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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 記憶 nに関連した英語例文

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記憶 nの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 813



例文

For N write data in the cache area (307), a first comparison target is generated and the N write data are transferred to the data storage area (321).例文帳に追加

キャッシュ領域(307)上のN個のライトデータについて第一比較対象が生成され、N個のライトデータがデータ記憶域(321)に転送される。 - 特許庁

In a step S7, a voltage change amount ΔVa_n is calculated from a voltage V_end in a charging/discharging stopped state stored in a storage section 120 and a current voltage V_now.例文帳に追加

ステップS7では、記憶部120に保存されていた充放電停止時の電圧V_endと現在の電圧V_nowから電圧変化量ΔVa_nを算出する。 - 特許庁

The storage device includes: a nonvolatile memory cell array; and a memory control circuit executing data write into and data read from the memory cell array in access units of N bits (N is a prescribed integer of 2 or above).例文帳に追加

記憶装置は、不揮発性のメモリーセルアレイと、Nビット(Nは2以上の所定の整数)のアクセス単位でメモリーセルアレイのデータ書き込みとデータ読み出しを実行するメモリー制御回路と、を備える。 - 特許庁

In first processing consisting of processing of steps A1-A8, packet loss values for N times are stored, by measuring the packet loss value before the handover for N times.例文帳に追加

ステップA1からA8までの処理でなる第1の処理では、ハンドオーバー前のパケットロス値をN回測定することにより、N回分のパケットロス値を記憶する。 - 特許庁

例文

In second processing consisting of processing of steps A9-A16, packet loss values for N times are stored, by measuring the packet loss value after the handover for N times.例文帳に追加

ステップA9からA16までの処理でなる第2の処理では、ハンドオーバー後のパケットロス値をN回測定することにより、N回分のパケットロス値を記憶する。 - 特許庁


例文

The storage device S-n includes: the disk arrays A-i to A-j; and a disk array control part DE-n which divides the storage area of each disk array to extents and allocates the extents to logical volumes.例文帳に追加

ストレージ装置S−nは、ディスクアレイA−i〜jと、各ディスクアレイの記憶領域をエクステントに分割し、エクステントを論理ボリュームに割り当てるディスクアレイ制御部DE−nとを備えている。 - 特許庁

The thin-film magnetic material storage device includes N memory banks MB1 to MBN, M (M>N) data read circuits RDV1 to RDVM and M data write circuits WDV1 to WDVM.例文帳に追加

薄膜磁性体記憶装置には、N個のメモリバンクMB1〜MBNと、M個ずつ(M>N)のデータ読出回路RDV1〜RDVMおよびデータ書込回路WDV1〜WDVMとを含み。 - 特許庁

The data processed by the (n+m)-bit adder 122 is stored in the (n+m)-bit frame memory 126 and provided to a bit length conversion unit 129 to be subjected to rounding and the like when truncating m-bits.例文帳に追加

n+mビット加算器122の処理を経たデータは、n+mビットフレームメモリ126に記憶されるとともに、ビット長変換部129に供給され、mビットの切り捨てを行う際に四捨五入などがなされる。 - 特許庁

A recommended distance range for satisfying a necessary S/N ratio is estimated from voice characteristic of a user 201 which has been stored in a user voice intensity DB 306, and it is output to a recommended distance range presentation section 309.例文帳に追加

利用者音声強度DB306に記憶された利用者201の音声の特性から、必要なS/N比を満たす推奨距離範囲を推定し、推奨距離範囲提示部309へ出力する。 - 特許庁

例文

Input image data consisting of a plurality of (n) bits inputted from outside via an interface means is converted into a plurality of (m) (m<n) bits, which are outputted to a display memory means to be stored there.例文帳に追加

外部よりインターフェース手段を介して入力される複数nビットの入力画像データを複数m(m<n)ビットに変換して、表示メモリ手段に記憶させるように出力する。 - 特許庁

例文

Each disk array provides storage space including a 1st stripe set in which each stripe has at least N blocks and a 2nd stripe set in which each stripe has less than N blocks.例文帳に追加

該ディスク・アレイは、それぞれのストライプが少なくともN個のブロックを有する第1のストライプ・セットと、それぞれのストライプがN個未満のブロックを有する第2のストライプ・セットとを含む記憶空間を提供する。 - 特許庁

The respective apparatuses A, B, N of the monitor cameras comprise an apparatus name; an apparatus ID; apparatus arrangement position coordinate data; another apparatus ID position coordinate data B-N; and abnormality data, where the abnormality signal detection data is "0" or "1".例文帳に追加

監視カメラの機器名A、B、Nのそれぞれが、機器名と、機器IDと、機器設置位置座標データと、他機器ID位置座標データBからNまでと、異常信号検出データ“0”又は“1”の異常データと、を記憶している。 - 特許庁

If the bits of the same value continue with the higher n+1 bits, the data stored in an input register 11 is shifted by n bits to the MSB side, and a flag of 1 bit for indicating the fact of a shift has been formed.例文帳に追加

上位n+1ビットに同じ値のビットが連続している場合には、入力レジスタ11に記憶されているデータをMSB側にnビットシフトさせ、シフトさせたことを示す1ビットのフラグを生成する。 - 特許庁

In a second operating mode, a data input-output circuit 1086 converts N pieces of data in parallel which are supplied serially in synchronization with the first internal clock signal to supply write data to selected N pieces of memeory cells.例文帳に追加

同期型半導体記憶装置1000は、シングルデータレートSDRAM動作モードでは、外部クロック信号ext.CLKに同期して、入出力バッファ回路1072〜1082を動作させる。 - 特許庁

A multiplication section 125 multiplies the candidate S_n' of the symbol value that is stored in a memory 124 by a transmission line estimation value f_k, and outputs a multiplication result S_nk' to a calculation section 126.例文帳に追加

乗算部125は、メモリ124に記憶されているシンボル値の候補S_n´と伝送路推定値f_kとを乗算し、乗算結果S_nk´を算出部126に出力する。 - 特許庁

To reduce the capacity of a FIFO for temporary storage at the time of encoding and decoding, to increase the processing speed, and to eliminate a need of extending a circuit at the time of enlarging compressed multi-level image data n times (n: integer) in the subscanning direction.例文帳に追加

符号化復号化する際に一次記憶するFIFOの容量を削減し、かつ処理速度を向上させ、さらに圧縮された多値画像データを副走査方向に整数倍拡大する際にも回路を増設しないですむ。 - 特許庁

An image memory control part transfers compressed data of (N+1)th page from a storage part to an image memory before the processing of N-th page is finished (image memory clearance) when it is determined that determination processing satisfies a relation of (M-S1)/2≥S2.例文帳に追加

画像メモリ制御部は、判定処理で(M−S1)/2≧S2の関係を満たすと判定した場合、N頁目の処理が終了(画像メモリクリア)する前に、N+1頁目の圧縮データを記憶部から画像メモリへ転送する。 - 特許庁

A memory cell array 1 is configured so that a plurality of memory cells MC which are connected to a word line and a bit line, store one value out of n values (n is a natural number of 2 or more) in one memory cell, and are arranged in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、ワード線、及びビット線に接続され、1つのメモリセルに、n値(nは2以上の自然数)のうちの1値を記憶する複数のメモリセルMCがマトリックス状に配置されて構成されている。 - 特許庁

Then, the presence/absence of opening/closing (blinks) of the eyes in the predetermined number n (for example, n=26 frames) of frames stored in an EEPROM 119 or calculated by a calculation is discriminated.例文帳に追加

そして、EEPROM119に記憶された、あるいは計算によって求められた所定フレーム数n(例えばn=26フレーム)における目の開閉(まばたき)の有無を判別する。 - 特許庁

A memory cell array 1 is connected with a word line WL and a bit line BL, and a plurality of memory cells each of which stores one of n values (n is a natural number of ≥2) is arranged in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、ワード線WL、及びビット線BLに接続され、n値(nは2以上の自然数)のうちの1値を記憶する複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

When a thread is generated in a processor of a processor 100-n's own (1≤n≤N) and the thread is the first one in a process, the processor 100-n generates a parallel execution time table 202 peculiar to the above process on a main storage device 200.例文帳に追加

プロセッサ100−n(1≦n≦N)は、自プロセッサでスレッドが生成されると、それがプロセス中の最初のスレッドであれば、主記憶装置200上に上記プロセス固有の並列実行時間テーブル202を生成する。 - 特許庁

Then whether or not the number N of the detected defective pixels exceeds a prescribed number N0 (10 in this embodiment) is decided (step S7) and in the case of N≤N0, address data are stored in a RAM (step S8).例文帳に追加

そして、欠陥画素の検出数Nが所定数N_0(本例では、10)を越えたか否かを判断し(ステップS7)、N≦N_0の場合は、アドレスデータをRAMに記憶する(ステップS8)。 - 特許庁

First to n-th access circuits 42-1 to 42-n carry out processes for letting the first to n-th data processing circuits 40-1 to 40-n access the other storage circuits.例文帳に追加

第1乃至第nのアクセス回路42−1〜42−nは、第1乃至第nのデータ処理回路40−1〜40−nが、他の記憶回路にアクセスするための処理を実行する。 - 特許庁

Next, in a step St 12, a data block 21 is stored in a device 14, so that the data blocks constituting the respective test patterns P_1-P_n do not overlap with each other to form a data block group 22.例文帳に追加

次に、ステップSt12において、各テストパターンP_1〜P_nを構成するデータブロックの重複がないように、ディスク14内にデータブロック21を記憶させ、データブロック群22を作成する。 - 特許庁

When the carriage 3 performs scanning subsequently, the CPU 27 moves the carriage 3 at a target speed thereof set for each position P_1, P_2,..., P_n with reference to a speed value table 40 stored in an RAM 30.例文帳に追加

これ以降にキャリッジ3を走査する場合、CPU27はRAM30に記憶された速度値テーブル40を参照して、各位置P_1,P_2,…,P_nごとに設定されたキャリッジ3の目標速度でキャリッジ3を移動させる。 - 特許庁

All address regions of a defective analysis memory 118 is divided into N storage regions, and a defective block memory 130 is provided which has block addresses corresponding to as many as N divisions.例文帳に追加

不良解析メモリの全アドレス領域をN個の記憶容量に分割し、このN個の分割数に対応するブロックアドレスを持つ不良ブロックメモリ130を設ける。 - 特許庁

In a memory cell 100, the cell ratio of N channel MOS transistors 102 and 104 and N channel MOS transistors 106 and 108 is one and capacitors 114 and 116 are connected to storage nodes 118 and 120, respectively.例文帳に追加

メモリセル100において、NチャネルMOSトランジスタ102,104とNチャネルMOSトランジスタ106,108とのセル比は1であり、記憶ノード118,120には、それぞれキャパシタ114,116が接続される。 - 特許庁

The conductive type impurity region, which faces a contact 16 communicated to a source line 17a, and in contact with a source side n- impurity region 6, is programmed to a p-type or n-type according to the contents of stored data.例文帳に追加

ソース側のn−不純物領域6と接し、ソース線17aにつながるコンタクト16と面した不純物領域の導電型が、記憶データの内容に応じてp型またはn型にプログラムされる。 - 特許庁

A management section (32) for turning on of electricity monitors the video signal (N) to the driving section (2) and memorizes the cumulative totals of the time for turning on of electricity or the electric quantity of turning on of electricity since the time of manufacturing over the entire part of each pixels of R, G and B on a display panel (1).例文帳に追加

通電管理部(32)は駆動部(2)への映像信号(N)を監視し、表示パネル(1)上のRGBそれぞれの画素全体の通電時間又は通電電気量の製造時からの累計を記憶する。 - 特許庁

Each of the non-volatile memories 21-0, 21-1 includes a plurality of pages each of which is composed of a plurality of memory cells, and each memory cell can store N bits (N is a natural number of ≥2).例文帳に追加

不揮発性メモリは、それぞれが複数のメモリセルからなる複数のページを含み、各メモリセルは、Nビット(Nは2以上の自然数)を記憶可能である。 - 特許庁

Common setting memory areas (Common) 5 for storing common setting values and individual setting memory areas (Interface 1, 2,...N) 6 of each communication interface available of individual settings are formed to a communication setting memory 16a of a composite machine 10.例文帳に追加

複合機10の通信設定メモリ16aには、共通設定値が記憶される共通設定メモリ領域(Common)5と個別設定が可能な各通信インターフェースの個別設定メモリ領域(Interface1,2,…N)6が形成されている。 - 特許庁

An image processing means 9 can execute N image processings 1 to N in parallel by a unit of the visual field based on image data stored in the memory area of the image memory 8.例文帳に追加

画像処理手段9は、画像メモリ8のメモリ領域に記憶される画像データに基づき、検査視野の単位でのNの画像処理「1」〜「N」を並行して実行可能となっている。 - 特許庁

In a data holding device, a plurality of ferroelectric elements X (element width m) included in a nonvolatile storage part are surrounded by dummy elements Y (element width n, here n<m) each having an element width narrower than that of each ferroelectric element.例文帳に追加

データ保持装置において、不揮発性記憶部に含まれる複数の強誘電体素子X(素子幅m)は、各々よりも素子幅の小さいダミー素子Y(素子幅n、ただしn<m)によって包囲されている。 - 特許庁

This mean value filter is provided with a counter for counting the number of input data, and filter coefficients 1/N and (N-1)/N are calculated from a counter value N.例文帳に追加

平均値出力を記憶する遅延レジスタを設け、新しい入力データに1/Nを掛け、遅延レジスタのデータ値に(N-1)/Nを掛けて加算した値を新しい平均値出力とする。 - 特許庁

An N well 8 is formed in a P-type semiconductor substrate 1, a P well 9 is further formed in the N well 8, and a nonvolatile semiconductor memory device main part 12 is formed on a surface of the P well 9.例文帳に追加

P型半導体基板1にNウエル8を形成し、さらにNウエル8内にPウエル9を形成し、Pウエル9表面に不揮発性半導体記憶装置主部12を形成する。 - 特許庁

To manage differences for providing quickly matched remote copy data among remaining sites, after an arbitrary site is damaged in remote copying among storage control devices, arranged mainly on N sites of not less than 3 sites.例文帳に追加

主に3サイト以上のNサイトに配置した記憶制御装置間のリモートコピーにおいて、任意サイト被災後、速やかに残サイト間のリモートコピーデータの一致を実現するための差分を管理することを課題とする。 - 特許庁

A CPU 75 reads a number algebra N from a RAM 77, substitutes '2' for the number algebra N, stores it into the RAM 77 again (S21) and then judges whether 'big winning' is generated (S22).例文帳に追加

CPU75は、RAM77から番号代数Nを読み込み、この番号代数Nに「2」を代入して再度RAM77に記憶後(S21)、「大当たり」発生か否かを判定する(S22)。 - 特許庁

According to one method, calculation of a master key in a server is executed based on RSA secret keys (d, N) generated by the server itself and authentication data stored in a storage unit belonging to the server.例文帳に追加

本発明者が提案する新たな方式の一つによれば、サーバにおけるマスター鍵の計算は、サーバ自身が生成するRSA秘密鍵(d, N)と、サーバ自身に属する記憶装置に格納される認証データに基づいて行われる。 - 特許庁

A S/N ratio and sensitivity calculation part 25, based on the integrated value calculated with the lateral displacement integrated value calculation part 23 and an evaluation value read from an evaluation value storage part 33, calculates a S/N ratio and a sensitivity under actual traveling condition.例文帳に追加

SN比及び感度算出部25は、横変位量積算値算出部23により算出された積算値と、評価値記憶部33から読み出した評価値とに基づいて、実走行条件におけるSN比及び感度を算出する。 - 特許庁

Print data received from the outside are interpreted and developed and stored as primary data, and printing is executed on a displaced position n times (n≥2) based on the same primary data.例文帳に追加

外部より受信した印刷データを解釈・展開して1次データとして記憶しておき、同一の1次データに基づいて印刷位置をずらしてn回(n≧2)印刷する。 - 特許庁

In the memory mat of this semiconductor memory, MCSLs are provided at every (n) pieces of column addresses and (n) lines of SCSLs are arranged at every one line of the MCSLs.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のメモリマットには、列アドレスn個ごとにMCSLが設けられ、MCSL1本ごとにn本のSCSLが配置される。 - 特許庁

The N-th row image data inputted from the data interface 12 are inputted to a neighborhood computing element 142 (diagram 2), also written in the delay memory 141 (diagram 2) and stored in the image memory 15 through an image memory interface 13.例文帳に追加

データインターフェイス12から入力されたN行目の画像データが近傍演算器142(図2)に入力されるとともに、遅延メモリ141(図2)に書き込まれ、画像メモリインターフェイス13を介して画像メモリ15に記憶される。 - 特許庁

A memory cell array 1 connected to a word line and a bit line is constituted so that a plurality of memory cells for storing one value among n values (n is natural number of ≥2) are arranged in a matrix state.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、ワード線、及びビット線に接続され、n値(nは2以上の自然数)のうちの1値を記憶する複数のメモリセルがマトリックス状に配置されて構成されている。 - 特許庁

A power supply management part (32) monitors the picture signal (N), and stores the sum total (C) of the power supply time or the accumulated amount of power supply, for each of the pixels of R, G, and B on the display panel (1).例文帳に追加

通電管理部(32)はその映像信号(N)を監視し、表示パネル(1)上のRGBそれぞれの画素について、通電時間又は通電電気量の累計(C)を記憶する。 - 特許庁

The similarity calculation part 33 calculates the similarity of the query image to registered images stored in a feature amount DB 11, and supplies information representing N-number of registered images having high similarity to a presentation item determination part 34.例文帳に追加

類似度計算部33は、クエリ画像と、特徴量DB11に記憶されている登録画像それぞれとの類似度を計算し、類似度が高いN枚の登録画像を表す情報を提示アイテム決定部34に供給する。 - 特許庁

This pseudorandom number generator of the present invention has a state storage unit having 2 blocks (n bits per block) of capacity and a buffer having a capacity of a plurality of blocks, and mixes their contents to obtain a random number sequence.例文帳に追加

本発明は、2ブロック(1ブロックはnビット)の容量のステート記憶部と複数ブロックの容量のバッファとを有し、これらの内容を攪拌し、乱数列を得る疑似乱数生成装置である。 - 特許庁

When the bits of the same value continue with the higher n+1 bits, the data stored in an input register 11 is shifted by n bits to the MSB side, and a flag of 1 bit for indicating the fact of a shift has been formed.例文帳に追加

上位n+1ビットに同じ値のビットが連続している場合には、入力レジスタ11に記憶されているデータをMSB側にnビットシフトさせ、シフトさせたことを示す1ビットのフラグを生成する。 - 特許庁

Start positions S_n are sequentially set by a start position setting means 362 for the broadcast program data received by a tuner part 310 and a communication means 320 and acquired by a broadcast program data acquisition means 361, and also a temporary storage control means 363 records the broadcast program data in memory 340 from the start positions S_n as partial data PD_N.例文帳に追加

チューナ部310や通信手段320で受信し放送番組データ取得手段361で取得した放送番組データに、開始位置設定手段362で開始位置S_nを逐次設定するとともに、仮記憶制御手段363で開始位置S_nから放送番組データを部分データPD_Nとしてメモリ340に仮記録させる。 - 特許庁

To obtain correct data from signals having a low S/N ratio for a demodulation method and a demodulation device in which analog signals obtained by reading information stored in a recording medium are converted into digital signals, demodulated and data are generated to express the information.例文帳に追加

本発明は、記憶媒体に記憶されている情報を読み取って得たアナログ信号をディジタル信号に変換し復調してその情報を表わすデータを生成する復調方法および復調装置に関し、S/Nが低い信号から正しいデータを得る。 - 特許庁

例文

As the various kinds of programs, music processing programs for causing a CPU 16 to function as a processing part for outputting N pieces of music to a speaker 4 in order decided on the basis of impression coordinates of the music from the storage medium of a user are stored.例文帳に追加

各種プログラムとして、ユーザ所有の記憶媒体からの楽曲が有する印象座標から求まる順番で、スピーカ4に対してN個の楽曲を出力させる処理部としてCPU16を機能させるための楽曲処理プログラムが記憶されている。 - 特許庁

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