「膜結合領域」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

転写された不完全結合領域２０を圧電／電歪膜として用いて圧電／電歪膜型素子を作製する。例文帳に追加

The piezoelectric/electrostrictive film type device is fabricated using the transferred incompletely bonding region 20 as a piezoelectric/electrostrictive film. - 特許庁

各ｎ^＋活性領域とポリシリコン膜は導電性膜によって結合され、これらの部品が組み合わさって１つの電気ノードを形成する。例文帳に追加

Each n^+ active area and polysilicon film are coupled by a conductive film and the components combine to form one electric node. - 特許庁

本発明は、光学的結合領域において光透過媒体が光検出器に光学的に結合され、該光学的結合領域において光学的厚膜が該光透過媒体と光検出器との間に形成された光学的なサブアセンブリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical assembly device in which a light transmission medium is optically coupled to a photo-detector in an optical coupling region, and an optical thick film is formed between the light transmission medium and the photo-detector in the optical coupling region. - 特許庁

少なくとも１つのリザーバ領域および１つのウイッキング膜を備える検体検出装置を開示し、ここで、標識した特異的結合パートナーは、このリザーバ領域；および少なくとも１つの化学成分が固定化されるウイッキング膜上の領域に含浸される。例文帳に追加

An analyte detection apparatus has at least one reservoir area and a wicking membrane, wherein a labeled specific binding partner is impregnated on the reservoir area; and a region on the wicking membrane where at least one chemical component is immobilized. - 特許庁

コントロールゲートとなる埋設拡散領域を形成されたＳｉ基板上にフローティングゲート電極を、Ｓｉ基板表面の絶縁膜を介して容量結合するように形成し、フラッシュメモリセルが形成される活性領域中において、前記フローティングゲート電極の両側にソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散領域を形成する。例文帳に追加

In an active area forming a floating gate electrode on an Si substrate forming a burying dispersion area being a control gate so as to be capacity-coupled through an insulating of the surface of the Si substrate and forming a flash memory cell, an n type dispersion area being a source area and a drain area is formed on both sides of the floating gate electrode. - 特許庁

素子分離絶縁膜４の空洞部の形成領域Ｒが、浮遊ゲート電極ＦＧａと、浮遊ゲート電極ＦＧｃ、ＦＧｄの直下方に位置する活性領域Ｓａとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極ＦＧａと素子分離領域Ｓｂを挟んで対向する活性領域Ｓａとの間の結合容量を低減できる。例文帳に追加

A formation region R of a cavity section of an element separation insulation film 4 is provided in an opposed region between a floating gate electrode FGa and an active region Sa positioned directly at a lower portion of floating gate electrodes FGc, FGd, thus reducing coupling capacitance between the floating gate electrode FGa and an active region Sa that opposes while sandwiching the element separation region Sb. - 特許庁

ゲート領域１３は、リッジ型多層膜積層構造２０の前後方向に突出し、互いに結合されて、電気的に接続されている。例文帳に追加

The gate regions 13 protrude in front/back directions of the ridge-type multilayer film laminated structure 20, are coupled and electrically connected to each other. - 特許庁

波長モニタ領域２０は、一対の膜１３７ａ，１３７ｂを介して第１の光導波路と光学的に結合された光導波路２１を有する。例文帳に追加

The wavelength monitor region 20 has an optical waveguide 21 optically coupled to the first optical waveguide via the pair of films 137a, 137b. - 特許庁

本発明は、導電性領域を有する基材、および導電性領域にシランを介して結合された細胞接着阻害性の膜を含む基板の導電性領域に正電圧を印加することにより細胞接着阻害性の膜を剥離する工程、および細胞接着阻害性の膜が剥離された領域上で細胞を培養する工程を含む、細胞培養方法に関する。例文帳に追加

The method for cell culture includes: a step of applying positive voltage onto the electroconductive regions of a substrate comprising a base material having electroconductive regions and cell-adhesion-inhibitory films bound via silane to the electroconductive regions to peel the cell-adhesion-inhibitory films off; and a step of culturing cells on the regions where the cell-adhesion-inhibitory films have been peeled off. - 特許庁

この時、画素電極は、複数の小領域に分割する切開部(91,92,,)を有するが、ドレイン電極、容量性補助電極、及び容量性結合電極などのような薄膜で覆われない小領域は対称構造をなす。例文帳に追加

At this time, although the pixel electrode has notched sections (91, 92) that divide a region into a plurality of small regions which are not covered by a thin film, such as the drain electrode, the capacitive auxiliary electrode and the capacitive coupling electrode, have a symmetrical structure. - 特許庁

薄膜磁性体メモリ（ＭＲＡＭ）において、そのサイズが変更可能なＲＯＭ領域（２０）とＲＡＭ領域（３０）を設け、それぞれ異なるポート（８，９）に結合し、ポート並列にアクセス可能とする。例文帳に追加

A thin-film magnetic substance memory (MRAM) is provided with an ROM region (20) and an RAM region (30) changeable in size, connected to different ports (8, 9) respectively and accessible in parallel to the ports. - 特許庁

特定のＤＮＡ配列と結合する特定のアフィニティーを有するポリペプチド領域、およびＤＮＡ修飾活性を有するポリペプチド領域を優先的に含むキメラ分子であって、輸送能力を有する領域が存在するため、生体膜を通過することができるキメラ分子。例文帳に追加

There are provided chimeric molecules preferentially containing a polypeptide region having specific affinity for binding to specific DNA sequences and a polypeptide region having a DNA restoration activity, and capable of crossing biological membranes due to presence of a region that contains delivery activity. - 特許庁

ＵＤＰ−Ｎ−アセチルグルコサミン：ドリコールホスフェートＮ−アセチルグルコサミン−１−Ｐトランスフェラーゼ（ＧＰＴ）の基質結合領域および膜結合領域を含むポリペプチドをコードするＧＰＴ必須配列を含む、選択マーカー。例文帳に追加

The selection marker comprises a GPT essential sequence encoding a polypeptide containing a substrate-binding region and a membrane-binding region of UDP-N-acetylglucosamine: dolicholphosphate N-acetylglucosamine-1-P transferase (GPT). - 特許庁

ＵＤＰ−Ｎ−アセチルグルコサミン：ドリコールホスフェートＮ−アセチルグルコサミン−１−Ｐトランスフェラーゼ（ＧＰＴ）の基質結合領域および膜結合領域を含むポリペプチドをコードするＧＰＴ必須配列と、目的のヌクレオチド配列とを含む、核酸分子。例文帳に追加

A nucleic acid molecule comprises the GPT essential sequence encoding the substrate-binding region and the membrane-binding region of UDP-N-acetylglucosamine: dolicholphosphate N-acetylglucosamine-1-P transferase (GPT) and a target nucleotide sequence. - 特許庁

Ｃ末端にグリコシルホスファチジルイノシトール（GPI）を介して細胞膜に結合し得る疎水性領域を有することを特徴とする、膜結合型ネトリンを提供する。例文帳に追加

This membrane-bound netrin has a hydrophobic region capable of binding to the cell membrane via glycosyl phosphatidylinositol(GPI) on the C terminal. - 特許庁

基材プレートは、薄膜導波路及び回折格子手段を含んでいて、入射光の領域をウエルの下方の薄膜導波路中に入り結合して回折光の領域を発生させ、よって、薄膜導波路の有効屈折率の変化の検出を可能とする。例文帳に追加

The base plate includes a waveguiding film and a diffraction grating means and couples an incident light field into the waveguiding film beneath the well, to generate a diffracted light field, thereby enabling detection of the change in the effective refractive index of the waveguiding film. - 特許庁

また、このタンパク質ウサギＪＰ−１は、接合ＳＲ膜をつなぐ大きな細胞質領域とＣ末端の疎水性セグメントからなり、この細胞質領域（Ｎ末端側）が細胞表面膜と結合することができ、膜成分のリン脂質と選択的な親和性を示す。例文帳に追加

Further, the protein of rabbit JP-1 consists of large membrane regions which link junction SR membranes and hydrophobic segments of C-terminal, and the cytoplasm region (N-terminal side) can bind to a cell surface membrane and exhibits affinity selectively to a phospholipid of the membrane component. - 特許庁

基材プレートは、薄膜導波路及び回折格子手段を含んでいて、入射光の領域をウエルの下方の薄膜導波路中に入り結合して回折光の領域を発生させ、よって、薄膜導波路の有効屈折率の変化の検出を可能とする。例文帳に追加

The base plate includes a thin-film waveguide and a diffraction grating means, combines the region of incident light, by entering the thin-film waveguide at the lower portion of the well and generates a region of diffracted light, thus detecting changes in the effective refractive index in the thin-film waveguide. - 特許庁

薄膜１５の少なくとも一部に導電性領域（ソース電極１４、ドレイン電極１５）を備えた半導体装置１であって、前記導電性領域は、金属ナノ粒子１４が絶縁性分子を介して結合した前記薄膜１５に、エネルギー線Ｅが照射されることで、前記絶縁性分子の結合が解かれたものであり、前記金属ナノ粒子１４を融解させて結合させたものである。例文帳に追加

In a semiconductor device 1 having a conductive region (source electrode 14, drain electrode 15) in at least a part of a thin film 15, the thin film 15 where metal nano particles 14 are bonded through insulating molecules is irradiated with an energy beam E in the conductive region thus unbonding the insulating molecules and fusing and bonding the metal nano particles 14. - 特許庁

中性域での高い抗体結合活性を損なうことなしに、野生型のプロテインＧの細胞膜外ドメインに比べて、弱酸性域における免疫グロブリンのFc領域との結合性及び／または同Fab領域との結合性が低下した、プロテインＧの細胞膜外ドメインの改良型タンパク質を提供する。例文帳に追加

To provide an improved protein of the outer membrane domain of a cell of protein G, having bondability to Fc region of immunoglobulin in a slightly acidic region and/or bondability to Fab region thereof reduced compared to that of the outer membrane domain of the cell of a wild-type protein G without damaging the high antibody-bonding activity in a neutral region. - 特許庁

絶縁膜形成装置３２において，処理容器５０内のプラズマ生成領域Ｒ１には，プラズマ生成用のガスとしてＡｒガスを供給し，基板Ｗ側の成膜領域Ｒ２には，原料ガスとして多重結合を有するブチンガスを供給する。例文帳に追加

In an insulating film forming device 32, Ar gas is supplied to a plasma producing region R1 in a processing vessel 50 as gas for producing plasma, while butyne gas having multiple bonds is supplied to a film-producing region R2 of the substrate W side as the material gas. - 特許庁

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。例文帳に追加

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film. - 特許庁

順バイアス状態で注入されたキャリアの濃度が比較的高いｐｎ接合付近の領域またはｎ+ｎ接合付近の領域に、再結合中心となる結晶欠陥を有する所定の膜として、ポリシリコン膜が形成されている。例文帳に追加

In a region nearby a pn junction where the density of carriers injected in a forward bias state is relatively high or a region nearby an n+n junction, a polysilicon film is formed as a predetermined film having a crystal defect as a center of recombination. - 特許庁

第一の磁性膜111、非磁性膜112、第二の磁性膜113が形成され、非磁性膜112と第二の磁性膜113の界面に第二の磁性膜113よりも大きなスピン分極率を有しかつ粒形状である磁性領域114が形成され、その粒形状の磁性領域114と第一の磁性膜111を交換結合させることにより上記問題を解決した。例文帳に追加

A 1st magnetic film 111, a nonmagnetic film 112, and a 2nd magnetic film 113 are formed, a magnetic area 114 which has a larger spin polarizability than the 2nd magnetic film 113 and is granular is formed on the interface between the nonmagnetic film 112 and 2nd magnetic film 113, and the granular magnetic area 114 and the 1st magnetic film 111 are exchange- coupled. - 特許庁

トランジスタの活性領域であるゲート電極４の上方領域は、第１ストッパー窒化膜７が取り除かれており、水分が上方に拡散できるため、水酸基による半導体基板界面近傍での再結合準位を減少させ、水素処理による水素原子がトランジスタへ導かれる。例文帳に追加

Then, a recombination level with a hydroxyl group in the vicinity of an interface of the semiconductor can be reduced while hydrogen atoms through hydrogen process are conducted to the transistor. - 特許庁

スイッチングトランジスタ領域のＳｉ−Ｈ結合が安定し、誘電体キャパシタ領域の強誘電体酸化膜に酸素欠損が発生しない半導体装置、その製造方法及びそれを使用した電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus in which Si-H coupling in a switching transistor region is stable and oxygen missing is not generated in a ferroelectric oxide film in a dielectric capacitor region, and to provide a manufacturing method thereof and an electronic device utilizing the same. - 特許庁

活性領域上には第１のゲート絶縁膜１８を介して活性領域に容量結合する電荷蓄積層２０が形成され、電荷蓄積層２０上には第２のゲート絶縁膜２２を介して電荷蓄積層２０に容量結合する制御ゲート２４が形成され、制御ゲート２４に対してドレイン拡散層の反対側にはソース拡散層８が形成される。例文帳に追加

A charge accumulation layer 20 for capacity coupling to the active region is formed on the active region through a first gate insulating film 18, a control gate 24 for capacity coupling to the charge accumulation layer 20 is formed on the charge accumulation layer 20 through a second gate insulating film 22, and a source diffusion layer 8 is formed on the opposite side of the drain diffusion layer to the control gate 24. - 特許庁

更に、配向膜のうち表示領域に形成された第１部分には、少なくとも部分的に表面処理が施されており、配向膜のうちシール領域に形成された第２部分には、少なくとも部分的に表面処理が施されておらず、第２部分とシール材とは、少なくとも部分的にシラノール基が化学反応された共有結合によって相互に結合される。例文帳に追加

Furthermore, a first part formed in the display area of the orientation film is at least partially subjected to surface treatment; a second part formed in the seal area of the orientation film is not at least partially subjected to the surface treatment, and the second part and the sealant are mutually coupled by covalent bonding in which the silanol group is at least partially and chemically reacted. - 特許庁

このため、第２の酸化物半導体膜と接する第１の酸化物半導体膜の界面近傍に形成されるチャネル領域では、未結合手による電子トラップなどに起因した移動度の低下を低減できる。例文帳に追加

Therefore, in the channel region formed in the vicinity of the boundary of the first oxide semiconductor film that is in contact with the second oxide semiconductor film, the deterioration in mobility due to the electron trap or the like caused by the dangling bond can be suppressed. - 特許庁

反射膜をグレーティングカプラ直下にのみ形成し、グレーティングカプラの結合効率を高めるとともに、その他の領域部分には、反射膜を設けずに迷光による雑音を抑制する、光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide an optical element in which a reflection film is formed only in an area just under a grating coupler, to increase the coupling efficiency of the grating coupler, and which suppresses noise due to stray light without forming a reflection film in the other area. - 特許庁

基体上に下地層、磁性層、保護層を有する磁気記録媒体において、該保護層がDLC膜からなり、該DLC膜の表面からの深さ13Å以下の領域にＣＮ結合が形成された磁気記録媒体を用いる。例文帳に追加

In the magnetic recording medium having a base layer, a magnetic layer and a protective layer on a substrate, the protective layer consists of a DLC film and CN bonds are formed in the region between the surface of the DLC film and 13 Å depth from the surface of the DLC film. - 特許庁

中性域での高い抗体結合活性を損なうことなしに、野生型のプロテインＡの細胞膜外ドメインに比べて、弱酸性域における免疫グロブリンのFc領域との結合性が低下した、プロテインＡの細胞膜外ドメインの改良型タンパク質を提供する。例文帳に追加

To provide an improved protein of outer membrane domain of cell of protein A, which has a reduced binding affinity for Fc region of immunoglobulin in a weakly acidic range without impairing high antibody binding activity in a neutral range in comparison with an outer membrane domain of cell of wild type protein A. - 特許庁

本発明の一態様に係るトランジスタ１００は、導体領域１０ａと表面に原子が結合した半導体領域１０ｂとを有し、チャネルとして機能するグラフェン膜１０と、グラフェン膜１０上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、を有し、導体領域１０ａと半導体領域１０ｂが形成するショットキー接合のトンネル電流をスイッチング動作に用いる。例文帳に追加

The transistor 100 in one embodiment includes: a graphene film 10 which has a conductor region 10a and a semiconductor region 10b where atoms are bonded to a surface, and functions as a channel; and a gate electrode 12 formed on the graphene film 10 with a gate insulating film 11 interposed, wherein a tunnel current of a Schottky junction that is formed by the conductor region 10a and semiconductor region 10b is used for switching operation. - 特許庁

これにより、遮蔽部と基板支持部により基板の周縁部を除く領域でのプラズマ生成を防ぎ、誘導結合型プラズマ放電を用いて高密度のプラズマを生じさせて、基板の端部領域のパーチクル及び薄膜を除去することができ、誘導結合型プラズマ放電により基板の端部のエッチング率を高めることができる。例文帳に追加

Production of plasma in a region other than the peripheral portion of the substrate is prevented by the shielding portion and the substrate supporting portion, particles and a thin film can be removed from the end region of the substrate by producing high density plasma using induction coupled plasma discharge, and etching rate can be enhanced at the end of the substrate by induction coupled plasma discharge. - 特許庁

樹脂からなる振動膜と、前記振動膜の端部を支持する支持部と、平面視で前記支持部と重ならない前記振動膜上の領域に接着剤を介さずに前記振動膜と結合され、少なくとも圧電素子を含む振動膜駆動手段と、を備える圧電型発音装置。例文帳に追加

The piezoelectric sounding device includes a vibration film of resin, a support part which supports an end part of the vibration film, and a vibration film driving means which is coupled with the vibration film in such region of the vibration film as does not overlap with the support part in top view, with no intervention of an adhesive, containing at least a piezoelectric element. - 特許庁

ｐ型のシリコン基板の少なくとも一主面表面のシリコン元素が水素と結合する水素安定化処理がなされ、マスク薄膜形成工程において薄膜が形成され、マスク薄膜部分除去工程において薄膜のうち一部領域にある薄膜部分が除去される。例文帳に追加

In the method for processing the silicon substrate, a hydrogen stabilization treatment in which silicon elements on at least one main surface of a p-type silicon substrate are coupled with hydrogen, is applied, a thin film is formed a mask thin film formation step, and the thin film in a partial area of the thin film is removed in a mask thin film partial removal step. - 特許庁

磁性微粒子とこれに結合した有機分子とからなる半導体薄膜７ａを、ソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ間のチャネル領域として用いた半導体装置１ａである。例文帳に追加

The semiconductor device 1a employs a semiconductor thin film 7a composed of magnetic fine particles and organic molecules bonded thereto as the channel region between source electrode 9s and drain electrode 9d. - 特許庁

パストランジスタがゲート電極へ結合されており、該パストランジスタは薄膜加熱用トランジスタのゲート電極に隣接して位置され同一の半導体基板内にソース／ドレイン領域を有している。例文帳に追加

A pass transistor is coupled with the gate electrode, is positioned adjacently to the gate electrode of a transistor for heating thin film, and has source and drain regions in the same semiconductor substrate. - 特許庁

肺炎連鎖球菌（Ｓｔｒｅｐｔｏｃｏｃｃｕｓ ｐｎｅｕｍｏｎｉａｅ）Ｒ６株のゲノムＤＮＡからＰＢＰ２Ｂをコードする遺伝子を単離した後、その膜結合領域を欠失させて、可溶化するＰＢＰ２Ｂを作製した。例文帳に追加

Soluble PBP2B is prepared by isolating a gene encoding PBP2B from genome DNA of Streptococcus pneumoniae R6 strain and deleting a membrane-bound region. - 特許庁

自己組織化能力を有するタンパク質と脂質２重膜の複合体による被覆が基板上に形成され、該タンパク質がFc領域結合部位を持つ基板を用いる。例文帳に追加

A substrate to be used therefor is coated with a double-membrane complex of a lipid and a protein having self-organization capability, and the protein has an Fc-region binding portion. - 特許庁

第４磁性層４は、磁化方向が揃った垂直磁化膜であり、且つ、所定温度以上において、前記第１磁性層１と静磁結合することにより、前記第１磁性層内に磁化方向が揃った領域を形成する。例文帳に追加

The fourth magnetic layer 4 consists of a perpendicular magnetization film having aligned magnetization direction and can form a region having aligned magnetization direction in the first magnetic layer by magnetostatic coupling with the first magnetic layer at a specified or higher temp. - 特許庁

連続珪化物被膜３６は、オーバーラップ領域内で絶縁層によって形成されているギャップ３８を橋渡しすることによって２つの構造４，２を電気的に結合する。例文帳に追加

A continuous silicide film 36 electrically couples the two structures 4 and 2 by bridging a gap 38 formed of the insulating layer in the overlap area. - 特許庁

音響伝達保護カバー組立品（１４）は、少なくとも縁部の近くの外側領域において選択的に共に結合される保護膜層（２２）と多孔性支持材料層（３０）とを有する。例文帳に追加

An acoustic transmission protective cover assembly (14) has a protective membrane layer (22) and a porous support material layer (30) which are selectively bonded to each other at least in an outer region near their edges. - 特許庁

高分子イオン交換膜３に対する触媒層２a，２bの結合状態を改善することにより、低電流領域での電圧降下が少なく酸性イオンの溶出も抑制された固体高分子型燃料電池を得る。例文帳に追加

To provide a solid polymer electrolyte fuel cell that is less likely to cause voltage drop in a low-current region and is capable of suppressing dissolution of acid ions, by improving a bonding state of catalyst layers 2a and 2b to a polymer ion exchange membrane 3. - 特許庁

集積回路チップ・キャリア・アセンブリが、少なくとも１主表面上に導電領域７を有する基板１を、接着膜９によりスチフナ８に結合することにより提供される。例文帳に追加

An integrated circuit chip carrier assembly is obtained by coupling a substrate having conductive areas on at least one main surface to a stiffener 8 through adhesive films 9. - 特許庁