「電極接触酸化」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゲート電極４の第１導電体層１０はゲート酸化物層２２表面の第１部分４０と接触しており、第２導電体層１２はゲート酸化物層の表面の第２部分４２と接触している。例文帳に追加

The first conductor layer 10 of the gate electrode 4 contacts the surface of the gate oxide layer 22 in a first portion 40, and the second conductor layer 12 contacts the surface of the gate oxide layer in a second portion 42. - 特許庁

電極パッドには微小突起８_-1〜８_-13 のいずれかが必ず接触し、かつ、容易に電極パッド上の酸化皮膜を突き破れるため、確実な接続と低接触抵抗が得られる。例文帳に追加

One of small projections 3-1-8-13 is positively brought into contact with the electrode pad, and since an oxidation film on the electrode pad is easily broken, sure connection and low contact resistance are obtained. - 特許庁

スルーホール２２において、ソース・ドレイン電極１５は、金属バッファー膜１８により、直接透明導電膜２０と接触しないため、電極１５中のアルミニウムが酸化されず接触抵抗が高くならない。例文帳に追加

The source/drain electrode 15 is prevented from coming into direct contact with the transparent conductive film in a through-hole 22 by the metal buffer film 18, so that aluminum contained in the electrode 15 is hardly oxidized, and the electrode 15 is restrained from increasing in contact resistance. - 特許庁

酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一とする。例文帳に追加

To reduce contact resistance to a source electrode layer or a drain electrode layer electrically connected to an oxide semiconductor layer in a thin-film transistor using the oxide semiconductor layer. - 特許庁

酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一とする。例文帳に追加

To reduce contact resistance to a source electrode layer or a drain electrode layer electrically connected to an oxide semiconductor layer in a thin-film transistor using the oxide semiconductor layer. - 特許庁

酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層又はドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一とする。例文帳に追加

To reduce contact resistance to a source electrode layer or a drain electrode layer electrically connected to an oxide semiconductor layer in a thin-film transistor using the oxide semiconductor layer. - 特許庁

電気絶縁シート３４が浮き上がってアルミ帯板１８や酸化処理用電極２８に接触し損傷を受けることがない。例文帳に追加

The electric insulation sheet 34 does not damage the aluminum strip 18 or electrodes for oxidation 28 by floating up and touching with them. - 特許庁

電極層と半導体層との接触抵抗が低く、密着性と経時安定性に優れた酸化物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide semiconductor element having a low contact resistance between an electrode layer and a semiconductor layer, and having excellent adhesive properties and stability with time. - 特許庁

電極パッド（６）上に生成された金属酸化膜（７）は、上記後端側接触面（４）で除去される。例文帳に追加

A metal oxide film (7) formed on the electrode pad (6) is removed by the rear end side contact surface (4). - 特許庁

電気抵抗体、センサー材料を含む電子材料として有用な酸化亜鉛への低接触抵抗電極の形成。例文帳に追加

To form an electrode with low contact resistance onto zinc oxide which is useful as an electronic material including an electric resistor and a sensor material. - 特許庁

その結果、電池電極面あるいは電池接片に付着していた汚れや酸化皮膜が除去され、良好な電気接触状態が得られる。例文帳に追加

As a result, stains or an oxide film adhered on the battery electrode face or the battery contact pieces are removed to obtain a good electric contact state. - 特許庁

島状の不純物を含むシリコン層に接触するように、金属薄膜のソース電極と信号線を形成し陽極酸化する。例文帳に追加

The signal conductor is formed with the source electrode of a metallic thin-film and anode-oxidized so as to be brought into contact with a silicon layer containing insular impurities. - 特許庁

経年時の酸化皮膜成長時の接触信頼性を向上させることができる電極金具を得ること。例文帳に追加

To obtain an electrode fitting with improved contact reliability when an oxide film grows after years have passed. - 特許庁

下層層間絶縁膜１１はゲート電極９ｂに接触するように形成され、シリコン酸化膜を含む。例文帳に追加

A lower interlayer insulating film 11 is formed so as to be brought into contact with the gate electrode 9b, while including a silicon oxide film. - 特許庁

電池電極あるいは電池接片の汚れや酸化皮膜による接触不良を防止する電池収納構造を提供する。例文帳に追加

To provide a battery housing structure preventing contact failure due to stain of a battery electrode or a battery contact piece or an oxide film. - 特許庁

酸化消耗率が小さく、ブスバーとの接触抵抗が長時間にわたって、変化しにくいプラズマ溶融炉用電極構造を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode structure for a plasma melting furnace in which oxidation consumption rate is small, and contact resistance against a bus-bar hardly changes for a long time. - 特許庁

優れた電極性能を有しながら、炭素電極材の酸化重量収率を高めることができる炭素電極材を提供し、また、酸化重量収率が高められた炭素質繊維の不織布よりなり、特に集電板との接触性に優れる炭素電極材集合体を提供する。例文帳に追加

To provide a carbon electrode material with excellent electrode performance and a heightened oxidation yield by weight, and provide a carbon electrode material assembly consisting of a non-woven cloth of carbonaceous fibers with the oxidation yield by weight heightened, and excellent, in particular in contact with a current collector plate. - 特許庁

Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、酸化物層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するようにトランジスタを形成することによって、トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。例文帳に追加

In the transistor using the oxide layer containing Zn, an oxide semiconductor layer containing an insulating oxide is laminated on the oxide layer, and the transistor is so formed that the oxide layer and a source electrode layer or a drain electrode layer are brought into contact with each other via the oxide semiconductor layer containing the insulating oxide, and thereby; and variations in threshold voltage of the transistor is reduced, and the electrical properties are stabilized. - 特許庁

第１種の強誘電体メモリ素子ＭＣ１は、例えば下部電極２４の下面に接触する密着層２５が酸化チタンで形成されており、第２種の強誘電体メモリ素子ＭＣ２は、下部電極２４の下面に接触する密着層２６が酸化タンタルで形成されている。例文帳に追加

The first kind ferroelectric memory MC1 is provided with such an adhesion layer 25 being in contact with the lower surface of a lower electrode 24 that is made of titanium oxide, and the second ferroelectric memory MC2 is provided with such an adhesion layer 26 being in contact with the lower surface of the lower electrode 24 that is made of tantalum oxide. - 特許庁

下部電極として酸化インジウムを主成分とする透明導電性酸化物膜を用いており、前記透明導電性酸化物膜は前記コンタクトホールで薄膜トランジスタと接触する。例文帳に追加

A transparent conductive oxide film consisting principally of indium oxide is used as the lower electrode, and comes into contact with a thin film transistor in the contact hole. - 特許庁

これによれば、過酸化水素の生成に重要な陰極６での三相界面（気泡／電解液／電極）の接触効率が向上し、過酸化水素の生成効率が高められ、過酸化水素含有洗浄水を効率良く生成できる。例文帳に追加

The production method increases a contacting efficiency of triphasic interfaces (bubble/electrolytic solution/electrode) in a cathode 6, which is important for producing hydrogen peroxide, enhances a production efficiency of hydrogen peroxide, and can efficiently produce the rinse water containing hydrogen peroxide. - 特許庁

複数の球体スペーサを用いることで、スペーサと電解質電極接合体との接触面積を小さくすることができ、解質電極接合体との燃料極または酸化剤極にガスを接触させる場合にも、その接触面積を大きくすることができる。例文帳に追加

A contact area between the spherical spacers 14 and the junction 30 can be reduced by using the plurality of spherical spacers 14, and the contact area can be enlarged even when a gas is contacted with the fuel electrode 12 or the oxidizer electrode 13 of the junction 30. - 特許庁

発光駆動用の電極として酸化物透明電極層を用いるとともに、該電極の接触抵抗を小さくできる素子構造を採用することにより、光取出効率を改善できる発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting element which can improve light extraction efficiency, by using an oxide transparent electrode layer as an electrode for light emission drive and also, adopting element structure that can lessen the contact resistance of that electrode. - 特許庁

基体に製膜された電極もしくは対抗電極の少なくとも一方の電極に酸化チタン微粒子膜を接触させる構造を導入することで達成した。例文帳に追加

The organic electroluminescent element having a long life is attained by employing a structure in which a fine particle film of titanium oxide is in contact with at least one of an electrode and a counter electrode formed on a substrate. - 特許庁

燃料ガス流路構成部材２０ａおよび酸化剤ガス流路構成部材２０ｃにおいて、アノード接触部およびカソード接触部は、それぞれ、アノード接触部の一部とカソード接触部の一部とが、膜電極接合体１０を挟んで互いに対向する位置に配置される。例文帳に追加

In the fuel-gas flow-path constituting member 20a and the oxidant-gas flow-path constituting member 20c, the anode contact part and the cathode contact part are respectively arranged at a position where part of the anode contact part and part of the cathode contact part face each other across the membrane-electrode assembly 10. - 特許庁

本発明は特定の有機化合物を利用して金属酸化物電極の表面を改質し、この金属酸化物電極の表面に酸化剤を含浸して、ピロール、アニリンまたはチオフェンの溶液と接触させて伝導性高分子を酸化重合して金属酸化物電極上に伝導性高分子被膜を形成する。例文帳に追加

By this invention, the surface of a metal oxide electrode is modified by using a specific organic compound, the surface of the metal oxide electrode is impregnated with an oxidizing agent so as to be brought into contact with a pyrrole, aniline or thiophene solution, a conductive polymer is oxidative-polymerized, and a conductive polymer film is formed on the metal oxide electrode. - 特許庁

本発明の固体酸化物形燃料電池(10)の製造方法は、多孔質電極層(11)と、多孔質電極層(11)上に形成された金属酸化物膜(12)からなる電解質層とを含む固体酸化物形燃料電池(10)の製造方法であって、金属源を含む金属酸化物膜形成用ゾルを、加熱した多孔質電極層(11)上に接触させることにより金属酸化物膜(12)を形成することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a solid oxide fuel cell (10) comprising a porous electrode layer (11) and an electrolyte layer composed of a metal oxide membrane (12) on the porous electrode layer (11), comprises the step of forming the metal oxide membrane (12) by bringing a sol for forming the metal oxide membrane containing a metal source into contact with the heated porous electrode layer (11). - 特許庁

Ａｌ合金中の合金元素を少なくしても、透明酸化物導電膜との接触抵抗を低くすることのできる低接触電気抵抗型電極、およびこうした電極を製造するための有用な方法、並びにこうした電極を備えた表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a low contact resistance type electrode capable of lowering an electric resistance when in contact with a transparent oxide conductive film even though alloying elements in an Al alloy are reduced, a method for producing such an electrode, and a display unit provided with such an electrode. - 特許庁

信号電極や共通電極の一部を導電性酸化膜で形成することにより、走査電極よりも正電位にある信号電極や共通電極の金属膜の割合が低減され、保護膜や絶縁膜に欠陥が生じた場合に生じる金属膜と液晶との接触が低減される。例文帳に追加

By forming a part of the signal electrode or common electrode from a conductive oxide film, the proportion of a metal film in the signal electrode or common electrode in the positive potential than a scanning electrode is decreased, and contact between the metal film and a liquid crystal caused when defects are produced in a protective film or insulating film can be decreased. - 特許庁

金属酸化物の単位体積当りにおける大きな表面積を維持し、同時に金属酸化物と担持体である炭素材料との十分な接触を有する蓄電素子用電極の電極合剤として有効な金属酸化物担持炭素材料構造体を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a metal oxide carried carbon material structure which maintains a large surface area per unit volume of a metal oxide, and simultaneously is effective as the electrode mixture of an electrode for a storage element having a sufficient contact with a carbon material which is the carrier of the metal oxide. - 特許庁

シリコンウェーハ表面に酸化膜を形成すること、上記酸化膜上に複数の電極を形成すること、上記電極の表面にプローブを接触させ、該プローブとシリコンウェーハとの間に電圧を印加して酸化膜耐圧特性を測定すること、を含むシリコンウェーハの評価方法。例文帳に追加

A method of evaluating a silicon wafer includes the following the steps of: forming an oxide film on a silicon wafer surface; forming a plurality of electrodes on the oxide film; and contacting a probe to the surface of the electrode and applying a voltage between the probe and the silicon wafer to measure oxide film withstand characteristic. - 特許庁

サイドウォール絶縁膜を耐酸化性絶縁膜とすることで、書換え時に高温になる相変化領域とヒータ電極は酸化性絶縁膜と接触しないことから、相変化領域とヒータ電極の酸化が防止できる効果がある。例文帳に追加

When the side wall insulation film is formed as an oxidation-resistant insulation film, the phase change area and the heater electrode that exhibit high temperature during rewriting are not brought into contact with an oxidizing insulation film, so that the oxidation of the phase change area and the heater electrode can be prevented. - 特許庁

透明基板１と、該基板の上に設けられた透明電極３と、該透明電極の上に設けられた有機発光層４と、該有機発光層の上に設けられた背面電極５と、該基板の上に設けられた端子電極６であって、プラズマ処理により設けられた酸化保護層７を有し、該酸化保護層を介して該背面電極と電気的に接触している、端子電極とを有する有機ＥＬ素子が提供される。例文帳に追加

The organic EL element comprises a transparent substrate 1, a transparent electrode 3 provided on the substrate, an organic light emitting layer 4 provided on the transparent electrode, a back electrode 5 provided on the organic light emitting layer, and a terminal electrode 6 provided on the substrate, wherein the terminal electrode has an oxidation protective layer 7 formed by plasma treatment and electrically contacts with the back electrode via the oxidation protective layer. - 特許庁

基板１１と、基板１１上に設けた二酸化チタン層１５と、二酸化チタン層１５上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層１２と、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２上に設けた電解液１３と、電解液１３と接触するよう設けたゲート電極１４と、を含む。例文帳に追加

The ferromagnetic semiconductor element includes a substrate 11, a titanium dioxide layer 15 provided on the substrate 11, a transition-element-doped titanium dioxide layer 12 provided on the titanium dioxide layer 15, an electrolyte 13 provided on the transition-element-doped titanium dioxide layer 12, and a gate electrode 14 provided to contact with the electrolyte 13. - 特許庁

ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。例文帳に追加

To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed. - 特許庁

本発明は、酸化還元タンパク質を含有する脂質膜を酸化還元タンパク質が電極と迅速に電子授受できる状態、酸化還元タンパク質がその基質分子と適切に接触可能な状態、及び酸化還元タンパク質の活性が保持された状態で固定化された酸化還元タンパク質含有脂質膜固定化電極を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a redox protein-containing lipid membrane-fixed electrode that is fixed, under the condition where a lipid membrane, containing redox protein and the electrode, can be immediately and electronically accepted and donated by redox protein, the condition that redox protein can be properly contacted to a substrate molecule thereof, and the condition where the activity of redox protein is retained. - 特許庁

本発明の固体酸化物形燃料電池用電極層(13)の製造方法は、多孔質基材(11)と、多孔質基材(11)上に形成された金属酸化物膜(12)とを有する固体酸化物形燃料電池用電極層(13)の製造方法であって、金属源を含む金属酸化物膜形成用溶液(1)を、加熱した多孔質基材(11)上に接触させることによって金属酸化物膜(12)を形成することを特徴とする。例文帳に追加

The method of forming the solid oxide fuel cell electrode layer 13 having a porous base member 11 and a metal oxide film 12 formed on the porous base member 11 includes a step of forming a metal oxide film 12 by contacting the heated porous base member 11 with a metal oxide forming solution 1. - 特許庁

溶液中に含まれるルテニウム（Ru）を、前記溶液１４と接触して配置された電極の作用極１１と対極１２間で電解酸化することにより、Ruを四酸化物（RuO_4）として揮発分離させるための電解セル装置１０である。例文帳に追加

The electrolytic cell device 10 is to volatile separate Ru included in the solution as the tetroxide (RuO_4) by that the solution is electrolysis-oxidized between an action electrode 11 disposed contacting with the solution 14 and a counter electrode 12. - 特許庁

導電膜２２と金属酸化物膜２３とがこの順に形成された積層膜を表面に有する基体２１上の金属酸化物膜２３に電極４０を接触又は所定の距離まで近づける。例文帳に追加

An electrode 40 is brought into contact with or to a prescribed distance to a metal oxide film 23 on a substrate 21 having a laminated film formed by laminating a conductive film 22 and the metal oxide film 23 in this order on the surface thereof. - 特許庁

発光素子の透明導電膜からなる電極に接する補助電極を、マスクを用いた成膜により形成し、且つ当該補助電極を酸化させることによって当該補助電極とＥＬ層との直接的な接触を防止する発光装置の作製方法を提供する。例文帳に追加

A method of manufacturing a light-emitting device is provided that prevent direct contact of an auxiliary electrode and an EL layer by: forming the auxiliary electrode in contact with an electrode made of a transparent conductive film of the light-emitting device, by deposition using a mask; and oxidizing the auxiliary electrode. - 特許庁

微生物坦持多孔質電極１、酸化性物質と接触する対極２、前記多孔質電極１と前記対極２との間に狭持された隔膜３を有する膜電極接合体、並びに両電極のそれぞれに液体又は／及び気体を供給し、排出する手段を有する電池兼電解装置。例文帳に追加

A battery combined electrolyzer has a membrane electrode conjugant equipped with a microorganism carrying porous electrode 1, a counter electrode 2 coming into contact with an oxidizing substance and a diaphragm 3 held between the porous electrode 1 and the counter electrode 2 and has a means for supplying/discharging liquid or/and gas to/from each of both electrodes. - 特許庁

メモリ領域は一つ以上の金属酸化物ナノ粒子を含み、該金属酸化物ナノ粒子は、接触位置を介して第１および第２の電極領域に接触して電気的に接続し、外部電圧が加えられた場合に双安定抵抗特性を発揮する。例文帳に追加

The memory area contains one or more metallic oxide nanoparticles, the metallic oxide nanoparticle is brought into contact with and electrically connected to the first and second electrode area through a contact position, and when external voltage is applied, the metallic oxide nanoparticle displays a bistable resistance characteristic. - 特許庁

なお、白金は、高温環境下において、酸化し難いことから耐酸化性に優れ、電気的な接触抵抗値が小さいという特性を有しているため、めっき層２１と電極部３０，３２，３４，３６との間の電気的な接触抵抗値の増加を抑制できる。例文帳に追加

Since platinum has the characteristics of superior oxidation resistance, since it is hardly oxidized under a high-temperature environment and of a small electrical contact resistance value, rises in electrical contact resistance values between the plated layer 21 and the electrode parts 30, 32, 34, 36 can be suppressed. - 特許庁

第１電極と、前記第１電極上に形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に形成された第２電極、及び第１電極と第２電極と接触し絶縁膜中にフェリチンタンパク質により形成された金属酸化物ナノ粒子を１つ含むことを特徴とする抵抗変化メモリ素子であって、金属酸化物ナノ粒子の抵抗変化を利用したメモリ素子である。例文帳に追加

The resistance change memory element is characterized by including a first electrode, an insulating film layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the insulating film layer, and one metal oxide nanoparticle formed of ferritin protein in the insulating film in contact with the first electrode and second electrode, and utilizes resistance change of the metal oxide nanoparticle. - 特許庁

活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。例文帳に追加

On the active region 12A, there are formed a gate electrode 13 which has Schottky contact with the active region 12A, is extendingly formed on the insulating oxide film 12B and has a drawn portion 13a on the insulating oxide film 12B, and ohmic electrodes 14 which are spaced from both sides of the gate electrode 13 in a gate longitudinal direction to form a source electrode and a drain electrode, respectively. - 特許庁