「2波長レーザ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

これにより、１／４波長板２から出射する主パルスレーザ光のＳ偏光成分とＰ偏光成分の強度比を変化させ得る。例文帳に追加

Thereby, intensity ratio of s-polarization component and p-polarization component of the principle pulse laser emitted from the quarter-wave plate 2 can be changed. - 特許庁

また、プロジェクタ６によりスクリーン２に投影された訓練映像上に、レーザ拳銃４により照射された不可視領域の波長を有するレーザ光の照射位置を撮影する際には、レーザ光の波長を有する光を良好に透過させる第２光学フィルタが撮影レンズに装着され、レーザ光の照射位置が撮影される。例文帳に追加

In photographing the irradiating position of a laser beam having a wavelength of an invisible region irradiated by a laser pistol 4 on a training video projected on the screen 2, a second optical filter for favorably transmitting light having a wavelength of a laser beam is mounted on a photographing lens to photograph the irradiating position of the laser beam. - 特許庁

ＫｒＦやＡｒＦエキシマレーザ等の紫外線波長域のパルスレーザ光を、１ｍＪ／ｃｍ^2 ／パルス〜５０ｍＪ／ｃｍ^2 ／パルスのエネルギー密度で１０^4 〜１０^7 のパルス数照射した後に、１５０ｎｍ〜３００ｎｍの波長域における内部透過率を測定して紫外線耐久性を評価する。例文帳に追加

Fluorspar is irradiated with pulse laser beam with an ultraviolet wavelength region such as KrF or ArF excimer laser under such a condition that energy density is 1-50 mJ/cm2/pulse and the number of pulses is 104-107 and, thereafter, the internal transmissivity of fluorspar within a wavelength region of 150-300 nm is measured to evaluate the ultraviolet durability of fluorspar. - 特許庁

照射総量として１×１０^6 ｍＪ／ｃｍ^2 のレーザ光を照射された後の、波長１５７ｎｍのＦ_2 エキシマレーザ光に対する透過率劣化量が１％／ｃｍ以下であるフッ素添加石英ガラス。例文帳に追加

This quartz glass added with the fluorine is ≤1%/cm in the quantity of the deterioration of the transmittance to an F_2 excimer laser beam of a wavelength 157 nm after irradiation with the laser beam of 1×10^6 mJ/cm^2 as the total quantity of irradiation. - 特許庁

１／４波長板２０は、レーザビーム２の光路上に挿入された場合、レーザビーム２の偏光状態を直線偏光から円偏光に変換できるように適宜配置される。例文帳に追加

The quarter-wave plate 20 is adequately arranged so as to change the polarized beam state of the laser beams 2 from the linearly polarized beam to the circularly polarized beam when inserted on the optical path of the laser beams 2. - 特許庁

ヘッドランプ１は、青紫色領域の発振波長を有するレーザ光を出射する半導体レーザ２と、半導体レーザ２から出射されたレーザ光を受けて発光する発光部５と、レーザ光に含まれるコヒーレントな成分を遮断し、インコヒーレントな成分を透過する透過フィルタ７と、を備える。例文帳に追加

The headlight 1 is provided with a semiconductor laser 2 emitting laser light with an oscillation wavelength of a blue-violet range, a light-emitting part 5 emitting light with receipt of the laser light emitted from the semiconductor laser 2, and a transmission filter 7 cutting off coherent ingredients and transmitting incoherent ingredients contained in the laser light. - 特許庁

化合物半導体からなる基板１０上に、第１の半導体レーザ素子１と第２の半導体レーザ素子２とを集積した二波長半導体レーザにおいて、第１の半導体レーザ素子１のエッチングストップ層１５の構成材料を第２の半導体レーザ素子２のエッチングストップ層２５の構成材料よりも不純物を拡散させにくい材料とする。例文帳に追加

This two-wavelength semiconductor laser device is manufactured by integrating a first semiconductor laser element 1 and a second semiconductor laser element 2 on a substrate 10 composed of a compound semiconductor, wherein a constituting material for an etching stop layer 15 of the first semiconductor laser element 1 is a material in which impurities are harder to diffuse than in a constituting material for an etching stop layer 25 of the second semiconductor laser element 2. - 特許庁

LiTaO_3基板に分極反転領域３と光導波路２とを形成した光波長変換素子２２の光導波路２に半導体レーザ光Ｐ１を入射させ、波長変換することで青色光を得る。例文帳に追加

The semiconductor laser beam P1 is made incident on an optical wavelength 2 of the wavelength converting element 22 having a polarization inversion area 3 and the optical waveguide 2 on an LiTaO3 substrate, and its wavelength is converted to obtain blue light. - 特許庁

ＬｉＴａＯ_3基板に分極反転領域３と光導波路２とを形成した光波長変換素子２２の光導波路２に半導体レーザ光Ｐ１を入射させ、波長変換することで青色光を得る。例文帳に追加

A semiconductor laser light P1 is made incident on an optical waveguide 2 of the light wavelength conversion element 22 in which a polarization inversion region 3 and the optical waveguide 2 are formed on a LiTaO_3 substrate and the wavelength is converted to obtain blue light. - 特許庁

ミラー８は、誘電体膜が多層に形成され、第１のレーザ光Ｌ１、および第２のレーザ光Ｌ２を波長によって異なる反射率をもってモニター用受光素子２に向けて反射するため、モニター用受光素子２は、レーザ光Ｌ１、Ｌ２を同等の強度で受光する。例文帳に追加

Since the mirror 8, the dielectric films of which are formed to be multilayered, reflects the 1st laser beam L1 and the 2nd laser beam L2 toward the photodetector 2 for monitor with different reflectivities according to wavelengths, the laser beams L1 and L2 are received by the photodetector 2 for monitor with the equivalent intensities. - 特許庁

光波長フィルタ２は、レーザ光入力手段１から発射された１５１０ｎｍ〜１５５０ｎｍの波長を有するレーザ光を、好ましくは透過線幅１ｎｍ以下で選択的に透過させ、エルビウム含有光透過性媒体に入射させる。例文帳に追加

The optical wavelength filter 2 allows the selective transmission of the laser beam having a wavelength of 1510 to 1550nm emitted from the laser beam input means 1 preferably at a transmission ray width of ≤1 nm and makes this laser beam incident on the erbium-containing light transparent medium. - 特許庁

ヒートシンク２の平坦な側面に、チップ状で発光波長が互いに異なり、可視光域の発光波長を有する２つの半導体レーザ３、４を、それらのレーザビームの出射方向が互いにほぼ平行になるようにマウントする。例文帳に追加

Two semiconductor lasers 3 and 4 which are in chip forms, whose light-emitting wavelengths mutually differ and which have the light- emitting wavelengths in the visible light region are mounted on the flat sides of a heat sink 2, so that the emitting directions of the laser beams become parallel. - 特許庁

ＤＶＤ用レーザが２波長モノリシックレーザダイオード１から出射され、２波長片面回折素子２でメインビームと２個のサブビームに分光され、偏光ビームスプリッタ３を通過して所定素子を介して光ディスクの記録面に照射される。例文帳に追加

A laser for DVD is emitted from the two-wavelength monolithic laser diode 1, dispersed into a main beam and two sub-beams by a two wavelength one side diffraction element 2, passes a polarization beam splitter 3 and with which a recording surface of an optical disk is irradiated through a predetermined element. - 特許庁

集積型光学素子１として、ＤＶＤ用の波長６５０ｎｍの半導体レーザ２と、受光部３とを、同一パッケージ内に配置した光学素子を設け、集積型光学素子１の外部に、ＣＤ／ＣＤ−Ｒ用の波長７８０ｎｍの半導体レーザ７を設ける。例文帳に追加

An optical element in which a semiconductor laser 2 of 650 nm wavelength for DVD and a photodetecting part 3 are arranged in the same package is provided as an integrating optical element 1, and a semiconductor laser 7 of 780 nm wavelength for CD/CD-R is provided outside the integrating optical element 1. - 特許庁

１／４波長板２０と、１／４波長板２０をレーザ発振器１から第１の偏光ビームスプリッタ７までの間のレーザビーム２の光路上に挿入したり光路上から抜き去ったりする駆動装置２１と、駆動装置２１を制御する制御装置２２を設ける。例文帳に追加

The laser beam machine is provided with: a quarter-wave plate 20; a driving device 21 to insert/pull out the quarter-wave plate 20 in/from an optical path of laser beams 2 from a laser oscillator 1 to a first polarized beam splitter 7; and a control device 22 to control the driving device 21. - 特許庁

また、位置選択手段８の移動機構１０により、波長変換素子５を支持しているホルダ１１を回動させ、ＹＡＧレーザ発振器１から光ファイバ３を経て出射される基本波レーザ光２を、短波長化させずに加工対象物に照射する。例文帳に追加

Further, a holder 11 supporting the wavelength conversion element 5 is turned by a moving mechanism 10 of a position selecting means 8 thus the object to be machined is irradiated with the basic wave laser beam 2 emitted from the YAG laser beam oscillator 1 via the optical fiber 3, without shortening the wavelength of the laser beam. - 特許庁

フィルム２は、レーザーマーキングの実施が可能な程度以上にレーザー光５の波長に対して充分な透過性を備え、また粘着剤３も同様のものとする。例文帳に追加

The film 2 is provided with sufficient transmissivity to the wavelength of laser beam 5 to a degree at which laser marking can be performed or above, and also, the adhesive 3 is the similar one. - 特許庁

そして、レーザ光入力手段１、光波長フィルタ２、及びエルビウム含有光透過性媒体３はレーザ光の進行方向において、この順に配列している。例文帳に追加

The laser beam input means 1, the optical wavelength filter 2 and the erbium- containing light transparent medium 3 are arrayed in this order in the progression direction of a laser beam. - 特許庁

波長の異なるレーザ光を出力する第１、第２の半導体レーザチップ１、２を、放熱基板３に形成されたガイド溝３ａ、３ｂに沿って設置した。例文帳に追加

A first and second semiconductor laser chips 1, 2 emitting the laser beams having different wavelength, are installed along guide trenches 3a, 3b formed on a heat radiation substrate 3. - 特許庁

単一波長で発振する複数個のレーザ素子２ａの配列構造２と、レーザ素子２ａからの各出力光を合流させるフォトニック結晶の導波路構造６とが、同一基板１の上に集積されている光素子。例文帳に追加

The array structure 2 of a plurality of laser elements 2a oscillated by a single wavelength and the waveguide structure 6 of photonic crystal for merging each output light from the laser elements 2a are integrated on the same substrate 1. - 特許庁

種光２を発生させる種光源を用いて基本波レーザー４を発振させ、基本波レーザー４を基本波として和周波数混合により所望の波長の紫外光１４を出力する。例文帳に追加

A basic wave laser beam 4 is oscillated by using a seed light source for generating seed light 2 and ultraviolet light 14 having a required wavelength is outputted by sum frequency mixing by using the basic wave laser beam 4 as a reference wave. - 特許庁

好ましい実施形態では、２つの波長可変のエタロン出力カプラがＦ__2レーザの帯域を狭めるために使用されるとともに、種レーザの出力がＦ_2増幅器において増幅される。例文帳に追加

In a preferred embodiment, two tunable etalon output couplers are used to narrow band an F2 laser and the output of the seed laser is amplified in an F2 amplifier. - 特許庁

制御装置９は、回動装置６を介して１／２波長板３を回動させて、レーザ発振器２から出力されたレーザ光のパワーを、段階的に調整する。例文帳に追加

A control device 9 rotates the 1/2 wavelength plate 3 via a rotating device 6, and stepwise adjusts the power of the laser light outputted from a laser oscillator 2. - 特許庁

第二の波長板１５は、複屈折板２を透過した一方のレーザ光Ｌ２のみ偏光方向を９０°回転させ、レーザ光Ｌ１とＬ２を同一な偏光方向を有する直線偏光とするよう作用する。例文帳に追加

The second wavelength plate 15 rotates the polarization direction of only one laser beam L2 transmitted through the birefringent plate 2 by 90° so that the laser beams L1, L2 become linear polarization having the same polarization direction. - 特許庁

所定波長のレーザ光を出射する光源２と、第１のレーザ光を反射してスクリーン４に往復走査するスキャンミラー１８とを備える。例文帳に追加

The display device is provided with: a light source 2 which emits laser light having a prescribed wavelength and the scan mirror 18 which reflects and reciprocally scans the first laser light on the screen 4. - 特許庁

各半導体レーザ素子２は光共振器１３のリボンファイバ１４で決まる波長でそれぞれ安定して発振し、各レーザ光１７は光分波器１２で１本の光ファイバ１６に合波されて出力される。例文帳に追加

Each semiconductor laser element 2 oscillates stably, at a wavelength which is dependent on the ribbon fiber 14 of the optical resonator 13, and the laser beams 17 are multiplexed in the optical demultiplexer 12, before being output through an optical fiber 16. - 特許庁

波長変換素子３から出射するレーザ光は拡大コリメータ３、ミラー８を介して凹レンズ９に入射してパワー密度が下げられ、レーザ光受け１１に入射してエネルギーが吸収される。例文帳に追加

The laser light ejected from the wavelength converting element 2 is incident on the concave lens 9 via the enlarging collimator 3 and the mirror 8 so as to lower power density, and is incident on a laser light receiver 11 so as to absorb the energy. - 特許庁

またレーザはＣＯ_２レーザを使用し、発振波長が１０．６μｍの場合、その照射エネルギー密度は２００ｍＪ／ｍｍ^２以上であることが好ましい。例文帳に追加

As the laser, a CO_2 laser is used, and when an oscillation wavelength of 10.6 μm is employed, an energy exposure density of 200 mJ/mm^2 or higher is preferred. - 特許庁

少なくとも、集光手段と、光検出素子と、光分岐素子と、半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子からの出射ビームの方向を切替えるための光スイッチ素子２と、波長変換素子３とを備えた。例文帳に追加

The devices are provided with at least a condensing means, photodetecting element, optical branching element, semiconductor laser element 1, optical switching element 2 for switching the direction of an exit beam from the semiconductor laser element, and a wavelength converting element 3. - 特許庁

第二の波長板１６は、複屈折板２を透過した一方のレーザ光Ｌ１のみ偏光方向を９０°回転させ、レーザ光Ｌ１とＬ２を同一な偏光方向を有するよう構成する。例文帳に追加

The 2nd wavelength plate 16 rotates the direction of polarization of only the other laser beam L1 passing through the birefringent plate 2 by 90 degrees, and forms the laser beams L1 and L2 to have the same direction of polarization. - 特許庁

温度コントローラ２は、半導体レーザ１の温度をモードホップが生じる温度に制御し、半導体レーザ１がモードホップ前後の２つの異なる波長を含む光を出力する状態とする。例文帳に追加

A temperature controller 2 so controls the temperature of the semiconductor laser 1 that it coincides with the temperature to initiate the mode-hop, and brings the semiconductor laser 1 into the state of outputting beams including two different wavelengths present before and behind the mode-hop. - 特許庁

３倍波レーザ光Ｌ４は、結晶密封セル２の筐体の長手方向他端部に設けた出射ウインドウ４から、波長変換された高調波レーザ光として出射される。例文帳に追加

The third harmonic wave laser light L4 is emitted as harmonic laser light of which wavelength has been converted, from a light emission window 4 provided at the other end in the longitudinal direction of the casing of the crystal sealing cell 2. - 特許庁

光学ヘッド４が出射するレーザ光の波長が温度上昇とともに長くなり、光ディスク２の信号記録面におけるレーザ光の反射率が変動しても、常に一定の記録品位を安定的に維持することができる。例文帳に追加

The recording quality is normally made to be stable even when the wave length of the laser beam emitted from an optical head 4 becomes longer as temperature rises to change the reflectance of the laser beam on the signal recording surface of the optical disk 2. - 特許庁

Ｎｄ：ＹＡＧレーザ発振器１で発生したＹＡＧレーザ光２（波長１．０６μｍ）は、レンズ６、光ファイバ７、４５度全反射鏡５１により直角方向に全反射する。例文帳に追加

A YAG laser light 2 (wavelength of 1.06 μm) generated at a Nd: YAG laser oscillator 1 is totally reflected in a rectangle direction by a lens 6, an optical fiber 7, and a 45 degree total reflection mirror 51. - 特許庁

ＹＬＦ結晶を用いるレーザ装置１から出射されるレーザ光を反射鏡２及び２枚のＫＤＰ結晶からなる高調波変換装置３を通させ、レーザ装置から出射されるレーザ光の波長を３倍高調波に変換し、高調波変換されたレーザ光９を光減衰器４を用いて所定のエネルギーまで減衰する。例文帳に追加

A laser beam from a laser device 1 using a YLF crystal is passed through a harmonics conversion device 3 including a reflecting mirror 2 and two sheets of KDP crystal to convert the wavelength of the laser beam from the laser device 1 to triple thereof, and the laser beam 9 subjected to the harmonics conversion is attenuated down to a predetermined energy with use of an optical attenuator 4. - 特許庁

本発明の装置はレーザーロッド（１）；このレーザーロッド（１）に光線を供するようにさせるこのレーザーロッドのパルス励起のための励起手段（２，３）；このロッド（１）の両側に配置され、レーザー光線を放射させるようにするレゾネーター（４，５）；及び放射レーザー光線の波長で選別するための選別手段； を含んで成る。例文帳に追加

The equipment includes a laser rod (1), exciting units (2, 3) that pulse-excites the laser rod to cause the rod (1) to radiate a beam, resonators (4, 5) that are disposed on both sides of the rod (1) so as to cause the laser beam to be radiated, and a selecting unit that selects the beam according the wavelength of the radiated laser beam. - 特許庁

レーザー光２の波長には、λ＝ｈ・ｃ／Ｅｇ（ｈ：プランク定数、ｃ：光の速さ、Ｅｇ：バンドギャップ）で算出される波長λよりも大きい値が採用される。例文帳に追加

As the wavelength of the laser beam 2, a larger value than a wavelength λ calculated from the equation is adopted; λ=h×c/Eg (h: Planck constant; C: light velocity; Eg: band gap). - 特許庁

少なくとも光導波路型波長変換デバイス２と半導体レーザ１とがサブマウント５へ固定されている光導波路型波長変換デバイスモジュールの作製方法。例文帳に追加

Disclosed is the method for manufacturing the optical waveguide type wavelength converting device module which has at least the optical waveguide type wavelength converting device 2 and a semiconductor laser 1 fixed to a submount 5. - 特許庁

これにより、自然放出光のうち波長λ_０より短い波長帯の光は多層膜フィルタ２によって反射され発光型半導体レーザ素子３に戻される。例文帳に追加

Accordingly, the light in the wavelength band shorter than λ_0 among the naturally emitted light is returned to the light-emitting semiconductor laser element 3 through reflection by the multilayer film filter 2. - 特許庁

微量物質の濃度測定装置には、レーザー発振光Ｌｂを所定の波長を持つ励起光Ｅｂに変換する波長変換器２と、試料を収容する試料セル３とが設けられている。例文帳に追加

This device for measuring the concentration of trace amounts of matter is provided with a wavelength converter 2 for converting laser oscillated light Lb into exciting light Eb with a predetermined wavelength, and a sample cell 3 for housing a sample. - 特許庁

レーザ光Ｌ１およびＬ２の波長λにおけるＷＤＭ１２カプラの挿入損失Ｐ_1（ｄＢ）、および、波長λにおける光カプラ１３の挿入損失Ｐ_2（ｄＢ）のいずれか一方が他方の０．５倍以上で２倍以下である。例文帳に追加

The insertion loss P_1(dB) of the WDM coupler 12 at the wavelengths λ of the laser beams L1 and L2 is 0.5 to 2 times as large as the insertion loss P_2(dB) of the optical coupler 13 at the wavelengths λ, or vice versa. - 特許庁

２波長半導体レーザ素子２０の半導体基板２１の、青紫色半導体レーザ素子１０に対向配置される側面２１ｃは、サブマウント２から離れるにしたがって青紫色半導体レーザ素子１０との距離が大きくなるように形成されている。例文帳に追加

A side face 21c arranged to face the blue-violet semiconductor laser element 10, of a semiconductor substrate 21 in the two-wavelength semiconductor laser element 20, is formed to make long a distance to the blue-violet semiconductor laser element 10, as it goes away from the submount 2. - 特許庁

波長が９．３μｍ、９．６μｍのレーザービームを用いる時には、線分Ａ_１、Ａ_２の間の領域Ａを満たすようにレーザービームの照射時間となるパルス幅ｔ（μｓｅｃ）及びＸレイフィルム上でのレーザービームのエネルギー密度Ｅ（ｋｗ／ｃｍ^２）を設定する。例文帳に追加

When a laser beam with a wavelength of 9.3 μm or 9.6 μm is used, a pulse width t (μs) as a radiating time period of the laser beam and the energy density E (kw/cm^2) of the laser beam on an X ray film are set so as to cover a region A between segments A_1 and A_2. - 特許庁

、 ディスク記録面１２にレーザ光を照射するための往路では、レーザダイオード２から出射されたレーザ光が偏光ミラー３により反射され、１／４波長板４により偏光され、対物レンズ５から出射されてディスク記録面１２上に収束する。例文帳に追加

In an approach path for irradiating a disk recording surface 12 with a laser beam, the laser beam emitted from a laser diode 2 is reflected by a polarizing mirror 3, polarized by a 1/4 wavelength plate 4, emitted from an objective lens 5 and converged on the disk recording surface 12. - 特許庁

レーザ光１１を透過させる孔を設けた透明材料からなるアパーチャ１を有し、このアパーチャ１はレーザ光１１の照射方向の後面にレーザ波長に対する臨界角以上で傾斜した全反射面２を有し、前面に無反射コーティングされた面３を有する。例文帳に追加

An aperture 1 of transparent material which is provided with a hole for transmission of laser beam 11 is provided, and the aperture 1 has a total reflection surface 2 tilted by at least the critical angle for a laser wavelength on the rear surface in the irradiation direction of the laser beam 11 and has a surface 3 coated for non-reflection on the front surface. - 特許庁