「BARRIER DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a method for manufacturing an SiC Schottky barrier diode which can suppress an increase in leakage current at the time of a reverse bias without generating surface roughness.例文帳に追加

表面荒れを発生させることなく、逆方向のバイアス時にリーク電流の増加を抑制できるSiCショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can resolve problems of current collapse and long-term reliability by alleviating electric field concentration generated at an electrode end when a reverse voltage is applied to a device, such as an SBD (Schottky Barrier Diode), an HEMT (High Electron Mobility Transistor), and the like.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which is reducible in capacity and suitable to high frequencies, specially, for a mixer, etc., while maintaining forward and backward characteristics.例文帳に追加

順方向特性及び逆方向特性を維持しつつ、かつ容量も小さくすることができ、特にミキサ用など高周波用に適したショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode where a Schottky metal 5 can be prevented from separating from an insulating film 4 due to the fact that bonding between the Schottky metal 5 and the insulating film 4 is not high enough in strength.例文帳に追加

ショットキメタル５と絶縁被膜４との接着強度が小さいことに起因するショットキメタル５と絶縁被膜４の剥離現象を防止したショットキバリアダイオードを提供することを目的とする。 - 特許庁

To fabricate a Schottky barrier diode in which a decrease in on current caused by parasitic resistance is suppressed, variations in on current are suppressed, and an increase in off current is suppressed.例文帳に追加

寄生抵抗によるオン電流の低下を抑え、かつ、オン電流のばらつきを抑え、さらに、オフ電流の上昇を抑えたショットキーバリアダイオードを作製する。 - 特許庁

According to laminate structure of the light emitting diode element 10, potential-jump barrier does not impede carrier injection even if bias voltage is applied, so that carriers can be injected with high efficiency into the i-type ZnO light emitting layer 2.例文帳に追加

この発光ダイオード素子１０の積層構造によれば、バイアス電圧を印加しても電位障壁がキャリア注入を阻害せず、ｉ型ＺｎＯ発光層２へ高効率にキャリアを注入できる。 - 特許庁

In a junction barrier Schottky diode, the gradient of a pn-junction present at the side of a p-type region forming the pn-junction is sharper than the gradient of a pn-junction present at the bottom of the p-type region.例文帳に追加

本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。 - 特許庁

Therefore, carrier confinement rate is enhanced significantly as compared with a case where the carrier barrier layer 4 is not present and emission efficiency is enhanced, and a light emitting diode element exhibiting excellent reliability can be obtained.例文帳に追加

そのため、キャリア障壁層４がない場合に比してキャリア閉じ込め率が格段に高くなり、発光効率が向上し、信頼性に優れた発光ダイオード素子が得られる。 - 特許庁

A resonance tunnel diode has an emitter layer 92 made of InGaAs doped with an impurity, a first barrier layer 94 made of AlAs, a well layer 95 made of electrically neutral InGaAs, a second barrier layer 96 made of AlAs, electron transit layers 97 to 99, and a collector layer 100 made of InGaAs doped with an impurity.例文帳に追加

共鳴トンネルダイオードは、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層９２と、ＡｌＡｓからなる第１の障壁層９４と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる井戸層９５と、ＡｌＡｓからなる第２の障壁層９６と、電子走行層９７〜９９と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層１００とを有する。 - 特許庁

The invention relates to a structure of a light emitting diode including a substrate, a first conductivity semiconductor layer formed on the substrate, a light emitting layer formed on the first conductivity semiconductor layer, a second conductivity semiconductor layer formed on the light emitting layer, a barrier layer formed on the second conductivity semiconductor layer, and a contact layer formed on the barrier layer.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された第１の導電性半導体層と、第１の導電性半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２の導電性半導体層と、第２の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造である。 - 特許庁

In the power semiconductor module used in the power conversion circuit, a part connecting two or more shottky barrier diodes in series comprising at least a switching element and SiC is mounted, and the shottky barrier diode comprising at least two or more SiC connected in series above is connected in reverse parallel with the switching element.例文帳に追加

電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも１個のスイッチング素子とＳｉＣからなる２個以上のショットキーバリアダイオードが直列に接続された部分を搭載し、前記の直列に接続された少なくとも２個以上のＳｉＣからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した。 - 特許庁

A barrier correction layer 20 between a surface anode and the cathode part which is inside an epitaxial layer is formed so as to lower or raise the threshold turn-on electric potential of a Schottky diode depending on whether a diode junction silicide is formed of Ti or Pt.例文帳に追加

表面アノードとエピタキシャル層の内部のカソード部との間にあるバリア修正層（２０）を、ダイオード接合シリサイドがＴｉを用いて形成されているかＰｔを用いて形成されているかに応じて、ショットキ・ダイオードのスレショルド・ターンオン電位を低下又は上昇させるように設計する。 - 特許庁

By this, when the reverse leak current Ir of the Schottky barrier diode (SBD) D51B is increased (when the temperature of the rectifying diode D51A is raised due to an overload), a feedback signal of the output voltage detection circuit 10A is increased, and an output voltage is lowered, thus performing the overheat protection of the DC power supply device 1A.例文帳に追加

これにより、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）Ｄ５１Ｂの逆方向漏れ電流Ｉｒが増大した場合（過負荷により整流ダイオードＤ５１Ａの温度が上昇した場合）に、出力電圧検出回路１０Ａのフィードバック信号を増大させて、出力電圧を低下させ、直流電源装置１Ａの過熱保護を行う。 - 特許庁

An insulating film having an opening is provided below a region of the Schottky barrier diode where at least an external connection means is fixed, to form a Schottky metal layer, and the diode characteristics are prevented from deteriorating owing to the mechanical damage when the anode electrode made of, for example, aluminum and an aluminum wire are connected to each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの少なくとも外部接続手段を固着する領域の下方に開口部を有する絶縁膜を設けショットキー金属層を形成し、例えばアルミニウムからなるアノード電極とアルミニウムワイヤの接合時の機械的ダメージによるダイオード特性の劣化を防止することができる。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 20 is formed, which has an N-silicon region 21 in a region neighboring a vertical P-channel power MOSFET and demarcated by an insulating layer, a Schottky electrode 23 Schottky-connected with the N-silicon region 21, an N+silicon region 22 formed in the surface layer part of the N-silicon region 21, and a diode electrode 24 electrically connected with the N+silicon region 22.例文帳に追加

縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴに隣接し、絶縁層により区画された領域にＮ−シリコン領域２１と、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続されるショットキー電極２３と、Ｎ−シリコン領域２１の表層部に形成されたＮ＋シリコン領域２２と、Ｎ＋シリコン領域２２と電気的に接続されたダイオード電極２４と、を有するショットキーバリアダイオード２０を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device composed of a semiconductor wafer 1, an element isolation region 3 formed on the surface of this semiconductor wafer, a complementary MIS transistor formed on the semiconductor wafer and a Schottky barrier diode formed inside a region, which is surrounded with the element isolation region, on the semiconductor wafer, Schottky junction 8a comprising the Schottky barrier diode is formed away from the element isolation region for a fixed distance.例文帳に追加

半導体基板１と、該半導体基板表面に形成された素子分離領域３と、前記半導体基板上に形成された相補型ＭＩＳトランジスタと、前記素子分離領域に囲まれた半導体基板上の領域内に形成されたショットキーバリアダイオードとからなり、該ショットキーバリアダイオードを構成するショットキー接合８ａが前記素子分離領域から一定距離離れて形成されてなる半導体装置。 - 特許庁

To provide a compact integrated circuit having a high-voltage Schottky barrier diode (SBD) and integrated high voltage SBDs so as to prevent the breakdown voltage of each SBD from decreasing, and applying different voltages to the electrodes of multiple SBDs.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のＳＢＤのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のＳＢＤ及び高耐圧のＳＢＤが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a light emitting diode having an active region of a multiple quantum well structure in which well layers and barrier layers are alternately laminated between a nitride gallium based N-type compound semiconductor layer and a nitride gallium based P-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層との間にウェル層と障壁層が交互に積層された多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

The Schottky diode is composed of a semiconductor substrate whose surface is a first crystal orientation plane, and a metallic part that is made of metallic atoms introduced through the surface of the semiconductor substrate to form a Schottky barrier on the second crystal orientation plane of the semiconductor substrate.例文帳に追加

表面が第一の結晶方位面の半導体基板と、前記半導体基板の表面から侵入した金属原子からなり、前記半導体基板の第二の結晶方位面でショットキー障壁を形成する金属部とを有することを特徴とするショットキーダイオードによって解決する。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector which uses a high-purity InSb single crystal with no impurities doped artificially as a detection medium of radiation and having a surface-barrier-type electrode, formed using an Au/Pd alloy to obtain diode characteristics, is manufactured.例文帳に追加

放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ・Ｐｄ合金を用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

The Doppler module 5 includes a coupler for making a signal oscillated from a dielectric oscillator 20 interact with a signal received by an antenna 22, and a shot key barrier diode 23 rectifying a signal outputted from the coupler.例文帳に追加

ドップラーモジュール５には、誘電体発振器２０から発振された信号とアンテナ２２により受信された信号とを相互作用させるカプラ、及びカプラから出力された信号を整流するショットキーバリアダイオード２３が設けられている。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes a GaN self-supporting substrate 2 having a surface 2a, a GaN epitaxial layer 3 formed on the surface 2a, and an insulating layer 4 formed on the surface 3a of the GaN epitaxial layer 3 with an opening formed thereon.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、表面２ａを有するＧａＮ自立基板２と、表面２ａ上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成され、開口部が形成されている絶縁層４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 200 is a trench gate type semiconductor device in which the Schottky barrier diode and the power MOS are formed on the same substrate, wherein a Schottky range and a MOS range are alternately arranged using a trench gate 21 as a boundary.例文帳に追加

半導体装置２００は，ショットキバリアダイオードとパワーＭＯＳトランジスタとが同一基板上に形成されたトレンチゲート型半導体装置であり，ショットキ領域とＭＯＳ領域とがトレンチゲート２１を境界として交互に配置されている。 - 特許庁

The oscillator has a variable capacitance diode 11, a distal end open stub (capacitive stub) 15 indicating capacitive characteristics near a tuning frequency, and a reference voltage applying circuit becoming an open state near an oscillation frequency and for providing barrier potential of the variable capacitive element.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１と、同調周波数近傍で容量性の特性を示す先端開放スタブ（容量性スタブ）１５と、共振周波数近傍で開放となり、かつ、前記可変容量素子の障壁電位を与えるための基準電圧印加回路とを備える。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that reduces the anode electrode area, while ensuring a Schottky junction area, suppresses the increase in the reverse leakage current accompanying the reduction in the anode electrode area by an isolation embedded layer, and further can appropriately maintain linearity in the forward direction.例文帳に追加

ショットキー接合面積を確保しながらアノード電極面積を縮小し、それに伴う逆方向リーク電流の増大を分離埋め込み層により抑制し、しかも、順方向の直線性を良好に維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector is manufactured by using a high-purity InSb single crystal in which impurity is not doped artificially as a detection medium of radiation, and in order to obtain diode characteristics, a surface barrier type electrode is formed by using Au-Pd.例文帳に追加

放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ−Ｐｄを用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

To provide a trench Schottky barrier diode that improves the relation of trade-off between a leakage current IR in reverse direction and a forward drop voltage VF even when the carrier balance is excessive in n because of the variation of production.例文帳に追加

製造ばらつきに起因してキャリアバンスがｎ過多となった場合でも、逆方向リーク電流ＩＲと順方向降下電圧ＶＦとの間にあるトレードオフの関係を改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

Because the Schottky electrode 24 is Schottky-connected with the N-silicon region 21, an electrode material compatible with a semiconductor process can be used, and therefore, it is possible to form the Schottky barrier diode 20 on a semiconductor substrate 11 identical to that of the vertical P-channel power MOSFET 10.例文帳に追加

ショットキー電極２４は、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続するため、半導体プロセスと整合性のある電極材料を用いることができるので、縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ１０と同一半導体基板１１上にショットキーバリアダイオード２０を形成することができる。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes an epitaxial layer 4 in which a plurality of trenches 7 are formed by digging from a surface and mesas 8 are formed between the adjacent trenches 7, and a Schottky metal 11 formed in contact with the surface of the epitaxial layer 4 including an inner wall surface of the trenches 7.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１は、表面から掘り下げた複数のトレンチ７が形成され、隣接するトレンチ７の間にメサ部８が形成されたエピタキシャル層４と、トレンチ７の内壁面を含むエピタキシャル層４の表面に接するように形成されたショットキメタル１１とを含む。 - 特許庁

A Schottky barrier diode constituting a majority carrier device is connected in parallel with a PN junction capable of being forward-biased so that a minority carrier may not be generated by the PN junction forward-biased, and thereby suppressing the parasitic effect.例文帳に追加

順方向バイアスされる可能性のあるＰＮ接合に並列に多数キャリアデバイスであるショットキーバリアダイオードを接続することで、ＰＮ接合が順バイアスされ少数キャリアが発生しないようにし、寄生効果を抑制する。 - 特許庁

An organic light-emitting diode device has a lower electrode on an upper surface of a color filter and a barrier layer is not placed inside the color filter and a lower electrode is placed direct on the upper surface of an overcoat layer of the color filter.例文帳に追加

本発明は、有機発光ダイオード装置に関するもので、それは主に、カラーフィルタの上部表面に下部電極を設け、その中のカラーフィルタ内部にバリア層を設置せずに、下部電極を直接、カラーフィルタのオーバーコート層の上部表面に設置する。 - 特許庁

To provide a versatile photocurable resin composition usable for production of organic light emitting diode (OLED), liquid crystal display (LCD) and flexible display, etc., by improving heat conductivity and barrier performance to steam.例文帳に追加

本発明は、熱伝導度及び水分に対するバリアー性が改善されることで、有機発光ダイオード(ＯＬＥＤ)、液晶ディスプレイ(ＬＣＤ)及びフレキシブルディスプレイのようなディスプレイ製造に有用な光硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Moreover, a plurality of gate fingers 6b are extensively allocated to hold the forming region SDR toward the forming region SDR of the Schottky barrier diode D1 at the center from the gate finger 6a at the area near both longer sides at the main surface of the semiconductor chip 5b.例文帳に追加

また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 - 特許庁

An n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 of a Schottky barrier diode includes a substrate 11 having a principal surface 11a and a first semiconductor region 19a of a forward mesa shape having a side surface 19d and a top surface 19c and provided on the principal surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードのｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９は、主面１１ａを有する基板１１と、側面１９ｄと上面１９ｃを有しており順メサ形状の第１の半導体領域１９ａを含み基板１１の主面１１ａ上に設けられている。 - 特許庁

In the wavelength variable laser diode of a TTG-DFB structure, a semiconductor barrier layer (27) is formed around a current path of a drive current or a control current to an active layer (22E) or a tuning layer (22C) to suppress carrier leakage.例文帳に追加

ＴＴＧ−ＤＦＢ構造の波長可変レーザダイオードにおいて、活性層（２２Ｅ）あるいはチューニング層（２２Ｃ）への駆動電流あるいは制御電流の電流路の周囲に、半導体障壁層（２７）を形成し、キャリアのリークを抑制する。 - 特許庁

The discharging PTC element 3 and the charging PTC element 5 are connected to the secondary battery 2 in series, and a Schottky barrier diode 6, that sets the flow direction of the discharge current to the forward direction, is connected to the discharging PTC element 5 in parallel.例文帳に追加

放電用ＰＴＣ素子３および充電用ＰＴＣ素子５は、二次電池２に対して直列に接続されており、充電用ＰＴＣ素子５には、放電電流の流れる方向を順方向とするショットキーバリアダイオード６が並列に接続されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the Schottky barrier diode, a step (S10) of forming a first mask layer which covers part of a surface of the substrate and whose side shows a forward tapered shape with respect to the surface of the substrate on the GaN substrate is performed.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法では、ＧａＮ基板上に、当該基板の表面の一部を覆うと共に側面が基板の表面に対して順テーパ状になっている第１のマスク層を形成する工程（Ｓ１０）を実施する。 - 特許庁

A plurality of gate fingers 6b are extendingly disposed so as to interpose the Schottky barrier diode D1 forming region SDR therebetween, from gate fingers 6a located close to both long sides of the principal surface of the semiconductor chip 5b toward the forming region SDR at the center.例文帳に追加

また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 - 特許庁

A source electrode 26 is in contact with the source area 15, a body contact area 16 and the drift area 14 within the source trench 5, and it forms lower hetero-junction of junction barrier than the diffusion potential of the body diode 32 between the drift area 14 and it.例文帳に追加

ソース電極２６は、ソーストレンチ５内において、ソース領域１５、ボディコンタクト領域１６およびドリフト領域１４に接し、ドリフト領域１４との間に、ボディダイオード３２の拡散電位よりも低い接合障壁のヘテロ接合を形成している。 - 特許庁

In the active portion 21 and a voltage withstanding structure portion 22 of a TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) diode, an end portion trench 7 surrounding active portion trenches 12 is provided, and an active end portion 19 being an outer circumferential side end portion of an anode electrode 3 is in contact with conductive polysilicon 13 provided inside the end portion trench 7.例文帳に追加

ＴＭＢＳダイオードの活性部２１と耐圧構造部２２において、活性部トレンチ１２を取り囲むように端部トレンチ７が設けられ、アノード電極３の外周側の端部である活性端部１９は、端部トレンチ７の内部に設けられた導電性のポリシリコン１３と接している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a Schottky barrier diode and a power MOS transistor are formed on the same substrate and which suppresses locally concentrated generation of heat, has high pressure resistance and low on-resistance, and can be easily manufactured; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードとパワーＭＯＳとが同一基板上に形成されたものであって，熱が局所的に集中して発生することを抑制し，高耐圧かつ低オン抵抗であり，製造が容易な半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁

A barrier metal 12 building a Schottky junction 26 is formed on the n^--layer 21 between the p guard rings 22 and a reverse connection diode 20 made of a p poly-silicon layer 27 and an n poly-silicon layer 28 is formed between the p guard ring 22 and the p^+-layer 24 via an oxide film 13.例文帳に追加

ｐガードリング２２で挟まれたｎ^- 層２１上にショットキー接合２６を形成するバリアメタル１２を形成し、ｐガードリング２２とｐ^+ 層２４の間に酸化膜１３を介してｐポリシリコン層２７とｎポリシリコン層２８からなる逆接ダイオード２０を形成する。 - 特許庁

A diode barrier, where the junctions 140 are formed between the semiconductor section 130 and the first and second magnetic section 120, prevents current from flowing from the first magnetic section 110 to the second magnetic section 120 to store electrical energy.例文帳に追加

半導体セクション１３０と、第１の磁性セクション１１０および第２の磁性セクション１２０との間の接合面１４０により形成されるダイオードバリアが第１の磁性セクション１１０から第２の磁性セクション１２０への電流の流れを防ぎ、電気エネルギを蓄積する。 - 特許庁

A sealing material 8 is constructed so as to be a barrier with respect to the fragments of a common wire 3 cut off with a laser beam irradiating it from a lower portion of an array substrate 1, by arranging a section 6 to be cut off from the common wire 3 connected to the protective diode 4 so as to correspond to the sealing material 8.例文帳に追加

保護ダイオード４に接続された共通配線３の切断部６をシール材８に対応するように配置することで、アレイ基板１の下部から照射されたレーザーによって切断された共通配線３の破片に対して、シール材８が障壁になるようにしている。 - 特許庁