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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 液相線の意味・解説 > 液相線に関連した英語例文

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液相線の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 391



例文

合金を液相線温度より高温に加熱する。例文帳に追加

An alloy is heated above its liquidus temperature. - 特許庁

このAgろう材の固温度は800℃以上であり、液相線温度は、900℃以下である。例文帳に追加

The solidus temperature of the Ag brazing filler metal is800°C, and its liquidus temperature is $900°C. - 特許庁

温度が200℃以下、液相線温度が260℃以下であって、固温度と液相線温度の差が30℃以上あるレールボンド用低温溶接ろうを用いる。例文帳に追加

In the low-temperature welding brazing filler metal for rail bonding, the solidus temperature is200°C, the liquidus temperature is ≤260°C, and the difference between the solidus temperature and the liquidus temperature is30°C. - 特許庁

記憶部14は、長い直的共役構造部分を持ちとしてスメクチックを有する導電性晶化合物を含む。例文帳に追加

The memory portion 14 has a long linear conjugate structure, and includes a conductive liquid crystal compound having a smectic phase as a liquid crystal phase. - 特許庁

例文

上記のFe基合金は、液相線温度が1350℃以下で、かつ液相線温度と固温度の差が150℃以内を満たす組成であることが望ましい。例文帳に追加

Desirably, the Fe based alloy has a liquidus temperature of ≤1,350°C and has a composition satisfying that the difference between the liquidus temperature and solidus temperature is150°C. - 特許庁


例文

液相線温度が1350℃以下で、かつ液相線温度と固温度の差が150℃以内を満たすNi基合金からなり、球状に凝固した転動体用金属球である。例文帳に追加

The metal sphere for a rolling element is composed of an Ni based alloy having a liquidus temperature of ≤1,350°C, and in which the difference between the liquidus temperature and solidus temperature is150°C, and is spherically solidified. - 特許庁

溶融金属材料の一部を射出手段22により固温度以上で液相線温度以下の温度で金型に射出充填する。例文帳に追加

A part of the molten metallic material is injection-filled into a metallic mold at the temperature between than the solidus temperature or above and the liquidus temperature or below by the injecting means 22. - 特許庁

ボールはんだ合金の液相線温度と、クリームはんだ中のはんだ合金の固温度は、少なくとも1℃以上である。例文帳に追加

The liquidus temperature of the ball solder alloy and the solidus temperature of the solder alloy in the cream solder is at least 1°C or higher. - 特許庁

入口側直部分51aには配管43Lが接続され、出口側直部分51bには気配管43Gが接続される。例文帳に追加

The liquid phase pipe 43L is connected with an inlet-side linear part 51a, and the gas-phase pipe 43G is connected with an outlet-side linear part 51b. - 特許庁

例文

温度および液相線温度が、800℃〜900℃の範囲にあるAgろう材を提供する。例文帳に追加

To provide an Ag brazing filler metal in which solidus temperature and liquidus temperature lie in the range of 800 to 900°C. - 特許庁

例文

ポリマーフィルム、位差フィルム、偏光板、晶表示装置及び紫外吸収剤例文帳に追加

POLYMER FILM, RETARDATION FILM, POLARIZING PLATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ULTRAVIOLET ABSORBER - 特許庁

入射された光がメイン晶層210を通過すると、メイン位差が生じる。例文帳に追加

When incident light passes through the main liquid crystal layer 210, main phase difference is generated. - 特許庁

化学気成長法による銅配薄膜の製造方法およびその原料溶例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING COPPER WIRING THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS, AND RAW MATERIAL SOLUTION USED IN THE SAME - 特許庁

位置情報は晶表示部の表示面と使用者の視との対的位置関係を示す。例文帳に追加

The position information represents the relative positional relationship between the display surface of liquid-crystal display part and the visual line of user. - 特許庁

輝尽性蛍光体の製造方法、輝尽性蛍光体及び放射像変換パネル例文帳に追加

PHOTOSTIMULABLE PHOSPHOR, LIQUID-PHASE PREPARATION METHOD THEREOF AND RADIOLOGICAL IMAGE CONVERSION PANEL - 特許庁

布帛の少なくとも一面に、赤外吸収剤Aと、温度20〜45℃でから固または固からへと変化する変化物質Bとが付着していることを特徴とする保温性布帛、および該保温性布帛を用いてなる繊維製品。例文帳に追加

The heat-retaining cloth has an infrared absorbing agent A and a phase-change material B changing from liquid phase to solid phase or solid phase to liquid phase at a temperature of 20-45°C on at least one surface of the cloth, and a textile product produced by using the heat-retaining cloth. - 特許庁

シリコン融1の温度は、シリコン融1と冷却体10とが接触する前の液相線温度(T_L0)を超える温度から、シリコン融1と冷却体10との接触時間の経過に伴い低下する液相線温度(T_L1)以下の温度まで下げるのが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the temperature of the silicon melt 1 is lowered from a temperature exceeding the liquidus temperature (T_L0) before the contact of the silicon melt 1 with the cooling body 10 to a temperature equal to or below the liquidus temperature (T_L1) lowered with the elapse of the contact time of the silicon melt 1 with the cooling body 10. - 特許庁

また、下部配22は成膜法により成膜され、電極パターン24は気成膜法により成膜されるのが好ましい。例文帳に追加

Also, it is preferable that the lower wiring 22 is formed by the liquid phase film formation method and the electrode pattern 24 is formed by a gas phase film formation method. - 特許庁

はんだ階層は、第1レベルのC4はんだ互接続のために、高い液相線温度を有するSn/AgおよびSn/Cuの非共晶はんだ合金を使用し、第2レベルの互接続のために、低い液相線温度を有する合金を使用する。例文帳に追加

The solder hierarchy is used to Sn/Ag and Sn/Cu non-eutectic solder alloy having high liquidus temperature for mutually joining of the solder with the C4 technique at the first level and used to an alloy having low liquidus temperature for mutually joining the second level. - 特許庁

1)金属シート、2)プラスチックシート又は3)金属シート又はプラスチックシートの成型品に設けられた状スリットに気及びを同時に通過させることによって、中に気を溶解させることを特徴とする気混合溶解方法に係る。例文帳に追加

The method for dissolving and mixing gas and liquid is characterized in that a vapor phase is dissolved in a liquid phase by simultaneously passing the vapor phase and the liquid phase through the linear slit provided on (1) a metal sheet, (2) a plastic sheet or (3) a molded product of the metal sheet or the plastic sheet. - 特許庁

リン酸スズ低液相線温度無機材料を、デバイスの少なくとも一部分の上に堆積させて、堆積低液相線温度無機材料を形成する(130)。例文帳に追加

The method includes depositing a tin phosphate low liquidus temperature inorganic material on at least a portion of the device to form a deposited low liquidus temperature inorganic material 130. - 特許庁

液相線の温度と固の温度とを有する複合金属を、部分的に個体で部分的に体の成形体の形態に変換する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for converting a metal complex with a liquidus temperature and a solidus temperature into a mode of a formed body which is partially solid and partially liquid. - 特許庁

この回転運動は、成形体の所望の固体及び体比率に対応する液相線の温度と固の温度との間の排出温度に金属複合体28が冷却されるまで、維持される。例文帳に追加

This rotational motion is maintained until the metal complex 28 is cooled down to a discharging temperature between the liquidus temperature and the solidus temperature corresponding to the desired solid-to-liquid ratio of the formed body. - 特許庁

安定な放射グラフト重合が可能であり、かつモノマー等の原料や洗浄薬の使用量を減少することができる、基材繊維に重合性単量体を放射グラフト重合させるための装置の提供。例文帳に追加

To provide an apparatus for the liquid-phase radiation graft-polymerization of a polymerizable monomer to a substrate fiber, enabling stable liquid phase radiation graft polymerization and reducing the consumption of raw materials such as monomer liquid and a washing chemical liquid. - 特許庁

常光と異常光との位差を適切に得ることが可能な波長範囲の広帯域化を図ることができる位差板及びその位差板を備えた晶プロジェクタを提供する。例文帳に追加

To provide a phase difference plate capable of widening a wavelength range in which the phase difference between an ordinary light beam and an extraordinary light beam can properly be obtained. - 特許庁

−固(Vapor-Liquid-Solid: VLS )成長法により、Siと Geの混晶ナノ細を成長し、酸化濃縮法によりSiO_2 膜で被覆されたGeナノ細 を作製する。例文帳に追加

A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method. - 特許庁

晶表示装置10において、走査20及び共通電極配21を同層に、かつ、互に平行に形成する。例文帳に追加

In the liquid crystal display device 10, scanning lines 20 and common electrode wirings 21 are formed in the same layer and in parallel to each other. - 特許庁

基板P上に設けられたバンクBによって区画された配形成領域34に法により金属配11、12が形成される。例文帳に追加

Metal wires 11 and 12 are formed by liquid phase process in a wiring forming region 34 partitioned by banks B provided on a substrate P. - 特許庁

晶を利用した従来の位変調装置は、伝送路の周囲の晶分子の配列をこの伝送路に沿って一様に制御することから、晶層による誘電体損失が比較的多い。例文帳に追加

To solve the problem that the conventional phase modulator utilizing a liquid crystal uniformly controls the configuration of liquid crystal molecules around a transmission line along the transmission line, resulting in a comparatively much dielectric loss of a liquid crystal layer. - 特許庁

基材に対して所定平面に沿う方向に対移動して、活性光で硬化する体の滴を吐出する吐出ヘッドと、基材上の滴に活性光を照射する照射部48とを備える。例文帳に追加

The liquid droplet discharging device includes: a discharge head capable of moving relative to a substrate in a direction along a predetermined plane, and for discharging liquid droplets curable by activation light; and an irradiation section 48 for irradiating the liquid droplets on the substrate with the activation light. - 特許庁

更には、上記接合用金属層として、400℃以下の液相線温度を有し、280℃以上の固温度を有するPbを含まない合金か、もしくは280℃におけるの体積割合が15%以下であるPbを含まない合金を用いている。例文帳に追加

An alloy having liquid phase line temperature of 400°C or below and solid phase line temperature of 280°C or above containing no Pb, or an alloy having volumetric ratio of liquid phase at 280°C equal to or lower than 15% is employed in the bonding alloy layer. - 特許庁

紫外吸収剤を有機溶媒に溶解し油を調製する工程(A)と、前記工程(A)において得られた油と水とを混合する工程(B)と、乳化により水媒体中に油滴を生成させる工程(C)とを含む水性分散物の製造方法。例文帳に追加

A method of producing the aqueous dispersion includes: a step (A) of preparing an oil-phase fluid by dissolving the ultraviolet absorber in an organic solvent; a step (B) of mixing the oil-phase fluid obtained through the step (A) with a water-phase fluid; and a step (C) of generating an oil droplet in a water medium by emulsification. - 特許庁

ここで、発生源600から晶層50に向かう赤外L1は、マスク500によって遮られるため、晶層50の温度を上昇させることがなく、晶層50がアモルファスから等方転移しない。例文帳に追加

Where, the infrared rays L1 irradiated from a generation source 600 to a liquid crystal layer 50 is interrupted by a mask 500, so that the temperature of the liquid crystal layer 50 is not increased and the phase of the liquid crystal layer 50 is not changed from an amorphous phase to an isotropic phase. - 特許庁

吐出ヘッド103(実位置)は、状体の吐出を行いつつ、仮想位置A、仮想位置B、仮想位置C、仮想位置Dの順に基板101上を対移動する。例文帳に追加

A discharge head 103 (solid line position), while discharging the liquid body, relatively moves on a substrate 101 at a virtual line position A, a virtual line position B, a virtual line position C and a virtual line position D in this order. - 特許庁

基材に対して対移動して、活性光で硬化する体の滴を吐出する吐出ヘッド49と、吐出ヘッドに対して対移動方向後方側に設けられ基材上の滴に活性光を照射する照射部48とを備える。例文帳に追加

The printing apparatus includes a discharge head 49 for discharging droplets of a liquid relatively moving to a substrate and cured by active rays, and an irradiation part 48 provided on a rear side of the relative movement direction to the discharge head and irradiating the droplets on the substrate with the active rays. - 特許庁

金属または金属条10を気流体と接触させて表面処理する表面処理方法であって、前記気流体を構成する体は、直径が1マイクロメートル以上100マイクロメートル以下の滴である。例文帳に追加

This invention relates to the surface treatment method in which a metal wire or metal line 10 is brought into contact with gas-liquid mixed phase fluid to perform surface treatment, wherein the liquid constituting the gas-liquid mixed phase fluid is like droplet having a diameter of 1-100 μm. - 特許庁

差補償層41は、入射光の一部を回折させるマイクロレンズアレイ40よりも晶層34側に設けられ、晶層34の位差を補償する。例文帳に追加

A phase difference compensation layer 41 is disposed on the side closer to a liquid crystal layer 34 than a microlens array 40 which diffracts a portion of the incident beam, and compensates the phase difference of the liquid crystal layer 34. - 特許庁

基板P上に法で形成された金属材料からなる主導電層66、67、81と、主導電層66、67、81上に法で形成されたキャップ層68a、82とを備えた金属配34、35、80aである。例文帳に追加

The metal wirings 34, 35, 80a are provided with main conductive layers 66, 67, 81, formed on a substrate P through the liquid phase method, and cap layers 68a, 82, formed on the main conductive layers 66, 67, 81 through the liquid phase method. - 特許庁

化された画像信号を用いる晶表示パネルにおける各の系列配互間で結合インピーダンスに起因して生じる信号クロストークを抑制して、高品質な画像表示を実現する。例文帳に追加

To attain high quality image display by suppressing signal crosstalk caused by coupled impedance between sequential wiring of each phase in a liquid crystal display panel using multi-phase image signals. - 特許庁

電子回路パッケージは、次の第2レベルの接合/組立処理およびリワーク処理の間に、C4はんだ互接続の溶融度を制限するはんだ互接続の液相線温度の階層を有する。例文帳に追加

The electronic circuit package has the hierarchy of liquidus temperature in mutual joining of solder limiting fused degree of the mutually joining of the solder with a C4 (current controlled collapse chip joining) technique between the following second level joining /assembling-treatment and a rework-treatment. - 特許庁

構造体3の頂点3aに金属ナノドットを担持し、気−固成長法により、先端に金属ナノドット4を有する半導体ナノ細6を成長する。例文帳に追加

The metallic nano dot is carried on the apex 3a of the structure body 3, and the semiconductor nano thin line 6 having the metallic nano dot 4 on its end is grown by a gas phase-liquid phase-solid phase growing method. - 特許庁

差板106は少なくとも1枚の一軸性位差板ないしは二軸性位差板で構成され、そのいずれかの主屈折率方位が、晶ライトバルブ107の法に対して略平行に配置される。例文帳に追加

The retardation plate 106 is constituted of at least one uniaxial or biaxial retardation plate and disposed so that the principal refractive index direction of either retardation plate is nearly parallel to the normal of the liquid crystal light valve 107. - 特許庁

この際に、温度制御ジャケット24aによりバレル21内の温度が液相線温度と固温度との間に調整され、金属溶湯が半凝固スラリーに遷移される。例文帳に追加

At this time, the temperature in the barrel 21 is adjusted between a liquidus temperature and a solidus temperature with a temperature control jacket 24a and the molten metal is transformed into the semi-solid slurry. - 特許庁

融点(液相線温度)が280℃以上であって、溶融開始温度(固温度)が350℃以下である、新たな高融点の無鉛半田合金を提供する。例文帳に追加

To provide a new high-melting point leadless solder alloy the melting starting point (liquidus temperature) of which is ≥280°C and the melting starting temperature (solidus temperature) of which is ≤350°C. - 特許庁

単体金属および/または合金の原料を混合し、その混合物を、前記原料の少なくとも1種の液相線温度より高く、かつ少なくとも1種の原料の固温度より低い温度に保持する。例文帳に追加

Raw materials of elemental metals and/or alloys are mixed and the mixture is kept at a temperature higher than that of the liquidus of at least one kind of the raw materials and lower than that of the solidus of at least one kind of the raw materials. - 特許庁

この半凝固アルミニウム合金が完全凝固しないように容器2を加熱装置5で固温度以上液相線温度以下に加熱する。例文帳に追加

The vessel 2 is heated to the range from a solidus temperature to a liquidus temperature by a heating apparatus 5 in such a manner that the semi-solidified aluminum alloy is not perfectly solidified. - 特許庁

Mg系半田合金であれば、融点(液相線温度)が280℃以上であって、溶融開始温度(固温度)が350℃以下であるから、Sn−95Pbに代わる高融点の無鉛半田として好ましく用いることができる。例文帳に追加

Since the Mg-based solder alloy has a melting point (liquidus temperature) of ≥280°C and a melting starting temperature (solidus temperature) of ≤350°C, it can be preferably used as leadless solder having a high melting point instead of Sn-95Pb. - 特許庁

ボールはんだ合金の液相線温度が該クリームはんだ中のはんだ合金の固温度よりも低い関係にあるボールはんだとクリームはんだをリフロー法によって接合する。例文帳に追加

The ball solder and the cream solder, which have a relationship where a liquidus temperature of a ball solder alloy is lower than a solidus temperature of a solder alloy in the cream solder, are bonded by a reflow method. - 特許庁

子28〜30からの略円偏光を、偏光板25〜27からの直偏光とは振動方向が直交する直偏光にする移子31〜33を、各反射型晶パネル21〜23に貼る。例文帳に追加

Phase shift elements 31-33 for turning the nearly circularly polarized light from the phase shift elements 28-30 into linearly polarized light whose vibration direction cross the linearly polarized light from the polarizing plates 25-27 are stuck to reflection type liquid crystal panels 21-23, respectively. - 特許庁

例文

隣接する2本の映像信号若しくは走査信号に囲まれ、該信号方向に隣り合う2個のTFTのソース電極等が互いに異なる映像信号等に接続されている晶表示パネルとする。例文帳に追加

The liquid crystal display panel is connected to a video signal line or the like which are surrounded by two adjacent video signal lines or adjacent scanning signal lines, and in which the source electrodes of two TFTs adjacent to the direction of the signal line are different each other. - 特許庁

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