「炭化ホウ素」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

炭化ホウ素質焼結体およびその製造方法、セラミック焼成用治具並びにそれを用いた窒化物系セラミック部材の製造方法例文帳に追加

BORON NITRIDE SINTERED BODY AND ITS PRODUCTION, JIG FOR CERAMIC SINTERING, AND PRODUCTION OF BORON NITRIDE CERAMIC PARTS USING THE SAME - 特許庁

窒化ホウ素被覆炭化ケイ素系セラミックス繊維及びその製造方法並びに該繊維で強化されたセラミックス基複合材料例文帳に追加

BORON NITRIDE-COATED SILICON CARBIDE CERAMIC FIBER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND CERAMIC COMPOSITE MATERIAL REINFORCED WITH THE FIBER - 特許庁

原料としては、常温常圧で液状の炭化水素またはアルコール類とホウ素系化合物とからなるものが挙げられる。例文帳に追加

A hydrocarbon liquid at a normal temperature under normal pressure or a material composed of an alcohol and a boron-based compound may be cited as the raw material. - 特許庁

緻密かつ高比剛性でありながら更に加工性に優れた炭化ホウ素セラミックス材料とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a boron carbide ceramic material which, although being dense and having high specific rigidity, is excellent in workability. - 特許庁

３点曲げ強さが６５０ＭＰａ以上、弾性率が４５０ＧＰａ以上である炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体。例文帳に追加

Also disclosed is a boron carbide-titanium diboride sintered compact having three point bending strength of ≥650 MPa and an elastic modulus of ≥450 GPa. - 特許庁

本発明は、曲げ強さが高く、かつ放電加工が可能な炭化ホウ素−二ホウ化チタン焼結体を提供するものである。例文帳に追加

To provide a boron carbide-titanium diboride sintered compact which is high in bending strength and can be subjected to electrical discharge machining. - 特許庁

焼結助剤としてホウ素や炭素を添加する炭化珪素焼結体の、生成膜や各種接着剤への濡れ性を改善する。例文帳に追加

To improve wetting property of silicon carbide sintered compact mixed with boron or carbon as sintering assistant, to formed films or various kinds of adhesives. - 特許庁

炭化ホウ素粒子２６の作用により、燃料貯蔵ラック及び使用済燃料集合体３が切断される。例文帳に追加

The fuel storage rack and the used fuel assemblies 3 are cut by action of the boron carbide particles 26. - 特許庁

化合物群Ｇ２は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒化炭素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミニウム酸化物、炭化珪素を含む。例文帳に追加

A compound group G2 includes silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride, carbon nitride, boron nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, and silicon carbide. - 特許庁

炭化ホウ素粒子２に対して、Ｍｇを０．１〜１０質量％含み、アルミニウム合金１に含まれるＳｉは１.０質量％以下である。例文帳に追加

In the boron carbide particles 2, 0.1 to 10 mass% Mg is contained, and the content of Si in the aluminum alloy 1 is ≤1.0 mass%. - 特許庁

より生産性が高く、かつ、機械的特性に優れた炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a born carbide ceramic which can be produced with increased productivity and has excellent mechanical characteristics, and its production method. - 特許庁

前記研磨材としては，密度が2.5g/cm^3，ミクロ硬さが4900〜5000kgf/mm^2であるB_4C（炭化ホウ素）から成る粒度#150〜#3000，好ましくは#220〜#2000の粉体を使用する。例文帳に追加

The abrasives are fine particles, composed of B_4C (boron carbide) having a density of 2.5 g/cm^3, a micro hardness of 4,900-5,000 kgf/mm^2, and a particle size of #150-#3,000, preferably #220-#2,000. - 特許庁

六方晶窒化ホウ素を炭化水素ガス雰囲気においてその長周期結晶構造が微細化されるように粉砕することにより、ナノ構造化・炭化水素化された窒化ホウ素を骨格とし、加熱により水素を放出する第１の水素貯蔵材料を得る。例文帳に追加

A first hydrogen storage material, which has nano-structurized and hydrocabonized boron nitride as a skeleton and desorbs hydrogen by heating, is obtained by crushing hexagonal boron nitride under a hydrocarbon gas atmosphere so that the long period crystal structure is minute. - 特許庁

研磨材粒子は磁気異方性を有する非強磁性体が好ましく、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びダイヤモンドより選ばれる少なくとも一種がより好ましい。例文帳に追加

The abrasive particle is preferably formed of a non-ferromagnetic body having magnetic anisotropy, and more preferably at least one selected from aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide, titanium oxide, silicon carbide, boron carbide, silicon nitride, boron nitride, and diamond. - 特許庁

炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、ホウ素を含むホウ素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する。例文帳に追加

The method for producing a silicon carbide sintered compact includes: a raw material mixing step to prepare raw material powder formed by mixing silicon carbide and a boron raw material including boron; and a sintering step to sinter the raw material powder in an atmosphere composed of nitrogen and argon. - 特許庁

前記導電性材料が炭化ホウ素、導電性カーボン粉末および炭化珪素の中から選ばれた少なくとも１種であり、導電性カーボン粉末がホウ素固溶カーボンブラックであることがより好ましく、絶縁性材料が熱硬化性樹脂であることが好ましい。例文帳に追加

The electrically conductive material is at least one selected from among boron carbide, electrically conductive carbon powder, and silicon carbide, the electrically conductive carbon powder is more preferably boron solution carbon black, and the insulating material is preferably a thermosetting resin. - 特許庁

少なくとも少量のタングステンを含有してなる相対密度が９５％以上の緻密質炭化ホウ素焼結体であって、タングステンの含有量が０．２質量％以上７質量％以下、かつ、アルミニウムの含有量が０．０３質量％未満であることを特徴とする緻密質炭化ホウ素焼結体。例文帳に追加

This dense boron carbide sintered body with 95% or higher relative density contains at least a small amount of tungsten, where the content of tungsten is 0.2-7 mass% and the content of aluminum is less than 0.03 mass%. - 特許庁

炭化ホウ素セラミックスが本来有する高い比剛性を著しく損なうことなく、構造材料とした場合の課題であった破壊靱性値を改善し、比較的高強度化を維持でき、高速で可動する用途に使用した場合の信頼性をも満足できる炭化ホウ素系セラミックスの提供。例文帳に追加

To provide a boron carbide-based ceramic where a fracture toughness value being a problem when used as a structural material is improved without significantly losing high specific rigidity possessed essentially by a boron carbide ceramic, where comparatively high strength is maintained and where reliability is satisfied when used for usage moving at a high speed. - 特許庁

立方晶窒化ホウ素の安定領域内の温度及び圧力条件下において、アルカリ金属のホウ窒化物もしくはアルカリ土類金属のホウ窒化物から選ばれる１種以上の化合物、及びアルカリ金属のアミド、イミド、炭化物もしくはアルカリ土類金属のアミド、イミド、炭化物から選ばれる１種以上の化合物の存在で、六方晶窒化ホウ素を立方晶窒化ホウ素に変換する。例文帳に追加

The hexagonal boron nitride is converted to the cubic boron nitride by existing one or more kinds of compounds selected from the boron nitride of alkali metals or the boron nitride of alkaline earth metals and one or more kinds of compounds selected from the amide, imide, carbide of alkali metals or the amide, imide, carbide of alkaline earth metals under a temp. and pressure condition in a stable region of the cubic boron nitride. - 特許庁

ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、或はチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、及びモリブデンの炭化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物等の硬質物質を、鉄ペンタカルボニル等の金属カルボニルの硬質物質が懸濁した液を加熱分解し、硬質物質の表面に金属層を生成させる。例文帳に追加

A soln., in which a hard material such as diamond, cubic boron nitride, boron carbide, silicon carbide and silicon nitride or the carbide, nitride, boride, silicide or the like of titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium and molybdenum, and a hard material of metallic carbonyl such as iron pentacarbonyl are suspended, is heated and decomosed, and a metallic layer is formed on the surface of the hard material. - 特許庁

α型炭化ケイ素にβ型炭化ケイ素と、アルミニウム若しくはアルミニウム化合物、又はホウ素若しくはホウ素化合物の粒成長促進剤を混合し、成形して、不活性ガス雰囲気の高温で焼成すると炭化ケイ素の結晶転移現象に加速された板状粒成長が起こる。例文帳に追加

A β-type silicon carbide and a particle growth accelerator being aluminum or an aluminum compound or boron or a boron compound are added to an α-type silicon carbide and the mixture is formed, and the plate like grain growth accelerated by a crystal transition phenomenon of the silicon carbide is caused when the formed body is fired in an inert gas atmosphere at a high temperature. - 特許庁

ポリエチレンイミンはアルキルイソシアネート変性ポリエチレンイミンであること、樹脂層はフェノール樹脂を含有していること、導電性セラミックス粒子が炭化ホウ素もしくは炭化ケイ素であることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the polyethylene imine is alkyl isocyanate modified polyethylene imine, the resin layer contains phenolic resin, and the conductive ceramic particles are boron carbide or silicon carbide. - 特許庁

半導体ウエハWが載置されるチャックトップステージ16は、炭化ケイ素に炭化ホウ素を配合したセラミック材料により作製し、セラミック基板20は、窒化アルミニウムにより作製する。例文帳に追加

A chuck top stage 16 on which a semiconductor wafer w is placed is fabricated of a ceramic material mixed with silicon carbide and boron carbide, and a ceramic substrate 20 is fabricated of aluminum nitride. - 特許庁

新規な連続方式による窒化ホウ素の被覆方法により、不純物濃度が低く、かつ繊維束の外周部と内部の皮膜厚さの差が小さい窒化ホウ素被覆炭化ケイ素系セラミックス繊維、及びこの繊維により強化されたセラミックス基複合材料を提供する。例文帳に追加

To obtain a boron nitride-coated silicon carbide ceramic fiber having low impurity content and little difference of thickness of coating film between the outer peripheral part and the internal part of fiber bundle by a new continuous boron nitride coating method, and a ceramic base composite material reinforced with the fiber. - 特許庁

ニッケルナノ粒子が担持された高配向性のグラファイト基板または六方晶系窒化ホウ素基板を触媒として、ホウ素と二酸化ケイ素の混合物を窒素気流中または窒素とアルゴン気流中もしくはアンモニアとアルゴン気流中において、高温で反応させることにより、窒化ホウ素で被覆された炭化珪素ナノワイヤーまたは窒化珪素ナノワイヤーを提供する。例文帳に追加

A mixture of boron and silicon dioxide is reacted at a high temperature in a nitrogen gas flow, a nitrogen-argon gas flow or an ammonia-argon gas flow with a highly oriented graphite substrate or a hexagonal boron nitride substrate on which nickel nanoparticles are carried as a catalyst, so that the silicon carbide nanowire or a silicon nitride nanowire coated with boron nitride is provided. - 特許庁

金属製の基材の表面に、アルミニウムやニッケルなどの金属粉末と炭化ホウ素などのホウ素化合物粉末とを溶射またはコールドスプレー法によりコーティングし、該基材の表面に対し実質的に全面にわたって密着した金属−ホウ素複合層を設けたことを特徴とする中性子吸収材。例文帳に追加

The neutron-absorbing material consists of the base metal the surface of which is coated with metal powder such as aluminum, nickel etc. and boron compound powder such as boron carbide by thermal spraying or cold spray method and provided with a metal-boron compound layer contacting on practically whole surface of the base. - 特許庁

炭化珪素粉末、カーボンブラック、炭化ホウ素粉末、バインダ、分散媒を含有するスラリーを成形した後、乾燥し、不活性ガス雰囲気中または真空下、２０００℃以上２３００℃以下で焼成し、気孔率５％以下の自焼結体からなる自焼結炭化珪素質匣鉢を得る。例文帳に追加

The self-sintered silicon carbide sagger comprising a self-sintered body having porosity of ≤5% is obtained by molding a slurry containing a silicon carbide powder, carbon black, boron carbide powder, binder and dispersant, then drying and firing at a temperature of ≥2,000°C but ≤2,300°C. - 特許庁

外輪４の内径側部材３１が炭素鋼で構成され、外径側部材３２が、アルミニウムを含有する軽合金と強化材となる炭化ホウ素とを含む軽合金複合材料で構成され、前記軽合金複合材料における前記炭化ホウ素の割合は１９体積％以上５１体積％以下である。例文帳に追加

The inner diameter side member 31 of the outer ring 4 is made of carbon steel, an outer diameter side member 32 is made of a light alloy composite material including an aluminum contained light alloy and boron carbide as a reinforcing material, the ratio of the boron carbide in the light alloy composite material is equal to or higher than 19 volume% and equal to or lower than 51 volume%. - 特許庁

セラミックスをフォーマーパートにおける支持部材の少なくとも先端エッジ部に用いるにあたり、その材質に炭化ホウ素を主成分とし、ケイ素化合物を０．０５〜５重量％、熱分解によって炭素に変化し得る有機化合物を炭素換算で０．５〜５重量％の割合で含有する炭化ホウ素質焼結体を用いる。例文帳に追加

When using ceramics in at least tip edge part of a supporting member in a former part, boron carbide-based sintered compact consisting essentially of boron carbide and containing an organic compound capable of converting to carbon by pyrolysis in an amount of 0.5-5 wt.% expressed in terms of carbon is used. - 特許庁

炭化ホウ素セラミックスであって、非晶質Bと、非晶質Cと、焼結助剤であるAl_2O_3粉体からなる出発原料より構成され、さらに、前記出発原料に対してカーボンナノファイバーを略均質に分散させた状態で含み、焼結体の炭化ホウ素セラミックスとしての略相対密度が９９％以上であるものとする。例文帳に追加

The boron carbide ceramic is produced from starting materials comprising a noncrystalline B, a noncrystalline C, and an Al_2O_3 powder as a sintering additive and contains carbon nanofiber almost uniformly dispersed in the starting materials, the relative density of a sintered body as the boron carbide ceramic being about 99% or higher. - 特許庁

炭化ホウ素焼結体が本来有する極めて優れた機械的特性を損なうことなく、複雑な形状の緻密質炭化ホウ素焼結体製品をも、原料中への多量の焼成助剤の添加や、特殊な添加物や特殊な処理を必要とすることなく、しかも、加圧せずに常圧で焼成できる経済的な製造技術の提供。例文帳に追加

To provide an economical production technology of boron carbide sintered body which can fire even a dense boron carbide sintered product of complicated shape at normal pressure without pressurizing, not necessitating much addition of sintering aid in the raw materials nor necessitating special additives and special treatments, without deteriorating extremely excellent mechanical properties originally possessed by the boron carbide sintered body. - 特許庁

アンモニウム塩を、液体炭化水素中の水素化ホウ素ナトリウムおよびナトリウムアルコキシドのスラリーに添加することにより、燃料電池のための水素源を調製する方法。例文帳に追加

The method for preparing the hydrogen source for fuel cells comprises adding an ammonium salt to a slurry of sodium borohydride and a sodium alkoxide in a liquid hydrocarbon. - 特許庁

ケイ素および場合によってはホウ素を含む第ＶＩＩＩ族の貴金属をベ—スとする触媒、並びに炭化水素仕込原料の水素化処理におけるその使用法例文帳に追加

CATALYST BASED ON PRECIOUS METALS OF VIII GROUP INCLUDING SILICON, AND BORON DEPENDING ON OCCASION AND USAGE OF THE CATALYST IN HYDROGENATION TREATMENT OF CHARGE STOCK HYDROCARBONS - 特許庁

好ましくは、このセラミックスは、炭化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、水酸化マグネシウム、炭酸バリウム、珪酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、窒化ホウ素および窒化ケイ素からなる群から選択される。例文帳に追加

The ceramics is preferably selected among silicon carbide, alumina, aluminum nitride, silica, titanium oxide, zinc oxide, magnesium hydroxide, barium carbonate, calcium silicate, talc, clay, mica, boron nitride, and silicon nitride. - 特許庁

芳香族炭化水素を含まず、かつ重合活性が従来と同等の固体状イオン性ホウ素化合物成分を含むオレフィンの重合方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for polymerizing olefin, containing no aromatic hydrocarbon but solid ionic boron compound having equivalent polymerization activity to conventionals. - 特許庁

本発明の一態様においては、四ホウ酸ナトリウムは、炭化水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、金属水素化物、Ａｌ、Ｇａ、ＳｉまたはＰの少なくとも一つによりナトリウムとホウ素に還元される。例文帳に追加

In one embodiment, sodium tetraborate is reduced to sodium and boron by at least one among a hydrocarbon, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a metal hydride, Al, Ga, Si or P. - 特許庁

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材及び（Ｅ）炭化ホウ素を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。例文帳に追加

The semiconductor sealing epoxy resin composition is characterised by containing (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) a hardening accelerator, (D) an inorganic filler and (E) boron carbide. - 特許庁

原子炉構成要素において使用する材料は、セラミック材料及びホウ素−１１化合物を含む、炭化ケイ素材料の前駆体配合物である。例文帳に追加

A material for use in a nuclear reactor component includes a precursor formulation of the silicon carbide material that includes a ceramic material and a boron-11 compound. - 特許庁

上記炭化ホウ素セラミックスは、上記出発原料とカーボンナノファイバーとの混合粉体を、放電プラズマ焼結法を用いて合成同時焼結することにより調製されることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the boron carbide ceramic is prepared by the synthesis simultaneous sintering of a mixed powder of the starting materials and the carbon nanofiber by using the spark plasma sintering method. - 特許庁

黒鉛化炭素繊維は、メソフェーズピッチを原料とし、紡糸、不融化及び炭化後に粉砕し、その後ホウ素を含む黒鉛化触媒の共存下で黒鉛化されて得られる。例文帳に追加

The graphitized carbon fiber is obtained by using a mesophase pitch as a raw material, spinning, infusibilizing, carbonizing, grinding and graphitizing in the presence of a boron-containing graphitization catalyst. - 特許庁

砥粒は、砥粒種として、炭化珪素、アルミナ、酸化珪素、酸化クロム、ダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素の中の少なくとも１種以上を含んでいる。例文帳に追加

The abrasive grain contains as abrasive species at least one kind selected from silicon carbide, alumina, silicon oxide, chromium oxide, diamond, and cubic crystal boron nitride. - 特許庁

化合物成分はホウ化チタン及びホウ化アルミニウム等のホウ素化合物、炭化チタン等の炭素化合物、アルミニウムチタン等のアルミニウム化合物である。例文帳に追加

Constituents include boron compounds such as titanium boride and aluminum boride, carbon compounds such as titanium carbide, and aluminum compounds such as titanium aluminide. - 特許庁

外層１は高い熱伝導率を有するグラファイト、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または炭化珪素（ＳｉＣ）等の無機材料からなる。例文帳に追加

The outer layer 1 is formed of an inorganic material having high thermal conductivity such as graphite, pyrolytic boron nitride (PBN), aluminum nitride (AlN) or silicon carbide (SiC). - 特許庁

炭化水素と有機ホウ素化合物を含む混合ガスを、その含水率を絶対湿度で５ｍｇ／Ｌ以下に減じてから熱分解反応及び／又は燃焼反応をさせることを特徴とするカーボンブラックの製造方法。例文帳に追加

The method of producing the carbon black comprises subjecting a mixed gas containing a hydrocarbon and an organoboron compound to thermal decomposition reaction and/or combustion reaction after its water content is reduced to 5 mg/L or less in terms of absolute humidity. - 特許庁

粒子は、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、窒化ケイ素、ガラスビーズおよび超硬合金からなる群より選ばれた少なくとも１種の粒子を含有させる。例文帳に追加

It contains at least one kind of particles selected from a group comprising diamond, cubic boron nitride, silicon carbide, silicon nitride, alumina, glass beads and cemented carbide. - 特許庁