「2波長レーザ」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

光情報記録媒体から光情報を読み取り、あるいは光情報記録媒体に光情報を書き込む、もしくはその両方の機能を有する光ピックアップにおいて、レーザダイオード２のレーザ光出射側に設けられているレーザ光透過部の外周端面にλ波長板１０を貼り付けたことを特徴とする。例文帳に追加

In the optical pickup which reads optical information from an optical information recording medium, writes optical information into the optical information recording medium or has both functions, a λ wavelength plate 10 is stuck onto the outer peripheral end surface of a laser beam transmitting part which is provided in the laser beam exiting side of a laser diode 2. - 特許庁

横モードシングルの高調波レーザ光を出射するレーザ装置２と、高調波レーザ光の波長の２８倍以上かつ３６倍以下のコア径を有するラージモードエリアのシングルモードの光ファイバ７と、加工ヘッド８と、該加工ヘッド８を被加工物１の加工位置に移動させる移動手段１０とを備えたこと。例文帳に追加

The laser beam machining apparatus includes a laser beam apparatus 2 for emitting the harmonic laser beam of the lateral mode single, optical fibers 7 of the single mode in a large mode area having the core diameter of ≥28 times and ≤36 times of the wavelength of the harmonic laser beam, a machining head 8, and a moving means 10 for moving the machining head 8 to the machining position of a workpiece 1. - 特許庁

波長０．４μｍ以下の目に対して安全なレーザ光を放射するレーザ装置１と、散乱体によるミー散乱光を検出する光検出器３を有する受信望遠鏡２と、レーザ装置及び受信望遠鏡を水平走査する走査装置８と、検出したミー散乱光をデータ処理するデータ処理装置４とを備える。例文帳に追加

This device is provided with a laser device 1 for emitting a laser beam having 0.4 μm or less of wave length safe for the eyes, a reception telescope 2 having a photodetector 3 for detecting Mie-scattered light scattered by a scatter, a scanner 8 for scanning the laser device and the telescope horizontally, and a data processor 4 for data-processing the detected Mie-scattered light. - 特許庁

特定の波長を有する光を吸収して熱を発生する光吸収熱変換物質１とその熱によって化学反応する熱感応性物質２とを含む混合物３が塗布された基板４を用い、レーザ光源５から出射されたレーザ光６を収束手段７によって収束した後、基板４にレーザ光６を照射することによって、基板上にパターンを形成する。例文帳に追加

A substrate 4 coated with a mixture 3 containing a light-absorbing heat conversion substance 1 which absorbs light at a specified wavelength to generate heat and a thermosensitive substance 2 which chemically reacts by the heat, is used and irradiated with laser light 6 emitting from a laser light source 5 and converged by a converging means 7 to form a pattern on the substrate. - 特許庁

相互に異なる発振波長を有する複数の半導体レーザを光源とし、光学系によって光ディスク面に光ピックアップのためのスポット光を結ぶ光ピックアップ機構を有する光ディスク装置であって、前記複数の半導体レーザは半導体基板にモノリシックにかつ独立して駆動するように組み込まれ、近接した位置からそれぞれ平行にレーザ光を出射する構成になっている。例文帳に追加

In an optical disk device that has an optical pick-up mechanism for connecting a spot beam for picking up light on an optical disk surface due to an optical system with a plurality of semiconductor lasers having mutually different oscillation wavelengths as a light source, the plurality of semiconductor lasers are incorporated into a semiconductor substrate for driving monolithically and independently, and laser beams 2 are emitted in parallel from adjacent positions. - 特許庁

筐体２内部には、所定波長の光を出射するレーザダイオード（ＬＤ）４と、レーザダイオード４から出射された光を伝搬する光ファイバ８と、レーザダイオード４と光ファイバ８との間の光の光軸上に配置され、光の光強度を減衰させる透過型の液晶光可変減衰器（透過型ＶＯＡ）５とが配置される。例文帳に追加

In a casing 2, a laser diode (LD) 4 emitting the light of a predetermined wavelength, and an optical fiber 8 for transmitting the light emitted from the laser diode 4 are arranged, and a transmission type liquid crystal variable optical attenuator (transmission type VOA) 5 for attenuating the intensity of light is arranged on the optical axis of light between the laser diode 4 and the optical fiber 8. - 特許庁

レーザ光源９から６３３ｎｍの波長のレーザー・ビームをレンズ１０でコリメートした後、プリズム５を介してＰＺＴ薄膜光導波路へ導入し、下部ＮｂドープＳｒＴｉＯ_３基板電極２とＰｔ上部プリズム電極７間に電圧を印加することにより、導入されたレーザー・ビーム６が偏向される。例文帳に追加

An induced laser beam 6 is deflected by collimating a laser beam having the wavelength of 633 nm through a lens 10, which is sent from a laser source 9, introducing the beam into a PZT thin film optical waveguide through a prism 5 and applying voltage between the lower Nb-doped SrTiO3 substrate electrode 2 and the upper Pt prism electrode 7. - 特許庁

ニ　二四〇ナノメートル超三六〇ナノメートル未満の波長範囲で用いるように設計したエキシマーレーザー発振器であって、パルスを発振するように設計したもののうち、次の（一）及び（二）に該当するもの例文帳に追加

(d) Among excimer laser oscillators designed for use within a wavelength range exceeding 240 nanometers and less than 360 nanometers, and designed to generate a pulse, those falling under the following 1. and 2.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

（２）照射レーザ波長５１４．５ｎｍで測定したラマンスペクトルのＤバンド半値幅が８５ｃｍ^−１以下の結晶性を有することを特徴とするカーボンナノウォール。例文帳に追加

The carbon nanowall (2) has such the crystallinity that the half-value width of the D band of the Raman spectrum measured by using the irradiation laser having 514.5 nm wavelength is ≤85 cm^-1. - 特許庁

これにより波長が１０６４ｎｍであるレーザー光を用いて溶接する際、被照射体であるメッキ端子板２の充分な溶融を可能にし、その部分において高い溶接の信頼性を得ることができるものである。例文帳に追加

Consequently, when welding is carried out using the laser light of 1,064 nm in wavelength, the plating terminal plate 2 being a body to be irradiated can be sufficiently welded, and high reliability of welding is obtained at the part. - 特許庁

光ピックアップにおいて、第１のビームスプリッタ１と第２のビームスプリッタ１６との間に複数の半導体レーザーの内で，最も大きな有効光束径の外に１／２波長板２を配置した。例文帳に追加

In the optical pickup, a 1/2 wavelength plate 2 is arranged outside a largest effective luminous flux diameter among a plurality of semiconductor lasers between first and second beam splitters 1 and 16. - 特許庁

非線形光学媒質５は、非線形光学効果により、パルスレーザ１，２のモード間隔とは異なる、光周波数間隔が均等な広帯域の多波長光を出力する。例文帳に追加

The nonlinear optical medium 5 outputs the multiwavelength light of a wide band, equal in the light frequencies different from the mode intervals of the pulse lasers 1 and 2 by its nonlinear optical effect. - 特許庁

光学フィルタ１は３つのプリズム２〜４を貼合わせたものであり、ホログラムユニット１１〜１３はそれぞれ異なる波長の光を照射するための半導体レーザおよび、光を検出する光検知器を内蔵したものである。例文帳に追加

The optical filter 1 is constituted by sticking three prisms 2 to 4 together, and hologram units 11 to 13 have semiconductor lasers for emitting lights of different wavelengths and optical detectors detecting the light installed inside. - 特許庁

波長が４０５〜１０６４ｎｍのレーザービーム２を、合成樹脂の基体１の回路となる部分１１に選択的に照射し、パラジウムのイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。例文帳に追加

A portion 11 serving as a circuit of a synthetic resin substrate 1 is selectively irradiated with a laser beam 2 having a wavelength of 405-1,064 nm, and an ionic catalyst of palladium is caused to be adsorbed and then reduced to metallic palladium by a reducing agent. - 特許庁

記録媒体２から情報を再生する場合は、波長λのレーザ光を記録領域１３に照射し、受光部６で透過光強度を検出することにより行う。例文帳に追加

Information is reproduced from the recording medium 2 by irradiating the recording region 13 with a laser beam having a wavelength λ and detecting the transmission beam intensity by a light receiving part 6. - 特許庁

次いで、この研削された面にプロトンを照射し、異なる波長の２種類のレーザを同時に照射して、Ｎ^+第１バッファ層２と、Ｎ第２バッファ層１２とを形成する。例文帳に追加

Subsequently, the ground surface is exposed to proton emission and to two types of laser beams of different wavelengths to form an N^+ first buffer layer 2 and an N second buffer layer 12. - 特許庁

波長が１９３〜４００ｎｍのレーザービーム２を、合成樹脂の基体１の回路となる部分１１に選択的に照射し、パラジウムイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。例文帳に追加

A part 11 to be formed into the circuit of a substrate 1 of a synthetic resin is selectively irradiated with a laser beam 2 with a wavelength of 193 to 400 nm, a palladium ion catalyst is adsorbed thereon, and thereafter, it is reduced into metallic palladium with a reducing agent. - 特許庁

フェムト秒ファイバレーザー１から出射される短パルス光は、光強度調整器２において強度が調整され、波長分散を調整した定偏波光ファイバ４に入射される。例文帳に追加

Short-pulse light emitted from a femtosecond fiber laser 1 is adjusted for its intensity by a light intensity adjustor 2 and then is incident into a constant-polarization optical fiber 4 having an adjusted wavelength distribution. - 特許庁

半導体レーザ１から出射された光は、回折格子２、コリメータレンズ３、偏光ビームスプリッタ４、１／４波長板５、対物レンズ６を経て、光ディスク７で反射される。例文帳に追加

The light emitted from a semiconductor laser 1 is reflected by an optical disk 7 through a diffraction grating 2, a collimator lens 3, a polarization beam splitter 4, a quarter-wave plate 5 and an objective lens 6. - 特許庁

光学系３には、レーザ光源２から光記録媒体６に向かう光路のうち、ハーフミラー３２とコリメートレンズ３３との間に１／４波長板３５Ａが配置されている。例文帳に追加

A 1/4 wavelength plate 35A is arranged between a half mirror 32 and a collimator lens 33 among the optical path from the laser light source 2 to the optical recording medium 6. - 特許庁

基板１上に下地膜２を介してレーザ光の波長を反射する反射膜３を形成し、島状のａ−Ｓｉ膜５の端部側方に臨ませる。例文帳に追加

A reflective film 3 for reflecting a laser beam wavelength is formed on a substrate 1 via an underlying film 2 to face the end side of an island-like a-Si film 5. - 特許庁

半導体発光素子２は、約４００ｎｍ〜約４１０ｎｍの波長を有する光（青紫色光）を照射可能なＧａＮ系半導体レーザ素子からなる。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element 2 consists of a GaN-based semiconductor laser element which can irradiate a light (blue-violet light) with a wavelength of about 400 nm to about 410 nm. - 特許庁

ここで、フェムト秒レーザの照射エネルギーは１３３〜５３３ＧＷ／ｃｍ^２であり、パルス幅は５０〜１０００ｆｓであり、波長は２５０〜１６００ｎｍである。例文帳に追加

The irradiation energy of the femtosecond laser is 133-533 GW/cm^2, the pulse width is 50-1,000 fs, and the wavelength is 250-1,600 nm. - 特許庁

発光ダイオードや半導体レーザ等よりなり発光素子１から出射された単波長の光はコリメータレンズ２により平行光にされる。例文帳に追加

This distance sensor comprises a light emitting diode, a semiconductor laser, etc., wherein single wavelength light output from a light emitting element 1 is turned into specularlight through a collimator lens 2. - 特許庁

予め固定した結合させるべき光部品１，２間に伝送信号の波長及び加工用レーザ光に対して透明である透明部材３を配置する。例文帳に追加

A transparent member 3 which is transparent to the wavelength of a transmitted signal and laser light for machining is arranged between the optical components 1 and 2 to previously be fixed and joined together. - 特許庁

単一波長で発振する半導体レーザの活性層４の近傍に導電性半導体層からなる加熱層３を設けるとともに、この加熱層３を半絶縁性半導体層２で囲む。例文帳に追加

A heating layer 3, constituted of a conductive semiconductor layer, is formed in the vicinity of the active layer 4 of a semiconductor laser which oscillates at a single wavelength, and is surrounded by a semi-insulating semiconductor layer 2. - 特許庁

アクティブ波長板２は、レーザ１から出射した光から、第１及び第２の方向の偏光成分を有する光を生成する第１の機能と、第１の方向の偏光成分のみを有する第２の機能とを切り替え可能である。例文帳に追加

An active wavelength plate 2 includes a first function for generating light having polarization components of first and second directions, and a second function having only a polarization component of the first direction from light emitted from the laser 1. - 特許庁

波長可変ＤＢＲ半導体レーザ１と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２とをＳｉサブマウント７上に実装し、Ｓｉサブマウント７をパッケージ１１内に固定してコヒーレント光源とする。例文帳に追加

In this coherent light source, a wavelength variable DBR semiconductor laser 1 and a optical waveguide type QPM-SHG device 2 are mounted on an Si submount 7 and the Si submount 7 is fixed in a package 11. - 特許庁

レーザービーム２５０の焦点距離を７０ｍｍ以上、焦点深度を７０μｍ以上、波長を２μｍ以上かつ２０μｍ以下に設定する。例文帳に追加

Focal distance of the laser beam 250 is set to ≥70 mm, focal depth of the laser beam 250 is set to ≥70 μm, and wavelength of the laser beam 250 is set to ≥2 μm and ≤20 μm. - 特許庁

共振器内部の回折格子に光の位相を１／４波長変化させるλ／４位相シフト領域２を有し、λ／４位相シフト領域上を除く領域に活性層４が設けられている分布帰還型半導体レーザとする。例文帳に追加

In the distributed feedback semiconductor laser, a diffraction grating in a resonator has a λ/4 phase shift area 2 which shifts the phase of light by 1/4 wavelength and an active layer 4 is provided in the area except on the λ/4 phase shift area. - 特許庁

波長変換素子（非線形光学結晶）３から出射するレーザ光は拡大コリメータ３、ガルバノミラー４を介してｆθレンズ５に入射し、被加工物６に照射される。例文帳に追加

The laser light ejected from a wavelength converting element (nonlinear optical system crystal) 2 is incident on an fθ lens 5 via an enlarging collimator 3 and a galvano mirror 4, and irradiates a workpiece 6. - 特許庁

n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層の厚さの合計Dudpが、半導体レーザ装置の発振波長の0.5倍以上、かつ2μｍ以下である。例文帳に追加

A sum Dudp of the thicknesses of the n-side guide layer, the active layer, and the p-side guide layer is not smaller than 0.5 times of the oscillation wavelength of the semiconductor laser device and 2 μm or smaller. - 特許庁

ＩＣチップ表面１上に設けられた保護膜２上に、特定波長帯域のレーザー光５により変色を引き起こす高分子膜３を設ける。例文帳に追加

A polymer film 3 which causes discoloring when the film 3 is irradiated with laser light 5 in a specific wavelength band is formed on a protective film 2 provided on the surface 1 of an IC chip. - 特許庁

連続した波長ピークを有する活性層１を第１の反射鏡２と第２の反射鏡３とで挟むことにより、面発光レーザ共振器板１０を構成する。例文帳に追加

An active layer 1, having a continuous wavelength peak, is pinched between a first reflecting mirror 2 and a second reflecting mirror 3, thereby structuring a surface-emitting laser resonator plate 10. - 特許庁

本発明は、エルビウム添加ガラスファイバ３を利得媒質とした２．８μｍ帯の光ファイバレーザ１であって、９８０ｎｍよりも長波長の励起光４を発振する励起光源２を用いた構成とする。例文帳に追加

An erbium-loaded glass fiber 3 is used as a gain medium in the optical fiber laser 1 of 2.8 μm band, and an excitation optical source 2 oscillating excitation light 4 having a wavelength of above 980 nm is also used. - 特許庁

透過窓１ａを介して入射するレーザ光は、偏光器２、ハーフミラーＭ１、ビーム整形手段３を介して非線形光学結晶４に入射し、高調波に波長変換される。例文帳に追加

A laser beam made incident through a transmission window 1a is made incident on a non-linear optical crystal 4 through a polarizer 2, a half mirror M1 and a beam shaping means 3 to be wavelength converted to harmonics. - 特許庁

基体５ａは、使用するレーザ２の主波長領域における光を５０％以上透過しうる光透過性を有するものであり、０．２〜０．５ｍｍの均一な厚さを有するものである。例文帳に追加

The base body 5a has light-transmitting property which transmits ≥50% of the light in the main wavelength region of the laser 2 to be used and has uniform thickness as 0.2 to 0.5 mm. - 特許庁

両端面膜の膜厚は両半導体レーザダイオードの発振波長の平均値λｍ＝（λ１＋λ２）／２を用いて光学長ｄ＝（１／４+ｊ）ｘλｍより算出している。例文帳に追加

Film thicknesses of both end surface films are calculated from optical length d=(1/4+j)×λm by using λm=(λ1+λ2)/2 which shows a mean value of oscillating frequency of both semiconductor laser diodes. - 特許庁

基板１上に記録層２が形成された光記録媒体への情報の書き込みが、記録信号に対応する先頭パルスとこれに続く分割パルスとによる、波長が異なる複数のレーザーのパルス状発光により行われる。例文帳に追加

Information is written to an optical recording medium having a recording layer 2 formed on a substrate 1 by emitting light in the form of pulses of a head pulse corresponding to a recording signal and succeeding split pulses by a plurality of lasers of different wavelengths. - 特許庁

レーザ１からの波長０．５３２ミクロンの光は、レンズ２で集光されて上部クラッド層３の側から光導波路のコア部４のほぼ上より照射される。例文帳に追加

Light having a wavelength of 0.532 μm emitted from a laser 1 is focused with a lens 2, and the nearly upper part of the core part 4 of the optical waveguide is irradiated with the light from the side of an upper clad layer 3. - 特許庁

ポリカーボネート１の内部に、波長０．３８μｍ以上２．５μｍ以下、パルス幅１ｆｓ以上１０００ｐｓ以下の超短パルスレーザー光２を照射することにより、照射部のみを導電性を有する材料に改質する。例文帳に追加

The interior of the polycarbonate 1 is exposed to the ultra-short pulse laser beam 2 with a wavelength of 0.38 to 2.5 μm and a pulse width of 1 fs to 1,000 ps, thus modifying only the irradiated part into a conductive material. - 特許庁

本レーザ増幅器では、１／２波長板２の回転操作を通じて、利得媒質１に照射される励起光７の偏光方向、ひいては励起光７の吸収の度合いを簡単に増減させることができる。例文帳に追加

The laser amplifier changes the polarization direction of the excitation light 7 with which the gain medium 1 is irradiated and, therefore, easily increases or decreases a degree of absorption of the excitation light 7 through the rotation of the 1/2-wavelength plate 2. - 特許庁

ピックアップ装置１０は、レーザ光源１と、コリメータレンズ２と、偏光ビームスプリッタ３と、２分の１波長板４と、立ち上げミラー５と、レンズ６と、集光レンズ７と、光検出器８とを備える。例文帳に追加

An optical pickup device 10 is equipped with a laser light source 1, a collimetor lens 2, a polarized beam splitter 3, a half-wavelength plate 4, a raising mirror 5, a lens 6, a condensing lens 7, and an optical detector 8. - 特許庁

原子発振器は、直線偏光ビーム１１を放出する、レーザダイオード１と、入射する光を入射円偏光ビーム１２に従って偏光させる４分の１波長板２とを備えている。例文帳に追加

An atomic oscillator comprises a laser diode 1 emitting a linearly polarized beam 11; and a quarter-wave plate 2 that polarizes incident light according to an incident circularly polarized beam 12. - 特許庁

発熱層２／伝導層３／バリア層４等の多層構造からなるヒューズ１に対して少なくとも一つの波長が他と異なる複数のレーザ光を照射してヒューズ１を切断する。例文帳に追加

By irradiating a plurality of laser beams, which have more than one wave length, on the fuse 1 of the multilayer structure comprising a heating layer 2, a conductive layer 3, a barrier layer, etc., the fuse 1 is cut. - 特許庁