「素線絶縁導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

金属支持シート２の上に、互いに間隔を隔てて整列状態で、複数のベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層８が順次形成される複数の配線回路要素１０を形成し、配線回路基板印刷シート９を得る。例文帳に追加

A plurality of wiring circuit elements 10 are produced with a plurality of base insulating layers 3, conductor patterns 4, and cover insulating layers 8 sequentially formed therein on a metal supporting sheet 2 with intervals in a lineup state, and a wiring circuit board printed sheet 9 is acquired. - 特許庁

耐熱性、機械特性、電気特性、物理特性などに優れ、例えば半導体素子の層間絶縁膜、保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、フレキシブル配線板のカバーコート、液晶配向膜などに有用な新規な材料を与える化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a compound having excellent heat-resistance, mechanical properties, electrical properties, physical properties, etc., and giving a material useful e.g. as an interlayer insulation film and protecting film of a semiconductor element, an interlayer insulation film of a multilayer printed circuit board, a cover coat of a flexible printed circuit board, an oriented liquid crystal film, etc. - 特許庁

半導体基板1上に酸化膜2を介して、下部に配線層3を有する自己整合の横及び縦方向エピタキシャル半導体層からなる凸状構造の半導体層6が設けられ、凸状構造の半導体層6は素子分離領域埋め込み絶縁膜4及び酸化膜2により島状に絶縁分離されている。例文帳に追加

There is provided a semiconductor layer 6 of a convex structure composed of a self-matching lateral and vertical epitaxial semiconductor layer having a wiring layer 3 in the lower part through an oxide film 2 on a semiconductor substrate 1, and the semiconductor layer 6 of the convex structure is isolated like an island by an element isolation region embedding insulating film 4 and the oxide film 2. - 特許庁

半導体基板ＳＵＢに形成された光電変換素子ＰＴＯと、マーク部のストッパ膜ＡＬ１と、ストッパ膜ＡＬ１上および光電変換素子ＰＴＯ上に形成された第１の層間絶縁膜ＩＩ２と、第１の金属配線ＡＬ２と、第２の層間絶縁膜ＩＩ３とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a photoelectric converter PTO formed on a semiconductor substrate SUB, a stopper film AL1 at a mark part, a first interlayer insulating film II2 formed on the stopper film AL1 and the photoelectric converter PTO, a first metal wiring AL2, and a second interlayer insulating film II3. - 特許庁

並列配列された複数本の線状導体２からなる放射素子３と、その放射素子を挟み込む一対の可視光透過性の絶縁体フィルム４，４と、一方の絶縁体フィルム４の外層に形成され、熱によって軟化し、かつ接着性を有する樹脂膜５とで形成されたものである。例文帳に追加

The transparent antenna is formed from: a radiation element 3 including a plurality of linear conductors 2 arrayed in parallel; a pair of visible light transmissive insulator films 4, 4 with the radiation element held therebetween; and a resin film 5 that is formed in an outer layer of one insulator film 4, is softened by heat and includes adhesiveness. - 特許庁

半導体素子など電子デバイスを高密度に実装し、信号の高速伝播に適した低誘電率のプリント配線基板用層間絶縁材料、およびこの絶縁材料を構成素材とする多層基板又は電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a low dielectric constant interlayer insulation material for a printed wiring board which is suitable for high-density mounting of electronic devices such as semiconductor elements, and for high-speed propagation of signals, and also to provide a multilayered board or electronic component which is formed of this insulation material. - 特許庁

フッ素含有絶縁膜に埋め込まれた金属パターンの上にプラグ又は配線を接続する構造を有する半導体装置に関し、フッ素含有絶縁膜の溝に埋め込まれた金属膜とこれに接続される別の金属膜との接続を良好に保つこと。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device, having a structure for connecting a plug or a line onto a metal pattern embedded in an insulation film containing fluorine, in which good connection is kept between a metal film filling the trench in the insulation film containing fluorine and other metal films which are connected therewith. - 特許庁

開口部を設けない絶縁テープ１２に半導体素子１０が搭載され、半導体素子１０の電極１１に形成された突起電極１７どうしが、絶縁テープ１２上に形成されたインナーリード１３によって電気的に接続されることで、半導体素子１０の配線形成のための拡散プロセス工程が増加することを回避できる。例文帳に追加

A semiconductor chip 10 is placed on an insulation tape 12 without openings, and projected electrodes 17 formed on the electrode 11 on the semiconductor chip 10 are connected electrically together by inner leads 13 formed on the insulating tape 12, so that the increase of diffusion processes for forming wiring on the semiconductor chip 10 is avoided. - 特許庁

テープキャリア１１は、絶縁テープ１と、絶縁テープ１上に形成された配線パターン２とを備え、配線パターン２には、配線パターン２上に半導体素子４を搭載したときに配線パターン２と半導体素子４とが重畳する重畳領域の一部に、配線パターン２を突起電極５と接続するための接続部２Ａが設けられている。例文帳に追加

The tape carrier 11 has an insulating tape 1 and wiring pattern 2 formed on the insulating tape 1, and a connection 2A to connect the wiring pattern 2 to the protrusive electrode 5 is located on a part of an overlapping area where the wiring pattern 2 and a semiconductor element 4 overlap each other, when the semiconductor element 4 is mounted on the wiring pattern 2. - 特許庁

本発明に係る半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法は、シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜を形成した後、ｉｎ−ｓｉｔｕで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマＣＶＤ法により、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程とから成る。例文帳に追加

The method for manufacturing the interlayer insulating film for a multilayer wiring of a semiconductor integrated circuit includes a process of forming a 1st insulating film by a plasma CVD method using silicon-based hydrocarbon as material gas, and a process of forming a 2nd insulating film on the 1st insulating film by the plasma CVD method using silicon-based hydrocarbon gas and oxidative gas as material gas continuously in situ. - 特許庁

光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子およびＭＯＳトランジスタと、多層配線構造と、を有し、半導体基板上に配された第１の層間絶縁膜を有する。例文帳に追加

A photoelectric conversion apparatus includes: a photoelectric conversion element and a MOS transistor disposed on a semiconductor substrate; and a multilayer wiring structure, and also has a first interlayer insulation film disposed on the semiconductor substrate. - 特許庁

積層された半導体素子から発生する熱を配線基板及び絶縁基板に埋め込まれた接続電極などを介して効率的に外部に放出する放熱構造を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a structure for dissipating heat generated from a mounted semiconductor element efficiently to the outside through a printed wiring board and connection electrodes, or the like, buried in an insulating substrate. - 特許庁

半導体素子を形成した半導体基板上の層間絶縁膜の表面に所定高さの凹凸を形成し、係る凹凸上に配線を形成する。例文帳に追加

The irregularities of prescribed height are formed on the surface of the interlayer dielectric on a semiconductor substrate where a semiconductor element is formed and the wiring is formed on the irregularities. - 特許庁

半導体装置は半導体素子が搭載された配線基板を複数個外部接続子用ボールを取り付けた絶縁基板１′上に積層して構成されている。例文帳に追加

The semiconductor device is constituted by stacking a printed wiring board mounting a semiconductor element on an insulating substrate 1' fixed with a plurality of balls for external connection terminals. - 特許庁

絶縁層２０上の半導体層１０は、素子分離部１４の下方の下方半導体層１０ｂと、閉曲線部１５０の下方にあるボディ１０ａとを備えている。例文帳に追加

A semiconductor layer 10 present on an insulation layer 20 has a lower semiconductor layer 10b present under an element isolation portion 14 and a body 10a present under a closed-curve portion 150. - 特許庁

半導体基板１上に、受光素子２，平面アンテナ４，配線６を形成し、その上に高誘電体膜７を形成して平坦化し、絶縁体基板８を接着し、最後に半導体基板１を除去する。例文帳に追加

A photo-detector 2, a plane antenna 4, wiring 6 are formed on a semiconductor substrate 1, a high dielectric film 7 is formed and flattened thereon, an insulator substrate 8 is adhered, and the semiconductor substrate 1 is finally removed. - 特許庁

電気的接続の信頼性を高くして絶縁基台の上面から側面にわたって配線導体層を形成した光半導体素子のサブキャリアを提供すること。例文帳に追加

To provide a sub carrier of an optical semiconductor device whereby a wiring conductor layer is formed from the top to the side of an insulation pedestal with enhanced reliability of electrical connection. - 特許庁

素子分離領域の絶縁膜高さが実質的に一様であり、膜厚の異なる複数の単結晶半導体層を有し、微細な配線加工が容易な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus in which insulation films are practically equally high in the element isolation region, which has multiple single crystal semiconductor layers with different film thicknesses, and which has a structure enabling easy minute wiring, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

電気的接続の信頼性および、光—電気変換応答性を高くして絶縁基台の上面から一側面にわたって配線導体層を形成した光半導体素子サブキャリアを提供する。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor element subcarrier wherein a wiring conductor layer is formed from an upper surface of an insulating base all over one side surface by raising reliability of electrical connection and light-electrical conversion responsiveness. - 特許庁

配線層３０は、絶縁樹脂層２０の半導体素子４０と反対側の主表面に所定パターンを有する導体層として設けられている。例文帳に追加

A wiring layer 30 is provided, as a conductor layer having a predetermined pattern on a principal surface opposite to a principal surface having a semiconductor element 40 of an insulating resin layer 20. - 特許庁

電気的接続の信頼性を高くして絶縁基台の上面から一側面にわたって配線導体層を形成した光半導体素子のサブキャリアを提供すること。例文帳に追加

To provide a subcarrier for an optical semiconductor element wherein wiring conductor layers are formed extendedly from the top face of an insulating base to one side face to enhance reliability of electrical connection. - 特許庁

半導体素子の配線工程において、低誘電率層間絶縁膜等の半導体材料を腐食することなく、比較的低温で、剥離性の悪いレジストを剥離することのできるレジストの剥離方法を提供する。例文帳に追加

To provide a peeling method of peeling, at a relatively low temperature, a resist of poor peeling property, without eroding a semiconductor material such as a low dielectricity interlayer insulating film, in a wiring process of a semiconductor element. - 特許庁

金属素線を集合した導体をプラスチック絶縁層で被覆したケーブルであって、導体中央部に薬剤注入用通路を設けたケーブル。例文帳に追加

This cable is composed by coating a conductor formed by collecting metal element wires with a plastic insulation layer, and is provided with a chemical injecting passage at the conductor center part. - 特許庁

半導体モジュール１は、側端面において絶縁樹脂層１２の少なくとも一部が隠れるように、配線保護層１８の外縁端部１８ａと半導体素子５０の外縁端部５０ａとが接している。例文帳に追加

In the semiconductor module 1, the end 18a of the outer edge in the wiring protection layer 18 is brought into contact with the end 50a of the outer edge in the semiconductor device 50, in such a manner as covering at least part of the insulating resin layer 12 in a side end. - 特許庁

インダクタンス素子１４ａは、トロイダル形状の磁気コア１５をリング状の絶縁性ケース１６に組み込んでなる組込体に対して被覆導線１７，１８を巻回して形成したインダクタンス主部と、該インダクタンス主部を少なくとも部分的に覆う絶縁体２２ａと、絶縁体２２ａ上に巻回された線状導体２３ａとを備えている。例文帳に追加

The inductance element 14a comprises: an inductance main part formed by winding covered conductors 17, 18 to an assembly where a toroidal magnetic core 15 is built into a ring-like insulating case 16; an insulator 22a for covering the inductance main part at least partially; and a linear conductor 23a wound around the insulator 22a. - 特許庁

ソース、ドレインおよびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上の発光素子とを有する発光装置であって、絶縁膜上に設けられた、第１の電極と同一材料でなる接続配線によって、薄膜トランジスタと電流供給線との電気的な接続をとることを特徴とする。例文帳に追加

The light emitting device has a thin film transistor comprising a semiconductor layer having a source, drain and channel regions and a gate electrode, an insulating film disposed on the gate electrode, and a light emitting element on the insulating film, wherein the thin film transistor and a current supply line are electrically connected by a connection wire disposed on the insulating film and made of the same material as a first electrode. - 特許庁

その結果、ソース配線２１が延伸する方向に複数の素子領域及び素子分離絶縁膜上に亘って形成された下部導体配線５３によってソース配線２１の空洞２２が埋まる。例文帳に追加

As a result, the cavity 22 of the source wiring 21 is filled with the lower conductive wiring 53 formed in the extending direction of the source wiring 21 over a plurality of element areas and an element isolation insulating films. - 特許庁

複数の素線からなる第１の電気導体１１を渦巻き状に巻回し、複数の素線間に少なくとも電気導体１１の電気抵抗が大となる第２の電気導体を設けて従来必要であった高耐熱の絶縁材料を不要とし、安価な誘導加熱装置を実現している。例文帳に追加

A first electric conductor 11 made of plural element wires is wound in a spiral form and a second electric conductor which at least increases electric resistance of the electric conductor 11 is provided between the plural element wires and thereby an insulating material of high heat resistance which is required in the conventional art is made unnecessary, hence a low cost induction heating device is realized. - 特許庁

複数の素線からなる第１の電気導体１１を渦巻き状に巻回し、複数の素線間に少なくとも電気導体１１の電気抵抗が大となる第２の電気導体を設けて従来必要であった高耐熱の絶縁材料を不要とし、安価な誘導加熱装置を実現している。例文帳に追加

A first electric conductor 11 made of a plurality of strands is spirally wound, and a second electric conductor having electric resistance higher than that of the electric conductor 11 is at least provided between a plurality of the strands to dispense with a high heat resistant insulating material which has been conventionally required, and an inexpensive induction heating device is materialized. - 特許庁

キャパシタ誘電体膜２５ｂとしてシリコン窒化膜を含むキャパシタ２５を、層間絶縁膜２１上に具える、半導体素子１０を製造するに当たり、シリコン窒化膜に対するヒーリング酸化時の、層間絶縁膜下の配線１７，１９などの異常酸化を防止する。例文帳に追加

To protect wirings under an interlayer insulating film against abnormal oxidation when a silicon nitride film is subjected to healing oxidation, in the manufacture of a semiconductor device equipped with a capacitor which is provided with a silicon nitride film as a capacitor dielectric film on the interlayer insulating film. - 特許庁

また、その応力緩和構造は、工程基板上又は半導体素子を有するウエハ上に厚さ方向に変位する波形形状を有する絶縁層を形成し、その絶縁層の上に波形形状を有する配線を形成することにより形成される。例文帳に追加

In addition, the stress relaxed structure is formed, by forming an insulating layer 4 having a wavy shape that displaces in the thickness direction on a process substrate or a wafer, having a semiconductor element and forming wiring 3 having a wavy shape on the insulating layer. - 特許庁

第２層間絶縁膜１７と第１層間絶縁膜６とを貫通して半導体能動素子５における不純物拡散層に到達するコンタクトホール１８と、コンタクトホール１８を埋めるＷからなる配線用プラグ２０ａとが形成されている。例文帳に追加

A contact hole 18 reaching an impurity diffused layer in the element 5 through the film 17 and the film 6, and a wiring plug 20a made of the W for embedding the hole 18 are formed. - 特許庁

海底ケーブル１、１´の段剥ぎにおいて、内部導体２、２´の接続部の周囲への絶縁補強層１１の形成を可能にする位置で複数の素線６ａ、６ｂを切断して除去し、除去した部分に絶縁補強層１１を形成する。例文帳に追加

In stepped stripping of submarine cables 1, 1', a plurality of strands 6a, 6b are cut and removed at a position, where forming of an insulation reinforcing layer 11 to the periphery of the joint of their internal conductors 2, 2' becomes feasible, and an insulation reinforcing layer 11 is formed in the removed part. - 特許庁

低誘電率材料からなる層間絶縁膜の特性を回復することにより、層間絶縁膜中に形成される配線の信号伝達速度の遅延特性やリーク電流特性を向上させる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor element for improving the delay characteristics of the signal transmission speed and leakage current characteristics of wiring formed in an interlayer insulating film by restoring the characteristics of the interlayer insulating film made of a low dielectric-constant material. - 特許庁

本発明は、シリコン（００１）面上の金属酸化物絶縁層において、基板法線方向に極めて強く配向したドメイン構造あるいは単結晶の金属酸化物絶縁層を形成することにより素子、特にトランジスタの動作特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which an element or particularly a transistor has excellent operating characteristics and reliability by forming a domain structure or a single crystal metal oxide insulating layer extremely strongly oriented in a normal direction to a board in the insulating layer on a silicon plane (001). - 特許庁

基板と、この基板の上部に形成されたＳｉ−Ｆ結合基を含有する絶縁膜１５と、この絶縁膜上に形成されたチタン系金属金属層１７ａを有し、前記チタン系金属配線層における弗素濃度が、１×１０^20atoms /cm^3未満であることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device that comprises a substrate, the insulating film 15 containing an Si-F bond group, which is formed on the substrate, and the titanium system metal wiring layer 17a formed on the insulating film, in which fluorine concentration in the titanium system metal wiring layer is less than 1×10^20 atoms/cm^3. - 特許庁

これにより、一対の電極２Ａ、２Ｂおよび絶縁被覆電線３０の金属撚線から成る導体３１間の各クリアランスＬ1が静電結合されるので、この静電結合した一対の電極２Ａ、２Ｂ間のインピーダンスを信号処理部４で測定して、このインピーダンスの変化に基づき絶縁被覆電線３０の導体３１の素線の断線を検出する。例文帳に追加

As a result, by measuring the impedance between a pair of electrodes 2A and 2B which are electrostatically coupled by a signal- processing part 4, the disconnection of the yarn stock of the conductor 31 of the insulation covering electric wire 30 is detected, based on a change in the impedance. - 特許庁

銀入り銅合金素線の内部導体１、好ましくは銀入り銅合金素線の撚り線上に設けた絶縁体２の外周に、銀入り銅合金素線、好ましくはその金属編組あるいは多層構造からなる外部導体３を配した、屈曲性の改善された同軸ケーブル。例文帳に追加

This is the coaxial cable in which the flexibility is improved wherein at the circumference of the inner conductor 1 of silver containing copper alloy element wire, preferably at the circumference of an insulator 2 installed on the stranded wire of the silver containing copper alloy element wire, the outer conductor 3 composed of the silver containing copper alloy element wire, preferably composed of its metal braid or multi-layered structure is arranged. - 特許庁

可撓性を有する絶縁基材上の導体配線と半導体子の素子電極とが突起電極を介して接合された構造において、接合時の超音波振動等に起因して導体配線の破損や断線を抑制する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means for suppressing damage or a break in wiring conductors caused by ultrasonic vibration or the like when the wiring conductors on a flexible insulating substrate are joined to element electrodes of a semiconductor element via projected electrodes in a structure having the insulating substrate and the semiconductor element. - 特許庁

導電性配線５、７、外部接続用端子１０及び２個の半導体素子１に共通の絶縁性膜４、６、９を、機械的には互いに分離されてはいない２個の半導体素子１からなる半導体素子群１１の回路形成面１２上に配置し、パッケージングする。例文帳に追加

Conductive wirings 5 and 7, external connection terminals 10 and insulation films 4, 6 and 9 common to two semiconductor elements 1 are arranged on the circuit forming plane 12 of a semiconductor element group 11 consisting of the two semiconductor elements 1 not separated mechanically from each other and then they are packaged. - 特許庁

電線１はアルミニウム又はアルミニウム合金で構成された圧縮導体の素線５が複数撚り合わされて構成された芯線３と芯線３を被覆した絶縁性の被覆部４とを備えている。例文帳に追加

An electric wire 1 includes: a core wire 3 constituted by a plurality of stranded element wires 5 of compression conductor made up of aluminum or aluminum alloy; and an insulative coating part 4 that covers the core wire 3. - 特許庁

絶縁基板上に半導体素子を形成すると、配線と基板との結合が弱いため、配線同士の結合容量が大きく、クロック信号配線から発生するノイズが他の配線に混入する。例文帳に追加

To solve the problem that since coupling between wiring and a substrate is weak, when a semiconductor device is formed on an insulating substrate, a coupling capacity between the wirings is large, so that noise generated from clock signal wiring is mixed into the other wiring. - 特許庁

絶縁基板上に半導体素子を形成すると、配線と基板との結合が弱いため、配線同士の結合容量が大きく、クロック信号配線から発生するノイズが他の配線に混入する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device, which operates at a high speed and is almost free of noises and an image pickup device which is formed using it. - 特許庁

芯線２上に発熱線３を巻装してなる発熱芯４からなり、上記発熱線３は、絶縁被膜３ｂにより被覆された導体素線３ａを引き揃え又は撚合せたものであるコード状ヒータ１。例文帳に追加

The cord-like heater 1 consists of a heating core 4 where a heating wire 3 is wound on core wires 2, and the heating wire 3 is made, by aligning or stranding conductor strands 3a covered with an insulating film 3b. - 特許庁

平板状の配線体１０１の一方の面に設けられた第一の半導体素子１１３と、配線体１０１の第一の半導体素子１１３の設けられた側の面および第一の半導体素子１１３の側面を被覆する絶縁樹脂１１９と、配線体１０１の他方の面に設けられた第二の半導体素子１１１と、を有する半導体装置１００において、配線体１０１を、配線層１０３、シリコン層１０５および絶縁膜１０７がこの順に積層された構成とする。例文帳に追加

The wiring body 101 is configured to have a wiring layer 103, silicon layer 105, and an insulation layer 107 stacked in this order. - 特許庁