「小結晶」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

ただし、Ｇ_ave：中心部１点と周辺部４点の結晶粒径の平均粒径（μｍ）、Ｇ_max：同じく最大粒径（μｍ）、Ｇ_min：同じく最小粒径（μｍ）である。例文帳に追加

ΔG_max = {(G_max-G_ave)/G_ave} × 100 (1) and ΔG_min = {(G_min-G_ave)/G_ave} × 100 (2). - 特許庁

小さな歪力は球状結晶層２４で緩和し、剪断力のような大きい歪力はドメイン層２６で緩和する。例文帳に追加

Weak tension is mitigated by the spherical crystal layer 24, and a strong tension like shearing force is alleviated by the domain layer 26. - 特許庁

分極反転周期が小さくても機械的強度が低下し難い分極反転結晶およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a polarization reversed crystal of which the mechanical strength hardly deteriorates even when the period of polarization reversal is small and a method for manufacturing the same. - 特許庁

Ｓｉの格子定数より大きいＧｅをＳｉＣに混ぜるなどによって、格子不整の絶対値を小さくし、結晶性を高くする。例文帳に追加

For example, Ge having a lattice constant larger than that of Si is mixed with SiC, thus reducing the absolute value of the lattice mismatching, and increasing crystallinity. - 特許庁

また、本発明の単結晶ダイヤモンド多刃工具は、１つの小切れ刃が、高さ５〜７０μｍ、幅１〜２０μｍであることを特徴としている。例文帳に追加

Also, the single crystal diamond multi-cutting edge tool is characterized in that one small cutting edge is 5-70 μm in height and 1-20 μm in width. - 特許庁

光の吸収係数の小さいＧａＮ単結晶基板およびその製造方法ならびに光出力の大きい発光デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a GaN single crystal substrate having a small light absorption coefficient, a method for producing the same, and a light emitting device having a large light output. - 特許庁

結晶粒界のような微小な領域の電気特性を精度良く確実に、且つ効率よく評価することである。例文帳に追加

To accurately, reliably, and efficiently evaluate the electric characteristics of a small region such as a crystal grain boundary. - 特許庁

全体の低価格化、小型化、ランニングコストの低減化を図れる磁場発生装置及びこれを用いた単結晶引き上げ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic field generator and a single crystal lifter using the same capable of being manufactured in low cost and small and lowering its running cost. - 特許庁

本発明の半導体素子には、表面の中心線平均粗さが小さく、好ましくは５ｎｍ以下であるシリコン多結晶薄膜が用いられる。例文帳に追加

The thin film has a small center-line average height of surface roughness, preferably 5 nm or less. - 特許庁

厚みｔに対して平均粒径ｐが小さく制限され、集電体１７の単位重量あたりの結晶総粒界長が長くなる。例文帳に追加

The average particle size p is limited small to the thickness t, and the total grain boundary length per unit weight of the current collector 17 becomes long. - 特許庁

結晶欠陥準位が少なく、優れた半導体特性を有する微小構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a microfabricated structure which has a reduced crystalline defect level and has superior semiconductor characteristics. - 特許庁

このような表面積をもつ微生物付着用担体は、小枝状で、その断面形状が雪の結晶状の成形物とすることで得られる。例文帳に追加

The carrier for attaching microorganisms having such surface area comprises a twing-like molded article having a snow crystal-like cross-sectional shape. - 特許庁

多結晶ダイヤモンドダイスによる伸線工程を、伸線される線材１の表面に生じるキズが微小な段階で終結するようにする。例文帳に追加

The wiredrawing process by the polycrystalline diamond dies is to be finished at the stage when a drawn mark on the surface of the wire rod 1 generated by wiredrawing is minute. - 特許庁

フォトニック結晶の性質を十分に利用することにより、小型で高分解能を有する分光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a spectroscope that is compact and has a high resolution by fully utilizing the properties of photonic crystals. - 特許庁

製造時間と製造価格を増加することなく多結晶シリコン粒径の微小化と均一化を行なうための技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for finer and even particle size of polycrystal silicon without increasing manufacture time and cost. - 特許庁

小傾角粒界や亜粒界密集帯の無い、高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a high quality silicon carbide single crystal ingot which is free of small tilt angle grain boundary and sub-grain boundary clustered zones. - 特許庁

より信頼性の高い検量線を作成する方法およびより定量限界の小さい結晶の定量方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of creating an analytical curve of high reliability and a method of quantifying crystal of smaller quantitation limit. - 特許庁

この微小空間２９内で蓄熱材５の結晶核の種２を密集させる密集手段を具備する。例文帳に追加

The apparatus also comprises a clustering means for clustering seeds 2 of crystal nuclide of the material in the space 29. - 特許庁

結晶化度が高くすりへり減量の小さい品質の良い砕石を生成する砕石製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a process for producing high-quality macadam having high crystallinity and low abrasion loss. - 特許庁

製造時間と製造価格を増加することなく多結晶シリコン粒径の微小化と均一化を行なうための技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for achieving miniaturization and uniformity of a polycrystal silicon particle diameter without increasing manufacturing time and manufacturing cost. - 特許庁

結晶性、透明性が高くかつ小粒径で、高温で焼成を行っても酸素欠損が失われないＩＴＯ微粒子の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a small-sized ITO fine particle having high crystallinity and transparency and free from the loss of oxygen deficiency even in high temperature firing. - 特許庁

シリコンとの熱膨張係数差を最小限に抑え、陽極接合温度を２５０℃以下である陽極接合用結晶化ガラスを提供すること。例文帳に追加

To provide a crystallized glass for anodic bonding whose temperature for anodic bonding is 250°C or less, that minimizes heat expansion coefficient difference between a silicon and the glass. - 特許庁

氷結晶による組織破壊を低減するとともに、消費電力が小さく、しかも食材の長期保存が可能な冷凍解凍機を提供する。例文帳に追加

To provide a freezing/thawing machine reducing food material texture destruction due to ice crystal, low in electric power consumption and enabling the food material to be long-preserved. - 特許庁

レーザ照射による結晶へのダメージを小さくすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the damages given to crystals when the crystals are irradiated with a laser beam are reduced. - 特許庁

これにより、第１コート層６４では、金属の結晶粒がより大きくなり、粒界密度がより小さくなる。例文帳に追加

With this procedure, crystal grains of the metal becomes larger and the grain boundary density smaller in the first coating layer 64. - 特許庁

小型で応答性に優れ、製作も容易なフォトニック結晶光共振器を用いた能動光フィルタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an active optical filter apparatus which is compact and has an excellent response by using an easily manufactured photonic crystal optical resonator. - 特許庁

電荷輸送成分の結晶化の最小化、迅速または高速な電荷の輸送などを可能にする導電体を提供する。例文帳に追加

To provide a photoconductor that allows minimum crystallization of a charge transport component and rapid or fast transport of charges. - 特許庁

ポリシリコンゲルマニウム膜の表面モフォロジを改善し、結晶粒サイズを微小化することを可能とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which sizes of crystal grains can be reduced by improving the surface morphology of a polysilicon-germanium film. - 特許庁

断線を防止でき、結晶粒子を小さくして、耐割れ性等を改善できるフェライト系ステンレス鋼溶接ワイヤを提供する。例文帳に追加

To provide a ferritic stainless steel welding wire capable of preventing breakage thereof, fine refining crystal grains and improving the cracking resistance. - 特許庁

粒径が小さく、かつ、結晶性が高く、誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a dielectric ceramic material having a small particle size and high crystallinity and suitable for thinning a dielectric layer. - 特許庁

結晶粒径が小さく且つ耐ＳＣＣ性に優れたＮｉ−Ｃｒ−Ｆｅ三元系合金材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an Ni-Cr-Fe ternary system alloy material having a small crystal grain size and also having excellent SCC resistance. - 特許庁

アンドープ半絶縁性ＧａＡｓ結晶から微小ピット数の少ない鏡面ウェハを得る。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing GaAs wafer which enables the manufacture of a mirror-finished wafer having a small number of micropits from an undoped semi-insulating GaAs crystal. - 特許庁

簡便に微小な結晶欠陥の存在する領域を検出することが可能なシリコンウェーハの表面欠陥評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface defect evaluation method of silicon wafers capable of simply detecting the regions where minute crystal defects exist. - 特許庁

分極成分による応力を支配的にし、結晶加工時における分極成分による応力による形状を支配的にすることで、反りのばらつきが小さく且つ反り量の小さい高精度な単結晶ウエハ及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a highly accurate single crystal wafer that has less dispersion in warpage and a small warpage amount by making the stress by a polarization component dominant and making the shape by the stress by the polarization component at crystal processing dominant and to provide its manufacturing method. - 特許庁

デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a detection method of a crystal defect having high sensitivity, capable of detecting even a fine defect such as a small BMD (Bulk Micro Defect) formed on a silicon monocrystal wafer having a low resistivity, with progression of temperature lowering in heat treatment following high integration of devices. - 特許庁

これにより原料に吸着または内包しているガスが容易に排除でき、融液中に含まれる過剰なガスが減少し、単結晶育成時に結晶内に取り込まれる微小な気泡が少なくなり、微小な気泡を起因とするピットやマイクロバブルが大幅に減少する。例文帳に追加

With this method, the gas adsorbed or included in the material is easily removed, the excess gas included in the melt solution is reduced, and the minute foam to be included in the crystal during the growing of the single crystal is reduced, thus pits and micro bubbles caused by the minute foam are drastically reduced. - 特許庁

スリーブ5を結晶化ガラスとすることにより、コイル8で発生する熱がシャフト3に伝達されにくくなり、熱膨張率の小さい結晶化ガラス製のスリーブ5と相まって、温度によるシャフト3とスリーブ5との隙間の変動が最小限になる。例文帳に追加

If the sleeve 5 is made of crystallized glass, the heat generated by a coil 8 is unlikely to be conducted to the shaft 3, and in cooperation with this crystallized glass of the sleeve 5 having a small coefficient of thermal expansion, the variation of the gap between the shaft 3 and sleeve 5 on the basis of the temperature is minimized. - 特許庁

すなわち、シード基板１３０と原料の溶融液面との接触面積を小さくすることにより、結晶欠陥の発生確率を小さくすることができ、これにより、製造する単結晶材の歩留まりを向上することが可能となる。例文帳に追加

That is to say, it is possible to lower the rate of formation of crystal defects by making the contact area between the seed substrate 130 and the surface of the melt of a raw material small, and thereby it becomes possible to improve the yield of the produced single crystal material. - 特許庁

基板とシリコン層との間に電極形成用金属膜が設けられてなるボトムゲート型のシリコン複合体を、短時間で、クラックや反りの発生を小さく抑制しながら、アモルファスシリコンを結晶化させてシリコン層を結晶シリコンよりなるものに変質させることができるアモルファスシリコンの結晶化方法の提供。例文帳に追加

To provide an amorphous silicon crystallizing method for crystallizing amorphous silicon in a short time and with suppressing occurrence of crack or warp in a bottom gate type silicon composite having an electrode forming metal film between a substrate and a silicon layer, thereby denaturing the silicon layer to crystal silicon material. - 特許庁

生成シリコンを固体状態で回収する亜鉛還元法において、反応器の休止時間を最小限に抑えることにより多結晶シリコンの生産効率を高め、多結晶シリコンを比較的安価に大量に製造することができる高純度多結晶シリコンの製造装置および製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus and a process for producing high purity multicrystal silicon that produce a large amount of multicrystal silicon at a relatively low cost with a high production efficiency by minimizing the down time of a reactor in a zinc reduction method to recover the silicon obtained in a solid state. - 特許庁

本発明は、平坦な第１のテラスと、下り方向の第１の段差と、平坦な第２のテラスと、前記第１の段差よりも高さの小さい上り方向の第２の段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法であって、単結晶基板に対してエッチングを行なうことで自己組織的に複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the single crystal substrate, which has the composite step-terrace structure comprising a first flat terrace, a first downward step, a second flat terrace and a second upward step having the height lower than that of the first downward step, comprises a step to etch an original single crystal substrate to form the composite step-terrace structure in a self-organizing manner. - 特許庁

チャネル領域が多結晶及び非晶質シリコンの積層構造でかつ逆スタガ構造の第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１の前記多結晶シリコン層４と前記非晶質シリコン層５の平面形状を略相似形状とし、かつ前記非晶質シリコン層５を前記多結晶シリコン層４より小面積とした。例文帳に追加

Flat shapes of a polycrystalline silicon layer 4 and an amorphous silicon layer 5 have substantially identical shape, and the amorphous silicon layer 5 has a smaller area than the polycrystalline silicone layer 4 in a first thin-film transistor TFT1, where a channel region has a laminated structure of polycrystalline and amorphous silicones and has a reverse staggered structure. - 特許庁

結晶性の熱可塑性高分子材料を溶融成形したビレットを、成形型のビレット収容キャビティから、内周面がテーパー面とされた絞り部又は少なくとも両側内面が斜面とされた絞り部を通して、横断面の面積が小さい成形キャビティへ上記高分子材料の結晶化温度で圧入充填し、分子鎖（結晶）を配向させる。例文帳に追加

A billet obtained by melt-molding the crystalline thermoplastic polymer material is forcibly packed at the crystallization temperature of the polymer material into a molding cavity with a small cross-section area from the billet storage cavity of a molding die through a drawing part with a tapered inner peripheral face or a drawing part at least with both sloping inner faces and the molecular chain(crystal) is oriented. - 特許庁

下部電極３表面の微小な一つの領域にのみ高誘電体または強誘電体薄膜４の結晶化の起点として機能するシード部６を形成し、そこから結晶化を行うことにより、シード部６が存在する領域を中心とした高誘電体または強誘電体薄膜４の一つの結晶粒を生成させることができる。例文帳に追加

A seed section 6 which functions as the crystallization starting point of a high-dielectric or ferroelectric thin film 4 is only formed in one very small region on the surface of a lower electrode 3 and one crystal grain of the thin film 4 can be grown around the region where the seed section 6 exists by starting the crystallization from the section 6. - 特許庁

特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にＬｎとしてイオン半径がＴｂよりも小さいＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用いた単結晶であって、蛍光特性に十分優れたシンチレータ用単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a single crystal for a scintillator sufficiently excellent in fluorescence property, which uses a single crystal of a specific cerium-activated silicate compound, particularly uses, as Ln, at least one element having a smaller ion radius than that of Tb being selected from a group consisting of Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y and Sc. - 特許庁