「BARRIER DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

ELECTRODE FILM/SILICON CARBIDE STRUCTURE, SILICON CARBIDE SCHOTTKY BARRIER DIODE, FIELD EFFECT TRANSISTOR OF METAL-SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, OPTIMUM METHOD FOR FORMING ELECTRODE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE FILM/SILICON CARBIDE STRUCTURE例文帳に追加

電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法 - 特許庁

By adjusting a resistance value of the trimmable chip resistor 3, the bias current to flow to the Schottky barrier diode 2 is controlled, thereby tuning mixer characteristics.例文帳に追加

トリマブルチップ抵抗３の抵抗値を調整することにより、ショットキーバリアダイオード２に流れるバイアス電流を制御してミキサー特性をチューニングすることができる。 - 特許庁

To speed up the switching of a Schottky barrier diode having a super junction structure which flows a current in on-state and depletes in off-state.例文帳に追加

オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化する超接合構造を有するショットキーバリアダイオードの、高速スイッチング化を図る。 - 特許庁

To obtain a more correct measurement value by removing an error generated in photoelectric conversion when measuring a temperature change by detecting infrared rays by a thermal sensor using a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキー・バリア・ダイオードを用いた熱型センサを使い、赤外線を検出して温度変化を測定するときに光電変換で起こる誤差を除去し、より正しい測定値を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a transistor of trench gate structure and Schottky barrier diode can be mounted mixedly, inexpensively, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

トレンチゲート構造のトランジスタと、ショットキーバリアダイオードとを、低コストで混載させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device equipped with a schottky diode for controlling a barrier height to suppress the increase in a reverse leakage current value, and its production method.例文帳に追加

バリアハイトを制御し、逆方向リーク電流値が高くなることを抑制できるショットキーダイオードを備えたＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of effectively improving the trade off relation between the forward voltage(VF) of a Schottky barrier diode(SBD) and its reverse leakage current (JR).例文帳に追加

ショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）の順方向電圧（Ｖ_Ｆ）と逆方向漏れ電流（Ｊ_Ｒ）のトレードオフ関係を効果的に改善する方法を提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 11 includes a conductive nitride support substrate 13, an n^- type gallium nitride family semiconductor portion 15, an insulator 17, a first electrode 19.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１は、導電性の窒化物支持基体１３と、ｎ^−型窒化ガリウム系半導体部１５と、絶縁体１７と、第１の電極１９とを備える。 - 特許庁

A carrier spreads greatly since the downward shifting is checked by an energy barrier between the Schottky electrode and the window layer, so the light emitting efficiency of the light emitting diode rises.例文帳に追加

キャリヤは、ショットキー電極とウィンドウ層との間のエネルギー障壁によって、下方への移動が阻止されるため大いに拡がり、発光ダイオードの発光効率が向上する。 - 特許庁

In the solar cell 1, a rectification barrier wall exhibiting diode characteristics is preferably formed on the interface between the semiconductor 4 and at least one of the first electrode 3 and the second electrode 5.例文帳に追加

太陽電池１では、第１の電極３または第２の電極５の少なくとも一方と半導体４との界面に、ダイオード特性を有する整流障壁が形成されているのが好ましい。 - 特許庁

To provide the device structure of a p-n junction guard-type Schottky diode, in which the interval between the guard ring and a Schottky barrier can be controlled accurately, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ガード・リングとショットキー・バリヤとの間隔を正確に制御することができるｐ‐ｎ接合ガード型ショットキー・ダイオードのデバイス構造およびそれを製造するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide an asymmetric optical waveguide nitride laser diode structure which does not require a p-type waveguide layer nor tunnel barrier layer containing aluminum in a large amount.例文帳に追加

ｐ型導波層及びアルミニウム含有量が高いトンネルバリヤ層を必要としない非対称導波路窒化物レーザダイオード構造の提供。 - 特許庁

The detection circuit 1 comprises a slot line 2 receiving an RF signal S, DC cut lines 3-1 and 3-2 forming a capacitance, a resistor 5 and a Schottky barrier diode 6.例文帳に追加

検波回路１はＲＦ信号Ｓを入力するスロット線路２と容量を形成するＤＣカットライン３−１，３−２と抵抗５と整流用のショットキーバリアダイオード６とを備える。 - 特許庁

The present invention provides the semiconductor integrated circuit device, having the Schottky barrier diode in which contact electrodes 11 are arranged over a guard ring 9, in contact with a peripheral element isolation region.例文帳に追加

周辺の素子分離領域に接したガードリング９上に、コンタクト電極１１を配置したショットキー・バリア・ダイオードを有する半導体集積回路装置。 - 特許庁

A method of forming a Schottky barrier diode (SBD) includes a step of forming a titanium film 8 and an aluminum film 9 on the nitride semiconductor device 2 by electron-beam evaporation.例文帳に追加

本発明に従うSBDを形成する方法は、窒化物半導体２の上にチタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with its manufacturing method, of good forward characteristics and reverse characteristics which operates as a Schottky barrier diode, with a wide band gap semiconductor layer formed on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にワイドバンドギャップ半導体層を形成しつつ、順方向特性と逆方向特性がいずれも良好なショットキーバリアダイオードとして動作する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To downsize a vertical field effect transistor which has a trench structure with a built-in Schottky barrier diode.例文帳に追加

本発明は、ショットキーバリアダイオードを内蔵したトレンチ構造を有する縦型電界効果トランジスタにおいて、小型化できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

The Schottky barrier diode D1 forming region SDR is allocated at the center in the short direction of the semiconductor chip 5b, and the forming region of the power MOSFET of low side is allocated in both sides thereof.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲを半導体チップ５ｂの短方向の中央に配置し、その両側にローサイドのパワーＭＯＳ・ＦＥＴの形成領域を配置した。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that satisfactorily reduces the reverse leakage current, suppresses the forward voltage drop, and can maintain linearity in the forward direction.例文帳に追加

逆方向リーク電流を十分に低減させ、しかも、順方向の電圧降下を抑制して、順方向の直線性を維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes: a semiconductor substrate 11 of a first conductivity type; a semiconductor layer 12 of the first conductivity type; a field effect transistor (MOS) 200; and a Schottky barrier diode (SBD) 100.例文帳に追加

半導体装置１は、第１導電型の半導体基板１１、第１導電型の半導体層１２、電界効果トランジスタ（ＭＯＳ）２００、及びショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）１００を備えている。 - 特許庁

Conventionally, circuits that prevent reverse currents from a secondary battery to a solar cell use a Schottky barrier diode with reduced forward voltage and the like, and energy loss is thereby reduced.例文帳に追加

二次電池から太陽電池への逆流防止回路は、従来、順方向電圧を小さくしたショットキーバリアダイオードなどが用いられエネルギー損失を小さくしていた。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has a low forward voltage VF and a small backward leakage current IR and high element withstand voltage by improving both the forward voltage VF and backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向電圧ＶＦと逆方向漏れ電流ＩＲとの両方を改善し、順方向電圧が低くかつ逆方向漏れ電流の少く、素子耐圧の高いショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A region 6 where the Schottky barrier diode 17 is formed is nearer to the emitter layer 4 than to the central part of the base layers 3 and 7, relative to that one direction.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１７が形成された領域６は上記一方向に関してベース層３，７の中央部よりもエミッタ層４に近い位置にある。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 11, a conduction type semiconductor region 13 has a first region 13a, a second region 13b and a third region 13c.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１では、一導電型半導体領域１３は、第１の領域１３ａ、第２の領域１３ｂ、第３の領域１３ｃ有する。 - 特許庁

On the second well 4, a first MOS transistor T1 on the first well 3, a second MOS transistor T2 on the third well 5, a first Schottky barrier diode D1 are equipped.例文帳に追加

第２ウェル４上には、第１ＭＯＳトランジスタＴ１、第１ウェル３上には第２ＭＯＳトランジスタＴ２、第３ウェル５上には、第１ショットキーバリアダイオードＤ１を備える。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode for easy integration with MOSFET capable of flowing a current of wanted capacity at a low resistance, even if an SOI substrate is used.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた場合であっても、ＭＯＳＦＥＴと集積化が容易で、低抵抗で所望の大きさの電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The rectifying circuit 51 comprises a schottky-barrier diode, forms a bridge circuit, and full- wave-rectifies the AC voltage Vin fed to the AC input terminals 31 and 32.例文帳に追加

整流回路５１は、ショットキバリアダイオードからなり、ブリッジ回路を形成し、交流入力端子３１、３２に供給された交流電圧Ｖｉｎを全波整流する。 - 特許庁

Consequently the diode having a Schottky barrier by which the current capacity is increased without increasing the chip size and forward voltage is reduced can be obtained.例文帳に追加

以上により、チップサイズの増大させることなく、電流容量が増大され、順方向電圧が低減されたショットキ障壁を有するダイオードを得ることができる。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of obtaining effect of a rise in reverse breakdown voltage through relaxation of electric field concentration by a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、逆方向耐電圧上昇の効果が得られる、ショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode in which many SiC advantages are not lost, and static operational loss is not significantly increased.例文帳に追加

ＳｉＣの多くの利点が失われず、静的な動作損失が膨大に増加することがないジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode and its manufacturing method whereby a metal layer and a low-resistance epitaxial layer form a Schottky junction, thereby improving the backward current characteristic, without degrading the forward voltage characteristic.例文帳に追加

金属層と低抵抗エピタキシャル層とでショットキ接合を形成することにより、順方向電圧特性を低下させることなく、逆方向電流特性を向上させたショットキバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The resonance tunnel diode has a structure sandwiching a quantum well layer between a pair of energy barrier layers, and the quantum well layer is composed of a semiconductor nano-structure (e.g. a single-layer carbon nanotube (CNT)) having an anisotropic atomic arrangement.例文帳に追加

本発明の共鳴トンネルダイオードは、量子井戸層を一対のエネルギ障壁層で挟んだ構造を持ち、量子井戸層は、異方的原子配列を持つ半導体ナノ構造体（例えば単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ））からなる。 - 特許庁

In a static operation mode such as a standby mode, the n-channel MOS FET TNG is made an off state, a potential of a ground node NG is raised by a barrier potential Vf of the diode DIG.例文帳に追加

スタンバイモードなどの静的動作モードでは、ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＴＮＧがオフ状態となり、接地ノードＮＧの電位がダイオードＤＩＧの障壁電位Ｖｆ分だけ上昇する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that easily performs control in manufacturing, and can reduce a reverse recovery time Trr without increasing leakage in the opposite direction.例文帳に追加

製造上の制御が容易で、逆方向のリークを増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できるショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which can be markedly lessened in reverse current, reduced in electrostatic capacity, and enhanced in high-frequency characteristic.例文帳に追加

逆方向電流を大幅に小さくすることができ、かつ静電容量も低減できる高周波特性に優れたショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A winding ratio of the rectifier signal detection winding 12 to a primary winding 24 is set so as to generate a low high frequency voltage not to deteriorate a schottkey-barrier diode 14 having a low breakdown voltage.例文帳に追加

整流信号検出用巻線１２の一次巻線２４に対する巻線比は、耐電圧の低いショットキーバリアダイオード１４が劣化しない程度の低い高周波電圧を発生するように設定する。 - 特許庁

This counter-electromotive voltage Vl offsets the forward voltage Vf caused by the diode 8, thereby making the forward voltage applied to the thrysitor 2 to less than barrier layer voltage Vse.例文帳に追加

この逆起電圧Ｖlがダイオード８が発生する順方向電圧Ｖｆを相殺して、サイリスタ２に加わる順電圧をえん層電圧Ｖse未満にする。 - 特許庁

To avoid causing a barrier to be produced against transferred charges because of mismatched edge positions of the transfer gates with opposite conduction type regions (pining regions) on a photodiode surface for forming an embedded diode structure.例文帳に追加

埋込ダイオード構造を形成するためのフォトダイオード表面の逆導電型領域（ピニング領域）と転送ゲートとのエッジ位置の不整合により、転送電荷に対するバリアが生じてしまうこと。 - 特許庁

A forward voltage VF of a parasitic diode of the P type MOS transistors 5 and 6 is superimposed, and acts as a potential-jump barrier for resisting reverse current from the IO terminal 1 towards the power source.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５，６の寄生ダイオードの順方向電圧ＶＦが重畳し、ＩＯ端子１から電源に向けての逆電流を阻止する電位障壁として作用する。 - 特許庁

Preferably in the Schottky barrier diode 10, peak concentration of carbon in the interface between the GaN layer 3 and the Schottky electrode 4 is ≥1×10^19 cm^-3.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１０において好ましくは、ＧａＮ層３とショットキー電極４との界面の炭素のピーク濃度は、１×１０^19ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

This Schottky barrier diode 10 includes a substrate, a GaN layer 3 formed on the substrate, and a Schottky electrode 4 formed in contact with a surface of the GaN layer 3.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１０は、基板と、基板上に形成されたＧａＮ層３と、ＧａＮ層３上に接して形成されたショットキー電極４とを備えている。 - 特許庁

Further, the anode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a second output line 18 via a connection metal member 32 on which an inductance L2 is parasitic.例文帳に追加

さらに、第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは、インダクタンスＬ２が寄生している接続金属部材３２を介して、第２出力線１８に接続されている。 - 特許庁

On the surface of circuit board facing the organic light-emitting diode, a metal coating 104 as a permeation barrier is provided over its whole region.例文帳に追加

有機発光ダイオードの方を向く回路基板の表面には、その全体の領域上に、透過バリアとしての金属コーティング１０４が備えられている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that improves trade-off characteristics between a forward surge breakdown voltage and a forward drop voltage VF and prevents an increase in backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向サージ耐圧と順方向降下電圧ＶＦとのトレードオフ特性を改善することが可能で、かつ、逆方向漏れ電流ＩＲが増加してしまうことのないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

In each pillar 16a, a diode 22, barrier metal 23, a cathode electrode 24, a variable resistance film 25, and an anode electrode 26 are laminated, in this order.例文帳に追加

各ピラー１６ａにおいては、ダイオード２２、バリアメタル２３、陰極電極２４、抵抗変化膜２５及び陽極電極２６をこの順に積層させる。 - 特許庁