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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 記憶 nに関連した英語例文

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記憶 nの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 813



例文

The position of the GOP can be detected at high speed only by reading out a code stream until detecting the GOP from the position of temporarily divided length ×(n) (n=0, 1) inside a storage device where the program file is stored.例文帳に追加

GOPの位置は、番組ファイルが記憶された記憶装置の仮分割長×n(n=0、1)位置からGOPが検出されるまで符号ストリームを読み出すだけであり、高速に検出することが可能である。 - 特許庁

A storage part such as a ROM or RAM is stored with an SNR-CQI conversion table 52 as N kinds of tables for conversion from SNRs to CQIs by values of Doppler frequencies.例文帳に追加

ROMまたはRAMなどの記憶部に、ドップラー周波数の値毎の、SNRからCQIに変換するためのN種類のテーブルであるSNR-CQI変換テーブル52が記憶されている。 - 特許庁

A memory unit 7 stores detonating position data Ld1-Ldm (m is a natural number) in the attacking object or the ship and deceleration data Vc1-Vcn (n is a natural number) in the ship.例文帳に追加

7は記憶部であり、攻撃対象となる艦艇内部の起爆位置データLd1〜Ldm(mは自然数)、艦艇内部の減速度データVc1〜Vcn(nは自然数)が記憶されている。 - 特許庁

A comparator part 31 compares a parameter of a learning pattern stored in a storage part 32 with the parameter of the time series pattern N and sorts the time series pattern N.例文帳に追加

比較部31は、記憶部32に記憶されている学習パターンのパラメータと、時系列パターンNのパラメータとを比較し、時系列パターンNを分類する。 - 特許庁

例文

It is determined whether or not the designated label is included among the labels from the n-th label to the (n+A-1)th label in a printing history stored in a history storage area 351 (S85).例文帳に追加

そして、履歴記憶領域351に記憶されている印刷履歴のn番目から(n+A−1)番目の中に指定ラベルがあるか否かを判断する(S85)。 - 特許庁


例文

First to n-th storage circuits 41-1 to 41-n are connected to the first to n-th data processing circuits 40-1 to 40-n, respectively, to store the data supplied from the data processing circuits.例文帳に追加

第1乃至第nの記憶回路41−1〜41−nは、第1乃至第nのデータ処理回路40−1〜40−nのそれぞれに接続され、各データ処理回路から供給されたデータを記憶する。 - 特許庁

N^+-type impurity regions FN30 and FN10 forming one memory node are divided into different wells and N^+-type impurity regions FN31 and FN11, forming the other memory node, are also divided into different wells.例文帳に追加

一方の記憶ノードを成すN^+型不純物領域FN30,FN10は異なるウェルに分かれており、他方の記憶ノードを成すN^+型不純物領域FN31,FN11も異なるウェルに分かれている。 - 特許庁

A control circuit 7 inputs the data on a first page, a second page, ..., a k-th page to every h (h<=n) (ECC unit) of the data storage circuits and then writes the data in the n data storage circuits into the memory cells.例文帳に追加

制御部7は、ECC単位としてのh個(h<=n)のデータ記憶回路毎に、第1ページ、第2ページ、…第kページのデータを入力した後、n個の記データ記憶回路のデータを前記メモリセルへ書き込む。 - 特許庁

The maximum number N_max of connections of a PLC (Power Line Communication) modem (set value) in one network is stored, and the number N of the existing connections of PLC modems 1A, 1B and 1C in the network is stored.例文帳に追加

1ネットワークにおけるPLCモデムの最大接続数N_max(設定値)を記憶するとともに、このネットワークにおけるPLCモデム1A,1B,1Cの既接続数Nを記憶する。 - 特許庁

例文

At the decoding section 15, a modulo number (n) is taken out of a modulo number storage section 13, first decoding information d1 is taken out of a first decoding information storage section 14, R=C'^d1d2mod n is calculated, and R is outputted via an output section 12.例文帳に追加

復号部15は、法数記憶部13から法数nを、第1復号情報記憶部14から第1の復号情報d__1を取り出し、R=C’^d1d2 mod nを計算し、出力部12を介して、Rを出力する。 - 特許庁

例文

And, after the current detection period of the predetermined number α passed, the abnormality detection part, collectively for the current value of each phase Ix_1,...,Ix_n which are stored in the storage region, carries out an abnormality determination based on a summation of three phases (U,V,W).例文帳に追加

そして、当該所定数αの電流検出周期が経過した後、まとめて、その記憶領域に記憶した各相電流値Ix_1,…,Ix_nについて、三相(U,V,W)の総和に基づく異常判定をまとめて実行する。 - 特許庁

The decoder 15 takes out the modulus n from a modulus storage part 13 and first decode information d1 from the first decode information storage 14, and calculates R=C'^d1d2 mod n, and outputs R via an output part 12.例文帳に追加

復号部15は、法数記憶部13から法数nを、第1復号情報記憶部14から第1の復号情報d__1を取り出し、R=C’^d1d2 mod nを計算し、出力部12を介して、Rを出力する。 - 特許庁

Plural cursors Cur1, Cur2,..., CurN operated by plural remote controllers (remote commanders) are respectively stored in position expression layers Pos1, Pos2,..., PosN (a figure 7 (A)), and the cursor Curn stored in each position expression layer Posn is projected to an all position expression layer all (figure 7 (B)).例文帳に追加

複数のリモコン(リモートコマンダ)によって操作される複数のカーソルCur_1,Cur_2,・・・,Cur_Nが、位置表現レイヤPos_1,Pos_2,・・・,Pos_Nにそれぞれ記憶され(図7(A))、各位置表現レイヤPos_nに記憶されたカーソルCur_nが、全位置表現レイヤallに射影される(図7(B))。 - 特許庁

In a liquid crystal display device displaying a picture by using the digital video signal of n (n is the natural number and n≥2) bits, the device has a storage circuit storing the digital video signal of n bits and a D/A converter circuit of the signal in a pixel and the device can stores the digital video signal equivalent to one frame in the pixels.例文帳に追加

nビット(nは自然数、n≧2)のデジタル映像信号を用いて映像の表示を行う液晶表示装置において、画素内にはnビットのデジタル映像信号を記憶する記憶回路とD/A変換回路とを有し、nビットの映像信号を1フレーム分、画素内で記憶することが出来る。 - 特許庁

The device is a semiconductor memory device which can be connected to the controller device in which the number of pins of n pieces supplying n signals is reduced to m, the semiconductor memory device is provided with at least one converting circuit generating n signals by inputting m signal lines and developing then, and n signals from the converting circuit are supplied to the inside of the semiconductor memory device.例文帳に追加

n本の信号を供給するn本のピン数を縮減しm本としてなるコントローラデバイスに接続可能とされる半導体記憶装置であって、半導体記憶装置内に、m本の信号線を入力して展開しn本の信号を生成する変換回路を少なくとも1つ備え、前記半導体記憶装置の内部には変換回路からのn本の信号が供給される。 - 特許庁

A matrix shift vector calculating part 23 reads out a screen angle θ stored in a screen angle storage part 21 beforehand and a matrix element number (n) stored in a matrix element number storage part 22 beforehand and calculates two matrix shift vectors based upon an angle table stored in a screen angle table storage part 24.例文帳に追加

マトリクスシフトベクトル算出部23は、スクリーン角度記憶部21に予め記憶されたスクリーン角度θおよびマトリクス要素数記憶部22に予め記憶されたマトリクス要素数nを読み出し、スクリーン角度表記憶部24に格納された角度表を元に、2つのマトリクスシフトベクトルを算出する。 - 特許庁

Dummy P^+-type diffused regions FL150, which will not contribute to storing operation is formed near P^+-type diffused regions FL110 and FL120 for constituting a storage node, and a dummy N^+-type diffused region FL250 which does not contribute to the storing operation in formed near N^+-type diffused regions FL210 and FL220 for constituting a storage node.例文帳に追加

記憶ノードを構成するP+拡散領域FL110,FL120の近傍に、記憶動作に寄与しないダミーのP+拡散領域FL150を形成するとともに、記憶ノードを構成するN+拡散領域FL210,FL220の近傍に、記憶動作に寄与しないダミーのN+拡散領域FL250を形成する。 - 特許庁

Also, by storing (n+1)-dimensional information in an n-dimensional space retrieval index as subsidiary attribute data, the (n+1)-dimensional retrieval is possible by the n-dimensional space retrieval index.例文帳に追加

また、n次元空間検索用インデクスに、補助属性データとして(n+1)次元の情報を記憶することにより、n次元の空間検索用インデクスで(n+1)次元の検索を可能とした。 - 特許庁

The plurality of semiconductor memory apparatuses 1 are arranged on a plurality of test boards being divided, test boards TB_1-TB_n have corresponding test board synchronizing circuits TSC_1-TSC_n respectively.例文帳に追加

複数の半導体記憶装置1は、複数のテストボード上に分割して配置され、各テストボードTB_1〜TB_nは、それぞれ対応するテストボード同期回路TSC_1〜TSC_nを有する。 - 特許庁

A comparison part 27 compares the S/N ratio and the sensitivity calculated with the S/N ratio and sensitivity calculation part 25 with an S/N ratio and a sensitivity under an optimal condition that are read from a S/N ratio and sensitivity storage part 35, respectively.例文帳に追加

比較部27は、SN比及び感度算出部25により算出されたSN比及び感度と、SN比及び感度記憶部35から読み出した最適条件におけるSN比及び感度をそれぞれ比較する。 - 特許庁

The combination part 8 reads the tones and rhythms out of the first memory 4 and selects one sound out of n×n kinds formed by the combination of n kinds of tone and n kinds of rhythms based on the output random numbers.例文帳に追加

組み合わせ部は、出力された乱数に基づいて、第1の記憶装置から音色とリズムを読み出し、n種類の音色とn種類のリズムとを組み合わせてなるたn×n種類の音のなかから一つの音を選択する。 - 特許庁

A complex linear operation circuit 108 stores the inverse matrix of a matrix consisting of q rows and p columns of exp(2πjk_pn_q/N) about a set {k_p} using the carrier numbers of M effective carriers as elements and a set {n_q} using sample numbers 0 to M-1 as elements.例文帳に追加

複素線形演算回路108には、M本の有効キャリアの番号を要素とする集合{k_p}、サンプル番号0乃至M-1を要素とする集合{n_q}について、q行p列がexp(2πjk_pn_q/N)である行列の逆行列が記憶されている。 - 特許庁

The equalizer forms an equalized received value X'(n) based on a combination of a compensated received value X(n) and a stored value D(n) corresponding to (k) prior output values Y(n-1), ..., Y(n-k) from a memory device 140.例文帳に追加

等化器は、補償された受信値X(n)と、メモリ装置140からk個の以前の出力値Y(n−1),...,Y(n−k)に対応する記憶値D(n)との組み合わせに基づいて、等化された受信値X’(n)を形成する。 - 特許庁

The condition monitoring device stores a time series {x_n} comprising N pieces of data indicating the condition of the monitoring object, an estimate {e_n} of white noise, and a parameter θ_N of an ARMA model estimated from the time series.例文帳に追加

状態監視装置は、監視対象の状態を示すN個のデータからなる時系列{x_n }と白色雑音の推定値{e_n }と前記時系列から推定したARMAモデルのパラメータθ_N を記憶しておく。 - 特許庁

On the basis of the plurality of (N_id) information items stored in the memory 22, the residential area to which most (N_id) information items belong is particularized as a receiver installed area.例文帳に追加

メモリ22に記憶された複数の(N_id)情報から、最も多くの(N_id)情報が属する居住地域を特定し受信機が設置されている地域であるとする。 - 特許庁

The updating part 610 has a comparator 612 comparing a number n+1 in which the frequency 1 is added to the frequency of erasing (n) stored in the nonvolatile frequency storing memory 600 with a predetermined erasure restriction frequency N, erasing operation is restricted based on the comparison result.例文帳に追加

更新部610は、不揮発性回数記憶メモリ600に記憶された消去回数nに回数1を加えた数n+1を、予め定められた消去制限回数Nとを比較する比較器612を有し、比較結果に基づいて消去動作を制限する。 - 特許庁

When an (n)th division portion is stored, data of a part including a peripheral part to be referred to when a part to be decoded of the (n)th division portion in data included in an (n-1)th division portion are added to the (n)th division portion and stored.例文帳に追加

また、n番目の分割部分を記憶させる際、n−1番目の分割部分に含まれるデータのうち、n番目の分割部分における符号化対象部分を符号化処理する際に参照する周辺部分を含む部分のデータを、n番目の分割部分に付加して記憶させる。 - 特許庁

When a user moves the mouse on an operating surface to generate vector information, what unit vector it corresponds to is calculated, and the calculated value N is multiplied by a unit vector movement V' of a pointer stored in a unit vector movement storage part to produce a pointer movement L=N×V'.例文帳に追加

ユーザが操作面上でマウスを移動させてベクトル情報が発生すると、それが何単位ベクトルに相当するかを算出し、算出した値Nと単位ベクトル移動量記憶部が記憶しているポインタの単位ベクトル移動量V’との乗算を行い、ポインタの移動量L=N×V’を算出する。 - 特許庁

When a voltage value V_n of a secondary battery 1 is a prescribed voltage value or higher, a control part 8 stores a difference ΔV_n between a current voltage V_n and a voltage value V_n-N which is detected N-time before in a storage part 6 as ΔV_max.例文帳に追加

二次電池1の電圧値V_nが所定の電圧値以上である場合に、制御部8は現在の電圧値V_nおよびN回前に検出された電圧値V_n−Nの差ΔV_nをΔV_maxとして記憶部6に格納する。 - 特許庁

This input-output processor stores the L pieces of directories at maximum for each of the physical channel numbers and has a directory storing part 1 which stores a logical channel number of N levels for each directory and bit information showing its validity/invalidity.例文帳に追加

本発明にかかる入出力処理装置は、最大数L個の物理チャネル番号毎のディレクトリを記憶し、各ディレクトリに対してN個のレベルの論理チャネル番号と、その有効/無効を示すビット情報とを記憶するディレクトリ記憶部1を有する。 - 特許庁

The information storage device stores the unlimited data incapable of limiting the number of writing times in a zone N with an ordinary track pitch, and stores limited data capable of limiting the number of writing times in a zone M with an archive track pitch.例文帳に追加

情報記憶装置は、書き込み回数を制限することができない無制限データを、通常トラックピッチとなるゾーンNに記憶し、書き込み回数を制限することができる制限データを、アーカイブトラックピッチとなるゾーンMに記憶する。 - 特許庁

A central processing unit 18 generates OSD patterns arranged evenly dispersedly with black pixels based on the unit regions (M, N) set in an internal memory section 16 for every display position Pos and stores the patterns in a display element, and a temporary memory section 19 for display processing.例文帳に追加

中央演算部18は、内部記憶部16に設定されている単位領域(M,N)およびパターンPに基づいて、黒ピクセルを均等に分散して配置したOSDパターンを表示位置Posごとに生成し、表示用および表示処理用一時記憶部19に記憶する。 - 特許庁

For the data storage areas in one storage medium, (N-1) pieces of redundant areas are secured, and all the redundant areas are arranged so as to be distributed to the different storage media, so that the same data can be prevented from overlapping each other in one storage medium.例文帳に追加

一の記憶媒体のなかにあるデータ格納領域に対して(N−1)個の冗長領域を確保し、前記冗長領域はすべて異なる記憶媒体に分散配置し、かつ、同一のデータが一つの記憶媒体のなかでかさならないようにする。 - 特許庁

Simultaneously with operation for dispersing and storing signal processing results of data of, for example, the channel L in storage areas I_1 to I_6 of the data buffer for a current frame N, last signal processing results are read out of storage areas A_1 to A_6 of the data buffer and outputted.例文帳に追加

そして、現在のフレームNについて、例えばチャンネルLのデータに対する信号処理結果を、データバッファの記憶領域l_1〜l_6に分散させて記憶する動作と並行して、このデータバッファの記憶領域A_1〜A_6から前回の信号処理結果を読み出して出力する。 - 特許庁

An RSS server device (storage device) 2 acquires the metadata of a web page described by the format of RSS from a plurality of web server devices 3 connected to a communication network N, and the image output device 1 receives the metadata from the RSS server device 2 and stores them in a storage part 110.例文帳に追加

RSSサーバ装置(記憶装置)2は、RSSのフォーマットで記述されたウェブページのメタデータを通信ネットワークNに接続されたウェブサーバ装置3,3,…から取得し、画像出力装置1は、RSSサーバ装置2からメタデータを受信して記憶部110で記憶する。 - 特許庁

In a first processing period in which the received signal of the first section corresponding to one of M sections is stored in a received signal storage means, a plurality of N code data stored in a code data storage means are successively shifted over one period of the PN code to perform code correlation processing by a correlation means.例文帳に追加

このために、受信信号記憶手段にM区分の1つに相当する第1区分の受信信号が記憶されている第1処理期間に、コードデータ記憶手段の複数N個のコードデータをPNコードの1周期分に亘って順次シフトして、前記相関手段によるコード相関処理を行う。 - 特許庁

Even when information of (n) bits is stored, always only two latching circuits consisting of one latching circuit for storing write-in data and one latch circuit for storing a result obtained by preliminarily reading whether or not the cell is higher than Ai+1 are used.例文帳に追加

nビットの情報を記憶する場合でも常に、書き込みデータを記憶するための1つのラッチ回路と、Ai+1より高いセルかどうか予備リードを行ない、この結果を記憶するための1つのラッチ回路の合計2つのラッチ回路のみとなる。 - 特許庁

As a result, a silicon region exposed which is capable of generating a current in a region adjacent to the node circuit becomes a minimum, and the guard ring 164 captures the photocurrent generated outside of the node circuit 154.例文帳に追加

その結果、記憶ノード回路に隣接する領域に電流を生成させ得る露出されたシリコン領域が最小限になり、nウェルガードリング164は、記憶ノード回路154の外部で生成された光電流を捕捉する。 - 特許庁

The third memory 5 goes up the time order from the nearest sound among the sounds already output by the loud speaker and stores N sounds as combinations of tones and rhythms.例文帳に追加

第3の記憶装置は、既に拡声器から出した音のうち直近の音から時間経過順に逆上ってN個の音を音色とリズムの組み合わせとして記憶する。 - 特許庁

A motion element 11 is constructed by using a rod type shape memory alloy and a plurality of P-type Peltier elements and N-type Peltier elements serving as thermoelectric conversion elements arranged in the longitudinal direction of the shape memory alloy.例文帳に追加

運動素子11は棒状の形状記憶合金と、この形状記憶合金の長手方向に複数個配置された熱電変換素子としてのP型ペルチェ素子とN型ペルチェ素子を用いて構成されている。 - 特許庁

The classification information over the one or plural kinds of categories of n sheets of disks 10 in a disk housing part 1 is stored in a storage part 31 of disk classification information individually by the pallet numbers.例文帳に追加

ディスク収納部1のn枚のディスク10の1種または複数種のカテゴリーにわたる分類情報は、ディスク分類情報記憶部31にパレット番号別に記憶されている。 - 特許庁

An integrated movie image wherein respective frame images of the first to N-th movie images are constituted as one frame image is stored in the information storage medium 180.例文帳に追加

第1〜第N(N≧2)のムービー画像の各フレーム画像を、1つのフレーム画像として構成した統合ムービー画像を情報記憶媒体180に記憶しておく。 - 特許庁

A storage means 103a stores information concerning to at least n number of functions among plural functions owned by an apparatus or a system assigned to a key X.例文帳に追加

記憶手段103aは、キーXへ割り当てられた、装置或いはシステムが有する複数の機能のうちの少なくともn個の機能に関する情報を記憶する。 - 特許庁

The memorized traveling time for similar traveling time pattern of N hours ahead at the section X of the road is determined as predicted traveling time.例文帳に追加

そして、走行時間記憶テーブルの中の、走行時間の似ているパターンのN時間先の道路区間Xの走行時間記憶値を、走行時間予測値とする。 - 特許庁

A storage section 161 stores the optical signal received by the light receiving section 141 in a frequency being N times the prescribed blinking pattern and in the units of frames.例文帳に追加

記憶部161は、受光部141により受光された光の信号を、所定の点滅パターンのN倍の周波数で、かつ、フレーム単位で記憶する。 - 特許庁

When empty is not stored in S304 (S304: N), the LED 50 corresponding to each cartridge 23 is turned on according to the remaining quantity of toner stored in the NVRAM 64 in S306.例文帳に追加

また、S304において、エンプティが記憶されていない場合(S304:N)、S306において、NVRAM64に記憶されているトナー残量に応じて、それぞれのカートリッジ23に対応するLED50を点灯させる。 - 特許庁

The EEPROM cell gate voltage generating circuit for memory brings the n EEPROM cells into rewritable state at the time of writing a new data of the flash type EEPROM.例文帳に追加

記憶用EEPROMセルゲート電圧生成回路は、フラッシュ型EEPROMのデータを新しく書込み時にn個の記憶用EEPROMセルを書き込み可能な状態にする。 - 特許庁

The transfer destination of the image data is a storage part 215 in the image processing apparatus 1 or a PC (storage device) 4 or the like connected to the image processing apparatus 1 through a communication network N.例文帳に追加

画像データの転送先は、画像処理装置1内の記憶部215、又は通信ネットワークNを介して画像処理装置1に接続されたPC(記憶装置)4等である。 - 特許庁

A control part 15 selects an (N)th pattern among a plurality of equalizer patterns stored in an equalizer pattern storage part 22 in speech recognition processing.例文帳に追加

制御部15は、音声認識処理時にはイコライザパターン記憶部22に記憶されている複数のイコライザパターンのうちからN番目のパターンを選択する。 - 特許庁

例文

Then, in step S80, the updated beam width N is stored in a beam width history database which is stored in a beam width history database storage area 151.例文帳に追加

そしてステップS80において、その更新されたビーム幅Nを、ビーム幅履歴データベース記憶エリア151に記憶されたビーム幅履歴データベースに格納する。 - 特許庁

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