「2波長レーザ」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

光集積ユニット４０は、波長の異なる複数のレーザ光を発振するための発光部１と、波長板５と、光源１ａから発振された第１のレーザ光を回折させるための偏光ホログラム素子２と、光源１ｂから発振された第２のレーザ光を回折させるための無偏光性ホログラム素子３とを備える。例文帳に追加

The optical integrated unit 40 is provided with a light emitting part 1 for oscillating two or more laser beams of different wavelengths, a wave plate 5, a polarizing hologram element 2 for diffracting the 1st laser beam oscillated from a light source 1a, and a non-polarizing hologram element 3 for diffracting the 2nd laser beam oscillated from a light source 1b. - 特許庁

狭帯域化された光を出力する基本波レーザ装置１ａを備えた第１のコヒーレント光源１と、シーディング光により狭帯域化され、波長安定化された光を出力する可変波長レーザ２ａを備えた第２のコヒーレント光源２が出力するレーザ光を和周波発生手段３または和周波発生手段３，４に入力する。例文帳に追加

Laser beams, outputted by a first coherent light source 1 having a basic wave laser 1a outputting narrowly banded light and a second coherent light source 2, having a variable wavelength laser 2a outputting light which is made narrow band by seeding light and whose wavelength is stabilized, are inputted into a sum frequency generating means 3 or sum frequency generating means 3, 4. - 特許庁

ファイバマウント装置２は、所定波長のレーザ光を透過するセラミックから成るファイバサブマウント本体３１と、ファイバサブマウント本体３１の上面に設けられるボンディングパッド３３と、ファイバサブマウント本体３１の下面の少なくとも一部に設けられ、所定波長のレーザ光を吸収するレーザ吸収層３２と、を備える。例文帳に追加

A fiber mount device 2 includes a fiber sub-mount body 31 comprising ceramic transmitting a laser beam of prescribed wavelength, a bonding pad 33 provided on the top face of the fiber sub-mount body 31, and a laser absorption layer 32 provided on at least part of undersurface of the fiber sub-mount body 31 and for absorbing the laser beam of prescribed wavelength. - 特許庁

距離計は、半導体レーザ１に発振波長が増加する第１の発振期間と発振波長が減少する第２の発振期間とを交互に繰り返させるレーザドライバ４と、半導体レーザ１の出力を電気信号に変換するフォトダイオード２の出力に含まれる干渉波形を数える計数装置８とを有する。例文帳に追加

The range finder comprises both a laser driver 4 for making a semiconductor laser 1 alternately repeat a first oscillation period in which its oscillation wavelength increases and a second oscillation period in which its oscillation wavelength decreases and a counting device 8 for counting the number of interference waveforms contained in output of a photodiode 2, which converts output of the semiconductor laser 1 into electrical signals. - 特許庁

本発明が提供する波長較正装置は、エキシマレーザ１と、狭まった放出を生成するための帯域狭化光学機器と、既知の波長の基準光を生成するための基準レーザ又は較正ランプ光源２と、狭まったエキシマレーザ放出と基準光が入射する分散素子である格子７を備える。例文帳に追加

This wavelength calibrator is equipped with an excimer laser 1, a band narrowing optical apparatus for generating narrow emission, a reference laser for generating a reference beam of known wavelength or a calibration lamp light source 2, and a lattice 7 which performs emission of narrow excimer laser and also serves as a dispersion element to allow the reference beam to enter. - 特許庁

距離計は、半導体レーザ１に発振波長が増加する第１の発振期間と発振波長が減少する第２の発振期間とを交互に繰り返させるレーザドライバ４と、半導体レーザ１の出力を電気信号に変換するフォトダイオード２の出力に含まれる干渉波形を数える計数装置８とを有する。例文帳に追加

A distance meter has a laser driver 4, making a semiconductor laser 1 to alternately repeat a first oscillation period in which the oscillation wavelength increases, and a second oscillation period in which the oscillation wavelength decreases, and a counting device 8 counting interference waveforms included in the output of a photodiode 2 for converting the output of the semiconductor laser 1 into electrical signals. - 特許庁

狭帯域化エキシマレーザ(20)の中心波長を検出する波長検出器(2) の内部又はその近傍の環境特性として、少なくとも温度Ｔ又は圧力Ｐのいずれか一方を検出し、その環境特性の変化量が予め定められた所定の値を越えたことを検知したときに、中心波長を補正するための補正パラメータを獲得することによって波長検出器(2) を較正する。例文帳に追加

A wavelength detector 2 is calibrated by acquiring a correction parameter for correcting a center wavelength, when at least either temperature or pressure is detected as environmental characteristics inside or near the wavelength detector 2 for detecting the central wavelength of a narrow-band excimer laser 20 and the excess of a predetermined, a specific value by the amount of change in the environmental characteristics is detected. - 特許庁

異なる複数の波長の半導体レーザチップ３，４を、出射側から見た場合その発光点が同一になるように調整し、一つの基盤２上に組み立て、異なる複数の波長の半導体レーザチップ３，４から発光した光のうち、所定の光を透過して出射し、他の光を反射して出射する波長フィルタ５を備える。例文帳に追加

In a semiconductor laser module, semiconductor laser chips 3 and 4 having different wavelengths are assembled on one base 2 by adjusting the chips 3 and 4, so that their light emitting points becomes the same, when viewed from the light emitting side and a wavelength filter 5 which transmits and emits the prescribed one of the beams emitted from the chips 3 and 4 and emits the other beam through reflection is provided. - 特許庁

溶媒４、及び物質の原料粒子５からなる被処理液２を収容する処理チャンバ３と、互いに異なる波長のレーザ光を供給する複数のレーザ光源１１〜１４を有するレーザ光照射装置１０と、照射装置１０から被処理液２へのレーザ光の照射を制御する制御装置２０とによって製造装置１Ａを構成する。例文帳に追加

The preparing device 1A is constituted of a treating chamber 3 housing a liquid to be treated 2 comprising a solvent 4 and the materials for raw particles 5, a laser light irradiation device 10 having a plurality of laser light sources 11-14 supplying laser light of mutually different wavelengths, and a controller 20 controlling the irradiation of the laser light to the liquid to be treated 2 from the irradiation device 10. - 特許庁

三原色の各波長領域のレーザ光を無人空間に照射するレーザ照射装置２と、該レーザ照射装置２によりレーザ光を照射された前記無人空間の所定の領域を撮像し画像データを生成する撮像装置３と、該撮像装置３により生成された画像データを再生表示する画像表示装置５と、を備える。例文帳に追加

The unmanned environment display system comprises: a laser irradiation device 2 for irradiating the unmanned space with laser light in each wavelength region of three primary colors; an imaging device 3 which generates image data by imaging a predetermined region of the unmanned space irradiated with the laser light by the laser irradiation device 2; and an image display device 5 which reproduces and displays the image data generated by the imaging device 3. - 特許庁

少なくとも一つのレーザ光源１と、レーザ光源１からの放射光の光路上に設けた、前記レーザ光源からの放射光の位相をずらす不規則配列をした大きさが前記レーザ光源の波長以上である複数のパターンを有するマスク２と、マスク２を揺動させる駆動装置３と、を設ける。例文帳に追加

The laser beam source device is provided with at least one laser beam source 1, a mask 2 provided on the optical path of emitted light from the laser beam source 1, having a plurality of irregularly arrayed patterns of a size equal to or more than the wavelength of the laser beam source for shifting the phase of the emitted light from the laser beam source and a driving device 3 rocking the mask 2. - 特許庁

レーザー光の紫外吸収アブレーションにより被加工物を加工する際に使用するレーザー加工用粘着シートにおいて、前記粘着シートは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられているものであり、前記基材は、波長３００ｎｍ以下の紫外レーザー光を照射した際のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．００６〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕以下であることを特徴とするレーザー加工用粘着シート。例文帳に追加

The etching rate (etching speed/energy fluence) of the base material is ≤0.006 [(μm/pulse)/(J/cm^2)] when the base material is irradiated with an ultraviolet laser beam having ≤300 nm wave length. - 特許庁

レーザビーム照射装置１２で発生するレーザビーム２の偏光を直線偏光から円偏光に変換する偏光変換素子１８（４分の１波長遅相子）を備え、レーザビームの偏光を直線偏光から円偏光に変換して円偏光のレーザビーム３を目標に対し照射する。例文帳に追加

A polarized light converting element 18 (1/4 wavelength lagging element) is disposed to convert the polarized light of the laser beam 2 generated by the laser beam irradiating device 12 from the linear polarized light to the circular polarized light, and the polarized light of the laser beam is converted from the linear polarized light to the circular polarized light to irradiate the laser beam 3 of circular polarized light to the target. - 特許庁

パルスレーザーダイオード１とパルス発生回路５を有し、さらに、パルスレーザーダイオードに発光閾値よりも小さい値のバイアス電流を流し、そのバイアス電流の値を変化させパルスレーザーダイオードのチップの温度を制御することで、パルスレーザーダイオードの発光波長を可変できる直流電流源２を有する。例文帳に追加

The circuit device has the pulse laser diode 1 and a pulse generating circuit 5 and further includes a DC current source 2 capable of varying the light emission wavelength of the pulse laser diode by supplying a bias current having a smaller value than a light emission threshold to the pulse laser diode and varying the value of the bias current to control the temperature of a chip of the pulse laser diode. - 特許庁

ＹＡＧレーザ発振器１から光ファイバ３を経て出射される基本波レーザ光２を、コリメートレンズ４により平行化し、次いで、波長変換素子５によって第２高調波レーザ光１２に変換し、この第２高調波レーザ光１２の光束を集光レンズ６で縮小させたうえ、加工対象物に照射する。例文帳に追加

A fundamental wave laser beam 2 emitted from a YAG laser beam oscillator 1 via an optical fiber 3 is paralleled by a collimating lens 4, then converted into a second higher harmonic laser beam 12 by a wavelength conversion element 5, the second higher harmonic laser beam 12 is converged by conversion lens 6 and an object to be machined is irradiated with the laser beam. - 特許庁

ヘッドランプ１は、半導体レーザ２から出射されたレーザ光により青色の蛍光を生ずる蛍光ガラスを封止材として用いる発光部５を備え、発光部５中に、半導体レーザ２から出射されたレーザ光により、青色の蛍光よりも長い波長の蛍光を発する赤色蛍光体、緑色蛍光体が分散されている。例文帳に追加

The headlight 1 includes a light-emitting part 5 using as a sealing material phosphor glass generating blue fluorescence with laser light emitted from a semiconductor laser, and the light-emitting part 5 has red phosphor and green phosphor dispersed in it emitting fluorescence with a wavelength longer than that of the blue fluorescence by the laser emitted from the semiconductor laser 2. - 特許庁

レーザ干渉計１は、所定の周波数を有する変調信号にてレーザ光を変調することでレーザ光の中心波長を安定化して射出するレーザ光源２と、参照鏡４と、測定鏡５と、参照鏡４、及び測定鏡５にて反射される光の干渉光に基づいて、測定鏡５の変位を検出する変位検出装置６とを備える。例文帳に追加

The laser interferometer 1 includes: a laser light source 2 for emitting laser light with its central wavelength stabilized by modulating the laser light by a modulation signal having a predetermined frequency; a reference mirror 4; a measurement mirror 5; and a displacement detector 6 for detecting the displacement of the measurement mirror 5 based on interference light of the light reflected by the reference mirror 4 and the measurement mirror 5. - 特許庁

高温の炉内壁面に向けてレーザ端子４とＣＣＤカメラ３とを設置し、パルス式ＹＡＧレーザ光源から得られた波長が５３２ｎｍの拡散レーザ光を、その拡散レーザ光が照射された壁面面積当たりのパワーが０.５Ｗ/ｍ^２以上となる輻射密度で照射する。例文帳に追加

A laser terminal 4 and a CCD camera 3 are installed toward the inner wall surface of the high temperature furnace to irradiate the inner wall surface with the diffused laser beam with a wavelength of 532 nm obtained from a pulse type YAG laser beam source in a radiation density becoming 0.5 W/m^2 or above in the power per the area of the inner wall surface irradiated with the diffused laser beam. - 特許庁

まず波長が３５５ｎｍである紫外光レーザを、ＴＦＴアレイ基板の表面側から照射することにより、カットおよびコンタクトさせる箇所の層間絶縁膜１５を除去する（図１(a)-2 、図１(b)-2 ）。例文帳に追加

In this manufacturing method, first, interlayer insulating films 15 of place where are to be cut or contact is to be performed are removed (Figure 1 (a)-2, Figure 1 (b)-2) by irradiating laser irradiation places for cutting with a ultraviolet laser beam whose wavelength is 355 nm from the surface side of a TFT (thin film transistor) array substrate. - 特許庁

単一波長で発振する半導体レーザ部２と、半導体光増幅器部４とを光導波路部３で結合して同一基板１上に集積化した光半導体装置の半導体レーザ部２にのみ温度可変制御手段５を設ける。例文帳に追加

A temperature changeable control means 5 is installed only in a semiconductor laser part 2 of the optical semiconductor device in which the semiconductor laser part 2 oscillating at a single wavelength and a semiconductor optical amplifier part 4 are coupled through an optical waveguide part 3 and integrated on an identical substrate 1. - 特許庁

本発明にかかる対物レンズ１は、透明基板の厚さが異なるＤＶＤ２、ＣＤ３毎に異なる波長のレーザビーム４、５が入射され、ＤＶＤ２、ＣＤ３の透明基板に設けられた情報記録面２ａ、３ａに対して当該レーザビーム４、５を集光させるものである。例文帳に追加

Laser beams 4 and 5 having wavelengths different for each DVD 2 and CD 3 having transparent substrates with different thicknesses from each other are made incident on the objective lens 1 and the laser beams 4 and 5 are condensed onto information recording surfaces 2a and 3a provided to the transparent substrates of the DVD 2 and CD 3. - 特許庁

端部が所定の間隔をもって設けられた一対の電極４、５を内部に設け、加工レーザ２の波長に対して透過性がある材料３の前記一対の電極間の中央にレーザ２を照射して、この電極間に空隙７を設ける。例文帳に追加

In this manufacturing method of a light-emitting device, a pair of electrodes 4, 5, of which the edges are disposed at a prescribed space, are formed in a material 3 having transparency for the wavelength of a laser beam 2, and the laser beam 2 irradiates the center between the electrodes 4 and 5, and a gap 7 is installed there. - 特許庁

ライン状に配列された複数のエミッタ２よりレーザ光を射出する光素子１と、エミッタ２から射出されるレーザ光の光路上に配置される波長変換素子２０と、光素子１との間で共振器構造を構成する外部共振器３０と、を有する光学装置１００である。例文帳に追加

The optical device 100 includes: a light element 1 where a plurality of emitters 2 arranged in a line emit laser beams; a wavelength conversion element 20 arranged on an optical path of laser beams emitted from the emitters 2; and an external resonator 30 for composing a resonator structure with the light element 1. - 特許庁

光波長変換装置は、ＤＦＢレーザなどの第1、第2の光源11、19と、第1、第2の光源11、19から夫々発せられる第1、第2の光を入射してその和周波光を出力する非線形光学素子31を有する。例文帳に追加

The optical wavelength converting device has first and second light sources 11 and 19 such as DFB lasers, and a nonlinear optical element 31 on which first light and second light emitted by the first and second light sources 11 and 19 are made incident and which outputs their sum frequency light. - 特許庁

情報層８は、所定波長のレーザー光７を照射することにより情報の記録及び再生が可能な記録層２と、記録層２に対しレーザー光入射側に配置された第１の保護層１と、記録層２に対しレーザー光入射側と反対側に配置された第２の保護層３とを含んでいる。例文帳に追加

The information layer 8 includes a recording layer 2 capable of recording and reproducing the information by irradiation with a laser beam 7 of a designated wavelength, a first protecting layer 1 arranged on a side for an incoming laser beam to the recording layer 2 and a second protecting layer 3 arranged on an opposite side of the incoming laser beam to the recording layer 2. - 特許庁

共鳴励起用レーザー２により固体試料１に含まれる、ある同位体の共鳴吸収波長レーザーの照射時でも、同位体シフトに対応するドップラー速度成分をもつ同位体は、共鳴吸収励起を起こすため、励起される各同位体はそれぞれ特有の速度成分を有する。例文帳に追加

Since an isotope having a Doppler velocity component corresponding to an isotope shift generates resonance absorption excitation even at the irradiation time of a resonance absorption wavelength laser of some isotope included in a solid sample 1 by a laser 2 for resonance excitation, each excited isotope has a specific velocity component respectively. - 特許庁

第１のモード同期半導体レーザ１の出力光を、そのクロック周波数のほぼ同一の繰り返し周波数及び中心波長λ0 で受動モード同期を行っている第２のモード同期半導体レーザ２に光減衰器１３を経由して注入する。例文帳に追加

The output light of the first mode synchronizing semiconductor laser 1 is injected into a second mode synchronizing semiconductor laser 2 performing a passive mode synchronization with a repeatation frequency and a center wavelength λ0 roughly equal to the clock frequency of its output light via an optical attenuator 13. - 特許庁

ホログラムレーザ１０は、互いに発光波長の異なる光ビームを出射する複数の半導体レーザ素子１・２と、光ビームを受光する信号検出用フォトダイオード３と、光ビームを回折することにより信号検出用フォトダイオード３に導くホログラム５１とを備える。例文帳に追加

The hologram laser 10 is provided with plural semiconductor laser elements 1, 2 exitation light beams which are mutually different in light- emitting wavelength, a signal-detecting photodiode 3 receiving the light beams, and a hologram 51 guiding the light beams to the signal-detecting photodiode 3 by diffracting the light beams. - 特許庁

６５０ｎｍ半導体レーザ１と７８０ｎｍ半導体レーザ３から出射したそれぞれの波長の光は、合成ミラー２で反射し、第１ホログラム４及び第２ホログラム５を順に透過してコリメートレンズ６で平行光になって対物レンズ７により光記録媒体８に照射する。例文帳に追加

Lights with respective wavelengths emitted from a 650 nm semiconductor laser 1 and a 780 nm semiconductor laser 3 are reflected in a synthesis mirror 2, transmitted sequentially through a 1st hologram 4 and a 2nd hologram 5, collimated through a collimate lens 6 and emitted to an optical recording medium 8 through an objective lens 7. - 特許庁

流路２内を一列になって通流する微小粒子３に、光照射部４からパルスレーザ光５を、パルス強度を変調しながら照射することにより、１つの微小粒子に対して、同一波長のレーザ光を複数回照射する。例文帳に追加

Pulsing laser light 5 is irradiated from a light irradiation part 4 to fine particles flowing in a line through a channel 2, while modulating pulse intensity, to thereby irradiate the laser light having the same wavelength in a plurality of times to one fine particle. - 特許庁

ピックアップ装置１０は、第１の半導体レーザ１と、第２の半導体レーザ１１と、コリメータレンズ２、２２と、偏光ビームスプリッタ３、３３と、４分の１波長板４、４４と、レンズ５と、集光レンズ６、６６と、光検出器７、７７とを備える。例文帳に追加

An optical pickup device 10 is equipped with a first semiconductor laser 1, a second semiconductor laser 11, collimetor lenses 2, 22, polarized beam splitters 3, 33, quarter wavelength plates 4, 44, a lens 5, condensing lenses 6, 66, and optical detectors 7, 77. - 特許庁

基板１の上に、保護層２と、界面層３と、レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層４と、界面層５と、波長λの前記レーザー光を透過する光透過形反射層６と、熱拡散層７とを順次積層する。例文帳に追加

The medium is produced by successively laminating a protective layer 2, an interface layer 3, a recording layer 4 in which optical characteristics are reversibly changed by irradiation of laser light, an interface layer 5, a light-transmitting reflection layer 6 which transmits the laser light at the wavelength 1, and a thermal diffusion layer 7 on a substrate 1. - 特許庁

半導体レーザー等の光源１を出射するレーザー光３はビーム整形素子２に入射し、その第１面２ａを回折して１／２波長板２ｃを透過し、第２面２ｂで回折してビームの広がりが円形分布に整形された状態で出射する。例文帳に追加

Laser light 3 exiting from a light source 1 such as a semiconductor laser impinges on the beam shaping element 2 and is diffracted by its 1st surface 2a and transmitted through a 1/2 wavelength plate 2c, and diffracted by its 2nd surface 2b to exit while having its spread shaped into a circular distribution. - 特許庁

この光学機能面５２，５３と波長λ１の第１レーザー光とのなす角度θ_1が０［°］≦θ_1≦６０［°］であるとき、光学機能面５２，５３における第１レーザー光のＰ偏光の反射率Ｒｐ_1とＳ偏光の反射率Ｒｓ_1とは、｜Ｒｐ_1−Ｒｓ_1｜≦２［％］となっている。例文帳に追加

A reflectivity Rp_1 of p-polarized light and a reflectivity Rs_1 of s-polarized light of first laser light of the wavelength λ1 on optical functional surfaces 52 and 53 satisfy |Rp_1-Rs_1|≤2% when an angle θ_1 formed between the optical functional surfaces 52 and 53 and the first laser light is 0°≤θ_1≤60°. - 特許庁

引張り強さ３９０Ｎ／ｍｍ^２以上の高強度薄鋼板の重ね隅肉継手をろう材として銅合金製ワイヤを使用し、希釈率が１０〜４０％となるように近赤外光あるいは遠赤外光の波長のレーザを用いて、レーザブレージングする。例文帳に追加

A lap fillet weld joint of a high-strength thin steel plate having the tensile strength of ≥390N/mm^2 is subjected to the laser brazing by using a copper alloy-made wire as a brazing filler metal with the laser beam of the wavelength of the near-infrared beam or far-infrared beam so that the dilution rate is 10-40%. - 特許庁

本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。例文帳に追加

A gain combination DFB laser 20 is a laser of oscillation wavelength of about 1,550 nm, and comprises, on an n-InP substrate 1, an n-InP buffer layer 2, active layer 3, p-InP spacer layer 4, p-InP upper-part clad layer 6, and p-GaInAs contact layer 7. - 特許庁

パッケージングされた波長４５０ｎｍ以下の半導体レーザーから発した光を、レンズを介して光ファイバーに入射する半導体レーザーモジュールにおいて、レンズ焦点距離をｆ、レンズ光学系倍率を−ｍとすると、ｆ（１＋ｍ）^２≦２００（ｍｍ）であることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor laser module in which the light emitted from a packaged semiconductor laser of a 450 nm wavelength is made incident to an optical fiber via a lens, is characterized in that f(1+m)^2≤200 (mm) is satisfied, when defining the lens focal length as f, and the lens optical system magnification as -m. - 特許庁

レーザ光源の発振波長付近において屈折率が近接している２種類の硝材１ａ，１ｂを貼り合わせて略々パワーを有しない状態に構成した色収差補正素子１を、レーザ光源から対物レンズ２に至る光路上に配置した。例文帳に追加

A chromatic aberration correction element 1 configured so as to have little power by sticking two types of lenses 1a and 1b, the refractive indexes of which come close to each other in the vicinity of an oscillation wavelength of a laser light source is disposed on an optical path from the laser light source to an objective lens 2. - 特許庁

そして、フィルタ１９がレーザ発振装置１が出力するレーザ光２の波長のみを透過するので、光検出装置１１がアーク光１８を検出することが無くなり、光検出装置１１がアーク光１８を検出して異常検出信号１２が誤動作することが無い。例文帳に追加

The light detection device 11 does not detect arc light 18 because the filter 19 passes only the wavelength of the laser light 2 emitted by a laser oscillator 1, and an abnormality detection signal 12 does not cause an erroneous operation because the light detector 11 does not detect the arc light 18. - 特許庁

波長が３００ ｎｍ以上５００ｎｍ以下、強度が0.5ｍＷ以上であり、レーザーの光束の断面積が１００ｍｍ^2以下のレーザー光を透過せしめる光学系に用いられ、射出成形により得られる光学部品であって、使用によりレーザーの光線透過率が低下しないことを特徴とする光学部品。例文帳に追加

This optical component is obtained by injection molding and used in the optical system transmitting a laser light with 300-500 nm wavelength, ≥0.5 mW intensity, and ≤100 mm^2 sectional area of a laser flux, and characterized in that the laser light transmittance is not lowered during use. - 特許庁

半導体レーザ１と、半導体レーザ１から出射される基本光を波長変換する第二高調波発生素子２とを少なくとも備えたレーザ光発生装置１０であって、 第二高調波発生素子２から出射される基本光及び変換光がセルフォックレンズ３に導入され、変換光がコリメートして出射されるように構成したこと。例文帳に追加

A laser beam generator 10 including at least a semiconductor laser 1 and a second harmonic generation element 2 for converting the wavelength of fundamental light emitted from the semiconductor laser 1 is configured so that the fundamental light emitted from the second harmonic generation element 2 and the conversion light are introduced to a SELFOC lens 3 and the conversion light is collimated and emitted. - 特許庁

本波長選択光源光回路３０は、発振波長が相互に異なるλ_1 、λ___2 、λ_3 、λ_4 の４個のＤＦＢレーザ３２Ａ〜Ｄと、ＤＦＢレーザ３２と接続された第１の冗長回路３４と、第１の冗長回路と接続された第２の冗長回路３６と、第２の冗長回路と接続された第３の冗長回路３８とを備える。例文帳に追加

This wavelength-selecting light source optical circuit 30 comprises four DFB lasers 32A to 32D, having different oscillation wavelengths λ_1, λ_2, λ_3 and λ_4, a first redundant circuit 34 connected to the DFB laser 32, a second redundant circuit 35 connected to the first redundant circuit, and a third redundant circuit 38 connected to the second redundant circuit. - 特許庁

ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。例文帳に追加

In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating. - 特許庁

次に、半導体レーザー素子１の発振波長を、ＳＨＧ素子１３の位相整合波長８０２ｎｍとなるように制御すると、これが４０１ｎｍの紫外線に変換され、接着樹脂４が硬化するので、ＳＨＧ素子１３を基板２に接着固定できる。例文帳に追加

When the phase matching wavelength of the SHG element 13 is controlled to 802 nm, the oscillation wavelength of the semiconductor laser element 1 is converted into ultraviolet rays of 401 nm and the bonding resin 4 sets, so that the SHG element 13 can be bonded and fixed to a substrate 2. - 特許庁

地表領域に存在する対象物までの距離を算出するレーザ・レーダ２、及び、波長が１９０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲に含まれる光である短波長光を検出して地表領域を撮像する紫外画像センサ３を、滑走路１の両脇に複数設置する。例文帳に追加

A plurality of laser radars 2 which calculate a distance up to an object existing in an earth-surface region, and a plurality of ultraviolet image sensors 3 which detect short-wavelength light contained in a range at a wavelength of 190 to 500 nm so as to image the earth-surface region, are installed on both sides of the runway 1. - 特許庁