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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 薄層流に関連した英語例文

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薄層流の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 493



例文

薄層流路および透析膜を有する微小バイオセンサ例文帳に追加

MICROBIOSENSOR HAVING THIN-LAYER PASSAGE AND DIALYSIS MEMBRANE - 特許庁

膜成形型2は、上側から下側に多段に配置される複数の単膜成形単位型19−sを構成している。例文帳に追加

A multilayered thin film mold 2 is constituted of a plurality of single layer thin film molding unit molds 19-s arranged in a multi-stage fashion from the upstream side to the downstream side. - 特許庁

膜成形単位型19−sは、上側単膜成形単位型19−sUと、下側単膜成形単位型19−sDと、押出通路とから形成されている。例文帳に追加

Each of the single layer thin film molding unit molds 19-s is formed of an upstream side single layer thin film molding unit mold 19-sU, a downstream side single layer thin film molding unit mold 19-sD and an extrusion passage. - 特許庁

更に、上壁部14の上面にてれのくなってレイノルズ数が低下し、れは安定したとなる。例文帳に追加

In addition, the Reynolds number falls as the layer of the stream becomes thinner down on the top surface of the upper wall section 14, and the stream becomes a stable laminar flow. - 特許庁

例文

キャパシタ構造において、電極間をれる電を抑制しつつ電極間の絶縁を極限まで化する。例文帳に追加

To make an insulating layer between electrodes thin to the utmost while suppressing a current which flows between the electrodes in capacitor structure. - 特許庁


例文

膜電極64と電極62との間には、直駆動電源67が設けられている。例文帳に追加

A DC drive power supply 67 is formed between the thin film electrode 64 and the electrode layer 62. - 特許庁

プラズマ電子によりガラス基板上に良質な光学を形成する。例文帳に追加

To form an excellent optical thin film layer on a glass substrate by the plasma electron current. - 特許庁

誘電体くてもリーク電を十分に抑えられる誘電体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric element in which leak current can be suppressed sufficiently even if a dielectric layer is thin. - 特許庁

Cu膜12Fは隔壁として機能する路パターンを持たない膜である。例文帳に追加

The Cu film 12F is a thin film which does not have a passage pattern functioning as a barrier rib layer. - 特許庁

例文

ノンドープくすることで素子抵抗を小さくし、発熱を抑え、閾値電の上昇を防ぐ。例文帳に追加

Element resistance is decreased by making the nondoped layer thin and threshold current is prevented from increasing by suppressing heat generation. - 特許庁

例文

い高速を使用してウェーハ表面を処理する方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING WAFER SURFACE USING THIN HIGH-VELOCITY FLUID LAYER - 特許庁

また、コレクタの厚さをくすることができるので、電増幅率を高めることができる。例文帳に追加

Further, since the thickness of the collector layer can be reduced, a current amplification factor can be increased. - 特許庁

粘性の小さい体が物体のまわりをれるとき,粘性の影響が強く現われる物体表面に近い体の例文帳に追加

a thin fluid layer next to the surface of a stationary body in which fluid flows at a much slower velocity than elsewhere  - EDR日英対訳辞書

高抵抗素子は膜抵抗に対し電が水平にれ、低抵抗素子は垂直にれるように電極を形成する。例文帳に追加

An electrode is formed so that a current flows horizontal to a thin film resistance layer in a high resistance element and flows vertical in a low resistance element. - 特許庁

活性シリコンが改良されたOFF電(リーク電)が小さくかつON電が大きい膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor wherein an active silicon layer is improved, an OFF current (leak current) is small and an ON current is large. - 特許庁

体軸受のの圧力分布状態を測定できる体軸受の圧力分布状態測定装置を得るにある。例文帳に追加

To obtain a device that can measure the pressure distribution of a thin fluid layer of a fluid bearing. - 特許庁

アモルファス半導体く形成することなくソース・ドレイン電の増大を図った膜トランジスタを備える表示装置の提供。例文帳に追加

To provide a display device having a thin-film transistor for increasing source/drain currents without forming any amorphous semiconductor layer thinly. - 特許庁

上記構造はフィルム状シート金属板の動チャンネルとを有し、一方のが他方のの上に配置され、動チャンネルは内又は間に形成される。例文帳に追加

The coating structure has layers each composed of a film-like sheet metal thin plate and flow channels and one layer is arranged on the other layer and the flow channels are formed in the thin layers or between them. - 特許庁

膜トランジスタ31のオン電を大きくでき、膜トランジスタ31を型化した際に生じるゲート電極19と活性5との間でのリーク電の発生を防止できる。例文帳に追加

On-current of the thin film transistor 31 can be enlarged, and occurrence of leak current can be prevented between the gate electrode 19 and the active layer 5, which occurs when the thin film transistor 31 is thinned. - 特許庁

インク路1が形成されている基板2上に、弁部材48が一体形成されている金属4を配置し、側方の膜磁気ヘッド5aから金属4に対し磁気的引力を及ぼす。例文帳に追加

A metal thin film layer 4 having a valve member 48 integrally formed is disposed on a substrate 2 having an ink channel 1 formed so that magnetic attraction is generated from a side thin film magnetic head 5a to the metal thin film layer 4. - 特許庁

均しブレードによりトナーを均一に均した後の位置において、トナーの濃度を検出する光学センサが備えられ、また、均しブレードにれる電を検出する検出器が備えられる。例文帳に追加

On the position after a toner thin layer is uniformly flattened by the flattening blade, an optical sensor which detects the concentration in the toner thin layer is disposed and a detector which detects the current flowing through the flattening blade is disposed. - 特許庁

また、前記パルス電すためのコイル導体を、前記絶縁体基板12と磁石14の間に形成すれば、膜磁気デバイスの小型化・型化が可能となる。例文帳に追加

Moreover, when a coil conductor layer for making the pulse current flow therethrough is formed between the insulator substrate 12 and the magnet layer 14, a thin film magnetic device becomes possible to be reduced in size and thinned. - 特許庁

第1の階L1において巻回する膜コイル20と、第2の階L2に配置され、膜コイル20をれる信号電Imによって生ずる誘導磁界Hmを検知する第1のMR素子31とを備える。例文帳に追加

This magnetic coupler is provided with: a thin-film coil 20 wound in a first layer L1; and a first MR element 31 arranged in a second layer L2, and detecting an induction magnetic field Hm generated by a signal current Im flowing through the thin-film coil 20. - 特許庁

酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体を有する膜トランジスタにおいて、膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体の導電率を制御し、リーク電の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor having an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, wherein the conductivity of the oxide semiconductor thin-film layer is controlled by controlling hydrogen concentration within the oxide semiconductor thin-film layer that forms a channel of the thin-film transistor to effect leakage current suppression, threshold voltage reduction, and electron mobility increase. - 特許庁

端面電阻止7から窓領域までの距離(厚方向)は第1上クラッド4の厚にほぼ等しくなり、その厚が比較的いので、電阻止部から窓領域にれる無効電が十分に抑制される。例文帳に追加

The distance (in the layer thickness direction) between the edge face current block layer 7 and a window region becomes nearly equal to the thickness of the first upper clad layer 4, and as the thickness of the clad layer 4 is comparatively small, an ineffective current flowing from a current block part to a window region is restrained enough. - 特許庁

大電容量を維持して、一の軽量化、型化および小型化を図った直電源装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a DC power unit which can materialize further weight reduction, thinning, and downsizing while keeping its large current capacity. - 特許庁

脳および脊髄の内部の空洞と、2の髄膜(脳と脊髄を覆って保護しているい組織)の間の空間をれている液体。例文帳に追加

the fluid that flows in and around the hollow spaces of the brain and spinal cord, and between two of the meninges (the thin layers of tissue that cover and protect the brain and spinal cord).  - PDQ®がん用語辞書 英語版

誘電体膜53は、半導体52上に形成されて、上記半導体52をくしたことによって失われた電狭窄機能を補強する。例文帳に追加

A dielectric film 53 is formed on the semiconductor layer 52 to reinforce current constriction function, lost by thinning the semiconductor layer 52. - 特許庁

磁性膜1の少なくとも一面に、接着剤3又は粘着を備えたシート形状を有する高周波電抑制体である。例文帳に追加

A high-frequency current suppressor is of sheet structure equipped with, at least, an adhesive agent layer 3 or an adhesive layer formed on the surface of a magnetic thin film 1. - 特許庁

この板積構造300は、隔壁プレート330と路プレート340とを交互に積して作成されたものである。例文帳に追加

The layered thin plate structure 300 is assembled by laying alternately partition plates 330 on flow path plates 340. - 特許庁

第2電狭窄17は電注入領域15bの径よりも小さな径の電注入領域17bを中央領域に有すると共に第1電狭窄15の厚さよりもくなっている。例文帳に追加

The second current constriction layer 17 is formed thinner than the first current constriction layer 15 and has a current injection region 17b of smaller diameter than that of the current injection region 15b in a central region. - 特許庁

微小化されたトランジスタはゲート絶縁膜化を要求されるが、トンネル電、つまりゲートリーク電の増加により、ゲート絶縁が酸化珪素膜の単である場合はゲート絶縁膜化には物理的限界が生じつつある。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device that meets a requirement for thinning a gate insulating layer in a miniaturized transistor under such circumstances that a physical limit occurs on thinning a gate insulating layer because of an increase in tunneling current, i.e. gate leakage current when the gate insulating layer is formed of a silicon oxide single layer. - 特許庁

有機EL膜は、膜両端に陽極と陰極をつけた直デバイスであり、ガラス基盤上に積構造を採用して、電密度を高めたことにより直の低電圧駆動(3〜12V)で高輝度発光を得ることができるキャリア注入型有機EL膜を使用する。例文帳に追加

The organic EL thin film is configured as a DC device where an anode and a cathode are attached to the both ends of the thin film, and a carrier injection type organic EL thin film for obtaining high luminance light emission by DC low voltage driving (3 to 12V) by increasing current density is used by adopting a laminate structure on a glass base. - 特許庁

p-InPに挟まれたp-InGaAsPを電狭窄として機能するように形成し、構造で済むこのp-InGaAsPを電狭窄として用いることにより活性上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer. - 特許庁

第1コア21にれる磁束の密度が上昇しても、渦電60がれる範囲を接合23が分断するので、発生する渦電が低減し渦電損失が低減する。例文帳に追加

Even if a magnetic flux flowing through the first core 21 is increased in density, a range where an eddy current 60 flows is divided into sections, so that a generated eddy current is reduced, and resultantly eddy current loss is decreased. - 特許庁

非晶質シリコン及び結晶性シリコンを半導体とする膜トランジスタにおいて、ドレイン電極が、半導体の結晶性シリコンと直接接することにより、電の立ち上がり特性を向上させることを特徴とする膜トランジスタ。例文帳に追加

This thin-film transistor having an amorphous silicon layer and a crystalline silicon layer as semiconductor layers is characterized in that the current rise characteristics are improved because a drain electrode is made to directly touch the crystalline silicon layer of the semiconductor layer. - 特許庁

放熱シート1は上下両面表部がゴム状に硬化させた膜補強であり、内に未加硫のコンパウンドが存在し、前記内は外側にはみ出す程度に動性がある。例文帳に追加

In the sheet 1, both upper and lower surface layers are made of a thin-film reinforcing layer which is cured similar to rubber, an unvulcanized compound layer is provided in the inner layer, and the inner layer is so flexible that it extends outward. - 特許庁

体18の膜クツシヨン17を動媒体15が膜クツシヨン17の外面に沿つてジグザグに蛇行しながられるように配置する。例文帳に追加

The thin film cushions 17 of the stacked body 18 is arranged so that the liquid fluid flows while meandering in zigzag along the outside surface of the thin film cushions. - 特許庁

また、第1の磁性体膜1と第2の磁性体膜2との間には、磁気記憶素子10全体を通じてれる電値を制御(抑制)するための絶縁3が形成されている。例文帳に追加

Between the first magnetic thin film 1 and the second magnetic thin film 2, an insulating layer 3 is formed to control (suppress) a current flowing the entire magnetic storage element 10. - 特許庁

動床反応器内の触媒動密度が50kg/m^3以下の領域(触媒希)の温度を触媒動密度が300kg/m^3以上の領域(触媒濃厚)の温度より低くして反応を行う。例文帳に追加

The reaction is performed by setting the temperature at the zone (sparse catalyst zone) where the density of fluidizing catalyst in the fluidized-bed reactor is 50 kg/m3 or less, lower than that at the zone (dense catalyst zone) where the density of fluidizing catalyst is 300 kg/m3 or more. - 特許庁

回折格子を活性の下部に配設したことにより、第1上部クラッドの膜厚をくすることでき、第1上部クラッドからコンタクトへ漏れるリーク電を抑制し、活性及び波長可変への電注入効率を高める。例文帳に追加

Since a diffraction grating is arranged on the lower part of an active layer, the film thickness of a 1st upper clad layer can be thinned, a leak current leaked from the 1st upper clad layer to a contact layer can be suppressed, and the efficiency of current injection into the active layer and a variable wavelength layer can be improved. - 特許庁

熱交換器のコア部1は、高温10及び低温11は、各間が床面及び天井面となる矩形の平板状のプレート12によって仕切られている。例文帳に追加

In a core part 1 of this heat exchanger, a high-temperature fluid layer 10 and a low-temperature fluid layer 11 are partitioned by rectangular thin flat plates 12 forming a floor face and a ceiling face between each layer. - 特許庁

下地高抵抗22の抵抗値R2は発熱抵抗23の抵抗値R1と「R2≧R1×10」の関係にあり電は殆どれず、い発熱抵抗23のみが発熱するので発熱効率がよい。例文帳に追加

Owing to the resistance value R2 of the base high resistance layer 22 having the relationship with the resistance value R1 of the heat generating resistor layer 23 of 'R2R1×0', only the thin heat generating resistor layer 23 generates heat with little flow of the current so as to provide satisfactory heat generating efficiency. - 特許庁

下部31の抵抗値R2は発熱抵抗33の抵抗値R1と「R2≧R1×10」の関係にあり電は殆どれず、い発熱抵抗33のみが発熱するので発熱効率がよい。例文帳に追加

A resistance R2 of the lower layer 31 has a relation of R2R1×10 with a resistance R1 of the heat generating resistor layer 33 and current hardly flows, and since only the thin heat generating resistor layer 33 generates heat, heating efficiency is excellent. - 特許庁

具体的には、インク室ユニット53を板状部材を積する積構造にすると、積を形成する供給側路プレート108上に供給側路54Aとなる溝を形成すればよい。例文帳に追加

Specifically, by making an ink chamber unit 53 into a laminated structure in which thin plate members are laminated to each other, only one thing required is to form a groove intended to be the supply side channel 54A on a supply side channel plate 108 forming a laminate. - 特許庁

導電性犠牲を形成した支持基板に圧電膜4を積するとともに、過電によりオープンになるミアンダ電極20を配線に設けて圧電膜4に上面分極電極14を形成する。例文帳に追加

In the method, a piezoelectric thin film 4 is laminated on a support substrate on which a conductive sacrificing layer is formed, and a meander electrode 20 turning to an open state due to over-current is formed to a wiring to form an upper surface polarizing electrode 14 on the piezoelectric thin film 4. - 特許庁

板状部品の板厚が厚くても、開口の小さい孔を貫通加工でき、積時に体漏れ等の不具合を引き起こす心配のない板状部品の積構造の提供を目的とするものである。例文帳に追加

To provide a layered structure of sheet-shape parts in which holes with small openings can be penetration worked even when a thickness of the sheet-shape part is large, and which have no risk of causing defects such as liquid leakage at the time of lamination. - 特許庁

導電性膜の表面の平坦性を向上させることにより、これを下地電極としてい絶縁膜を形成し、素子のリーク電や破壊耐圧の悪化、ばらつきを低減する。例文帳に追加

To reduce the deterioration and variance of dielectric strength and a leak current of an element by improving the planarity of the surface of a conductive thin film, and to form a thin insulating film layer by using it as a base electrode layer. - 特許庁

この副磁路は積された金属製帯によって構成されており、前記主磁路と副磁路の間をれる磁束は実質的に前記副磁路の金属製帯の積断面を通る。例文帳に追加

The secondary magnetic path is composed of laminated thin metal bands, and the magnetic flux which flows between the main and the secondary magnetic paths practically passes the cross section of the lamination of the thin metal bands of the secondary magnetic path. - 特許庁

例文

媒体出方向と2つの側方向との3方向から磁極を囲い込むように磁気遮蔽が配設された膜磁気ヘッドを容易かつ高精度に製造することが可能な膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for easily and accurately manufacturing a thin-film magnetic head, in which a magnetic shielding layer is provided so that a magnetic layer is surrounded from one medium outflow direction and two side directions for a total of three directions. - 特許庁

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