「臨界厚さ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

膜厚の増大が特性の良好な薄膜の積層によって形成されるため、膜厚に応じた臨界電流密度の低下が抑制でき、高い臨界電流を実現できる酸化物超電導体を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide superconductor in which reduction of a critical current density corresponding to film thickness can be suppressed and a high critical current can be achieved, since increase of film thickness is formed by lamination of a thin film with excellent characteristics. - 特許庁

このとき、ｐ型歪シリコン層２２の膜厚は、ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚より厚くなるように形成されている。例文帳に追加

Herein, the thickness of the p-type distorted silicon layer 22 is made to be larger than the critical thickness at which misfit dislocation does not occur. - 特許庁

亜臨界または超臨界流体を利用する際の課題であった表面のスキン層をなくして厚さ方向に連通性を持たせることができる多孔体を製造する。例文帳に追加

To manufacture a porous body constituted so that continuity is provided in the thickness direction of the porous body by eliminating a surface skin layer being a problem when a subcritical or supercritical fluid is utilized. - 特許庁

頻繁な膜の破断現象を開始させるに至る印加電圧の値を臨界印加電圧値Ｖｃとして検出し、臨界印加電圧値Ｖｃに基づいて潤滑剤Ｌの膜厚を定量的に算出する。例文帳に追加

A value of the impression voltage of starting frequent breakage phenomena of the film is detected as a critical impression voltage value Vc, and the film thickness of the lubricant L is calculated quantitatively based on the critical impression voltage value Vc. - 特許庁

亜臨界または超臨界流体を利用する際の課題であった表面のスキン層をなくして厚さ方向に連通性を持たせることができる積層状態の多孔体を製造する。例文帳に追加

To manufacture a porous body in a laminated state constituted so that continuity is provided in the thickness direction of the porous body by eliminating a surface skin layer being a problem when a subcritical or supercritical fluid is utilized. - 特許庁

スピンバルブ膜１における反強磁性層７を成膜するときに、先ず従来から知られている臨界膜厚と同じ厚さで形成する。例文帳に追加

An anti-ferromagnetic layer 7 of a spin valve film 1 is film- formed to a thickness equal to a critical film thickness which has been known. - 特許庁

また、溝の幅は、Ｓｉ層４に接してＳｉＧｅ層５を積層させたときにＳｉＧｅ層５内に格子不整合が発生しない最大の膜厚を示す臨界膜厚よりも大きく、かつ臨界膜厚の２倍の値以下に設定されている。例文帳に追加

Width of the groove is set to be larger than critical thickness indicating the maximum thickness at which lattice-mismatch does not occur in the SiGe layer 5 when the layer 5 is stacked in a contact manner on the Si layer 4, and set to be a value not more than twice as the critical thickness. - 特許庁

従って、製造されたパターンは膜厚さの均一性が良好であり、また、臨界寸法の均一性が向上されることができる。例文帳に追加

Accordingly, the manufactured patterns are good in the uniformity of the film thickness and the uniformity of the critical dimensions can be improved. - 特許庁

また、酸化皮膜の厚みを制御することで大幅な接触抵抗値の低減に臨界的な効果を得ることができる。例文帳に追加

Then, by controlling the thickness of the oxidized coating film, a critical effect can be obtained for the large reduction of the contact resistance value. - 特許庁

チャネル領域には応力が付与され、下地層６３，７３は、空乏層が収まる厚さよりも厚く、熱平衡状態で結晶にミスフィット転位が導入される熱平衡臨界膜厚よりも薄く形成されている。例文帳に追加

Stress is applied to a channel region, and the base layers 63 and 73 are formed thicker than the thickness capable of housing a depletion layer and thinner than the thermal equilibrium critical film thickness in which misfit dislocation is introduced in a crystal in the thermal equilibrium state. - 特許庁

又、各層が臨界厚さの上限値より薄い厚さを有する多層構造で誘電体膜を形成することによって、誘電体膜の結晶化温度を増加させると共に、漏洩電流を減少させることができる。例文帳に追加

Since the dielectric film has a multilayer structure where each layer is thinner than the upper limit critical thickness, crystallization temperature of the dielectric film is increased while reducing the leakage current. - 特許庁

クラウン表面積の少なくとも約５０％が、臨界厚さとほぼ等しいクラウン厚さと関連するように形成された、耐圧痕性クラウンを持つウッド型ゴルフクラブへッドを提供する。例文帳に追加

To provide a wood-type golf club heads have dent resistant crowns with surface areas configured so that at least about 50% of the crown surface area is associated with a crown thickness substantially equivalent to a critical thickness. - 特許庁

発光半導体デバイスが、ＩＩＩ族窒化物の活性領域と、該活性領域の近くに形成され、ＩＩＩ族窒化物層内の歪みの緩和のために臨界厚さを超える厚さを有するＩＩＩ族窒化物層とを含む。例文帳に追加

A luminous semiconductor device is formed in the active area of a group III nitride and in the vicinity of the area, and contains a group III nitride layer having a thickness exceeding a critical thickness to loosen strain in the group III nitride layer. - 特許庁

この半導体構造は、Ｓｉ基板と、その上に形成された臨界膜厚以下の厚さのＧｅ組成が２０％以上８０％以下のＳｉＧｅ層と、ＳｉＧｅ層上に形成されたＧｅエピタキシャル層とを有する。例文帳に追加

The semiconductor structure has an Si substrate, an SiGe layer of a thickness equal to or smaller than the critical thickness which is formed on it and contains a Ge composition ≥20% and ≤80%, and a Ge epitaxial layer which is formed on the SiGe layer. - 特許庁

また、第２の半導体層１５の厚さＴ１５は、無歪みの第１のIII族窒化物半導体材料の組成と、第２のIII族窒化物半導体の組成により規定される臨界膜厚より大きい。例文帳に追加

The thickness T15 of the second semiconductor layer 15 is larger than the critical film thickness defined by the composition of the first group III nitride semiconductor material that is distortionless and the composition of the second group III nitride semiconductor. - 特許庁

臨界膜厚以下の厚さのゲート絶縁膜を備えたＭＯＳトランジスタＴｒＲ１を抵抗負荷素子として使用することにより、温度による特性変化が小さい半導体装置を形成する。例文帳に追加

A MOS transistor TrR1 having a gate insulation film thinner than a critical film are used as a resistive load element to form a semiconductor device which has less fluctuation in characteristic due to the temperature. - 特許庁

この基板と活性層１５の間に形成された擬似格子整合層１３は、膜厚が1ML（分子層）以上、ZnO基板１２に対して臨界膜厚以下のGaNからなる。例文帳に追加

The pseudo-lattice matching layer 13 formed between the substrate and the active layer 15 is composed of GaN with film thickness of 1ML (molecular layer) or more and critical film thickness or less to the ZnO substrate 12. - 特許庁

臨界膜厚以下の膜厚のシード層を有し、反強磁性層と強磁性層の間に強いＨｅｘ＊を発生させることのできる交換結合膜を提供する。例文帳に追加

To provide an exchange bonding film including a seed layer having a film thickness not thicker than a critical film thickness and capable of generating a strong Hex* between an antiferromagnetic layer and a ferromagnetic layer. - 特許庁

フォトマスクパターンのライン臨界大きさ別に差等的なスペース幅を適用することで、照明系、サブ膜、レジスト厚さなどによって変わるパターニング不良を検査することができ、同一の臨界大きさを有するが、パターンラインの相異なる長さにより発生する崩れまたはブリッジなどの不良を予め検査できるフォトマスクデータベースパターンの不良検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for detecting failure of database patterns of a photomask in which different space widths are applied according to critical dimensions of lines of the patterns of the photo mask to detect patterning failure varied according to illuminating systems, sub-films and thicknesses of resist, and to preliminarily detect failure, such as collapse or bridges, generated from the different lengths of pattern lines having the same critical dimension. - 特許庁

また、分割された前記目地材１２のそれぞれについて、修正レーレー数が対流発生の臨界値を超えないように、該目地材１２の厚さおよびガス透過係数が設定される。例文帳に追加

The thickness and a gas penetration coefficient of the joint material 12 are set so that the correction Rayleigh number does not exceed the critical value of the occurrence of convection on each of the divided joint materials 12. - 特許庁

さらに、この方法を用い、この交流電流の周波数を変化させて臨界電流密度を複数回測定することによって、超伝導厚膜の電流・電圧特性を測定する。例文帳に追加

The current-voltage characteristic of the superconductor thick film is measured by changing frequency of the alternating current to measure the critical current densities a plurality of times, using the method. - 特許庁

ＭｏＮ_x第１抵抗素子（１８）は、面抵抗が４゜Ｋにおいて３ないし５オーム／□、厚さが約９５ｎｍであり、超伝導集積回路（１０）の臨界電流密度を６ないし８ｋＡ／ｃｍ^2に高めることができる。例文帳に追加

The MoNx first resistive element (18) provides a sheet resistance of 3-5 ohms/square at 4K with a thickness of approximately 95 nm and enables the superconductive integrated circuit (10) to have a raised critical current density of 6-8 kA/cm^2. - 特許庁

本発明は、従来は臨界膜厚の制限を受けて作製が困難であった基板結晶とは大きな格子定数の不整合を有する組成の半導体バルク的薄膜を作製する技術を提供するものである。例文帳に追加

To a technology for manufacturing a bulk semiconductor film of composition having mismatching of a lattice constant with a substrate crystal that it is difficult to manufacture because of a limit of a critical thickness until now. - 特許庁

冷媒を臨界圧力以上になるまで圧縮して行う冷凍サイクルを利用して室内の冷房と暖房とを切り換えて行うことが可能な空気調和システムにおいて、冷媒連絡管の肉厚が増加するのを抑える。例文帳に追加

To prevent increase of a thickness of a refrigerant communication pipe in an air conditioning system switching indoor cooling and heating by utilizing a refrigerating cycle performed in a state of compressing a refrigerant to be higher than a critical pressure. - 特許庁

臨界電流密度の特性に優れ、かつ剥離を防止した超電導体厚膜を容易に製造することができる酸化物超電導体厚膜の製造方法、酸化物超電導体厚膜、これを用いた磁場遮蔽体及び超電導限流器を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an oxide superconductor thick film, an oxide superconductor thick film, and a magnetic field shield and a superconduction current limiter using the oxide superconductor thick film which are excellent in properties of critical current density, and capable of readily manufacturing the superconductor thick film that prevents exfoliation. - 特許庁

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。例文帳に追加

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer. - 特許庁

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。例文帳に追加

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress. - 特許庁

この時に、各層の膜厚を電子のド・ブロイ波の波長程度、あるいは「臨界膜厚」以下とすれば、結晶欠陥を発生させることなく各層に圧縮応力を印加してその格子定数を基板のそれに近づけることができる。例文帳に追加

At this time, if the film thickness of each layer is made so thick as the wavelength of the de Broglie wave or is made equal to or less than a "critical film thickness", its lattice constant can be brought close to that of the substrate by applying compressive stress to each of the layers without causing any crystal defect. - 特許庁

歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a high performance semiconductor laser by improving differential gain also while making increase of number (N_w) of quantum well layers compatible with that of strain amount (ε_w) and layer thickness (L_w) within limit of critical film thickness in a strain multiple quantum well semiconductor laser. - 特許庁

製品が77 K、ゼロ磁場で約10^5 A/cm^2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度（J_c）を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide superconductor product having an oxide superconductor film having a thickness greater than 0.8 microns disposed on a substrate, and a product having a transport critical current density (Jc) greater than or equal to about 10^5 A/cm^2 at 77K zero magnetic field. - 特許庁

基板上に形成されたＭ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａのうち少なくとも一つ以上の元素），銅及び酸素を主成分とし、膜の厚みが３００Å以上９５０Å以下であり、７７Ｋにおける臨界電流密度Ｊｃが６×１０^6Ａ／ｃｍ^2以上である水銀系銅酸化物超電導薄膜である。例文帳に追加

This superconductive thin film contains M (which is at least one element of Ba, Sr and Ca), copper and oxygen formed on a substrate as main components and has ≥300 Angstroms and ≤950 Angstroms thickness and 6×106 A/cm2 or more critical current density Jc at 77°K. - 特許庁

さらに、点状光源３０と凹面鏡４１の外形の一辺とを結ぶ線分と、点状光源を通る垂線との角度が、空気層ｅとの間における透明基板２５の臨界角と略一致するように、透明基板２５の厚さを設定している。例文帳に追加

Further, thickness of the transparent substrate 25 is established so as to make an angle between a line segment for connecting the point light source 30 and one side of an outline of the concave mirror 41 and a perpendicular line passing through the point light source approximately coincide with a critical angle of the transparent substrate 25 between it and an air layer e. - 特許庁

シード層は、半導体構造体内の歪みの緩和のための臨界厚より薄くすることができ、その結果、半導体構造体内の歪みは、シード層内に形成される転位により、又は、シード層と接合層の間を、その２つの層の間の界面において滑らせることにより、緩和される。例文帳に追加

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure, so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer on an interface between the two layers. - 特許庁

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness. - 特許庁

前記量子井戸層の光学的ゲイン特性はまわりの層の組成不均一、ドットサイズ分布、ドット密度、及び、転移形成のための臨界厚みを超えることなく活性領域内に配置可能なドットレイヤの数によって影響される。例文帳に追加

Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation. - 特許庁

硫酸クロムを１〜６５質量％含み、この硫酸クロムと顔料との総計濃度が臨界顔料重量濃度の±５％内である有機樹脂塗料を、鋼材表面あるいは鋼材の錆層に、乾燥膜厚が５〜１５０μｍとなるように被覆する。例文帳に追加

An organic resin coating material containing, by mass, 1 to 65% chromium sulfate, and in which the total concentration of the chromium sulfate and pigment lies in ±5% of the critical pigment weight concentration is applied to the surface of steel or on a rust layer of the steel so as to control the dry film thickness to 5 to 150 μm. - 特許庁

固形化粧料を製造するための粉体化粧料を、押型を用いて圧縮成型するにあたり、該粉体化粧料と該押型との間に、２５℃での臨界表面張力が３．５×１０^-4Ｎ／ｃｍ以上、且つ、厚み方向の変形率が１〜８％のフィルムを介在させて圧縮成型を行なうことを特徴とする。例文帳に追加

This method for producing the solid cosmetic comprises carrying out a compressive molding of a powder cosmetic using a press mold. - 特許庁

オイル成分を配合したゴム組成物からなる加硫ゴムＲを、超臨界乃至液体の二酸化炭素Ｌ中に浸漬すると共に粒子状の吸着剤２に濃厚接触させて、該加硫ゴムＲ中のオイル成分を抽出除去することを特徴とする。例文帳に追加

The method for processing the vulcanized rubber is characterized by the extraction removal of the oil component in the vulcanized rubber R by dipping the vulcanized rubber R composed of a rubber composition obtained by formulating the oil component in carbon dioxide L in a supercritical or liquid state, and bringing the rubber composition into dense contact with an adsorbent 2 in a particle shape. - 特許庁

固形化粧料を製造するための粉体化粧料を、押型を用いて圧縮成型するにあたり、該粉体化粧料と該押型との間に、２５℃での臨界表面張力が１×１０^-4〜２．５×１０^-4Ｎ／ｃｍ、且つ、厚み方向の変形率が１〜２５％のフィルムを介在させて圧縮成型を行なうことを特徴とする。例文帳に追加

This method for producing the solid cosmetic comprises carrying out a compressive molding of a powder cosmetic using a press mold. - 特許庁

シリコン基板上にＳｉＧｅ層を臨界膜厚以下で形成する工程と、前記ＳｉＧｅ層を複数部分に分割する工程と、分割された前記ＳｉＧｅ層上にＳｉ層を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。例文帳に追加

The method of producing a semiconductor substrate characterised by being provided with a step for forming an SiGe layer on a silicon substrate with a critical film thickness or less, a step for dividing the SiGe layer into a plurality of parts, and a step for forming an Si layer on the divided SiGe layer, is used. - 特許庁

基板上に高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜を有する場合でも、このＳｉＧｅ膜において高い緩和度を達成することができ、さらにスループットが高く、安価な、半導体基板及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a low-cost semiconductor substrate of high throughput and a method for manufacturing it in which a high degree of relaxation is achieved in a strain SiGe film, even when the SiGe film having a thickness thinner than that of a critical film of high Ge concentration is formed on a substrate. - 特許庁

該ミラーシステムは、例えば、支持体構造と接触することによって、汚れまたは吸収材料などの他の障害がミラーの裏側に存在する場合、反射率の低下を避けつつ、超臨界角度で、スタック内と光学的に厚い層中を、光が伝播するための高い反射率を提供することができる。例文帳に追加

The mirror systems can provide high reflectivity for light propagating in the stack and in the optically thick layer at supercritical angles, while avoiding degradation in reflectivity if dirt or other disturbances such as absorbing materials are present at the mirror backside for example due to contact with a support structure. - 特許庁

この際、１回に成膜する非晶質層の厚さが不良事象に応じて決定される臨界応力値によって規定される厚み以下であるように非晶質層の堆積を複数回に分割して行い、各非晶質層の堆積工程後毎に非晶質材料を結晶化させ、かつ非晶質層堆積工程と非晶質材料結晶化工程を繰り返すことにより必要な膜厚の多結晶層６の積層構造体を得る。例文帳に追加

The gate-electrode 2 is formed by a manufacturing method of a thin film, having a deposition process of amorphous layers and crystallization (recrystallization) process of the amorphous material. - 特許庁

給水に酸素を添加して給水中のＦｅを酸化してヘマタイトを生成させ、ヘマタイトを伝熱管の内壁に付着させて皮膜を形成させるようにした超臨界圧ボイラにおいて、ヘマタイトスケールの付着厚さと、給水中のＦｅ濃度と、流体温度と、流体圧力と、を関係付けた評価式に基づいてヘマタイトスケールの付着厚さを予測する。例文帳に追加

In a supercritical pressure boiler where hematite is generated by adding oxygen to supply water and performing the oxidation of Fe in the supply water and a film is formed by making the hematite adhere to the inner wall of the heat transfer pipe, the adhesion thickness of a hematite scale is predicted based on an evaluation formula where the adhesion thickness of the hematite scale, an Fe concentration in the supply water, a fluid temperature and fluid pressure are associated with one another. - 特許庁

本化合物半導体積層構造３０は、本実施形態例では、臨界膜厚に対する比率が０．３５の膜厚を有するＧａＡｓ_０．９５Ｐ_０．０５層３４をＧａＡｓ基板３２とＩｎＰ層３４との間にバッファ層として介在させることにより、従来のＧａＡｓ基板上のＩｎＰ層に比べて、ＩｎＰ層３４の結晶性を向上させ、表面形状を良好にしている。例文帳に追加

In the laminated structure 30, the crystallizability of the InP layer 34 is made better than the InP layer on the conventional GaAs substrate, and a surface shape is made better than the InP layer by interposing the layer 34 having the film thickness having a ratio of 0.35 to the critical film thickness between the substrate 32 and the layer 34 as a buffer layer as the example. - 特許庁