「素線絶縁導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体集積回路装置の電気的検査時においてテストパッド、層間絶縁膜、半導体素子および配線に生じるダメージを低減する。例文帳に追加

To reduce the damages generated in test pads, interlayer insulating films, semiconductor elements, and wiring when electrically inspecting a semiconductor integrated circuit device. - 特許庁

層間絶縁膜に有機絶縁膜を使用し、酸素を含有するガスのプラズマによってエッチングして配線形成用の開口部を形成する半導体装置において、層間絶縁膜の電気特性の劣化や、配線構造の不良を招くことがない、半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, which uses an organic insulation film as an interlayer insulation film and has opening portions therein for forming wirings by etching with oxygen containing gas plasma, and to provide its fabrication method, in which the degradation of the electrical characteristics of an interlayer insulation film and the failure of wiring structures do not occur. - 特許庁

基板１に、絶縁層３と配線導体層４とが順次被着されており、絶縁層３は、配線導体層４に電気的に接続される発光素子５から発せられる光を透過する光透過性の絶縁体３からなるとともに側面が露出するように形成されている。例文帳に追加

An insulating layer 3 and a wiring conductor layer 4 are successively deposited on a substrate 1, and the insulating layer 3 is formed of optically transparent insulating material 3 that is transparent to light emitted from a light emitting element 5 electrically connected to the wiring conductor layer 4 and shaped so as to expose its sides. - 特許庁

樹脂皮膜の剥離なしにはんだ付け可能な樹脂を導体にエナメル焼付けにより絶縁被覆した絶縁素線上に、絶縁樹脂層としてポリフェニレンサルファイドを少なくとも１層押出し被覆した絶縁電線、およびその絶縁電線を巻線として有する信号用トランスまたは車載用トランス。例文帳に追加

The signalling transformer or the vehicle transformer has insulation wires with at least one layer of polyphenylene sulfide extrusion-coated as an insulating resin layer on insulating element wires on which resin capable of being soldered without peeling of resin films is insulation coated on conductors by enamel baking, and has the insulation wires as winding wires. - 特許庁

本発明に係る半導体装置５０は、半導体基板２を具備する半導体素子１と、半導体素子１が埋設された絶縁層１０と、少なくとも一部が、半導体素子１に接続される配線構造２０とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device 50 includes the semiconductor element 1 including a semiconductor substrate 2, an insulating layer 10 in which the semiconductor element 1 is buried, and a wiring structure 20, a portion of which is connected to the semiconductor element 1. - 特許庁

同軸ケーブル１０は、中心導体１１と、この中心導体１１の外周に配設された内部絶縁体１２と、この内部絶縁体１２の外周に複数の導体素線１３ａが横巻きされて配設された外部導体１３と、この外部導体の外周に配設された外被１４とを有する。例文帳に追加

The coaxial cable 10 comprises a center conductor 11, an inner insulator 12 arranged at the outer circumference of the center conductor 11, an outer conductor 13 which is arranged at the outer circumference of this inner insulator 12 with a plurality of conductor element wires 13a laterally wound, and a sheath 14 arranged at the outer circumference of the outer conductor. - 特許庁

線輪用導体１表面には素線絶縁体として補強材が無い第１の集成マイカテープ巻回層２を巻回して素線導体３を形成し、この素線導体３を巻線機により巻回して線輪部品４を形成する。例文帳に追加

A first laminated mica tape wound layer 2 is wound without reinforcements to form a strand conductor 3 as a strand insulator on a coil conductor 1 surface, the strand conductor 3 is wound with a winder to form a coil component 4. - 特許庁

突起構造を絶縁樹脂に埋め込むようにして配線層、絶縁樹脂および半導体素子を積層した半導体モジュールにおいて、半導体素子の電極にダメージを与えるおそれを低減し、かつ突起構造と半導体素子の電極との接続信頼性を向上させる。例文帳に追加

To reduce possibility of giving damage to an electrode of a semiconductor element and to improve reliability of connection between a projected structure and the electrode of semiconductor element in a semiconductor module in which a wiring layer, an insulating resin, and a semiconductor element are laminated in such a manner as burying the projected structure in the insulating resin. - 特許庁

熱応力により樹脂製充填材が絶縁基体から剥離し、半導体素子を良好に保護することができないとともに、半導体素子の電極と絶縁基体の配線導体との電気的な接続が切断されて半導体素子を長期間にわたり安定に作動させることができない。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device and a manufacturing method thereof, whereby a semiconductor element is tightly fixed to an insulation substrate through a resin filler to protect the semiconductor element, and the electrodes of the semiconductor element are completely electrically connected to wiring conductors to enable the semiconductor element to stably operate for a long time. - 特許庁

簡易な構成から成る検出部で絶縁被覆電線の金属撚線から成る導体の素線断線を検出する。例文帳に追加

To detect the yarn stock disconnection of a conductor consisting of the metal twisted wire of an insulation covering electric wire at a detection part that is simple in configuration. - 特許庁

本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、半導体ウエハ上に絶縁膜を成膜し、成膜した絶縁膜の上に機能素子又は配線を含むマスクパターンを形成する。例文帳に追加

In this manufacturing method for the semiconductor integrated circuit device, an insulation film is formed on a semiconductor wafer and a mask pattern including a function element, or wiring is formed on the formed insulation film. - 特許庁

上記半導体素子１の絶縁金属基板２０に面する面と反対の側の面に設けられた電極と絶縁金属基板２０の導体部７とを、内部配線構造体３０のリード端子４を介して接続する。例文帳に追加

An electrode, provided on a face on the side opposite a face that faces the insulating metal board 20 of the semiconductor element 1, is connected to the conductor 7 of the insulating metal board 20 via the lead terminal 4 of the internal wiring structure 30. - 特許庁

特に、パワー半導体素子の厚さを１００μｍ以下に、絶縁基板の表裏面に配線される導体層の厚さの和を０.７mm以上２.０mm以下に、そして絶縁基板の厚さを０.１mm以上１.０mm以下に設定する。例文帳に追加

Especially, the thickness of the power semiconductor element is set to ≤100 μm, the sum of the thicknesses of the conductor layers wired on the top and reverse surfaces of the insulating substrate is set to 0.7 to 2.0 mm, and the thickness of the insulating substrate is set to 0.1 to 1.0 mm. - 特許庁

本発明は、導体と、前記導体の外周に形成され、全体の８０質量％以上がフッ素樹脂からなる第一の絶縁層と、第一の絶縁層の外周に形成され、熱硬化性樹脂を含む第二の絶縁層と、を有することを特徴とする電線。例文帳に追加

The electric wire has a conductor, a first insulating layer which is formed on the outer circumference of the conductor and of which 80 wt.% or more of the total is made of a fluororesin, and a second insulating layer which is formed on the outer circumference of the first insulating layer and contains a thermosetting resin. - 特許庁

一方の主面に半導体素子の搭載部を有する絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の主面から他方の主面にかけて形成された貫通孔６と、貫通孔６の内壁に、絶縁基板２の一方の主面から他方の主面にかけて形成された配線導体層３とを有する。例文帳に追加

The submount has an insulating substrate 2 having a mounting part of the semiconductor element on one main face, a through hole 6 formed from one main face to the other main face of the insulating substrate 2, and a wiring conductor layer 3 formed from one main face to the other main face of the insulating substrate 2 at an inner wall of the through hole 6. - 特許庁

２層のポリシリコン層３ａ，３ｂと、それらの間に挟まれた絶縁膜３ｃとから成る容量素子３の直上に、導体線の線間容量を利用した容量素子７を当該容量素子３と電気的に絶縁して設ける。例文帳に追加

The semiconductor device includes the capacity element 7 using a line capacity of a semiconductor line electrically insulated with conductive element 3 directly above the capacity element 3 including two-layer polysilicon layers 3a, 3b and an insulating film 3c inserted among them. - 特許庁

半導体素子は、半導体基板１０３と、半導体基板上に交互に設けられた第１配線および第１絶縁層を含む第１配線構造層と、第１配線構造層上に交互に設けられた第２配線および第２絶縁層を含む第２配線構造層とを含む。例文帳に追加

The semiconductor element includes a semiconductor substrate 103, a first wiring-structure layer including a first wiring and a first insulating layer alternately formed on the semiconductor substrate, and a second wiring-structure layer including second wiring and a second insulating layer alternately formed on the first wiring-structure layer. - 特許庁

半導体基体内に形成されている光電変換素子と、半導体基体の表面側に設けられている絶縁層と、絶縁層内に形成されている複数の配線層と、光電変換素子の周囲の半導体基体内に形成されている半導体領域とを備える。例文帳に追加

A solid-state image sensing device includes: the photoelectric conversion element formed inside a semiconductor substrate; an insulating layer provided on the surface side of the semiconductor substrate; a plurality of wiring layers formed inside the insulating layer; and a semiconductor area formed inside the semiconductor substrate around the photoelectric conversion element. - 特許庁

素子２ａまたは配線２ｂが形成された半導体基板１の上に、素子２ａまたは配線２ｂを覆うように層間絶縁膜３を形成する。例文帳に追加

The interlayer insulating film 3 is formed on a semiconductor substrate 1, on which elements 2a or wirings 2b are formed so as to cover the elements 2a or the wirings 2b. - 特許庁

導体素線１は相対する素線の表面同士が平行であると共に、その周囲に厚さがＴの絶縁性物質２が被覆されている。例文帳に追加

The surfaces of the opposed strands 1 are in parallel with each other, and a periphery of the strands is covered with an insulating substance 2 having a thickness T. - 特許庁

上記発熱線が、芯線上に導体素線を巻装し、その外周に絶縁被覆を施したものであるコード状ヒータ。例文帳に追加

In the cord-like heater, the heating wire is formed of a core, a conductive element wire wound around the core, and an insulating coating applied to the outer surface of the conductive element wire. - 特許庁

本発明は、ホウ素、炭素、窒素を含有する材料を配線の層間絶縁膜に用いて、高性能半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high-performance semiconductor device, using a material containing boron, carbon, and nitrogen for the interlayer insulation film of wiring. - 特許庁

半導体素子２が搭載されるとともに半導体素子２の各電極を外部電気回路に電気的に接続するための複数の配線導体４を有する絶縁基体１と、絶縁基体１に搭載され、各電極が配線導体４に電気的に接続された半導体素子２と、半導体素子２およびその周辺の絶縁基体１表面を被覆する樹脂製被覆材３とから成る半導体装置であって、樹脂製被覆材３は、ヤング率が100 〜800 ｋｇｆ／ｍｍ^2 であり、かつ絶縁基体１に対する密着強度が0.5 ｋｇｆ／ｍｍ^2 以上である。例文帳に追加

In this semiconductor device, the upper surface of a semiconductor element 2 and an insulating base body 1 surrounding it is coated with a resin coating material 3, and the surface of the semiconductor element 2 mounted on a mounting part 1a and the insulating base body 1 surrounding it is also coated with the resin coating material 3. - 特許庁

多層配線層を有する半導体装置の製造工程において、少なくとも第一配線層１０６を覆う絶縁層１０７の形成後及び最終配線層１１２を覆う絶縁層１１３の形成後に水素化熱処理を行う。例文帳に追加

In the fabrication process of semiconductor device having a multilayer interconnection layer, hydrogenation heat treatment is performed at least after formation of an insulation layer 107 covering a first interconnection layer 106 and an insulation layer 113 covering a last interconnection layer 112. - 特許庁

線心１３０は、線心１２０と同形状の線心であり、色層を有しておらず、導体１３２を被覆する絶縁体１３４を、絶縁体１１４及び外層１２８と同様の素材で同色に構成してなる。例文帳に追加

The cable core 130 is identical in shape with the cable core 120 and has no color layer, and the insulator 134 for sheathing the conductor 132 in the cable core 130 is identical to that in the material and color, with the insulator 114 and the outer layer 128. - 特許庁

素線の各々を絶縁被覆しても良いし巻線導体全体を被覆部分しても良いし、必要に応じて結線用に絶縁被覆を選択的に除去する。例文帳に追加

It will do to cover each of the element wires with an insulator, or to cover the whole of the coil conductor, and the insulating cover is selectively removed for winding as needed. - 特許庁

素子電極１１を主面に有する半導体基板１０と、半導体基板の裏面に接合されたプレート６０と、半導体基板１０の主面上に形成された絶縁層２０と、絶縁層２０の上に形成された金属配線層３３とを備えた半導体装置である。例文帳に追加

A semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 10 having an element electrode 11 on a main face, a plate 60 connected to the rear face of the semiconductor substrate 10, an insulating layer 20 formed on the main face of the semiconductor substrate 10, and a metallic wiring layer 33 formed on the insulating layer 20. - 特許庁

高屈曲絶縁電線１は、導電性の素線１１，１２を撚って形成された導体部１０上に絶縁被覆材２０を被覆したものであって、導体部１０は、素線１１を集合撚りした内層と、当該内層の外周にて素線１２を円周状に配置した最外層とからなる。例文帳に追加

An insulation coating material 20 is coated on a conductor part 10 formed by twisting conductive strands 11, 12 to form this highly flexible insulated wire 1, and the conductor part 10 is composed of an inner layer formed by collectively twisting the strands 11 and an outermost layer formed by circumferentially disposing the strands 12 around the periphery of the inner layer. - 特許庁

単心線又は撚り線からなる中心導体２ａ，２ｂの外周を絶縁体３で覆い、この絶縁体の外周に外部導体４ａ，４ｂが配された同軸ケーブル素線１ａ，１ｂで、中心導体２を銅箔糸６で形成する。例文帳に追加

For a coaxial cable strand 1a, 1b, of which an outer periphery of the center conductors 2a, 2b made of a single-core wire or twisted wires is covered with an insulator 3, and outer conductors 4a, 4b are arranged on the outer periphery of the insulator, and the center conductor 2 is formed of copper foil thread. - 特許庁

半導体基体１上の配線層に形成されている配線と絶縁層とからなる容量素子１０を備える。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a capacitative element 10 including wiring formed in a wiring layer on a semiconductor substrate 11 and an insulation layer. - 特許庁

配線間の絶縁膜として炭素含有シリコン酸化膜を用いた半導体装置において配線構造の不良を防止する。例文帳に追加

To prevent the failure of a wiring structure in a semiconductor device using a carbon content silicon oxide film as an inter-wiring insulating film. - 特許庁

配線基板３は、コンデンサ素子部４と半導体素子接続端子５と複数の絶縁層６からなる。例文帳に追加

The wiring substrate 3 is made of a capacitor element part 4, the semiconductor element connection terminal 5 and a plurality of insulating layers 6. - 特許庁

高耐圧スイッチング素子を使用した半導体スタックの配線構造の簡素化，絶縁性能及び組立性の改善。例文帳に追加

To obtain a semiconductor stack employing a switching element, having high breakdown strength in which wiring structure is simplified, while enhancing insulation performance and assembling performance. - 特許庁

ポリイミド樹脂とフッ素樹脂と電荷付与剤とを水分散してなる水分散型樹脂エマルジョンを導体上に電着し、乾燥、焼付けすることによって絶縁層を形成することを特徴とする絶縁電線の製造方法、およびそれによって得られた絶縁電線。例文帳に追加

Water-dispersion type resin emulsion with polyimide resin, fluorocarbon resin, and charge granting agent dispersed in water is electrodeposited on a conductor, dried, and printed, to form an insulation layer. - 特許庁

絶縁基板に生じる引張り残留応力を低減し、使用時の絶縁基板の割れを抑制し、金属板と絶縁基板の良好な接合状態を維持し、半導体素子から放出される熱を効率よく収納容器へ伝導できる配線基板および配線基板モジュールを提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board and a wiring board module in which residual tensile stress occurring in an insulating substrate is reduced, cracking of the insulating substrate is suppressed during use, good bonding state is sustained between a metal plate and the insulating substrate, and heat dissipated from a semiconductor element can be conducted efficiently to a container. - 特許庁

層間絶縁膜の内に設けられたトレンチの側壁にスペーサーを形成することにより層間絶縁膜の脆弱な機械的な特性を補完し、層間絶縁膜が腐食し或いは金属配線がディッシングされる現象を抑制可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a metal line of a semiconductor device with which a mechanically fragile property of an interlayer insulating film is supplemented by forming a spacer on the sidewall of a trench formed in the interlayer insulating film, and corrosion of the interlayer insulating film or a dishing phenomenon of the metal line is suppressed. - 特許庁

短波長紫外線放電灯１００の管体３１の外を引き回されるリード線６０が、フッ素樹脂押し出し成形絶縁体で被覆された絶縁導体上に金属製の外装部材を有する。例文帳に追加

A lead wire 60 drawn around an outside of a tube body 31 of the short-wavelength ultraviolet discharge lamp 100 is provided with a metal outer package member on an insulated conductor coated with a fluororesin extrusion molded insulator. - 特許庁

放熱板２の表面２ａ上には絶縁層３が形成され、絶縁層３の表面３ａ上には配線層４が形成され、配線層４の表面４ａ上にはんだ９を介して半導体素子１０が搭載されている。例文帳に追加

The plate 2 has an insulation layer 3 on the surface 2a with a wiring layer 4 formed on the surface 3a of the insulation layer 3. - 特許庁

半導体素子１は、絶縁性コア基板２とこのコア基板の表裏両面に形成され配線パターンを有する絶縁層からなるビルドアップ層３とから構成された配線基板にフリップチップ接続されている。例文帳に追加

A semiconductor element 1 is connected to a wiring board consisting of an insulated core board 2 and a build-up layer 3 of insulated layers formed on both sides of this core board and provided with wiring patterns via a flip chip. - 特許庁

絶縁層１１０によって取り囲まれたＣｕ層を含む下部配線２１０を形成し、絶縁層１１０上に下部配線２１０を覆って保護するキャップ層３００を形成する半導体素子の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method for a semiconductor device is comprised of forming a lower wiring 210 containing a Cu layer enclosed by an insulating layer 110, and forming a cap layer 300 for protection, by covering the lower wiring 210 on the insulating layer 110. - 特許庁

半導体装置における配線構造を、下層から順に、絶縁層、添加元素として少なくともＡｕまたはＡｇのいずれか一方を含有するＡｌからなる配線層、絶縁層が、順次積層されてなる積層構造とする。例文帳に追加

A wiring structure in the semiconductor device is made a laminate structure wherein an insulating layer, the wiring layer which contains at least either Au or Ag as an alloying element and is composed of Al, and an insulating layer are laminated in order from a lower layer. - 特許庁

ＷＬ−ＣＳＰアッシング工程にて、再配線パターンに溜まった電荷によって、再配線パターンと半導体基板間における絶縁破壊，内部素子、あるいは絶縁膜の破壊などの発生を防止し得る構成とする。例文帳に追加

To form a constitution capable of preventing the generation of a breakdown between a re-wiring pattern and a semiconductor board, the breaking of an internal element or an insulating film or the like by charges collected in the re-wiring pattern in a WL-CSP ashing process. - 特許庁

強誘電体キャパシタを埋める層間絶縁膜上に配線層を形成する際に、層間絶縁膜上のＡｌ_2Ｏ_3膜等の水素バリアを超えて生じる水素の侵入を抑制する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which hydrogen beyond a hydrogen barrier such as an Al_2O_3 film on an interlayer insulating film is suppressed when a wiring layer is formed on the interlayer insulating film which buries a ferroelectric capacitor. - 特許庁

本発明の半導体装置では、絶縁樹脂２３上下部に第１および第２の導電配線部２４、２５を形成し多層構造を実現した絶縁樹脂シート２２上に半導体素子２８を固着し、半導体素子２８とボンディングパッド３１とをボンディングワイヤー３２で電気的に接続する。例文帳に追加

In this semiconductor device, first and second conductive wiring parts 24, 25 are formed on the upper and lower parts of an insulating resin 23, the semiconductor element 28 is fixed onto an insulating resin sheet 22 realizing a multilayer structure, and the element 28 is electrically connected to the bonding pad 31 via a bonding wire 32. - 特許庁

シリコン基板と、シリコン基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたシリコン半導体層とを有する半導体基板に形成された光センサであって、シリコン半導体層に形成された紫外線感光素子と、シリコン基板に形成された可視光感光素子とを備える。例文帳に追加

Disclosed is the optical sensor formed on the semiconductor substrate having a silicon substrate, an insulating layer formed on the silicon substrate, and a silicon semiconductor layer formed on the insulating layer, the optical sensor having the ultraviolet-ray sensitive element formed on the silicon semiconductor layer and the visible light sensitive element formed on the silicon substrate. - 特許庁