒化物の単結晶薄膜が得られる分子線エピタキシャル成長装置を用いた窒化ガリウム等のIII族グループ窒化物単結晶薄膜の製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a molecular beam epitaxial apparatus which can be downsized and efficiently realize epitaxial growth of a desired monocrystal thin film on a substrate, and to provide a method for manufacturing a monocrystal thin film of group-III nitride such as gallium nitride by using the molecular beam epitaxial growth apparatus capable of monocrystal thin film of group-III nitride such as gallium nitride inexpensively and highly pewcisely. - 特許庁

特定のセリウム付活オルト珪酸塩化合物の単結晶、特にＬｎとしてイオン半径がＴｂよりも小さいＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal for scintillator, which has sufficiently excellent fluorescence characteristics, is a specific single crystal of a specific cerium-activated orthosilicate compound, and comprises at least one kind of element selected from Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y and Sc having an ion radius smaller than Tb as Ln. - 特許庁

特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にＬｎとしてイオン半径がＴｂよりも小さいＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a scintillator single crystal of a cerium-doped silicate compound, particularly a scintillator single crystal that uses as Ln at least one element selected from the group consisting of Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y and Sc having an ionic radius smaller than Tb, the scintillator single crystal having superior fluorescent properties. - 特許庁

基板上に、ドレイン領域からソース領域に向かって、平均的なサイズが最も小さい結晶粒を含む第１ポリシリコン層６１と、平均的に大きな結晶粒を含む第２ポリシリコン層６２と、さらに平均的に大きな結晶粒を含む第３ポリシリコン層６３とを順に形成する。例文帳に追加

On the substrate of a semiconductor memory device, there are formed in succession extendedly from its drain region to its source region a first polysilicon layer 61 containing crystal grains having a smallest average size, a second polysilicon layer 62 containing crystal grains having a large average size, and a third polysilicon layer 63 containing crystal grains having still larger average size. - 特許庁

電子写真感光体用の電荷発生物質として用いた場合、繰り返し使用によっても帯電性の低下と残留電位の上昇を生じず、異常画像（特に地汚れ）の発生が少ない安定な電子写真感光体を提供するための一次粒子が小さく、結晶安定性が高く、結晶転移の少ないチタニルフタロシアニン結晶及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a titanyl phthalocyanine crystal which does not generate reduction of electrostatic charge and increase of residual potential even in repetitive use when being used as a charge generating substance for an electrophotographic photoreceptor, has small primary particles for providing a stable electrophotographic photoreceptor nearly free from generation of an abnormal image (especially surface stain) and has high crystal stability and low crystal transfer and to provide its manufacturing method. - 特許庁

少なくとも１つの融点を有する結晶性樹脂を含む結着樹脂と、該結晶性樹脂よりも水との接触角が小さい樹脂の少なくとも１種とを含有してなることを特徴とする静電荷像現像用トナー及びその製造方法、並びに、それを用いた静電荷像現像剤及び画像形成方法である。例文帳に追加

This electrostatic charge image developing toner contains a binder resin containing a crystalline resin having at least one melting point and at least one resin having the angle of contact with water smaller than that of the crystalline resin. - 特許庁

触媒活性の小パラジウム微結晶が支持体内に微細分散される酢酸ビニル流動床触媒の製造方法は、パラジウムに対し親和性を有する支持体の内部に選択金属物質を分散させてパラジウムの極めて微細な微結晶を形成させる。例文帳に追加

A selective metallic material is dispersed in a support having an affinity for palladium and exceedingly fine palladium microcrystals are formed to produce the objective vinyl acetate fluidized bed catalyst containing catalytically active palladium microcrystals finely dispersed in the support. - 特許庁

本発明の非水電解質二次電池は、一般式がＬｉＣｏＯ_2で表されるリチウム含有コバルト複合酸化物を正極活物質として備え、正極活物質は結晶子サイズが大きいＬｉＣｏＯ_2と、の結晶子サイズが小さいＬｉＣｏＯ_2を混在して備えるようにしている。例文帳に追加

A positive electrode active material contains lithium containing cobalt double oxide expressed by the general formula LiCoO_2 of which, LiCoO_2 with big crystal size and the same with small crystal size are mixed. - 特許庁

本発明により、結晶性の揃った同一ラインの結晶性半導体膜から整合性が要求される複数の半導体素子を形成し、半導体素子間においてばらつきの小さい半導体回路を提供でき、高い整合性を有する半導体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit having high integrity by forming a plurality of semiconductor elements requiring integrity with an aligned crystallinity semiconductor film having an arranged crystallinity thereby providing a semiconductor circuit in which variation is suppressed between semiconductor elements. - 特許庁

ＺｒＢ_２単結晶基板面上に窒化物半導体を成長するに当り、窒化物半導体から基板への抵抗を小さくするとともに、成長する窒化物半導体の結晶性を向上させる窒化物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for growing a nitride semiconductor substrate on the surface of a ZrB_2 single crystal substrate in which resistance from the nitride semiconductor to the substrate is decreased and crystallinity of the growing nitride semiconductor is enhanced. - 特許庁

スラブ型２次元フォトニック結晶に設けられている光導波路構造において、優れたフォトニック結晶特性を発現すると共に、その波長依存性を小さくして広帯域な波長域で使用可能な光機能デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an optical functional device that can exhibit a superior photonic crystal characteristic and that can reduce its wavelength dependability and make the device usable in a wide band wavelength region, in an optical waveguide structure prepared in a slab type two-dimensional photonic crystal. - 特許庁

比較的大きな金属間化合物の結晶からなる非常に硬質な強磁性結晶粒が粒界相で囲われている金属組織を有した硬質な焼結希土類磁石合金を歩留りよく且つ滑らかな表面をもつ小さな部品に切断する。例文帳に追加

To cut a hard sintered rare earth magnet alloy having a metallic structure for surrounding a very hard ferromagnetic crystal grain composed of a crystal of a relatively large intermetallic compound by a grain boundary phase into a small part having a smooth surface with an excellent yield. - 特許庁

冷却体３０を融液に浸漬させて結晶シート生成する製造方法において、坩堝２３の小形化を図り、かつ冷却体３０の侵入角度および引き上げ角度の最適化を図ることができる結晶シート製造装置とその方法を提供する例文帳に追加

To provide an apparatus and method for manufacturing a crystalline sheet by dipping its cooling body into a melted liquid, wherein its crucible is miniaturized and the angles whereat its cooling body is infiltrated/pulled-up into/from the melted liquid can be optimized. - 特許庁

誘電体結晶の固有の誘電率を極めて高くする方法、誘電体結晶の誘電率を所望の誘電率に制御する方法、及びこの方法を利用した小型で信頼性の高い可変容量コンデンサ、紫外線センサ及び磁気センサを提供する。例文帳に追加

To provide a method for extremely enhancing an intrinsic permittivity of a dielectric crystal and to provide a method for controlling the permittivity of the dielectric crystal to a desired permittivity, a variable capacity having a small size and high reliability utilizing the controlling method, an ultraviolet sensor and a magnetic sensor. - 特許庁

多孔質支持体の表面及び／又は多孔質支持体の微小孔内壁が、直接又は他の層を介してゼオライト結晶で覆われたゼオライト複合分離膜であって、前記ゼオライト結晶の欠陥部内に、有機高分子またはその炭化物を有することを特徴とするゼオライト複合分離膜。例文帳に追加

The zeolite composite separation membrane has the surface of a porous support and/or minute hole inner walls of the porous support covered with zeolite crystal directly or via another layer, and has an organic polymer or a carbonized product thereof in the defective parts of the zeolite crystal. - 特許庁

燐化硼素系半導体層を双晶や積層欠陥等の結晶欠陥の密度の小さな結晶性に優れたものすることができ、この燐化硼素系半導体層を利用して、素子としての諸特性を向上させることができるようにする。例文帳に追加

To obtain a boron phosphide based semiconductor layer exhibiting excellent crystallinity by reducing the density of crystal defect such as twin or lamination defect, and to enhance various characteristics as an element by utilizing the boron phosphide based semiconductor layer. - 特許庁

融液から単結晶半導体を引上げ成長させる過程で、単結晶半導体に不純物が、より均一に取り込まれるようにすることで、半導体ウェーハの面内での不純物濃度ムラを小さくさせ、もってウェーハの平坦度を向上させる。例文帳に追加

To reduce the irregularity in the impurity concentration in the plane of a semiconductor wafer and to improve the flatness of the wafer by allowing impurities to be uniformly taken in the single crystal semiconductor in the process for growing the single crystal semiconductor by pulling it from a melt. - 特許庁

銅の双晶においては、通常｛１１１｝面の１つが整合した双晶境界を形成し、このように整合した双晶境界ではエレクトロマイグレーション速度は小さく、双晶を形成する２つの結晶粒は、実質的に１つの大きな結晶粒とみなすことができる。例文帳に追加

The twin crystal of Cu usually forms a twin crystal interface with which one of (111) orientations match wherein the migration rate is low at such matched twin crystal interface and hence the two crystals forming a twin crystal can be regarded substantially as a single large crystal grain. - 特許庁

位相シフター（１）を照明する照明系（２）を備え、位相シフターの位相シフト部に対応する領域において光強度の最も小さい所定の光強度分布を有する光を半導体膜（３）に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。例文帳に追加

The crystallization device is provided with a lighting system 2 for lighting a phase shifter 1, and produces a crystallized semiconductor film by emitting to a semiconductor film 3 a light that has a specified light intensity distribution with lowest light intensity in an area corresponding to the phase shift part of the phase shifter. - 特許庁

半導体微粒子からなる半導体層中の残留有機物が極めて少なく、しかも半導体層の結晶粒径が小さく、比表面積が大きく、光触媒活性が高い結晶構造を有し、光電変換効率が高い光電変換素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion element with a high photoelectric conversion rate having a semiconductor layer containing very little residual organic substance, composed of semiconductor fine particles having a small crystal diameter, large specific area, and a crystal structure with high photocatalytic activity, and to provide a manufacturing method of the same. - 特許庁

もとの半導体層中の不純物拡散や結晶欠陥の発生を誘起することなく、また形状変化を最小限にして、結晶成長前の半導体基板表面や再成長前の半導体表面の不純物汚染や物理的ダメージを再現性良く安定的に除去する手法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of removing contamination due to impurities and physical damages onto the surface of a semiconductor substrate before crystal growth or on the surface of a semiconductor before regrowth, with a minimum change in shape, without inducing the diffusion of impurities or crystal defects in an original semiconductor layer. - 特許庁

排ガス流路の上流側にＰｔの平均結晶子径が大きい金属酸化物触媒を保持したモノリス触媒を配置し、下流側にＰｔの平均結晶子径が小さい金属酸化物触媒を保持したモノリス触媒を配置する。例文帳に追加

A monolithic catalyst holding a metal oxide catalyst with a large average crystal diameter of Pt is disposed upstream of an exhaust gas flow path, and a monolithic catalyst holding a metal oxide catalyst with a small average crystal diameter of Pt is disposed downstream of the exhaust gas flow path. - 特許庁

オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質でドーピング密度の面内均一性に優れた炭化珪素エピタキシャル膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial silicon carbide single-crystal substrate in which a high-quality silicon carbide epitaxial film having excellent in-plane uniformity of doping density is disposed on a silicon carbide single-crystal substrate having a small off angle, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

非常に低いＣａＯ含有量にもかかわらず、アパタイト結晶を有し、これらのアパタイト結晶がさらに、非常に小さく、特に、ナノスケールの範囲内であり、従って、光学特性の観点で自然の歯の材料と非常に類似している、リンケイ酸ガラスセラミックを提供すること。例文帳に追加

To provide a phosphosilicate glass ceramic that, despite a very small CaO content, has apatite crystals which are further very small and in particular in the nanoscale range, and that is thereby very similar to the natural tooth material in terms of its optical properties. - 特許庁

微小な孔径を有し、数十ｎｍサイズの微粒子を効率良く捕捉することができ、高流量である結晶性ポリマー微孔性膜、及び高倍率での延伸にも安定して耐え得る結晶性ポリマー微孔性膜の製造方法、並びにプリーツ耐性の高い濾過用フィルタの提供。例文帳に追加

To provide a crystallizable polymer microporous membrane that has a minute pore diameter, can efficiently catch fine particles of tens of nm size and has a high flux, to provide a method for manufacturing the crystallizable polymer microporous membrane that can consistently withstand stretching at a high magnification and to provide a filtration filter that has high resistance to pleat collapse. - 特許庁

非線形光学結晶のテラヘルツ波Ｌ３が放射される放射面上に、緩衝層が形成されており、緩衝層の可視光から近赤外の周波数帯域における屈折率は、非線形光学結晶の同周波数帯域における屈折率よりも小さく設定される。例文帳に追加

A buffer layer is formed on a radiation surface on which the terahertz wave L3 is radiated of the nonlinear optical crystal, and a refractive index in a frequency band near-infrared from visible light of the buffer layer is set smaller than that of the nonlinear optical crystal in the same frequency band. - 特許庁

これにより、ｃ軸配向性が高くＣ面内において横方向のグレインサイズの小さい柱状多結晶ＺｎＯバッファ層が形成でき、この上にＳｉ基板からの熱歪みの影響の少ない窒化物系半導体単結晶層を作製することが可能となる。例文帳に追加

Thus, a columnar polycrystalline ZnO buffer layer for which the (c) axis orientatability is high and a grain size in a horizontal direction is small within the (C) plane is formed, and a nitride based semiconductor single crystal layer less influenced by heat distortion from the Si substrate is manufactured on it. - 特許庁

微小な気泡に起因するピットやマイクロバブルが大幅に減少し、電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶、及びマイクロバブルの発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide aluminium oxide single crystal having high quality which is reduced in pits and micro-bubbles that are caused by fine bubbles and is suitable for a material of electronic parts and a material of optical parts, and to provide a method for efficiently manufacturing aluminium oxide single crystal by suppressing the generation of micro-bubbles. - 特許庁

支持基板表面における記録マーク部分の表面平均粗さを、記録マーク以外の部分のRMS値よりも大きくすることで、記録マーク上の相変化材料層の結晶ドメインをスペース部分上の結晶ドメインよりも小さくしている。例文帳に追加

The crystal domain of the phase change material layer on the record mark is made smaller than on the space by making the average surface roughness of the record mark area larger than the RMS of the other areas on the support substrate surface. - 特許庁

材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。例文帳に追加

The material is also amorphous, providing a combination of short-range order with long-range disorder, and can be deposited as films which are ultrasmooth and continuous at thicknesses substantially lower than known amorphous carbon coating materials. - 特許庁

材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。例文帳に追加

The material is also amorphous, providing a combination of short-range order with long-range order, and can be deposited as films which are ultrasmooth and continuous at thicknesses substantially lower than known amorphous carbon coating materials. - 特許庁

このようにすると、表面平坦性に優れ且つ高い結晶性（チルト成分とツイスト成分が共に小さくしかも貫通転位密度が低い）を有している「−ｃ面」（Ｎ極性面）を表面とするIII族窒化物半導体結晶が得られる。例文帳に追加

In such a manner, the group-III nitride semiconductor crystal in which a "-c surface" (N polarity surface) is a surface having excellent surface flatness and high crystallinity (tilt components and twist components are both small and a through dislocation density is low) is obtained. - 特許庁

中間層の厚さが20nm以下の薄い領域での磁気記録層の結晶粒の磁気的な孤立化と結晶配向性の両立を図り、媒体ノイズが小さく、熱安定性に優れ、記録効率が高い垂直磁気記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a perpendicular magnetic recording medium wherein magnetic isolation of crystal grains and crystal orientation of a magnetic recording layer are made compatible with each other in a region where thickness of an intermediate layer is not more than 20 nm and which has low medium noise, excellent thermal stability and high recording efficiency. - 特許庁

二次元走査によるエネルギービームの照射によって大面積の半導体薄膜を結晶化する際、半導体薄膜の全面においてエネルギービームの照射回数のばらつきをより小さく抑えることが可能な結晶化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystallizing method in which when a semiconductor thin film of a large area is crystallized by irradiation of energy beams by a two-dimensional scanning, variations of the number of times of irradiation of the energy beams can be suppressed small on the entire face of the semiconductor thin film. - 特許庁

Ｓｉ膜３とＳｉＯ_２膜２とのペアを複数周期積層した積層構造を有するフォトニック結晶１において、Ｓｉ膜３は、波長４８０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光領域における消衰係数が、バルクＳｉ単結晶の消衰係数よりも小さくされる。例文帳に追加

In the photonic crystal 1 having a laminated structure in which a plurality of pairs of an Si film 3 and an SiO_2 film 2 are cyclicly laminated, the Si film 3 has the extinction coefficient in visible rays range of which the wavelength is from 480 to 800 nm is smaller than the extinction coefficient of a bulk Si single crystal. - 特許庁

Ｍｇ合金粉体原料は、相対的に大きな結晶粒径を持つ出発原料粉末に対して、１対のロール間に通して圧縮変形またはせん断変形させる塑性加工を施して相対的に小さな結晶粒径としたものである。例文帳に追加

In the Mg alloy-powder raw material, a starting raw material powder having a relatively large grain size is subjected to plastic working where compressive deformation or shear deformation is applied by passing the powder between a couple of rolls to provide a relatively small grain size. - 特許庁

非単結晶半導体薄膜４の膜厚を５０ｎｍ未満として、基板２上においてレーザ照射を、ライン状の光最小強度領域を有するＶ型の光強度分布１を形成するような位相シフタ５１を用いて、一方向成長に結晶化する。例文帳に追加

The film thickness of a non-single crystal semiconductor thin film 4 is set to less than 50nm, and laser irradiation is crystallized in one direction growth on a substrate 2 by using a phase shifter 51 forming V-type optical intensity distribution 1 having an optical minimum region of a line shape. - 特許庁

そして、本実施形態の製造方法によれば、小径原料２ａのみによってＳｉＣ単結晶４を成長させる場合と比べて原料コストを削減することが可能となるため、大量生産にも適したＳｉＣ単結晶４の製造方法とすることができる。例文帳に追加

The method according to the present embodiment is also suitable for mass production because the method allows reduction in raw material cost, as compared with the case where the SiC single crystal 4 is grown only by the small-diameter raw material 2a. - 特許庁