「2波長レーザ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体レーザ装置１１は、第1の波長の光ビームを出射する第1の光源１ａと、前記第1の波長とは異なる第2の波長の光ビームを出射する第2の光源１ｂを有する。例文帳に追加

A semiconductor laser device 11 is provided with a first light source 1a for emitting a first wavelength light beam, and a second light source 1b for emitting a second wavelength light beam different from the first wavelength light beam. - 特許庁

レーザ制御ユニット２の内部に、基本光を発光するレーザ光源を設け、レーザ照射ユニット３の内部に、前記基本光の一部を波長変換する波長変換素子を設けるとともに、レーザ制御ユニット２とレーザ照射ユニット３とを、前記基本光を導波するケーブル４で接続する。例文帳に追加

A laser light source that emits a fundamental light is provided in a laser control unit 2, a wavelength conversion element that converts a wavelength of the partial fundamental light in the laser irradiation unit 3, and also the laser control unit 2 and laser irradiation unit 3 are connected by the cable 4 that guides a wave of the fundamental light. - 特許庁

この表面加工方法では、加工補助材２のパルスレーザー光２０の波長に対する透過率は、被加工物１のパルスレーザー光２０の波長に対する透過率よりも小さく、パルスレーザー光２０のフルエンスは、被加工物１のパルスレーザー光２０に対するアブレーション閾値より低く且つ加工補助材２のパルスレーザー光２０に対するアブレーション閾値より高くなっている。例文帳に追加

In this surface machining method, the transmissivity of the machining auxiliary material 2 for the wavelength of the pulsed laser beam 20 is smaller than the transmissivity of the workpiece 1 for the wavelength of the pulsed laser beam 20, and the fluence of the pulsed laser beam 20 is lower than the ablation threshold of the workpiece 1 for the pulsed laser beam 20 and higher than the ablation threshold of the machining auxiliary material 2 for the pulsed laser beam 20. - 特許庁

レーザー発振器１から出射されたレーザー光２をｆθレンズ５により集光して被加工物７上に照射することにより、被加工物７の所定位置に穴開け加工するレーザー加工装置において、レーザー発振器１と被加工物７との間に、レーザー光２の所定波長のみを選択して透過させる波長選択手段３を備える。例文帳に追加

The laser machining device, with which a predetermined position of a work 7 is drilled by irradiating the work 7 with a laser beam 2 emitted from a laser oscillator 1 and condensed by an fθ lens 5, is provided with a wave length selection means 3 which selectively makes only a predetermined wave length of the laser beam 2 pass between the laser oscillator 1 and the work 7. - 特許庁

（二）　波長可変レーザー発振器以外の固体レーザー発振器（アトミックトランジション固体レーザー発振器を含む。）であって、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加

2. Solid-state laser oscillators other than variable wavelength laser oscillators (including atomic transition solid state laser oscillators) which fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

赤色半導体レーザ部１と赤外半導体レーザ部２は、半導体基板１０１を共有して多波長半導体レーザ装置１００を構成している。例文帳に追加

A red semiconductor laser 1 and an infrared semiconductor laser 2 share a semiconductor substrate 101 to form a multi-wavelength semiconductor laser device 100. - 特許庁

レーザ光源１は、制御部３からの制御に従って、波長λを有するレーザ光ＬＢ１を発生し、その発生したレーザ光ＬＢ１を光変調器２へ導く。例文帳に追加

The laser light source 1 generates the laser beam LB1 having the wavelength λ in accordance with control from the control unit 3 and guides the generated laser beam LB1 to the optical modulator 2. - 特許庁

半導体レーザーパッケージを一個に集約して一個のビーム路を形成し、二個のレーザーに各々形成される発光点の間隙を狭めることは勿論、位置誤差を最小化する2波長レーザーダイオードを提供することにある。例文帳に追加

To provide a two-wavelength laser diode wherein one beam path is formed by arranging a semiconductor laser package collectively in one, a gap between light emitting points formed in two lasers is reduced, and further position error is minimized. - 特許庁

光ピックアップ２は、ＣＤ用第１レーザ源４５と、短波長、大出力のレーザ光を発生するＤＶＤ用第２レーザ源４６とを備える。例文帳に追加

An optical pickup 2 is provided with a first laser source 45 for CD and a second laser source 46 for DVD to generate laser beams of short wavelength and large output. - 特許庁

散乱型近接場光学顕微鏡において、励起レーザー光が紫外・深紫外レーザー光であり、プローブ先端の材料に励起レーザーの波長で誘電率が−２以下である金属を採用する。例文帳に追加

In the scattering near-field optical microscope, an excited laser beam is an ultraviolet/deep-ultraviolet laser beam and a metal is employed as a material for a probe end, the metal having dielectric constant of -2 or lower at the wavelength of the excited laser. - 特許庁

レーザ光源から、波長が２５０〜４００ｎｍのパルスレーザ光を出射し、マイクロレンズアレイ４０により、レーザ光４２をガラス基板２に照射することにより、１ショットでピッチがｐの加工痕１２を形成する。例文帳に追加

A machining marks 12 having pitch p are formed by one shot by emitting a pulse laser beam having a wavelength of 250-400 nm from a laser beam source and irradiating the laser beam 42 on the glass substrate 2 by a microlens array 40. - 特許庁

密閉容器２内に、発振波長が３５０〜４５０ｎｍの範囲にある半導体レーザ素子６が設置されてなる半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子６の駆動温度を５０〜８０℃の範囲に保つ。例文帳に追加

In the semiconductor laser device wherein a semiconductor laser element 6 whose oscillation wavelength is in a range of 350-450 nm is installed in the sealed vessel 2, drive temperature of the semiconductor laser element 6 is maintained at a range of 50-80°C. - 特許庁

レーザ光源から、波長が３００〜４００ｎｍのパルスレーザ光１０を出射し、レーザ光１０を矩形（正方形又は長方形）のビーム形状にしてガラス基板２に照射する。例文帳に追加

The pulse laser beam 10 of which the wavelength is 300-400 nm is emitted from a laser beam source, and the laser beam 10 is irradiated to the glass substrate 2 by being made into a rectangular (square or rectangle) beam shape. - 特許庁

第１受発光一体型素子１は光ディスクへ向けてレーザビーム１０を出射し、第２受発光一体型素子は、レーザビーム１０と異なる波長のレーザビームを光ディスクへ向けて出射する。例文帳に追加

The first light receiving and emitting integrated element 1 emits a laser beam 10 toward an optical disk, and the second light receiving and emitting integrated element 2 emits another laser beam with different wavelength from that of the laser beam 10 to the optical disk. - 特許庁

波長変換結晶（２）のレーザ光入射面（２ｉ）以外の一面（１２ａ）およびそれに対向する一面（１２ａ）にダミー材（３）を貼り付けた後、レーザ結晶（１）のレーザ光出射面（１ｏ）がある面に貼り付ける。例文帳に追加

After sticking dummy materials (3) to one surface (12a) other than a laser light incident surface (2i) of a wavelength conversion crystal (2) and another surface (12a) opposed to the surface (12a), the laser light incident surface (2i) is stuck to a certain surface of a laser light outgoing surface (1o) of a laser crystal (1). - 特許庁

第１受発光一体型素子１は光ディスクへ向けてレーザビーム１０を出射し、第２受発光一体型素子２はレーザビーム１０と異なる波長のレーザビーム１１を光ディスクへ向けて出射する。例文帳に追加

A first light receiving/emitting integrated type element 1 emits a laser beam 10 to an optical disk, while a second light receiving/emitting integrated type element 2 emits a laser beam 11 having a wavelength different from that of the laser beam 10. - 特許庁

ＰＢＳ４が１／４波長板２を通過した主パルスレーザ光ＬをＳ偏光たる第１のパルスレーザ光Ｌ_ＳとＰ偏光たる第２のパルスレーザ光Ｌ_Ｐとに分岐させる。例文帳に追加

The principal pulse laser beam L allowed to pass through the quarter-wave plate 2 is branched into a first pulse laser beam L_S as s-polarized light and a second pulse laser beam L_P as p-polarized light by the PBS4. - 特許庁

半導体レーザー１から射出されたレーザー光２を光ファイバー４へ入射させる構成において、レーザー光２を集光させる光学系３内に配置された１／２波長板５を回転させる事により、レーザー光２の偏光方向を調整する構成とする。例文帳に追加

In the structure in which the laser beam 2 emitted from a semiconductor laser 1 is made incident on an optical fiber 4, the polarizing direction of the laser beam 2 is adjusted by rotating a 1/2 wavelength plate 5 that is arranged in an optical system 3 for converging the laser beam 2. - 特許庁

本発明の光ピックアップ装置は、使用波長が互いに異なる３種類の光記録媒体に対して使用可能であり、ガラス製の対物レンズ２と、第１波長の第１レーザー光Ｌ_１を発する第１光源と、第２波長の第２レーザー光Ｌ_２を発する第２光源４１１と、第３波長の第３レーザー光Ｌ_３を発する第３光源５１１とを有する。例文帳に追加

This optical pickup apparatus are used for three kinds of optical recording media having different use wavelengthes, the apparatus has an objective lens 2 made of glass, a first light source emitting a first laser beam L_1 of first wavelength, a second light source 411 emitting a second laser beam L_2 of second wavelength, a third light source 511 emitting a third laser beam L_3 of third wavelength. - 特許庁

そして、被処理液２に対して波長λ_Ｙのレーザ光を照射して物質の粗破砕を行い、続いて、λ_Ｙよりも短い波長λ_Ｘのレーザ光を照射して本破砕を行う２段階のレーザ光照射により、所望のサイズの物質の微粒子を生成する。例文帳に追加

Then, by laser beam irradiation in two stages of coarsely crushing the material by irradiating the liquid 2 to be processed with the laser beams of the wavelength λ_Y and then performing main crushing by irradiating it with the laser beams of the wavelength λ_X shorter than λ_Y, the particulates of the material in the desired size are generated. - 特許庁

レーザーダイオード１からアルコール吸収波長λ1 のパルス状のレーザービームＬＢ1 を走行車両に向けて出射し、レーザーダイオード２から参照波長λ2 のパルス状のレーザービームＬＢ2 を時間差をおいて出射し、両レーザービームＬＢ1 ，ＬＢ2 を共通のフォトダイオード３によって検出する。例文帳に追加

A pulse-like laser beam LB1 with an alcohol absorbing wavelength λ1 is emitted to a running vehicle from a laser diode 1 and a pulse-like laser beam LB2 with a reference wavelength λ2 is emitted from a laser diode 2 so as to leave a time lag and both laser beams LB1, LB2 are detected by a common photodiode 3. - 特許庁

本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還（ＤＦＢ）レーザ２と、ＤＦＢレーザが阻止帯域に含まれる第１の波長でレーザ発振するようにＤＦＢレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。例文帳に追加

The apparatus for waveform shaping of signal light is equipped with a distributed feedback (DFB) laser 2 having a stop band defined as a wavelength range enabling laser to be oscillated, and with a drive circuit to supply a driving current to the DFB laser to induce laser oscillation of the DFB laser at a first wavelength in the stop band. - 特許庁

溶接部の監視に当たっては、プラズマ光の波長帯域と溶接用レーザの波長帯域を避けて監視するために、これらと波長帯域の異なる光を発光する紫外光ストロボ５でレーザ照射部及びシーム部２を照明する。例文帳に追加

When the welding part is to be monitored, an ultraviolet beam strobe 5 for emitting beams with different wavelength bands applies light to a laser application part and the seam part 2 for monitoring by avoiding the wavelength region of the plasma beam and that of welding laser beams. - 特許庁

半導体基板２の裏面を研磨し、たとえば波長が約１μｍ以下の短波長レーザの透過できる膜厚となった時に、その短波長レーザをｐｎ接合が形成されている部分に照射すると、そのｐｎ接合部にはＯＢＩＣが流れ始める。例文帳に追加

The back of a semiconductor substrate 2 is polished, for example, when the thickness for transmitting a short-wave length laser beam, having a wavelength of approximately becomes 1 μm, and then the short-wavelength laser beam is applied to a section, where a p-n junction has been formed, OBIC starts to flow at the p-n junction section. - 特許庁

出射ミラー１２とリアミラー２とからなる共振器内部に、希土類元素を添加したファイバ６と、Ｑスイッチ素子３と、波長変換を行う波長変換素子１１と、波長変換素子１１へ入射するレーザ径を変換するレーザ径変換機構９を設置する。例文帳に追加

Within a resonator constituted of an emission mirror 12 and a rear mirror 2, there are installed a fiber 6 to which rare earth elements are added, a Q switch 3, a wavelength converting element 11 for performing wavelength conversion, and a laser beam diameter converting mechanism 9 for converting a diameter of laser incident to the wavelength converting element 11. - 特許庁

光路補正装置１４は、第一の波長板５と複屈折板２と第二の波長板１５とを備えており、２波長レーザ６の前方に配置する。例文帳に追加

The optical path correcting apparatus 14 is equipped with a 1st wavelength plate 5, a double refraction plate 2 and a 2nd wavelength plate 15, and arranged in front of a dual wavelength laser 6. - 特許庁

光路補正装置１８は、第一の波長板５と複屈折板２と第二の波長板１６と旋光子１９とを備えており、２波長レーザ６の前方に配置する。例文帳に追加

The light path correction device 18 is provided with a 1st wavelength plate 5, a birefringent plate 2, a 2nd wavelength plate 16, and a rotatory polarizer 19, and is arranged in front of the two wavelength laser beams 6. - 特許庁

レーザ光源１と、波長変換素子２（光源１から出射されたレーザ光Ｌ１を波長変換し得る素子）とによって波長変換装置を構成するに際し、光源１から出射されたレーザ光Ｌ１が該素子２に入射するように、該光源１と該素子２とを、フォトニック結晶ファイバ３を介して接続する。例文帳に追加

In constructing the wavelength transformation device with a laser light source 1 and a wavelength transformation element 2 (an element to transform a wavelength of laser light L1 emitted from the light source 1), the light source 1 and the element 2 are connected via a photonic crystal fiber 3 so as to make the laser light L1 emitted from the light source 1 incident on the element 2. - 特許庁

異なる波長を持つ第１レーザー光１と第２レーザー光２を発生させるレーザー装置１２と、第１レーザー光１と第２レーザー光２を同一の共通焦点１４ｂに集光させるレーザー光学系１４と、前記共通焦点に位置し差周波混合によりテラヘルツ波ビーム４を発生させるテラヘルツ発生器１６とを備える。例文帳に追加

The terahertz beam scanning apparatus includes a laser device 12 for generating a first laser light 1 and a second laser light 2 which have different wavelengths, a laser optical system 14 for condensing the first laser light 1 and the second laser light 2 on the same common focal point 14b, and a terahertz generator 16 which is positioned at the common focal point and generates a terahertz beam 4 by difference frequency mixing. - 特許庁

ＬＤ励起固体レーザ装置は、励起光６ａ、６ｂを吸収し所定波長の光を発生又は増幅する透明円柱状のレーザロッド１と、レーザロッド１と同軸で該レーザロッド１の外面との間に冷却媒質用の隙間２を形成する透明な冷却チューブ３とを備える。例文帳に追加

An LD excitation solid-state laser device has a transparent columnar laser rod 1, which absorbs excitation lights 6a, 6b and generates or amplifies light of a prescribed wavelength, and a transparent cooling tube 3, which is coaxial with the laser rod 1 and forms a clearance 2 for refrigerant between it and an outer surface of the laser rod 1. - 特許庁

波長可変レーザ１及び波長固定レーザ２からなる光源と、２つの半導体レーザ１及び２からの光を非線形効果に依る四光波混合を行って周波数コムを生成する半導体光増幅器５と、２つの半導体レーザ１及び２からの光が入力される半導体光検出器６とが集積化されてなることが基本になっている。例文帳に追加

In the optical integrated element, fundamentally, a light source comprising a wavelength-changeable laser 1 and a wavelength-fixable laser 2, a semiconductor optical amplifier 5 which performs four light wave mixing to light from two semiconductor lasers 1 and 2 by using a nonlinear effect to generate a frequency comb, and a semiconductor optical detector 6 to which the light from the two semiconductor lasers 1 and 2 is input are integrated. - 特許庁

変調光源1は、ＤＢＲ部5と位相部6と活性部7とを有するＤＢＲレーザー2と、ＤＢＲレーザー2から基本波を受けてＳＨＧ光を出す光波長変換素子3と、ＤＢＲレーザー2を制御する制御手段4とを有する。例文帳に追加

The modulation light source 1 comprises a DBR laser 2 including a DBR 5, a phase 6 and the active portion 7, a light wavelength converting element 3 which outputs SHG light by receiving a base wave from the DBR laser 2, and a control means 4 for controlling the DBR laser 2. - 特許庁

波長可変半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子１と、半導体レーザ素子１からの光を集光するための集光素子２と、集光素子２からの光を反射するための反射素子４と、狭帯域のバンドパス特性を有する波長選択素子３と、波長選択素子３を角変位させるための角変位駆動機構などで構成される。例文帳に追加

The variable wavelength semiconductor laser device is provided with a semiconductor laser element 1, a condensing element 2 for condensing light from the semiconductor laser element 1, a reflecting element 4 for reflecting light from the condensing element 2, a wavelength selecting element 3 having bandpass characteristics of a narrow band, and an angular displacement drive mechanism for carrying out the angular displacement of the wavelength selecting element 3. - 特許庁

前記レーザ光の集光性を表す指標であるＭ^２値がＭ^２＜２であるとともに、前記レーザ光の波長λが１００ｎｍ＜λ＜２００００ｎｍである。例文帳に追加

M^2 value which is an index which shows the condensability of the laser beam is M^2<2 and also the wavelength λ of the laser beam is 100<λ<20,000 nm. - 特許庁

非線形素子で構成された第２高調波発生用波長変換素子、和周波発生用波長変換素子を固体レーザ活性媒質を含む共振器内に挿入して、和周波レーザビームを発生させる波長変換レーザ装置において、共振器内に少なくとも一個以上の偏光方向回転素子を配置した。例文帳に追加

Related to a wavelength conversion laser device wherein a second harmonic generating wavelength conversion element comprising a non- linear element and a sum frequency generation wavelength conversion element 5 are inserted in a resonator comprising a solid-state laser active medium 2 to generate a sum frequency laser beam, at least one polarization direction rotating element 3 is provided in the resonator. - 特許庁

光ピックアップ装置１の２波長光源１０から出射されるレーザ光Ｌ１、Ｌ２の共通光学経路上に配置された３ビーム生成用の回折格子２は、光源側に長波長側のレーザ光Ｌ１のみを回折する第１の回折格子面２１が形成され、反対側に短波長側のレーザ光Ｌ２のみを回折する第２の回折格子面２２が形成されている。例文帳に追加

The diffraction grating 2 disposed to generate three beams on a common optical path of the laser light L1 and L2 radiated from a two- wavelength light source 10 of an optical pickup 1 has a 1st diffraction grating 21 on the side facing the light source to diffract only the long wavelength laser light L1 and a 2nd diffraction grating 22 on the other side to diffract only the short wavelength laser light L2. - 特許庁

二）　パルスを発振する波長可変レーザー発振器であって、次の１から３までのすべてに該当するもの（（一）に該当するものを除く。例文帳に追加

2. Variable wavelength oscillator emitting a pulse that fall under all of the following i. through iii. (excluding those falling under 1.)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

着色レジスト層１５ａ、１６ａ、１７ａの前記波長のレーザー光Ｌに対する透過率は２％乃至１４％となっている。例文帳に追加

The transmittance of the color resist layers 15a, 16a, 17a with respect to the laser beam L of the above wavelength ranges from 2% to 14%. - 特許庁

２本のレーザ光の波長λ１，λ２を記録層２に照射される光量が最大と最小の中間になるように選ぶ。例文帳に追加

The wavelengths λ1 and λ2 of the two laser beams are selected so that a quantity of light emitted to the recording layer 2 is medium between the minimum and maximum. - 特許庁

半導体レーザ素子本体３には、異なる複数の波長のそれぞれに対応した複数の導波路１，２が形成されている。例文帳に追加

Multiple waveguides 1 and 2 are formed in a semiconductor laser device main body 3 for each of different multiple wavelengths. - 特許庁

石炭２が発火すると発生するＣＯはレーザパルス光の波長に対する吸収特性を有している。例文帳に追加

When the coal 2 catches fire, generated CO has absorption characteristics for the wavelength of the laser pulse beam. - 特許庁

連続波レーザー光２４の波長は３５５〜１２００ｎｍであり、かつ強度は１ＭＷ／ｃｍ^２〜１ＧＷ／ｃｍ^２である。例文帳に追加

The wavelength of the continuous wave laser beam 24 is 355-1,200 nm, and the intensity is 1 MW/cm^2-1 GW/cm^2. - 特許庁

本発明の非線形光制御素子１０は、レーザ光入力手段１と、光波長フィルタ２と、エルビウム含有光透過媒体３とを具えている。例文帳に追加

This element 10 has a laser beam input means 1, an optical wavelength filter 2 and an erbium-containing light transparent medium 3. - 特許庁

光波長変換素子102は、DBRレーザ101から発せられる基本波光を入射して、その第2高調波光を出力する。例文帳に追加

The optical wavelength conversion element 102, on which fundamental harmonic light emitted from the DBR laser 101 is made incident, outputs the second harmonic light. - 特許庁

結晶化工程は、波長が３００ｎｍ以下のレーザ光５０を照射して半導体薄膜２を結晶化する。例文帳に追加

In the crystallizing process, the laser beam 50 of wavelength 300 nm or shorter is projected to crystallize the semiconductor thin-film 2. - 特許庁