「A & P Group」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加

III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁

G is a rational point group of an elliptic curve, P is an element of G, p is the order of P, Q=xP with respect the element x of a set {1 to p} of secret keys, and (G, p, P, Q) is a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁

The nearest point R of the point P (Lab value) is searched from a Lab value group obtained by the interpolation arithmetic operation.例文帳に追加

補間演算により求まるLab値群から点Pの最近点R（Lab値）を探索する。 - 特許庁

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element.例文帳に追加

ｐ形半導体層１３はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ形化合物半導体からなり、ｎ形半導体層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とドーパントであるII族元素とを含むｎ形化合物半導体からなる。 - 特許庁

A group of rational points of an elliptic curve is considered as G, P is considered as an origin of G, an order of G is considered as P, a private key_x is considered as Q=xP to elements of a set {1, ..., p} and (G, p, P, Q) is considered as a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁

Problems are solved by pyridinethiol sulfonates represented by general formula (1) (wherein, R is a 1-3C alkyl group, a phenyl group, a benzyl group or a p-tolyl group).例文帳に追加

一般式（１）（式中ＲはＣ１〜３のアルキル基、フェニル基、ベンジル基またはｐ−トリル基である。）で示されるピリジンチオールスルホナート類が、前記課題を解決した。 - 特許庁

To form a p-type group III nitride semiconductor on a desired region.例文帳に追加

所望の領域にｐ型のIII 族窒化物半導体を形成すること。 - 特許庁

A frame group of the compression coded image signals includes a single key frame K, a frame P-GOB and a frame P succeeding to the key frame K.例文帳に追加

圧縮符号化画像信号の１フレーム群の中には、単一のキーフレームＫ、並びにこれに後続するフレームP-GOBおよびフレームＰが含まれる。 - 特許庁

At least one of the organic compound layers contains an N,N'-bis(p- hydroxymethylphenyl) benzidine derivative expressed by general formula (1), wherein, R1 indicates a hydrogen atom, a methyl group, or a methoxy group, R2 indicates a 1-4C alkyl group, the methoxy group, or an ethoxy group, and R3 indicates the hydrogen atom or the methyl group.例文帳に追加

一般式（Ｉ）中、Ｒ_1は、水素原子、メチル基又はメトキシ基を表し、Ｒ_2は、炭素数１〜４のアルキル基、メトキシ基又はエトキシ基を表し、Ｒ_3は、水素原子又はメチル基を表す。 - 特許庁

An RAID group 17 (S) making a pair with the RAID group 17(P) is set simultaneously when the storage contents of the disk 16 (#4) are copied, and a sub-volume 18(S) is prepared (S2, S3).例文帳に追加

コピーと同時にＲＡＩＤグループ17(P)とペアとなるＲＡＩＤグループ17(S)が設定され、副ボリューム18(S)が用意される(S2,S3)。 - 特許庁

The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.例文帳に追加

第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

The group (A) consists of a sulfuric acid ion, a chlorine ion, a nitric acid ion, a p-toluenesulfonic acid ion and a sulfonic acid ion.例文帳に追加

化合物群（Ａ）硫酸イオン塩素イオン硝酸イオンｐ−トルエンスルホン酸イオンスルホン酸イオン - 特許庁

In the formulae (P-1) and (P-2), R^1 is a quadrivalent group having an alicyclic structure; and R^2 is a bivalant group having a triphenylamine structure.例文帳に追加

（式（Ｐ−１）及び式（Ｐ−２）中、Ｒ^１は脂環式構造を有する４価の基であり、Ｒ^２はトリフェニルアミン構造を有する２価の基である。） - 特許庁

The elliptical scalar multiple of P is performed by a value c (mutually prime with q) obtained by dividing the order s of a rational point group E(GF(p)) by the order q of a partial group requested by a system of the rational point group E(GF(p)) on the elliptic curve and cP is outputted as a random Q on the partial group.例文帳に追加

楕円曲線上の有理点群Ｅ（ＧＦ（ｐ））のシステムが要求する部分群の位数ｑでＥ（ＧＦ（ｐ））の位数ｓを割った値ｃ（ｑと互いに素）でＰを楕円スカラー倍し、ｃＰを部分群上のランダムな元Ｑとして出力する。 - 特許庁

To prevent missing of P when growth on a group III-V compound semiconductor layer containing P is carried out again.例文帳に追加

Ｐを含むIII‐Ｖ族化合物半導体層上に再成長を行う際のＰ抜けを防止する。 - 特許庁

The objective system includes: a front lens group G1 having a positive refractive power; a prism P, which is a visual field direction converting element; and a rear lens group G2 having a positive refractive power, wherein the front lens group G1, the prism P and the rear lens group G2 are disposed in this order from an object side.例文帳に追加

対物系は、物体側から順に配置された、正の屈折力（パワー）を有する前群レンズ群Ｇ１と、視野方向変換素子であるプリズムＰと、正の屈折力（パワー）を有する後群レンズ群Ｇ２とを具備する。 - 特許庁

The raw material precursor is expressed by the formula: Ta(I5-m-n-p)(Brm-p)(Cln-p)(Rp) [(m) is an integer of 0-5; (n) is an integer of 0-4; (p) is an integer of 0-4; R is selected from a group consisting of hydrogen and a lower alkyl).例文帳に追加

原料前駆体は以下の式（Ｉ）で表される： Ｔａ（Ｉ_5-m-n-p）（Ｂｒ_m-p）（Ｃｌ_n-p）（Ｒ_p） （Ｉ） （ｍは０から５までの整数、ｎは０から４までの整数、ｐは０から４までの整数、Ｒは水素と低級アルキルとからなる群より選択される。） - 特許庁

To provide a forming method of p-type group III nitride semiconductor regions and group III nitride semiconductor elements which is performed by activating p-type dopants present in group III nitride semiconductor regions.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域中のｐ型ドーパントを活性化するｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor optical element capable of improving electrical characteristics of a p-type group III nitride semiconductor.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。 - 特許庁

A group II element or a group III element (or a group V or a group VI element material) is introduced into the site of the silicon atom of the iron silicide film for forming a p-type (or an n-type) iron silicide semiconductor film.例文帳に追加

鉄シリサイド膜のシリコン原子のサイトにII族元素又は III族元素（又はＶ族又はＶI族元素原料）を導入してｐ型（又はｎ型）鉄シリサイド半導体膜を形成する。 - 特許庁

In the formula, R_1 and R_2 are each a 2-4C radical having a reactive group which can form an ester group; P is a phosphorus atom with a valence of 5; n is an integer of 1-5.例文帳に追加

（但し、R_1及びR_2はエステル基を形成することが可能な反応基を有する炭素数2〜4のラジカルであり、Pは原子価5のリン原子であり、nは1〜5の整数である。） - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type group III nitride semiconductor excellent in stability and reproducibility.例文帳に追加

安定性、再現性に優れたｐ型のIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 特許庁

To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁

Illumination light emitted from a secondary light source 8 forms the image of the secondary light source 8 on a P' surface through a relay optical system comprising a lens group 5, a lens group 4, and a lens group 2.例文帳に追加

２次光源８から放出された照明光は、レンズ群５、レンズ群４およびレンズ群２からなるリレー光学系で前記２次光源の像をＰ’面に形成する。 - 特許庁

This orchid-symbiotic fungus is a filamentous fungus that is thought to belong to a new group [tentative name: SLF (Spinulospora-like fungus), DEPOSIT No: FERM-P-19696].例文帳に追加

このラン共生菌は、新属に属すると考えられる糸状菌（仮名：ＳＬＦ（Spinulospora-like fungus）株 寄託番号：FERM-P-19696）である。 - 特許庁

In the case of according to a Diffie-Hellman type key exchange system, the exchange keys α and Z of the computers 1-A, 1-C become gamod p and gzmod p, and the group secret keys calculated by the computers 1-A, 1-C become Zamod p, αzmod p, and become the same value as gazmod p.例文帳に追加

Diffie-Hellman型鍵交換方式に従った場合、計算機1-A,1-Cの交換鍵α,Ｚは、ｇａmod ｐ，ｇｚmod ｐとなり、計算機1-A,1-Cが計算するグループ秘密鍵は、Zａmod ｐ、αzmod ｐとなり、同一値ｇａｚmod ｐとなる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁

(where in the formulae Ra and Rb each independently represents a hydrocarbon group or an alkoxyhydrocarbon group provided that the carbon number in Ra is 2 or more, Rc represents a hydrocarbon group, X is a reactive group or a hydrocarbon group containing a reactive group, m is 1 to 3, n and p are each 0 to 3, and m+n+p=4).例文帳に追加

（但し、式中Ｒ^aの炭素数は２個以上であり、Ｒ^a，Ｒ^bは各々異なってまたは同じで炭化水素基またはアルコキシ炭化水素基、Ｒ^cは炭化水素基、Ｘは反応性基または反応性基を有する炭化水素基、ｍは１〜３、ｎ，ｐは０〜３、ｍ＋ｎ＋ｐ＝４である。） - 特許庁

The polymer having the ionic group has 0.2-0.995 P defined by equation (F1): P=B/A (wherein, A is the whole number of ionic groups possessed by 1g dried weight of the polymer; and B is the number of ionic groups bonded to an aromatic ring having an electron attractive group in the A).例文帳に追加

本発明のイオン性基を有するポリマーは、下記数式（Ｆ１）で定義されるＰが０．２〜０．９９５であることを特徴とするものである。 - 特許庁

A group III nitride light emitting layer is disposed between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

ＩＩＩ族発光層は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置される。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a p-type dopant and hydrogen.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a p-type dopant and hydrogen.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１は、ｐ型ドーパント及び水素を含む。 - 特許庁

The distribution of impurity concentrations is provided in a p-type group-III nitride semiconductor layer 8.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８に不純物濃度の分布を設ける。 - 特許庁

In a second embodiment, the P-transition layer is an arbitrary Group III-V semiconductor.例文帳に追加

第２実施形態では、Ｐ型遷移層は、任意のIII-Ｖ族半導体である。 - 特許庁

When the Diffie-Hellman type key exchange system is adopted, the exchange keys α, Z of the computers 1-A, 1-C are g^amod p, g^zmod p and group secret keys calculated by the computers 1-A, 1-C are Z^amod p, α^zmod p, so that the same value g^azmod p is obtained.例文帳に追加

Diffie-Hellman型鍵交換方式に従った場合、計算機1-A,1-Cの交換鍵α,Ｚは、ｇ^ａmod ｐ，ｇ^ｚmod ｐとなり、計算機1-A,1-Cが計算するグループ秘密鍵は、Z^ａmod ｐ、α^zmod ｐとなり、同一値ｇ^^ａｚmod ｐとなる。 - 特許庁

Each switch M1-M4 in the first switch group and second switch group is constituted of a P channel MOSFET.例文帳に追加

第１スイッチ群および第２スイッチ群の各スイッチＭ１〜Ｍ４は、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴで構成される。 - 特許庁

The polyethylene oxide derivative has, at one terminal, an acetal group which can undergo functional group conversion to an aldehyde group and, at the other terminal, a p-nitrophenyl carbonate group which can selectively react with a primary amino group.例文帳に追加

一方の末端にアルデヒド基に官能基変換可能なアセタール基と他末端に一級アミノ基と選択的に反応可能なｐ−ニトロフェニルカルボネート基を有するポリエチレンオキシド誘導体。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor element 11 comprises a substrate 13, an n-type group III nitride semiconductor region 15, a light-emitting layer 17, and a p-type group III nitride semiconductor region 19.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer group comprising a second group III nitride including at least Ga is formed on the p-type semiconductor layer group after the activated processing of the p-type semiconductor layer group.例文帳に追加

次いで、前記ｐ型半導体層群を活性化処理した後、前記ｐ型半導体層群上において、少なくともＧａを含む第２のＩＩＩ族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

In this case, the interpolation processing unit calculates an interpolation light reception value a_10^(1) of a p-th color array group on the basis of a second obtained light reception value a_mn of the p-th color array group.例文帳に追加

このとき、補間処理部は、第ｐ色配列グループの第２取得受光値ａ_ｍｎ等に基づいて、第ｐ色配列グループの補間受光値ａ_１０^（１）を求める。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 105 is composed of a hexagonal II-VI group compound semiconductor, for example, p-type ZnO.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 - 特許庁

The photodetector 700 comprises a beam receiving cell array A group and a B group having a beam receiving cell width 0.35P-0.40P, and a beam receiving cell array A' group and B' group having a beam receiving cell width 0.5P for an interpolation multiplication assuming that a periodical pitch between cells is a P.例文帳に追加

受光素子７００は、セル間の周期ピッチをＰとすると、受光セル幅が０．３５Ｐ〜０．４０ＰのＭ系列用の受光セルアレイＡ群，Ｂ群と、受光セル幅が０．５Ｐの内挿倍用の受光セルアレイＡ’群，Ｂ’群とを備える。 - 特許庁

In the obtained polystyrene, the group corresponding to the R is removed to convert the OR part to a hydroxy group, and the hydroxy group is partly protected with an unstable group against an acid, and as a result, a copolymer having a p-hydroxystyrene unit and the unit which is formed by protecting the hydroxy group of the p-hydroxystyrene unit with the unstable group against an acid is obtained.例文帳に追加

このポリスチレン類の−Ｒに相当する基を脱離させて、−Ｏ−Ｒの部分を水酸基とした後、酸に不安定な基でその水酸基を部分的に保護することにより、ｐ−ヒドロキシスチレン単位とその水酸基が酸に不安定な基で保護された単位を有する共重合体が得られる。 - 特許庁