「素線絶縁導体」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

導体部２０の外周部における絶縁被覆層３０が、テトラフルオロエチレン−プロピレン系共重合体からなるフッ素系ゴムで形成された耐熱耐油性電線１０を使用する。例文帳に追加

There is a heat-resistant and oil-resistant fluororubber-formed electric wire 10 used whose insulating coated layer 30 at an outer circumference of a conductor section 20 consists of a tetrafluoroethylene-propylene copolymer. - 特許庁

アクティブマトリックス型薄膜トランジスタ素子基板の製造工程において、ゲート電極をパターンニング後、ゲート絶縁膜と、半導体層と、映像信号配線とドレイン電極を形成するための電極層を成膜する。例文帳に追加

In the manufacturing processes of an active matrix type thin film transistor element substrate, a gate insulating film, a semiconductor layer and an electrode layer for forming video signal wiring and a drain electrode are formed in film forms after a gate electrode is patterned. - 特許庁

絶縁基板の両主面に対向して配置される半導体素子と外部電気回路とを容易かつ確実に電気的に接続させることが可能な配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring board capable of easy and secure electrical connection between a semiconductor device and an external electric circuit oppositely disposed on both main surfaces of an insulation substrate. - 特許庁

この段状パッド３７と、放熱ベース３３の絶縁配線基板３９上に固定された半導体素子４２の電極部４２ａとは、ボンディングワイヤ４３を介して電気的に接続されている。例文帳に追加

The step-like pad 37 is electrically connected to the electrode section 42a of a semiconductor element 42 fixed on the insulating wiring board 39 of a heat radiation base 33 through a bonding wire 43. - 特許庁

電子線４を照射し続けることによって、Ｓｉ原子のみから成る発光層５が、シリコン半導体基板である集積回路素子２に到達し、こうしてＳｉＯ_2の電気絶縁層６を挿通した発光層５が形成される。例文帳に追加

When the beam 4 is continuously projected upon the region, a light emitting layer 5 composed only of Si atoms reaches the integrated circuit element 2 composed of the silicon semiconductor substrate and finally formed through an SiO_2 electrical insulating layer 6. - 特許庁

層間絶縁膜５上に、ソース／ドレイン領域を有する薄膜半導体層７と、ゲート誘電膜８と、ゲート配線Ｇからなるゲート電極とを設け、画素電極駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。例文帳に追加

A thin film semiconductor layer 7 having source/drain areas, a gate dielectric film 8, and a gate electrode formed of gate wiring G are provided on the interlayer insulating film 5, to form a thin film transistor(TFT) for driving a pixel electrode. - 特許庁

複数の半導体素子が形成刺されたシリコンウェハ１上にボンディングパッド３、最終絶縁層５、再配線層７及びメタル・ポスト９を形成した後（Ａ）、封止樹脂１１を形成する（Ｂ）。例文帳に追加

Bonding pads 3, a final insulating layer 5, a re-wiring layer 7, and metal posts 9 are formed on a silicon wafer 1 on which a plurality of semiconductor elements are formed (A), and then a sealing resin 11 is formed (B). - 特許庁

本発明は、オーバーコートガラスの厚みを必要以上に厚くすることなく、表層配線導体どうしの絶縁信頼性を確保し、かつ、電子部品素子などの搭載時に必要な接合信頼性を確保できる回路基板を提供する。例文帳に追加

To provide a circuit board for securing insulation reliability between surface layer wiring conductors without making thick overcoat glass more than required and securing required junction reliability when mounting an electronic element or the like. - 特許庁

（ｄ）のように、Ｄ１方向に加圧した状態で加熱し、突起電極６に接続部４が沈み込むようにして、半導体素子３と絶縁テープ１の配線パターン２とが接続される。例文帳に追加

The connecting section 4 is sunk to the bump electrodes 6 by a heating under a pressed state in the direction of D1, and the semiconductor element 3 and a wiring pattern 2 for the insulating tape 1 are connected as in (d). - 特許庁

２枚の絶縁性フィルム５、５の間に複数本の線状導体４を並列して挟み込んでなる長尺のアンテナ素子７を所望の形状に折り曲げてアンテナを形成する。例文帳に追加

The antenna is formed by folding a long-length antenna element 7 which is formed by sandwiching parallelly arranged several linear conductors 4 between two insulating films 5, into a desired shape. - 特許庁

アンダーフィル樹脂と半導体素子搭載面となる絶縁層やソルダーレジスト層との間の濡れ性を調整し、アンダーフィル樹脂を充填する時にアンダーフィル樹脂にボイド等発生しないような配線基板を得る。例文帳に追加

To provide a wiring board which adjusts wettability between an underfill resin and an insulation layer or a solder resist layer which serves as a semiconductor element mounting surface to inhibit occurrence of voids and the like in the underfill resin when the underfill resin is filled. - 特許庁

平滑用として有効な容量のコンデンサを素子の増加や配線の発生を招くことなく内蔵させることができる絶縁型半導体パワーモジュールを提供すること。例文帳に追加

To provide an insulated semiconductor power module in which a capacitor having the capacity effective for smoothing can be built in without causing an increase in the number of elements or the generation of wiring. - 特許庁

絶縁被覆された導体素線３００を渦巻き状に巻回して形成された平板状コイル１００を、その平面が前記伝熱管６００の管軸に対して垂直になるように配置する。例文帳に追加

A flat-plate-like coil 100 which is formed by helically winding around a conductive element wire 300 which is insulatedly coated is arranged so that the plane is vertical to the tube axis of the heat transfer tubes 600. - 特許庁

ＴＦＴのドレイン領域を延長させた薄膜半導体層４の部分と保持容量配線２との間に、層間絶縁膜３の凹部３ａの底部からなる保持容量用誘電膜を挟んで、保持容量素子を構成する。例文帳に追加

A holding capacitance element is formed by holding a dielectric film for the holding capacitance formed of the bottom part of the recessed part 3a of the interlayer insulating film 3 between the extended part of the thin film semiconductor layer 4 from the drain area of the TFT. - 特許庁

半導体基板上に設けられた層間絶縁膜１１中に、図示しない下層の配線層または素子に関係する電気的なビア接続領域１２１、１２２が形成されている。例文帳に追加

In an interlayer insulating film 11 formed on a semiconductor substrate, electrical via connection regions 121, 122 related to an unshown lower wiring layer or elements are formed. - 特許庁

更に、放熱板６の少なくとも一部、絶縁層１２、配線パターン層９、半導体素子４、５、及び樹脂枠１３は、熱可塑性樹脂により成形された樹脂パッケージ１で包囲されている。例文帳に追加

Furthermore, at least a part of the heat-dissipation plate 6, the insulation layer 12, the wiring pattern layer 9, the semiconductor elements 4 and 5, and the resin frame 13 are surrounded by a resin package 1 molded with a thermoplastic resin. - 特許庁

配線ライン１６８を基板１０に接続するためのコンタクトホールが形成されている絶縁膜１２０に、ラウンド形状コーナー部Ａと垂直側壁とが形成されている半導体素子。例文帳に追加

A semiconductor device has a round-shaped corner A and a vertical sidewall which are formed on an insulating film 120 in which there is formed a contact hole for connecting a wiring line 168 to a substrate 10. - 特許庁

液晶表示パネルの薄膜半導体素子や集積回路等のアルミニウム含有金属配線の保護膜として、絶縁耐圧が十分に高い酸化物皮膜を提供する。例文帳に追加

To provide a metal oxide film, having a high dielectric strength enough as a protective film for aluminum-containing metal wirings, such as thin-film semiconductor elements of a liquid crystal display panel or integrated circuits. - 特許庁

平滑用として有効な容量のコンデンサを素子の増加や配線の発生を招くことなく内蔵させることができる非絶縁型半導体パワーモジュールを提供すること。例文帳に追加

To provide a non-insulated semiconductor power module in which capacitors having the capacity effective for smoothing can be built in without causing an increase in the number of elements or the generation of wiring. - 特許庁

耐紫外線性、耐候性に優れており、屋外使用や光半導体素子周辺でのデバイスの接合信頼性の高い絶縁性ペーストを提供する。例文帳に追加

To provide a nonconductive paste excellent in ultraviolet resistance and weather resistance, and having high joining reliability of a device in the outdoor use and in the periphery of an optical semiconductor element. - 特許庁

その外側に、ガラスクロス７を所定の厚さを有するように巻き付けた後、樹脂８を含浸させ、導体素線４及びその周囲の絶縁層を一体化させる。例文帳に追加

A glass cloth 7 after being wound outside it to a predetermined thickness is impregnated with resin 8 to unite together the conductor strand 4 and an insulating layer at its periphery. - 特許庁

半導体基板上には、第１方向を長手方向として且つ第１方向と直交する第２方向において素子分離絶縁膜を挟むように形成されるソース線が形成される。例文帳に追加

On the semiconductor, source lines are formed so as to sandwich an element isolation insulation film in a first direction as a longitudinal direction and a second direction perpendicular to the first direction. - 特許庁

半導体基板１００上に形成されるｐ型ウェル２には、ビット線ＢＬの長手方向に沿って形成されたトレンチ３に素子分離絶縁膜４が埋め込まれている。例文帳に追加

In a p-type well 3 formed on a semiconductor substrate 100, an element isolation insulation film 4 is embedded in trenches 3 formed along the longitudinal direction of a bit line BL. - 特許庁

信号線層２６、回路素子層２４及び接地導体層２２を少なくとも１層ずつ含む３層以上の導電体層と、導電体層間に絶縁体層３２及び３４とを備える。例文帳に追加

The multilayer circuit has: at least three conductor layers each including at least one of a signal line layer 26, a circuit element layer 24 and a ground conductor layer 22; and insulator layers 32 and 34 between the conductor layers. - 特許庁

層間絶縁膜の酸素含有量が低い部分とＣｕ配線との密着性およびバリア性を十分に高めることができるバリア層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a barrier layer which can improve adhesive strength and barrier property between a portion of an interlayer insulating film where the oxygen content is low and Cu wiring, and to provide a manufacturing method thereof.wiring, and a manufacturing method thereof. - 特許庁

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。例文帳に追加

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously. - 特許庁

絶縁基体１のメタライズ配線導体４から離間した下面中央部を平坦度が50μｍ以下となるように研削して平坦化した固体撮像素子収納用パッケージである。例文帳に追加

This solid-state image pick-up element housing package is equipped with a flattened insulating board 1 whose undersurface center distant from metallized wiring conductors 4 is made to have flatness of 50 μm or below by abrasion. - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体発光素子２０１は、絶縁性基板２０と、ｎ型領域２１ｎと、ｐ型領域２２ｐとをこの順に有し、発光領域を太線Ａで示した。例文帳に追加

The group III nitride based compound semiconductor light-emitting device 201 has an insulation board 20, an n type region 21n, and a p type region 22p in this order, and a light emitting region is shown by a bold line A. - 特許庁

絶縁樹脂層１を介した一面側に金属製のガスバリア層２が、他面に発光素子６への給電用の導体配線３が設けられている。例文帳に追加

The sealing body comprises an insulating resin layer 1 on one face of which a metal gas barrier layer 2 and on the other face of which a conductive wiring 3 for supplying power to the light emitting elements 6 are provided. - 特許庁

ＣＯＢ構造を備えた半導体記憶装置において、容量絶縁膜の水素による劣化を防止するとともに、ビット線のエッチングでの薄膜化を防止する。例文帳に追加

To prevent a capacitance insulating film from deteriorating owing to hydrogen and to prevent a bit line from being a thinner film owing to etching in a semiconductor memory device having a COB (Capacitor Over Bit line) structure. - 特許庁

冷却装置５の電気絶縁材でなる筐体１５の表面１５ａに発熱素子２を直接設置し、また表面１５ａに導体線３を直接形成する構成とした。例文帳に追加

The circuit device is constituted by directly setting up the heat generating element 2 on the surface 15a of the enclosure 15 composed of an electrical insulating material of the cooling device 5 and directly forming conductor lines 3 on the surface 15a. - 特許庁

基板反りの発生しない100℃以下の低温領域で半導体素子を配線基板へ搭載可能にし、耐湿信頼性がより高い絶縁性フィルム状接着剤を提供する。例文帳に追加

To provide a nonconductive film-shaped adhesive enabling a semiconductor device to be mounted on a wiring board in a low-temperature region of ≤100°C at which the warp of the board is not caused, and having higher moisture-resistant reliability. - 特許庁

導体パターンの転写工程時に、合わせて被転写体である絶縁材の薄型且つ厚さの均一化が図れる配線基板及びその製造方法、素子実装基板及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a wiring board and a manufacturing method thereof, and an element mount board and a manufacturing method thereof whereby the low profile and the uniformized thickness of an insulating member of a body to be transferred are attained together with a transfer step of a conductor pattern. - 特許庁

無給電素子６をスリーブ５と略同一径の円筒導体により形成し、絶縁材カバー７の外面に貼り付けて、放射部４に軸線を一致させた状態で被せる。例文帳に追加

A parasitic element 6 is formed by a cylindrical conductor whose diameter is near the same as that of the sleeve 5, adhered to an outer face of an insulation material cover 7, and covered to the radiation section 4 while the axial lines of the both are made in matching with each other. - 特許庁

複数の絶縁層および配線層が交互に積層されてなり、表面に複数の入出力インピーダンスを有する半導体素子が実装される多層回路基板において、基板面積、コストの削減を図る。例文帳に追加

To provide a multilayer circuit board which includes pluralities of insulating layers and wiring layers alternately stacked, has a semiconductor element mounted thereon with a plurality of input/output impedances on the surface, and can reduce its board surface area and cost. - 特許庁

低濃度P型の半導体基板101の上面内には素子分離層102および導電型層103が形成されており、また、その上面上には配線層間絶縁膜104およびスパイラル形状のインダクタ105が積層されている。例文帳に追加

In an upper surface of a low-density P-type semiconductor substrate 101, an element isolation layer 102 and a conductivity type layer 103 are formed and on the upper surface thereof, an inter-wiring-layer insulating film 104 and the inductor 105 in a spiral shape are laminated. - 特許庁

埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor devices in which flattening (or polishing) can be performed in-situ, the number of times of forming an interlayer insulating film can be reduced, and time and expense required for the manufacturing process can be reduced. - 特許庁

ビルドアップ多層プリント配線板の絶縁樹脂層や半導体素子の基板接続等に有用なエポキシ樹脂組成物、フィルム状接着剤、硬化物を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition useful as e.g. an adhesive for an insulating resin layer of a build-up multilayer printed-wiring board, and an adhesive for connecting a semiconductor element to a substrate, a film adhesive, and a cure material. - 特許庁

また、中間径部１１の周面と最小径部１０に巻回された導体素線１の外周面との上に外周絶縁物３が保持されている。例文帳に追加

An outer peripheral insulator 3 is held on a peripheral surface of an intermediate diameter part 11 and an outer peripheral surface of the strands 1 wound on a minimum diameter part 10. - 特許庁

ビルドアップ多層プリント配線板の絶縁樹脂層や半導体素子の基板接続の接着剤等に有用なエポキシ樹脂組成物、フィルム状接着剤、硬化物を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition useful as e.g. an adhesive for an insulating resin layer of a build-up multilayer printed-wiring board, and an adhesive for connecting a semiconductor element to a substrate, a film adhesive, and a cured material. - 特許庁

バイポーラトランジスタやＭＩＳ型容量素子における電極の下層に設けられたバリアメタルの断線を防止し、半導体層と絶縁膜との接触界面への配線材料の侵入を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To prevent an interconnetion material from intruding into the contact interface of a semiconductor layer and an insulation film by preventing open circuit of a barrier metal underlying the electrode of a bipolar transistor or an MIS type capacitive element. - 特許庁

耐火層を形成する耐火テープの軟質集成マイカ箔が導体素線間に落ち込んでしまうことや、絶縁体被覆時の熱により溶融した耐火テープのプラスチックテープが導体へ貼り付いてしまうことを防止できる耐火電線を提供する。例文帳に追加

To provide a fireproof cable preventing a drop of a soft mica paper foil of a fireproof tape forming a fireproof layer in between conductor strands or sticking of a plastic tape of the fireproof tape melted by heat in insulator covering to a conductor. - 特許庁

ベース絶縁層１の上に、導体配線パターンを、幅方向の両側端部８に対して中央部７が盛り上がる形状の複数の配線５からなるように、めっきにより形成し、この接続端子５と半導体素子のバンプ電極とを接続する。例文帳に追加

The conductor wiring pattern is formed on a base insulating layer 1 by plating so as to be formed by a plurality of wirings 5 each having a shape in which a center 7 rises against both side ends 8 of a widthwise direction, and the connection terminals 5 are connected to bump electrodes of a semiconductor element. - 特許庁

半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜１１を形成し、該層間絶縁膜１１に溝部１３を形成し、溝部１３の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜１４を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層１９を、溝部１３の内部を埋め込むように形成する。例文帳に追加

An interlayer insulating film 11 containing oxygen and carbon is formed on a semiconductor substrate, a groove part 13 is formed on the interlayer insulating film 11, an auxiliary film 14 containing predetermined first and second metallic elements is formed on the bottom and sidewall of the groove part 13, and heat processing is performed to form a wiring body layer 19 containing copper as a main component while being buried in the groove part 13. - 特許庁

電動機に用いられる巻線１０であって、銅９９．９６重量％以上、酸素０．００５重量％以下の無酸素銅の導体１と、その導体を被覆し、無機フィラーを分散した有機系樹脂からなる絶縁体層２とを備える。例文帳に追加

The winding 10 to be used for an electric motor is provided with a conductor 1 of oxygen-free copper containing ≥99.96 wt.% copper and ≤0.005 wt.% oxygen, and an insulating layer 2 covering the conductor and made of an organic resin having dispersed inorganic filler. - 特許庁