「BARRIER DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

This Schottky barrier diode is prepared by forming a polysilicon film 6 on the surface with a 2.0 to 3 μm thickness epitaxial layer 2 formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 1, and evaporating and diffusing a second conductivity-type impurity from the film 6 to form a 0.2 to 0.5 μm thickness annular guard ring layer 4.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成した厚さ２．０〜３μｍのエピタキシャル層２の表面にポリシリコン膜６を形成し、このポリシリコン膜６上から第２導電型の不純物を蒸着、拡散して厚さ０．２〜０．５μｍのガードリング層４を環状に形成する。 - 特許庁

In this case, the Schottky barrier diode comprising the junction of a diffusion layer used in the formation of the circuit element to a metal wiring layer is used in the latch-up-operation preventing circuit of the parasitic thyristor so that with a smaller area, higher protective effect for the circuit than that of the conventional cases can be obtained.例文帳に追加

そして、回路素子の形成に用いられる拡散層と金属配線層の接合からなるショットキーバリアダイオードを寄生サイリスタラッチアップ動作防止用回路に用い、従来のものよりもより小面積で、より高い保護効果を得ることができるようにしてている。 - 特許庁

The semiconductor diode capable of detecting hydrogen includes a semiconductor substrate, a doped semiconductor active layer, consisting of a compound having the formula XYZ (where X is a group III element, Y is a group III element other than X, and Z is a group V element), an ohmic contact layer formed on the active layer, and a Schottky barrier contact layer formed on the active layer so as to provide the Schottky barrier.例文帳に追加

水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式：ＸＹＺ（式中、ＸはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である）を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。 - 特許庁

A Schottky barrier diode comprises a doped guard ring having a doping of a second conductivity type in a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate.例文帳に追加

ショットキー障壁ダイオードは、セミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板内の第２の導電型のドーピングを有するドープ保護環（リング）を含み、さらにダミー・ゲート電極の一方の側の、第２の導電型とは反対型の第１の導電型のドーピングを有する第１導電型ドープ半導体領域を含み、そしてショットキー障壁構造部は他方の側がドープ保護環により囲まれる。 - 特許庁

To provide a method of forming nickel silicide which can reduce the number of processes for forming nickel silicide capable of being used for various purposes in the semiconductor and advanced packaging technology such as formation of gate electrodes, ohmic contacts, interconnection lines, Schottky barrier diode contacts, photovoltaics, solar cells and optoelectronic components.例文帳に追加

半導体及び先端実装技術、例えば、ゲート電極、オーミック接触、相互接続ライン、ショットキー障壁ダイオード接触、光起電力、太陽電池及び光電子部品形成などにおける様々な目的のために使用されうるケイ化ニッケルの形成工程数を削減する形成方法を提供する。 - 特許庁

In a non-insulated type DC-DC converter in which a power MOSFET for high side switch and a power MOSFET for low side switch are connected in series, the power MOSFET for low side switch and a Schottky barrier diode D1 connected in parallel with the power MOSFET for low side switch are formed in the same semiconductor chip 5b.例文帳に追加

ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴと、そのローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴに並列に接続されるショットキーバリアダイオードＤ１とを同一の半導体チップ５ｂ内に形成した。 - 特許庁

By forming a potential barrier forming p-type layer 24 in a region in a p-well other than a region below a gate of a first MOS transistor 22, when charges are stored, the charges overflowing from a photo diode 21 can be made to flow into a channel 31 even if the first transfer MOS transistor 22 is turned off without fail as much as possible.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ２２のゲートの下方の領域を除くＰウェル内の領域にポテンシャル障壁形成用Ｐ型層２４を形成することにより、電荷を蓄積する際に、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２を可及的に確実にオフしても、フォトダイオード２１から溢れた電荷を経路３１に流入させることができるようにする。 - 特許庁

The light emitting diode is equipped with: an emission section 7 having an active layer for emitting infrared light while including layered structure of a well layer and a barrier layer comprising a composition formula of (Al_XGa_1-X)As (0≤X≤1); a current diffusion layer 8 formed on the emission section 7; and a functional substrate 3 joined to the current diffusion layer 8.例文帳に追加

本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）Ａｓ（０≦Ｘ≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有して赤外光を発する活性層を含む発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a fabricating method of silicon carbide substrate which provides a substrate adapted its specification of wafer to the structure of a device including the substrate, as well as the substrate fabricated with this method, and a fabricating method of a Schottky barrier diode and a silicon carbide film in a way of saving more money and resources than the present.例文帳に追加

現状よりも安価、省資源で炭化ケイ素基板を製造、提供できることを目的とし、さらに、適用するデバイス構造に適したウエハ仕様を実現することが可能な、炭化ケイ素基板の製造方法およびその製造方法により製造された炭化ケイ素基板、ならびに、ショットキーバリアダイオードおよび炭化ケイ素薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode film/silicon carbide structure whose structure is easy and its manufacturing process is simple and short preventing an electrode film from peeling, to provide a silicon carbide schottky barrier diode, to provide a field effect transistor of a metal-silicon carbide semiconductor structure, to provide the optimum method for forming an electrode film, and to provide a method for manufacturing an electrode film/silicon carbide structure.例文帳に追加

電極膜の剥離を防止しつつ、構造が容易で製造工程が簡易で短い電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

In the power supply device which includes a power factor improving circuit 3, a resonance circuit 4, and a smoothing capacitor 6 provided at its output side to supply a dc voltage to the load through the back-flow preventing field effect transistor 7; a Schottky barrier diode 15 is connected between the drain and the source of the field effect transistor 7.例文帳に追加

力率改善回路３と、共振回路４と、その出力側に設けた平滑用のコンデンサ６とを有し、負荷に逆流防止用の電界効果トランジスタ７を介して直流電圧を供給するようにした電源装置において、この逆流防止用の電界効果トランジスタ７のドレインーソース間にショットキバリアダイオード１５を接続したものである。 - 特許庁

To surely prevent increase of excessive currents at forward current flow and reverse currents which is caused by a pin hole formed on a Shottky electrode, relating to a Shottky barrier diode in which the Shottky electrode is provided on the surface of a silicon carbide epitaxial film grown from the surface of a silicon carbide single crystal substrate, on which a pad electrode is provided.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の表面にショットキー電極が設けられ、ショットキー電極の上にパッド電極が設けられたショットキーバリアダイオードにおいて、ショットキー電極に形成されたピンホールを起因とする順方向通電時における過剰電流および逆方向リーク電流の増加を確実に防止すること。 - 特許庁

The decoding part 31 detects a human body itself or the motion of an object moving following the motion of the human body based on the output signal of the shot key barrier diode 23, decodes an instruction intended by the human body itself or the motion of the object, and outputs it to equipment which takes this instruction as input signal such as a personal computer or television.例文帳に追加

解読部３１は、ショットキーバリアダイオード２３の出力信号に基づいて、人体自身又は人体の動きに付随して移動する物体の動きを検知し、予め設定された関係に基づいて、人体自身又は物体の動きが意図する指示を解読し、この指示を入力信号とするパーソナルコンピュータやテレビ等の機器に出力する。 - 特許庁

By forming a potential barrier forming p-type layer 24 in a region in a p-well other than a region below a gate of a first MOS transistor 22, when charges are stored, the charges overflowing from a photo diode 21 can be made to flow into a channel 31 even when the first transfer MOS transistor 22 is turned off without fail as much as possible.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ２２のゲートの下方の領域を除くＰウェル内の領域にポテンシャル障壁形成用Ｐ型層２４を形成することにより、電荷を蓄積する際に、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２を可及的に確実にオフしても、フォトダイオード２１から溢れた電荷を経路３１に流入させることができるようにする。 - 特許庁

The gain medium 4 comprises two or more quantum well layers 9 and 11 and a plurality of barrier layers 8, 10 and 12 for separating the respective quantum well layers, and is in a configuration based on a resonance tunnel diode wherein the transition of the carrier occurs through a photon assist tunnel between the subbands of the two or more quantum well layers 9 and 11 and the gain is generated.例文帳に追加

利得媒質4は、2つ以上の量子井戸層9、11と各量子井戸層を隔てる複数の障壁層8、10、12から構成されて、2つ以上の量子井戸層9、11のサブバンド間でキャリアの遷移がフォトンアシストトンネルを経て生起して利得が発生する共鳴トンネルダイオードに基づく構成である。 - 特許庁

The LED chip of this nitride semiconductor light emitting diode is formed in such a large area that contains a plurality of low-dislocation density areas 34 and high-dislocation density areas 32 by using a nitride semiconductor substrate 16 in which the areas 34 and 32 alternately exist in short cycles and currents are concentrated to the areas 34 by means of current barrier layers 24 provided under a p-electrode 26.例文帳に追加

低転位密度領域３４と高転位密度領域３２が短周期に交互に存在する窒化物半導体基板１６を用いて、両方の領域が各々複数含まれるような大面積にＬＥＤチップを形成し、ｐ電極２６の下側に設けた電流障壁層２４により低転位密度領域３４に電流を集中させる。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

The cascode connection circuit of two field effect transistors (hereinafter, referred to "FET") comprises a first FET having a grounded source, a second FET having a source connected with the drain of the first FET, and a Schottky barrier diode having an anode connected with the source of the first FET, and a cathode connected with the gate of the second FET.例文帳に追加

２つの電界効果型トランジスタ（以下、「ＦＥＴ」という。）がカスコード接続されたカスコード接続回路であって、ソースが接地された第１のＦＥＴと、ソースが第１のＦＥＴのドレインに接続された第２のＦＥＴと、アノードが第１のＦＥＴのソースに接続され、カソードが第２のＦＥＴのゲートに接続されたショットキーバリアダイオードとを備えている。 - 特許庁

To provide a low-cost NRD guide frequency converter, with which an intermediate frequency(IF) signal is converted into a radio frequency(RF) signal or RF signal is converted into the IF signal completely only by one Schottky barrier diode without using conventionally required circulator and directional coupler, concerning an NRD guide frequency converter used for radio communication equipment.例文帳に追加

無線通信機器で使用されるＮＲＤガイド周波数変換器において、従来使用されているサ−キュレ−タ−と方向性結合器を用いず、ショットキ−バリアダイオ−ドが一つで済む、中間周波数信号を無線周波数信号に変換する、あるいは無線周波数信号を中間周波数信号に変換する、低コストなＮＲＤガイド周波数変換器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The magnetoresistance RAM comprises a plurality of P-N diodes formed in a plurality of N^+-type regions in a semiconductor substrate, a barrier conductive layer, the MTJ and the word line laminated on a P-type impurity region to an MRAM cell array so that one end of the N^+-type region is coupled to a bit line, and the other end is connected to the cell plate via a diode.例文帳に追加

半導体基板内の複数のＮ＋領域に複数のＰ−Ｎダイオードを形成し、Ｐ型不純物領域の上に、バリヤー導電層、ＭＴＪ、及びワードラインを積層してＭＲＡＭセルアレイとし、Ｎ＋領域の一端はビットラインと連結し、他端はダイオードを介してセルプレートと接続する。 - 特許庁

A fabrication process of a Schottky barrier diode comprises a step for forming an n-type SiC layer 10, a step for forming a trench 30 on the surface of the n-type SiC layer 10, and a step for heat treating the n-type SiC layer 10 while supplying silicon and nitrogen to the surface of the n-type SiC layer 10 after the step for forming a trench 30.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 - 特許庁

A phototransistor forming a Schottky barrier diode between the base and collector by the contact of the exposed region 11 with the base electrode 6 on a semiconductor substrate 1 composing a collector layer exposed to the surface is surrounded by the metallic layers 7, 8, 9 in an emitter potential almost at the whole periphery of the base electrode 6.例文帳に追加

表面に露出したコレクタ層を構成する半導体基板１の露出領域１１とベース電極６との接触によりベース・コレクタ間にショットキーバリアダイオードを形成してなるフォトトランジスタにおいて、前記ベース電極６の略全周囲近傍をエミッタ電位の金属層７、８、９にて取り囲んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving the resistivity of a drift layer in a semiconductor substrate, mitigating an electric field in a vertical direction in a Schottky barrier diode region and improving a backward withstand voltage while reducing on-state resistance at the time of forward bias of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタの順バイアス時におけるオン抵抗を小さく抑制しながら、半導体基板中のドリフト層の比抵抗を高めてショットキーバリアダイオード領域における垂直方向の電界を緩和し、逆方向耐圧を向上させることが可能な構成の半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a non-insulating type DC-DC converter wherein a power MOSFET for high side switch and a power MOSFET for low side switch are connected in series, the power MOSFET for low side switch and a Schottky barrier diode D1 connected in parallel with the power MOSFET for low side switch are formed in the same semiconductor chip 5b.例文帳に追加

ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴと、そのローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴに並列に接続されるショットキーバリアダイオードＤ１とを同一の半導体チップ５ｂ内に形成した。 - 特許庁

This Schottky barrier diode has an anode electrode, having unevenness on one surface, a p-type semiconductor layer which is jointed with a 1st region on the other surface of the anode electrode, an n-type semiconductor layer which is jointed with a 2nd region on the other surface of the anode electrode, and a cathode electrode and a projection part of the anode electrode is positioned above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

一方の面に凹凸が付されたアノード電極と、アノード電極の他方の面の第１の領域に接合されたｐ型半導体層と、アノード電極の他方の面の第２の領域に接合されたｎ型半導体層と、カソード電極とを備えたショットキーバリアダイオードであって、アノード電極の凸部分が、ｐ型半導体層の上に位置するよう配置されているショットキーバリアダイオード等を提供する。 - 特許庁